ヘテロ接合トランジスタ、及びヘテロ接合トランジスタを作製する方法
【課題】チャネル層内の抵抗の不均一を避けることを可能にする構造を有するヘテロ接合トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体積層１５が、半極性を示すIII族窒化物主面１３ａ上に設けられ、半導体積層１５が主面１３ａに到達する開口１６を有する。開口１６の側面１６ａは、III族窒化物半導体のａ面に対して大きな角度を成すと共にIII族窒化物半導体のｍ面に対しても大きな角度を成して、III族窒化物半導体のｃ面に非常に近い面から構成される。開口１６の側面１６ａの傾斜角は、ｍ面やａ面よりもｃ面に近い。この開口１６の側面１６ａにドリフト層１７及びチャネル層１９が成長されるので、その成長中に不可避的に取り込まれる不純物量を小さくできる。これ故に、ドリフト層１７及びチャネル層１９における抵抗の不均一を避けることができる。
【解決手段】半導体積層１５が、半極性を示すIII族窒化物主面１３ａ上に設けられ、半導体積層１５が主面１３ａに到達する開口１６を有する。開口１６の側面１６ａは、III族窒化物半導体のａ面に対して大きな角度を成すと共にIII族窒化物半導体のｍ面に対しても大きな角度を成して、III族窒化物半導体のｃ面に非常に近い面から構成される。開口１６の側面１６ａの傾斜角は、ｍ面やａ面よりもｃ面に近い。この開口１６の側面１６ａにドリフト層１７及びチャネル層１９が成長されるので、その成長中に不可避的に取り込まれる不純物量を小さくできる。これ故に、ドリフト層１７及びチャネル層１９における抵抗の不均一を避けることができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヘテロ接合トランジスタ、及びヘテロ接合トランジスタを作製する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、半導体装置が記載されている。この半導体装置は、ピンチオフ特性を改善し、またはチャネル層の移動度を向上させ電気的特性の良好な半導体装置を提供する。この半導体装置は、基板上に形成されると共に開口部を有するＧａＮ系半導体層を備える。ＧａＮ系半導体層の開口部側面には、電子走行層が形成される。電子供給層は、電子走行層の開口部側の側面に形成され、電子供給層のバンドギャップは、電子走行層のバンドギャップより大きい。ゲート電極は、電子供給層の開口部側の側面に形成される。ソース電極は、ＧａＮ系半導体層上に形成される。ドレイン電極は、ＧａＮ系半導体層のソース電極と相対する面に接続された。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２８６９４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の半導体装置では、半導体装置をｃ面ＧａＮ基板上に形成するとき、開口部側面は、ｍ面及びａ面に近い面方位の傾斜面になる。この開口部側面上に電子走行層が形成される。発明者らの知見によれば、チャネル層のためのアンドープの半導体層を上記の傾斜面上に成長するとき、成長炉に不可避的に含まれる酸素不純物の取り込み量が増加する。酸素不純物の取り込みは、チャネル層のための成長された半導体層の抵抗が意図した値に比べて低下させる。このため、チャネル層の下部の低抵抗の薄層が形成されて、チャネル内の抵抗値を不均一にする。この薄層は、チャネル層にリークパスを形成することとなる。
【０００５】
本発明は、このような事情を鑑みて為されたものであり、チャネル層内の抵抗の不均一を避けることを可能にする構造を有するヘテロ接合トランジスタを提供することを目的とし、またチャネル層内の抵抗の不均一を避けることを可能にする、ヘテロ接合トランジスタを作製する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面に係るヘテロ接合トランジスタは、（ａ）半極性を示すIII族窒化物の主面を有する導電性基板と、（ｂ）前記導電性基板の前記主面に到達する開口を有する半導体積層と、（ｃ）前記半導体積層の前記開口内及び前記導電性基板の前記主面上に設けられ窒化ガリウム系半導体からなるドリフト層と、（ｄ）前記半導体積層の前記開口内に設けられ窒化ガリウム系半導体からなるチャネル半導体層と、（ｅ）前記半導体積層の前記開口内の前記チャネル半導体層上に設けられ窒化ガリウム系半導体からなるバリア層と、（ｆ）前記バリア層上に設けられたゲート電極とを備える。前記半導体積層は、前記導電性基板の前記主面上に設けられた第１導電型窒化ガリウム系半導体層、前記導電性基板と前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層との間に設けられた第２導電型窒化ガリウム系半導体層、及び前記導電性基板と前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層との間に設けられ絶縁のための窒化ガリウム系半導体層を含み、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層は、前記半導体積層の前記開口の側面に位置する端面を有し、前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層は、前記半導体積層の前記開口の側面に位置する端面を有し、前記絶縁のための窒化ガリウム系半導体層は、前記半導体積層の前記開口の前記側面に到達する端面を有し、前記チャネル層は、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層の前記端面及び前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層の前記端面上に設けられ、前記ドリフト層は、前記絶縁のための窒化ガリウム系半導体層の前記端面上に設けられ、前記開口の前記側面は、前記III族窒化物半導体のａ面に対して第１の角度を成し、前記III族窒化物半導体のｍ面に対して第２の角度を成すと共に前記III族窒化物半導体のｃ面に対して第３の角度を成し、前記第３の角度は前記第１の角度よりも小さく、前記第３の角度は前記第２の角度よりも小さい。
【０００７】
このヘテロ接合トランジスタでは、半導体積層が、半極性を示すIII族窒化物主面上に設けられており、半導体積層が導電性基板の主面に到達する開口を有する。第１導電型窒化ガリウム系半導体層の端面（開口の側面）上に、チャネル層が設けられる。また、開口の側面上に、ドリフト層が設けられる。
【０００８】
III族窒化得物の成長をｍ面やａ面及びこれらの面に近い面方位の窒化物表面に行うとき、半導体層が、成長中に不可避的に取り込まれる不純物により低抵抗になる。ドリフト層及びチャネル層の特性は、このような不純物の影響に敏感である。
【０００９】
半導体積層では、開口の側面は、III族窒化物半導体のａ面に対して第１の角度を成し、III族窒化物半導体のｍ面に対して第２の角度を成すと共にIII族窒化物半導体のｃ面に対して第３の角度を成す。第３の角度は第１の角度よりも小さく、第３の角度は第２の角度よりも小さいので、開口の側面の傾斜角は、ｍ面やａ面よりもｃ面に近くなる。この開口の側面にドリフト層及びチャネル層の半導体が設けられるので、その成長中に取り込まれる不純物量を小さくできる。これ故に、ドリフト層及びチャネル層では、これらの不純物濃度は低い。したがって、このトランジスタの構造によれば、ドリフト層及びチャネル層における抵抗の不均一を避けることができる。
【００１０】
本発明に係るヘテロ接合トランジスタは、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層に接続されたソース電極を更に備えることができる。前記ソース電極は前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層に接続されている。
【００１１】
このヘテロ接合トランジスタによれば、ソース電極が第１導電型窒化ガリウム系半導体層だけでなく、第２導電型窒化ガリウム系半導体層とオーミック接続された電極を介して接続されているので、第２導電型窒化ガリウム系半導体層の電位をソース電極を用いて制御できる。
【００１２】
本発明に係るヘテロ接合トランジスタでは、前記導電性基板の裏面に設けられたドレイン電極を更に備えることができる。このヘテロ接合トランジスタによれば、ドレイン電極が導電性基板の裏面に設けられるので、ドレイン電極をゲート電極から隔てることができる。
【００１３】
本発明に係るヘテロ接合トランジスタでは、前記導電性基板の前記主面は、前記III族窒化物半導体のｃ軸の方向に延在する基準軸に直交する面に対して６３度以上８０度以下の範囲の角度を成すことができる。
【００１４】
このヘテロ接合トランジスタによれば、上記の角度範囲において、開口の側面に、不純物の取り込みによる抵抗不均一を避けることができる。
【００１５】
本発明に係るヘテロ接合トランジスタでは、前記導電性基板の前記主面は、前記III族窒化物半導体のｃ軸の方向に延在する基準軸に直交する面に対して７０度以上８０度以下の範囲の角度を成す。
【００１６】
このヘテロ接合トランジスタによれば、上記の角度範囲において、開口の側面に、不純物の取り込みによる抵抗不均一を避けることができる。また、開口の側面にｃ面及び／又はｃ面に近い面方位を提供できる。
【００１７】
本発明に係るヘテロ接合トランジスタでは、前記チャネル層は不純物として酸素及び炭素を含み、前記チャネル層における酸素濃度は前記チャネル層における炭素濃度より小さい。
【００１８】
酸素はドナーとして作用して半導体層に電子を供給する一方、炭素の添加は半導体を高比抵抗にする。このヘテロ接合トランジスタによれば、チャネル層において、酸素濃度が炭素濃度より小さい。これ故に、酸素の働きが炭素により低減される。
【００１９】
本発明に係るヘテロ接合トランジスタでは、前記開口の前記側面は、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層のｃ面を基準にして40度以上90度以下の角度範囲にあることができる。ヘテロ接合トランジスタによれば、上記の角度範囲において、開口の側面上への半導体層の成長において、不純物の取り込みを低減できる。
【００２０】
本発明に係るヘテロ接合トランジスタでは、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層の前記端面は、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層のｃ面を含むことが良い。また、前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層の前記端面は、前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層のｃ面を含むことが良い。ヘテロ接合トランジスタによれば、上記の角度範囲において、開口の側面上への半導体層の成長において、不純物の取り込みを低減できる。
【００２１】
本発明に係るヘテロ接合トランジスタでは、前記絶縁のための窒化ガリウム系半導体層の端面は、前記窒化ガリウム系半導体層のｃ面を含むことが良い。ヘテロ接合トランジスタによれば、上記の角度範囲において、開口の側面上への半導体層の成長において、不純物の取り込みを低減できる。
【００２２】
本発明に係るヘテロ接合トランジスタでは、前記導電性基板はｎ型ＧａＮからなり、前記窒化ガリウム系半導体ドリフト層はＧａＮからなり、前記チャネル半導体層はアンドープＧａＮからなり、前記バリア層はＡｌＧａＮからなり、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層はｎ型ＧａＮからなり、第２導電型窒化ガリウム系半導体層はｐ＋型ＧａＮからなり、前記窒化ガリウム系半導体層はＧａＮからなることが良い。このヘテロ接合トランジスタによれば、実用的な構造の一例が提供される。
【００２３】
本発明の別の側面は、ヘテロ接合トランジスタを作製する方法である。この方法は、（ａ）III族窒化物半導体の半極性を示す主面を有する導電性基板を準備する工程と、（ｂ）前記導電性基板の前記主面に半導体積層を成長する工程と、（ｃ）前記半導体積層に前記導電性基板の前記主面に到達する開口を形成する工程と、（ｄ）前記半導体積層の前記開口内及び前記導電性基板の前記主面上に窒化ガリウム系半導体ドリフト層を形成する工程と、（ｅ）前記半導体積層の前記開口の側面及び前記窒化ガリウム系半導体ドリフト層上に、窒化ガリウム系半導体からなるチャネル半導体層を成長する工程と、（ｆ）窒化ガリウム系半導体からなるバリア層を前記チャネル半導体層上に成長する工程と、（ｇ）前記バリア層上にゲート電極を形成する工程とを備える。前記半導体積層は、前記導電性基板の前記主面上に設けられた第１導電型窒化ガリウム系半導体層、前記導電性基板と前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層との間に設けられた第２導電型窒化ガリウム系半導体層、及び前記導電性基板と前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層との間に設けられ絶縁のための窒化ガリウム系半導体層を含み、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層は、前記半導体積層の前記開口の前記側面に到達する端面を有し、前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層は、前記半導体積層の前記開口の前記側面に到達する端面を有し、前記チャネル層は、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層の前記端面及び前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層の前記端面上に設けられ、前記ドリフト層は、前記絶縁のための窒化ガリウム系半導体層の前記端面上に設けられ、前記開口の前記側面は、前記III族窒化物半導体のａ面に対して第１の角度を成し、前記III族窒化物半導体のｍ面に対して第２の角度を成すと共に前記III族窒化物半導体のｃ面に対して第３の角度を成し、前記第３の角度は前記第１の角度よりも小さく、前記第３の角度は前記第２の角度よりも小さい。
【００２４】
この方法によれば、半導体積層が、半極性を示すIII族窒化物主面上に成長され、半導体積層には、導電性基板の主面に到達する開口が形成される。チャネル層が、第１導電型窒化ガリウム系半導体層及び第２導電型窒化ガリウム系半導体層の端面（開口の側面）上に成長される。また、ドリフト層が、開口の側面上に成長される。
【００２５】
III族窒化得物の成長をｍ面やａ面及びこれらの面に近い面方位の窒化物表面に行うとき、半導体層が、成長中に不可避的に取り込まれる不純物により低抵抗になる。ドリフト層及びチャネル層の特性は、このような不純物の影響に敏感である。
【００２６】
半導体積層では、開口の側面は、III族窒化物半導体のａ面に対して第１の角度を成し、III族窒化物半導体のｍ面に対して第２の角度を成すと共にIII族窒化物半導体のｃ面に対して第３の角度を成す。第３の角度は第１の角度よりも小さく、第３の角度は第２の角度よりも小さいので、開口の側面の傾斜角は、ｍ面やａ面よりもｃ面に近くなる。この開口の側面にドリフト層及びチャネル層の半導体を成長するので、その成長中に取り込まれる不純物量を小さくできる。これ故に、ドリフト層及びチャネル層は低い不純物濃度を有する。したがって、この方法によれば、ドリフト層及びチャネル層における抵抗の不均一を避けることができる。
【００２７】
本発明に係る方法は、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層に接続されたソース電極を形成する工程を更に備えることができる。前記ソース電極は前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層に接続されている。
【００２８】
この方法によれば、チャネル層の一方の面上にゲート電圧が形成されると共にチャネル層の他方の面が第２導電型窒化ガリウム系半導体層に接触している。ソース電極は、チャネル層の背面に接する第２導電型窒化ガリウム系半導体層の電位を制御できる。
【００２９】
本発明に係る方法では、前記開口の前記側面は、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層のｃ面を基準にして40度以上90度以下の角度範囲にあることができる。
【００３０】
この方法によれば、上記の角度範囲において、開口の側面上への半導体層の成長において、不純物の取り込みを低減できる。
【００３１】
本発明に係る方法では、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層の前記端面は、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層のｃ面を含むことが良い。また、前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層の前記端面は、前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層のｃ面を含むことが良い。この方法によれば、上記の角度範囲において、開口の側面上への半導体層の成長において、不純物の取り込みを低減できる。さらに、本発明に係る方法では、前記絶縁のための窒化ガリウム系半導体層の端面は、前記窒化ガリウム系半導体層のｃ面を含むことが良い。この方法によれば、上記の角度範囲において、開口の側面上への半導体層の成長において、不純物の取り込みを低減できる。
【００３２】
本発明に係る方法では、前記絶縁のための窒化ガリウム系半導体層の端面は、前記窒化ガリウム系半導体層のｃ面を含むことが良い。この方法によれば、上記の角度範囲において、開口の側面上への半導体層の成長において、不純物の取り込みを低減できる。
【００３３】
本発明に係る方法では、前記チャネル層は不純物として酸素及び炭素を含み、前記チャネル層における酸素濃度は前記チャネル層における炭素濃度より小さいことが良い。この方法によれば、酸素はドナーとして作用して半導体層に電子を供給する一方、炭素の添加は半導体を高比抵抗にする。チャネル層において、酸素濃度が炭素濃度より小さい。これ故に、酸素の働きが炭素により低減される。
【００３４】
本発明に係る方法では、前記ドリフト層は不純物として酸素及び炭素を含み、前記ドリフト層における酸素濃度は前記ドリフト層における炭素濃度より小さいことが良い。この方法によれば、酸素はドナーとして作用して半導体層に電子を供給する一方、炭素の添加は半導体を高比抵抗にする。ドリフト層において、酸素濃度が炭素濃度より小さい。これ故に、酸素の働きが炭素により低減される。
【００３５】
本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。
【発明の効果】
【００３６】
以上説明したように、本発明によれば、チャネル層内の抵抗の不均一を避けることを可能にする構造を有するヘテロ接合トランジスタが提供される。また、本発明によれば、チャネル層内の抵抗の不均一を避けることを可能にする、ヘテロ接合トランジスタを作製する方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】図１は、本実施の形態に係るヘテロ接合トランジスタの構造を示す図面である。
【図２】図２は、図１に示されたヘテロ接合トランジスタの動作を示す図面である。
【図３】図３は、本実施の形態に係るヘテロ接合トランジスタを作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。
【図４】図４は、本実施の形態に係るヘテロ接合トランジスタを作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。
【図５】図５は、本実施の形態に係るヘテロ接合トランジスタを作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明のヘテロ接合トランジスタ、及びヘテロ接合トランジスタを作製する方法に係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
【００３９】
図１は、本実施の形態に係るヘテロ接合トランジスタの構造を示す図面である。図２は、図１に示されたヘテロ接合トランジスタの動作を示す図面である。ヘテロ接合トランジスタ１１は、導電性基板１３と、半導体積層１５と、ドリフト層１７と、チャネル層１９と、バリア層２１と、ゲート電極２３とを備える。導電性基板１３は、半極性を示すIII族窒化物主面１３ａを有すると共に、裏面１３ｂを有する。半導体積層１５は、導電性基板１３の主面１３ａに到達する開口１６を有する。開口１６は、半導体積層１５に形成されたメサ、凹部又は溝により規定される。ドリフト層１７は、窒化ガリウム系半導体からなり、また半導体積層１５の開口１６内及び導電性基板１３の主面１３ａ上に設けられる。チャネル層１９は、窒化ガリウム系半導体からなり、また半導体積層１５の開口１６内に設けられる。バリア層２１は、窒化ガリウム系半導体からなり、また半導体積層１５の開口１６内に設けられると共に開口１６内のチャネル層１９上に延在する。ゲート電極２３はバリア層２１上に設けられ、開口１６内においてバリア層２１はチャネル層１９とゲート電極２３との間に位置する。チャネル層１９とバリア層２１とはヘテロ接合２０を成す。ゲート電極２３はヘテロ接合２０に沿った二次元電子ガスの生成を制御する。
【００４０】
半導体積層１５は、第１導電型窒化ガリウム系半導体層２５、第２導電型窒化ガリウム系半導体層２７、及び窒化ガリウム系半導体層２９を含む。第１導電型窒化ガリウム系半導体層２５は、例えばｎ導電性を有し、また基板１３の主面１３ａ上に設けられる。第２導電型窒化ガリウム系半導体層２７は、例えばｐ導電性を有し、また導電性基板１３の主面１３ａと第１導電型窒化ガリウム系半導体層２５との間に設けられる。窒化ガリウム系半導体層２９は、第２導電型窒化ガリウム系半導体層２７と導電性基板１３との間の絶縁のために、導電性基板１３と第２導電型窒化ガリウム系半導体層２７との間に設けられる。窒化ガリウム系半導体層２９は、例えばアンドープ半導体であることができる。
【００４１】
第１導電型窒化ガリウム系半導体層２５は、半導体積層１５の開口１６の側面１６ａに位置する端面２５ａを有する。第２導電型窒化ガリウム系半導体層２７は、半導体積層１５の開口１６の側面１６ａに位置する端面２７ａを有する。窒化ガリウム系半導体層２９は、半導体積層１５の開口１６の側面１６ａに到達する端面２９ａを有する。チャネル層１９は、第１導電型窒化ガリウム系半導体層２５の端面２５ａ及び第２導電型窒化ガリウム系半導体層２７の端面２７ａ並びにドリフト半導体層１７の上面１７ａ上に設けられる。ドリフト層１７は、絶縁のための窒化ガリウム系半導体層２９の端面２９ａ上に設けられ、また主面１３ア上に設けられる。ドリフト層１７の側面１７ｂは、窒化ガリウム系半導体層２９の端面２９ａに接合を成しており、端面２９ａはドリフト層１７の側面１７ｂを覆っている。また、ドリフト層１７の側面１７ｂは、第１導電型窒化ガリウム系半導体層２５の端面２５ａ及び第２導電型窒化ガリウム系半導体層２７の端面２７ａとは対面していない。
【００４２】
図１に示されるように、本実施例では開口１６の側面１６ａはほぼｃ面（ｃ軸に直交する面）に沿って設けられている。図１においては、結晶座標系ＣＲが示されており、基準軸Ｃｘはｃ軸の方向を示している。ｍ面は結晶座標系ＣＲのｍ軸に直交する面であり、ａ面は結晶座標系ＣＲのａ軸に直交する面である。開口１６の側面１６ａは、III族窒化物半導体のａ面に対して第１の角度を成し、III族窒化物半導体のｍ面に対して第２の角度を成すと共に前記III族窒化物半導体のｃ面に対して第３の角度を成す。これらの角度は、それぞれの面における法線動詞の成す角度として規定される。この定義に基づくとき、第３の角度は前記第１の角度よりも小さく、第３の角度は第２の角度よりも小さい。
【００４３】
このヘテロ接合トランジスタ１１では、半導体積層１５が、半極性を示すIII族窒化物主面１３ａ上に設けられており、半導体積層１５が導電性基板１３の主面１３ａに到達する開口１６を有する。第２導電型窒化ガリウム系半導体層２７の端面２７ａ（開口１６の側面１６ａ）上に、チャネル層１９が設けられる。また、窒化ガリウム系半導体層２９の端面２９ａ（開口１６の側面１６ａ）上にドリフト層１７が設けられる。
【００４４】
III族窒化得物の成長をｍ面やａ面及びこれらの面に近い面方位の窒化物表面に行うとき、成長された半導体層が、取り込まれる不純物により低抵抗になる。ドリフト層１７及びチャネル層１９の特性は、このような不純物の影響に敏感である。
【００４５】
半導体積層１５では、開口１６の側面１６ａは、III族窒化物半導体のａ面に対して第１の角度を成し、III族窒化物半導体のｍ面に対して第２の角度を成すと共にIII族窒化物半導体のｃ面に対して第３の角度を成す。このとき、第３の角度は第１の角度よりも小さく、第３の角度は第２の角度よりも小さいので、開口１６の側面１６ａの傾斜角は、ｍ面やａ面よりもｃ面に近くなる。この開口１６の側面１６ａにドリフト層１７及びチャネル層１９の半導体が設けられるので、その成長中に不可避的に取り込まれる不純物量を小さくできる。これ故に、ドリフト層１７及びチャネル層１９は低い不純物濃度を有する。したがって、このトランジスタ１１の構造によれば、ドリフト層１７及びチャネル層１９における抵抗の不均一を避けることができる。
【００４６】
ヘテロ接合トランジスタ１１は、第１導電型窒化ガリウム系半導体層２５に接続されたソース電極３１を更に備えることができる。ソース電極３１は第２導電型窒化ガリウム系半導体層２７に接続されている。ソース電極３１が第１導電型窒化ガリウム系半導体層２５だけでなく、第２導電型窒化ガリウム系半導体層２７にも接続されているので、第２導電型窒化ガリウム系半導体層２７の電位はソース電極３１を用いて印加されて、これが背面バイアスとなる。これは、ヘテロ接合トランジスタ１１にノーマリオフ動作をさせるために好適である。
【００４７】
ヘテロ接合トランジスタ１１では、導電性基板１３の裏面１３ｂに設けられたドレイン電極３３を更に備えることができる。ドレイン電極３３が導電性基板１３の裏面１３ｂに設けられるので、ドレイン電極３３をゲート電極２３から隔てることができる。
【００４８】
第１導電型窒化ガリウム系半導体層２５の第１の面２５ｂは、チャネル層１９と接合３５ａを成す。第１導電型窒化ガリウム系半導体層２５の第２の面２５ｃは、第２導電型窒化ガリウム系半導体層２７の第１の面２７ｂと接合３５ｂを成す。窒化ガリウム系半導体層２９の第１の面２９ｂは、第２導電型窒化ガリウム系半導体層２７の第２の面２７ｃと接合３５ｃを成す。窒化ガリウム系半導体層２９の第２の面２９ｃは、導電性基板１３の主面１３ａと接合３５ｄを成す。
【００４９】
開口１６の側面１６ａでは、チャネル層１９の裏面は、第１導電型窒化ガリウム系半導体層２５の端面２５ａと接合３５ａを成す。また、チャネル層１９の裏面は、第１導電型窒化ガリウム系半導体層２５の端面２５ａ、及び第２導電型窒化ガリウム系半導体層２７の端面２７ａと接合３５ｅを成す。チャネル層２３の裏面は、窒化ガリウム系半導体層２９の端面２９ａと接合３５ｆを成す。ゲート電極１８は、バリア層２１にショットキ接合３５ｇを成す。
【００５０】
本発明に係るヘテロ接合トランジスタでは、導電性基板１３はｎ型ＧａＮからなり、ドリフト層１７はＧａＮからなり、チャネル層１９はアンドープＧａＮからなり、バリア層２１はＡｌＧａＮからなり、第１導電型窒化ガリウム系半導体層２５はｎ型ＧａＮからなり、第２導電型窒化ガリウム系半導体層２７はｐ＋型ＧａＮからなり、絶縁用の窒化ガリウム系半導体層２９はＧａＮからなることができる。
【００５１】
ヘテロ接合トランジスタ１１の一実施例を以下に示す。
導電性基板１３：ｎ型ＧａＮ（キャリア濃度：1×1019cm-3）；
ドリフト層１７：アンドープＧａＮ（キャリア濃度：5×1015cm-3、厚さ：５μｍ）；
チャネル層１９：アンドープＧａＮ（キャリア濃度：1×1015cm-3、厚さ：３０ｎｍ）；
バリア層２１：アンドープＡｌＧａＮ（厚さ：３０ｎｍ、Al組成比0.25）；
第１導電型窒化ガリウム系半導体層２５：ｎ型ＧａＮ（キャリア濃度：1×1018cm-3、厚さ：０．３μｍ）；
第２導電型窒化ガリウム系半導体層２７：ｐ＋型ＧａＮ（キャリア濃度：1×1018cm-3、厚さ：０．５μｍ）；
窒化ガリウム系半導体層２９：アンドープＧａＮ（厚さ：５μｍ）。
このヘテロ接合トランジスタによれば、実用的な構造の一例が提供される。
【００５２】
図２を参照しながら、ヘテロ接合トランジスタ１１の動作を説明する。ヘテロ接合トランジスタ１１の導通及び非導通は、ゲート電極２３に印加される電圧により制御される。ヘテロ接合トランジスタ１１が非導通であるとき、ヘテロ接合トランジスタ１１のソース電極３１及びドレイン電極３３の間に電流は流れない。ヘテロ接合トランジスタ１１が導通であるとき、ソース電極３１からキャリアＩＣ１が第１導電型窒化ガリウム系半導体層２５に流れ込む。第１導電型窒化ガリウム系半導体層２５からチャネル層１９にキャリアＩＣ２が流れ込む。ゲートバイアスにおかげでチャネルが形成されているので、キャリアＩＣ３は、ゲート電極直下のチャネルを通過する。チャネルを通過したキャリアＩＣ４は、ドレインバイアスに引かれて、チャネル層１９からドリフト層１７に流れ込む。さらに、ドリフト層１７を走行したキャリアＩＣ５は、導電性基板１３を介してドレイン電極３３に到達する。
【００５３】
有用な形態では、第１導電型窒化ガリウム系半導体層２５の端面２５ａは、この半導体層２５のｃ面を含むことが良い。また、第２導電型窒化ガリウム系半導体層２７の端面２７ａは、この半導体層２７のｃ面を含むことが良い。さらに、絶縁用の窒化ガリウム系半導体層２９の端面２９ａは、この半導体層２９のｃ面を含むことが良い。ｃ面において、開口１６の側面１６ａ上への半導体層の成長の際に、不純物の取り込みを低減できる。
【００５４】
実験的には、炭素の取り込み量及び酸素の取り込み量をｃ面ＧａＮ及びｍ面ＧａＮにおいて調べた。
面方位、酸素濃度、炭素濃度、 濃度の単位（ｃｍ−３）
ｃ面：７×１０１６、８×１０１６；
ｍ面：９×１０１７、４×１０１６。
ｃ面上の成長では、酸素濃度が炭素濃度より小さく、ｍ面上の成長では、酸素濃度が炭素濃度より大きい。
【００５５】
実用的には、トランジスタでは、開口１６の側面１６ａは、窒化ガリウム系半導体層２５、２７、２９のｃ面を基準にして40度以上90度以下の角度範囲にあることができる。この角度範囲において、開口１６の側面１６ａ上への半導体層の成長において、不純物の取り込みを低減できる。
【００５６】
ヘテロ接合トランジスタ１１では、導電性基板１３の主面１３ａはIII族窒化物半導体のｃ軸の方向に延在する基準軸Ｃｘに直交する面に対して６３度以上８０度以下の範囲の角度を成すことができる。このトランジスタ１１によれば、75度とする。また、開口１６の側面１６ａに、不純物の取り込みによる抵抗不均一を避けることができる。
【００５７】
また、ヘテロ接合トランジスタ１１では、導電性基板１３の主面１３ａは基準軸Ｃｘに直交する面に対して７０度以上８０度以下の範囲の角度を成すことができる。このトランジスタ１１によれば、上記の角度範囲において、75度とする。また、開口１６の側面１６ａに、不純物の取り込みによる抵抗不均一を避けることができる。また、開口１６の側面１６ａにｃ面及び／又はｃ面に近い面方位を提供できる。
【００５８】
さらに、ヘテロ接合トランジスタ１１では、チャネル層１９は不純物として酸素及び炭素を含み、チャネル層１９における酸素濃度はチャネル層１９における炭素濃度より小さい。酸素はドナーとして作用して半導体層に電子を供給する一方、炭素の添加は半導体を高比抵抗にする。これ故に、チャネル層１９において、酸素濃度が炭素濃度より小さい。これ故に、酸素の働きが炭素により低減される。また、ドリフト層１７は不純物として酸素及び炭素を含み、ドリフト層１７における酸素濃度はドリフト層１７における炭素濃度より小さい。既に説明したように、酸素はドナーとして作用して半導体層に電子を供給する一方、炭素の添加は半導体を高比抵抗にする。このため、ドリフト層１７において、酸素濃度が炭素濃度より小さい。これ故に、酸素の働きが炭素により低減される。
【００５９】
図３〜図５は、本実施の形態に係るヘテロ接合トランジスタを作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。
【００６０】
工程Ｓ１０１では、図３（ａ）に示されるように、III族窒化物半導体の半極性を示す主面５１ａを有する導電性基板５１を準備する。例えば、導電性基板５１として、III族窒化物半導体基板を用いることができる。III族窒化物半導体基板は、例えばＧａＮ、ＡｌＮ等からなることができる。導電性基板５１の主面５１ａは、後の工程で形成される開口の側面の傾斜角に所望の面方位を提供できるように選択される。一実施例として、｛２０−２１｝ＧａＮ面を用いることができる。この面は、ＧａＮのｃ軸に対してｍ軸方向に約７５度の角度で傾斜している。面方位の傾斜を例えばａ軸方向に行うことができる。
【００６１】
工程Ｓ１０２では、図３（ａ）に示されるように、導電性基板５１の主面５１ａに半導体積層５３を成長する。半導体積層５３の形成では、絶縁用窒化ガリウム系半導体層５５、第２導電型窒化ガリウム系半導体層５７、及び第１導電型窒化ガリウム系半導体層５９を基板５１の主面５１ａ上に順に成長する。この成長は、例えば有機金属気相成長法で行われる。絶縁用窒化ガリウム系半導体層５５は、例えば厚さ５μｍのアンドープＧａＮからなり、第２導電型窒化ガリウム系半導体層５７は例えば厚さ１．０μｍのＭｇドープｐ型ＧａＮからなり、及び第１導電型窒化ガリウム系半導体層５９は例えば厚さ0.3μｍのＳｉドープｎ＋型ＧａＮからなる。半導体積層５３における接合６１ａ、６１ｂの各々も、基板５１の主面５１ａの傾斜に応じてｃ軸に対して傾斜している。このとき、半導体積層５３の厚さは７μｍである。
【００６２】
工程Ｓ１０３では、図３（ｂ）に示されるように、フォトリソグラフィで半導体積層５３の表面５３ａに形成されたマスク６３を用いて、半導体積層５３に開口６５を形成する。開口６５は、半導体積層５３の表面５３ａから導電性基板５１の主面５１ａに到達する。開口６５は、第１〜第３部分６５ａ、６５ｂ、６５ｃを有する。第１の部分６５ａでは、導電性基板５１の主面５１ａの一部５１ｂが露出している。第２の部分６５ｂでは、開口６５の側面６５ｃが、導電性基板５１の主面５１ａから半導体積層５３の表面５３ａまで傾斜する。開口６５の側面６５ｃには、絶縁用窒化ガリウム系半導体層５５の端面５５ａ、第２導電型窒化ガリウム系半導体層５７の端面５７ａ、及び第１導電型窒化ガリウム系半導体層５９の端面５９ａが現れている。開口形成の結果として、半導体積層５３ｂが形成される。半導体積層５３ｂは、基板５１の主面５１ａの残り５１ｃを覆う。半導体積層５３ｂは、開口の形状に応じて、メサ形状、或いは凹部を含む形状を成す。開口６５の側面６５ｃには、良好な条件ではほぼｃ面が現れる。側面６５ａは、基板５１の主面５１ａに対して傾斜している。側面６５ａの具体的な傾斜角は、基板５１の主面５１ａの半極の傾斜に応じて決定される。
【００６３】
工程Ｓ１０４では、開口６５を形成した後に、図３（ｃ）に示されるように、半導体積層５３ｂ及び基板５１上にドリフト層のための窒化ガリウム系半導体膜６７を成長する。窒化ガリウム系半導体膜６７の成長では、半導体積層５３ｂの側面における成長速度が基板５１の露出面上の成長速度より十分に大きくなる条件が用いられる。また、窒化ガリウム系半導体膜６７は、開口６５を埋め込む程度の厚さに成長されることが良い。窒化ガリウム系半導体膜６７の厚さは、少なくとも絶縁用窒化ガリウム系半導体層５５の端面５５ａを覆う程度である。本実施例では、窒化ガリウム系半導体膜６７の厚さは、半導体積層５３ｂの厚さ以上の値であり、例えば７μｍである。
【００６４】
次いで、工程Ｓ１０５では、図４（ａ）に示されるように、窒化ガリウム系半導体膜６７を加工して、エピタキシャル基板の表面に半導体積層５３ｃが露出させる。加工は例えば研磨及び化学的エッチングであることができる。研磨は、例えば機械的研磨（ＭＰ）及び化学的機械的研磨（ＣＭＰ）を用いることができる。この加工の結果、エピタキシャル基板の表面には、半導体積層５３ｃ及びドリフト層のための窒化ガリウム系半導体領域６７ａが現れている。本実施例では、窒化ガリウム系半導体領域６７ａは、開口１６に充填されている。窒化ガリウム系半導体領域６７ａは、半導体層５５、５７、５９の端面５５ａ、５７ａ、５９ａを覆っている。本実施例では、研磨を用いて上記の加工を行う。この研磨により、半導体積層５３ｂの最上層の半導体５９の表層が少し除かれて、半導体積層５３ｃが形成される。
【００６５】
工程Ｓ１０６では、図４（ｂ）に示されるように、窒化ガリウム系半導体領域６７ａを選択的にエッチングして、窒化ガリウム系半導体領域６７ｂを形成する。この結果、開口６５の側面６５ａのうち端面５５ａの一部及び端面５７ａ、５９ａの全体を露出される。前述の開口65形成と同様である。窒化ガリウム系半導体領域６７ｂは、端面５５ａの残りを覆う。窒化ガリウム系半導体領域６７ｂはドリフト層を構成する。このエッチングで、半導体層５５、５７、５９もエッチングされることがあるが、エッチング後において、半導体層５５、５７、５９の端面はほぼｃ面からなることが良い。この工程において、半導体積層５３ｃの開口内及び導電性基板５１の主面５１ａ上にドリフト層６７ｂが形成される。
【００６６】
必要な場合には、図４（ｃ）に示されるように、工程Ｓ１０７においてチャネル層及びバリア層の成長に先立って前処理を行う。
【００６７】
工程Ｓ１０８では、図５（ａ）に示されるように、半導体積層５３ｃの表面、開口６５の側面及びドリフト層６７ｂ上に、窒化ガリウム系半導体からなるチャネル半導体層６９を成長する。次いで、工程Ｓ１０９では、チャネル半導体層６９上に、窒化ガリウム系半導体からなるバリア層７１を成長する。
【００６８】
工程Ｓ１１０では、半導体積層５３ｃの半導体層５７、５９に接触を成すソース電極７３の形成、バリア層７１にショットキ接触を成すゲート電極の形成、及び基板５１の裏面５１ｂに接触を成すドレイン電極７５の形成を行う。
【００６９】
この製造方法によれば、半導体積層５３が、半極性を示すIII族窒化物主面５１ａ上に成長され、半導体積層５３には、該主面５１ａに到達する開口６５が形成される。開口６５の側面６５ａ上に、ドリフト層のための半導体層６７が成長される。また、第１導電型窒化ガリウム系半導体層５９及び第２導電型窒化ガリウム系半導体層５７の端面（開口６５の側面６５ａ）上に、チャネル層７１が成長される。
【００７０】
上記の説明においては、良好な形態を提供するｃ面傾斜を開口に形成したけれども、以下の角度条件を満たすとき、ドリフト層６７ｂ及びチャネル層７１の成長中に取り込まれる不純物量を低減できる。角度条件を次のように規定する：開口６５の側面６５ａが当該トランジスタを構成するIII族窒化物半導体のａ面に対して角度（図面には記載しないが「角度θ１」として参照する）を成し、該III族窒化物半導体のｍ面に対して角度（図面には記載しないが「角度θ２」として参照する）を成し、該III族窒化物半導体のｃ面に対して角度（図面には記載しないが「角度θ３」として参照する）を成す。角度条件：角度θ３が角度θ１よりも小さく、且つ角度θ３が角度θ２よりも小さい。
【００７１】
このとき、上記の角度の関係から、開口６５の側面６５ａの傾斜角は、ｍ面やａ面よりもｃ面に近くなる。この側面６５ａにドリフト層６７ｂ及びチャネル層７１の半導体を成長するので、その成長中に不可避的に取り込まれる不純物量を小さくできる。これ故に、ドリフト層７６ｂ及びチャネル層７１は低い不純物濃度を有する。したがって、この方法によれば、ドリフト６７ｂ層及びチャネル層７１における抵抗の不均一を避けることができる。
【００７２】
この結果、チャネル層７１は不純物として酸素及び炭素を含むけれども、チャネル層７１における酸素濃度をチャネル層７１における炭素濃度より小さくできる。また、ドリフト層６７ｂは不純物として酸素及び炭素を含むけれども。ドリフト層６７ｂにおける酸素濃度をドリフト層６７ｂにおける炭素濃度より小さくできる。酸素はドナーとして作用して半導体層に電子を供給する一方、炭素の添加は半導体を高比抵抗にする。チャネル層において、酸素濃度が炭素濃度より小さい。これ故に、酸素の働きが炭素により低減される。
【００７３】
好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【符号の説明】
【００７４】
１１…ヘテロ接合トランジスタ、１３…導電性基板、１５…半導体積層、１６…開口、１７…ドリフト層、１９…チャネル層、２０…ヘテロ接合、２１…バリア層、２３…ゲート電極、２５…第１導電型窒化ガリウム系半導体層、２７…第２導電型窒化ガリウム系半導体層、２９…絶縁用の窒化ガリウム系半導体層、３１…ソース電極、３３…ドレイン電極、３５ａ、３５ｂ、３５ｃ、３５ｄ、３５ｅ、３５ｆ…接合、３５ｇ…ショットキ接合、ＣＲ…結晶座標系
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヘテロ接合トランジスタ、及びヘテロ接合トランジスタを作製する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、半導体装置が記載されている。この半導体装置は、ピンチオフ特性を改善し、またはチャネル層の移動度を向上させ電気的特性の良好な半導体装置を提供する。この半導体装置は、基板上に形成されると共に開口部を有するＧａＮ系半導体層を備える。ＧａＮ系半導体層の開口部側面には、電子走行層が形成される。電子供給層は、電子走行層の開口部側の側面に形成され、電子供給層のバンドギャップは、電子走行層のバンドギャップより大きい。ゲート電極は、電子供給層の開口部側の側面に形成される。ソース電極は、ＧａＮ系半導体層上に形成される。ドレイン電極は、ＧａＮ系半導体層のソース電極と相対する面に接続された。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２８６９４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の半導体装置では、半導体装置をｃ面ＧａＮ基板上に形成するとき、開口部側面は、ｍ面及びａ面に近い面方位の傾斜面になる。この開口部側面上に電子走行層が形成される。発明者らの知見によれば、チャネル層のためのアンドープの半導体層を上記の傾斜面上に成長するとき、成長炉に不可避的に含まれる酸素不純物の取り込み量が増加する。酸素不純物の取り込みは、チャネル層のための成長された半導体層の抵抗が意図した値に比べて低下させる。このため、チャネル層の下部の低抵抗の薄層が形成されて、チャネル内の抵抗値を不均一にする。この薄層は、チャネル層にリークパスを形成することとなる。
【０００５】
本発明は、このような事情を鑑みて為されたものであり、チャネル層内の抵抗の不均一を避けることを可能にする構造を有するヘテロ接合トランジスタを提供することを目的とし、またチャネル層内の抵抗の不均一を避けることを可能にする、ヘテロ接合トランジスタを作製する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面に係るヘテロ接合トランジスタは、（ａ）半極性を示すIII族窒化物の主面を有する導電性基板と、（ｂ）前記導電性基板の前記主面に到達する開口を有する半導体積層と、（ｃ）前記半導体積層の前記開口内及び前記導電性基板の前記主面上に設けられ窒化ガリウム系半導体からなるドリフト層と、（ｄ）前記半導体積層の前記開口内に設けられ窒化ガリウム系半導体からなるチャネル半導体層と、（ｅ）前記半導体積層の前記開口内の前記チャネル半導体層上に設けられ窒化ガリウム系半導体からなるバリア層と、（ｆ）前記バリア層上に設けられたゲート電極とを備える。前記半導体積層は、前記導電性基板の前記主面上に設けられた第１導電型窒化ガリウム系半導体層、前記導電性基板と前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層との間に設けられた第２導電型窒化ガリウム系半導体層、及び前記導電性基板と前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層との間に設けられ絶縁のための窒化ガリウム系半導体層を含み、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層は、前記半導体積層の前記開口の側面に位置する端面を有し、前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層は、前記半導体積層の前記開口の側面に位置する端面を有し、前記絶縁のための窒化ガリウム系半導体層は、前記半導体積層の前記開口の前記側面に到達する端面を有し、前記チャネル層は、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層の前記端面及び前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層の前記端面上に設けられ、前記ドリフト層は、前記絶縁のための窒化ガリウム系半導体層の前記端面上に設けられ、前記開口の前記側面は、前記III族窒化物半導体のａ面に対して第１の角度を成し、前記III族窒化物半導体のｍ面に対して第２の角度を成すと共に前記III族窒化物半導体のｃ面に対して第３の角度を成し、前記第３の角度は前記第１の角度よりも小さく、前記第３の角度は前記第２の角度よりも小さい。
【０００７】
このヘテロ接合トランジスタでは、半導体積層が、半極性を示すIII族窒化物主面上に設けられており、半導体積層が導電性基板の主面に到達する開口を有する。第１導電型窒化ガリウム系半導体層の端面（開口の側面）上に、チャネル層が設けられる。また、開口の側面上に、ドリフト層が設けられる。
【０００８】
III族窒化得物の成長をｍ面やａ面及びこれらの面に近い面方位の窒化物表面に行うとき、半導体層が、成長中に不可避的に取り込まれる不純物により低抵抗になる。ドリフト層及びチャネル層の特性は、このような不純物の影響に敏感である。
【０００９】
半導体積層では、開口の側面は、III族窒化物半導体のａ面に対して第１の角度を成し、III族窒化物半導体のｍ面に対して第２の角度を成すと共にIII族窒化物半導体のｃ面に対して第３の角度を成す。第３の角度は第１の角度よりも小さく、第３の角度は第２の角度よりも小さいので、開口の側面の傾斜角は、ｍ面やａ面よりもｃ面に近くなる。この開口の側面にドリフト層及びチャネル層の半導体が設けられるので、その成長中に取り込まれる不純物量を小さくできる。これ故に、ドリフト層及びチャネル層では、これらの不純物濃度は低い。したがって、このトランジスタの構造によれば、ドリフト層及びチャネル層における抵抗の不均一を避けることができる。
【００１０】
本発明に係るヘテロ接合トランジスタは、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層に接続されたソース電極を更に備えることができる。前記ソース電極は前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層に接続されている。
【００１１】
このヘテロ接合トランジスタによれば、ソース電極が第１導電型窒化ガリウム系半導体層だけでなく、第２導電型窒化ガリウム系半導体層とオーミック接続された電極を介して接続されているので、第２導電型窒化ガリウム系半導体層の電位をソース電極を用いて制御できる。
【００１２】
本発明に係るヘテロ接合トランジスタでは、前記導電性基板の裏面に設けられたドレイン電極を更に備えることができる。このヘテロ接合トランジスタによれば、ドレイン電極が導電性基板の裏面に設けられるので、ドレイン電極をゲート電極から隔てることができる。
【００１３】
本発明に係るヘテロ接合トランジスタでは、前記導電性基板の前記主面は、前記III族窒化物半導体のｃ軸の方向に延在する基準軸に直交する面に対して６３度以上８０度以下の範囲の角度を成すことができる。
【００１４】
このヘテロ接合トランジスタによれば、上記の角度範囲において、開口の側面に、不純物の取り込みによる抵抗不均一を避けることができる。
【００１５】
本発明に係るヘテロ接合トランジスタでは、前記導電性基板の前記主面は、前記III族窒化物半導体のｃ軸の方向に延在する基準軸に直交する面に対して７０度以上８０度以下の範囲の角度を成す。
【００１６】
このヘテロ接合トランジスタによれば、上記の角度範囲において、開口の側面に、不純物の取り込みによる抵抗不均一を避けることができる。また、開口の側面にｃ面及び／又はｃ面に近い面方位を提供できる。
【００１７】
本発明に係るヘテロ接合トランジスタでは、前記チャネル層は不純物として酸素及び炭素を含み、前記チャネル層における酸素濃度は前記チャネル層における炭素濃度より小さい。
【００１８】
酸素はドナーとして作用して半導体層に電子を供給する一方、炭素の添加は半導体を高比抵抗にする。このヘテロ接合トランジスタによれば、チャネル層において、酸素濃度が炭素濃度より小さい。これ故に、酸素の働きが炭素により低減される。
【００１９】
本発明に係るヘテロ接合トランジスタでは、前記開口の前記側面は、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層のｃ面を基準にして40度以上90度以下の角度範囲にあることができる。ヘテロ接合トランジスタによれば、上記の角度範囲において、開口の側面上への半導体層の成長において、不純物の取り込みを低減できる。
【００２０】
本発明に係るヘテロ接合トランジスタでは、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層の前記端面は、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層のｃ面を含むことが良い。また、前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層の前記端面は、前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層のｃ面を含むことが良い。ヘテロ接合トランジスタによれば、上記の角度範囲において、開口の側面上への半導体層の成長において、不純物の取り込みを低減できる。
【００２１】
本発明に係るヘテロ接合トランジスタでは、前記絶縁のための窒化ガリウム系半導体層の端面は、前記窒化ガリウム系半導体層のｃ面を含むことが良い。ヘテロ接合トランジスタによれば、上記の角度範囲において、開口の側面上への半導体層の成長において、不純物の取り込みを低減できる。
【００２２】
本発明に係るヘテロ接合トランジスタでは、前記導電性基板はｎ型ＧａＮからなり、前記窒化ガリウム系半導体ドリフト層はＧａＮからなり、前記チャネル半導体層はアンドープＧａＮからなり、前記バリア層はＡｌＧａＮからなり、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層はｎ型ＧａＮからなり、第２導電型窒化ガリウム系半導体層はｐ＋型ＧａＮからなり、前記窒化ガリウム系半導体層はＧａＮからなることが良い。このヘテロ接合トランジスタによれば、実用的な構造の一例が提供される。
【００２３】
本発明の別の側面は、ヘテロ接合トランジスタを作製する方法である。この方法は、（ａ）III族窒化物半導体の半極性を示す主面を有する導電性基板を準備する工程と、（ｂ）前記導電性基板の前記主面に半導体積層を成長する工程と、（ｃ）前記半導体積層に前記導電性基板の前記主面に到達する開口を形成する工程と、（ｄ）前記半導体積層の前記開口内及び前記導電性基板の前記主面上に窒化ガリウム系半導体ドリフト層を形成する工程と、（ｅ）前記半導体積層の前記開口の側面及び前記窒化ガリウム系半導体ドリフト層上に、窒化ガリウム系半導体からなるチャネル半導体層を成長する工程と、（ｆ）窒化ガリウム系半導体からなるバリア層を前記チャネル半導体層上に成長する工程と、（ｇ）前記バリア層上にゲート電極を形成する工程とを備える。前記半導体積層は、前記導電性基板の前記主面上に設けられた第１導電型窒化ガリウム系半導体層、前記導電性基板と前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層との間に設けられた第２導電型窒化ガリウム系半導体層、及び前記導電性基板と前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層との間に設けられ絶縁のための窒化ガリウム系半導体層を含み、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層は、前記半導体積層の前記開口の前記側面に到達する端面を有し、前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層は、前記半導体積層の前記開口の前記側面に到達する端面を有し、前記チャネル層は、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層の前記端面及び前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層の前記端面上に設けられ、前記ドリフト層は、前記絶縁のための窒化ガリウム系半導体層の前記端面上に設けられ、前記開口の前記側面は、前記III族窒化物半導体のａ面に対して第１の角度を成し、前記III族窒化物半導体のｍ面に対して第２の角度を成すと共に前記III族窒化物半導体のｃ面に対して第３の角度を成し、前記第３の角度は前記第１の角度よりも小さく、前記第３の角度は前記第２の角度よりも小さい。
【００２４】
この方法によれば、半導体積層が、半極性を示すIII族窒化物主面上に成長され、半導体積層には、導電性基板の主面に到達する開口が形成される。チャネル層が、第１導電型窒化ガリウム系半導体層及び第２導電型窒化ガリウム系半導体層の端面（開口の側面）上に成長される。また、ドリフト層が、開口の側面上に成長される。
【００２５】
III族窒化得物の成長をｍ面やａ面及びこれらの面に近い面方位の窒化物表面に行うとき、半導体層が、成長中に不可避的に取り込まれる不純物により低抵抗になる。ドリフト層及びチャネル層の特性は、このような不純物の影響に敏感である。
【００２６】
半導体積層では、開口の側面は、III族窒化物半導体のａ面に対して第１の角度を成し、III族窒化物半導体のｍ面に対して第２の角度を成すと共にIII族窒化物半導体のｃ面に対して第３の角度を成す。第３の角度は第１の角度よりも小さく、第３の角度は第２の角度よりも小さいので、開口の側面の傾斜角は、ｍ面やａ面よりもｃ面に近くなる。この開口の側面にドリフト層及びチャネル層の半導体を成長するので、その成長中に取り込まれる不純物量を小さくできる。これ故に、ドリフト層及びチャネル層は低い不純物濃度を有する。したがって、この方法によれば、ドリフト層及びチャネル層における抵抗の不均一を避けることができる。
【００２７】
本発明に係る方法は、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層に接続されたソース電極を形成する工程を更に備えることができる。前記ソース電極は前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層に接続されている。
【００２８】
この方法によれば、チャネル層の一方の面上にゲート電圧が形成されると共にチャネル層の他方の面が第２導電型窒化ガリウム系半導体層に接触している。ソース電極は、チャネル層の背面に接する第２導電型窒化ガリウム系半導体層の電位を制御できる。
【００２９】
本発明に係る方法では、前記開口の前記側面は、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層のｃ面を基準にして40度以上90度以下の角度範囲にあることができる。
【００３０】
この方法によれば、上記の角度範囲において、開口の側面上への半導体層の成長において、不純物の取り込みを低減できる。
【００３１】
本発明に係る方法では、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層の前記端面は、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層のｃ面を含むことが良い。また、前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層の前記端面は、前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層のｃ面を含むことが良い。この方法によれば、上記の角度範囲において、開口の側面上への半導体層の成長において、不純物の取り込みを低減できる。さらに、本発明に係る方法では、前記絶縁のための窒化ガリウム系半導体層の端面は、前記窒化ガリウム系半導体層のｃ面を含むことが良い。この方法によれば、上記の角度範囲において、開口の側面上への半導体層の成長において、不純物の取り込みを低減できる。
【００３２】
本発明に係る方法では、前記絶縁のための窒化ガリウム系半導体層の端面は、前記窒化ガリウム系半導体層のｃ面を含むことが良い。この方法によれば、上記の角度範囲において、開口の側面上への半導体層の成長において、不純物の取り込みを低減できる。
【００３３】
本発明に係る方法では、前記チャネル層は不純物として酸素及び炭素を含み、前記チャネル層における酸素濃度は前記チャネル層における炭素濃度より小さいことが良い。この方法によれば、酸素はドナーとして作用して半導体層に電子を供給する一方、炭素の添加は半導体を高比抵抗にする。チャネル層において、酸素濃度が炭素濃度より小さい。これ故に、酸素の働きが炭素により低減される。
【００３４】
本発明に係る方法では、前記ドリフト層は不純物として酸素及び炭素を含み、前記ドリフト層における酸素濃度は前記ドリフト層における炭素濃度より小さいことが良い。この方法によれば、酸素はドナーとして作用して半導体層に電子を供給する一方、炭素の添加は半導体を高比抵抗にする。ドリフト層において、酸素濃度が炭素濃度より小さい。これ故に、酸素の働きが炭素により低減される。
【００３５】
本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。
【発明の効果】
【００３６】
以上説明したように、本発明によれば、チャネル層内の抵抗の不均一を避けることを可能にする構造を有するヘテロ接合トランジスタが提供される。また、本発明によれば、チャネル層内の抵抗の不均一を避けることを可能にする、ヘテロ接合トランジスタを作製する方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】図１は、本実施の形態に係るヘテロ接合トランジスタの構造を示す図面である。
【図２】図２は、図１に示されたヘテロ接合トランジスタの動作を示す図面である。
【図３】図３は、本実施の形態に係るヘテロ接合トランジスタを作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。
【図４】図４は、本実施の形態に係るヘテロ接合トランジスタを作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。
【図５】図５は、本実施の形態に係るヘテロ接合トランジスタを作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明のヘテロ接合トランジスタ、及びヘテロ接合トランジスタを作製する方法に係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
【００３９】
図１は、本実施の形態に係るヘテロ接合トランジスタの構造を示す図面である。図２は、図１に示されたヘテロ接合トランジスタの動作を示す図面である。ヘテロ接合トランジスタ１１は、導電性基板１３と、半導体積層１５と、ドリフト層１７と、チャネル層１９と、バリア層２１と、ゲート電極２３とを備える。導電性基板１３は、半極性を示すIII族窒化物主面１３ａを有すると共に、裏面１３ｂを有する。半導体積層１５は、導電性基板１３の主面１３ａに到達する開口１６を有する。開口１６は、半導体積層１５に形成されたメサ、凹部又は溝により規定される。ドリフト層１７は、窒化ガリウム系半導体からなり、また半導体積層１５の開口１６内及び導電性基板１３の主面１３ａ上に設けられる。チャネル層１９は、窒化ガリウム系半導体からなり、また半導体積層１５の開口１６内に設けられる。バリア層２１は、窒化ガリウム系半導体からなり、また半導体積層１５の開口１６内に設けられると共に開口１６内のチャネル層１９上に延在する。ゲート電極２３はバリア層２１上に設けられ、開口１６内においてバリア層２１はチャネル層１９とゲート電極２３との間に位置する。チャネル層１９とバリア層２１とはヘテロ接合２０を成す。ゲート電極２３はヘテロ接合２０に沿った二次元電子ガスの生成を制御する。
【００４０】
半導体積層１５は、第１導電型窒化ガリウム系半導体層２５、第２導電型窒化ガリウム系半導体層２７、及び窒化ガリウム系半導体層２９を含む。第１導電型窒化ガリウム系半導体層２５は、例えばｎ導電性を有し、また基板１３の主面１３ａ上に設けられる。第２導電型窒化ガリウム系半導体層２７は、例えばｐ導電性を有し、また導電性基板１３の主面１３ａと第１導電型窒化ガリウム系半導体層２５との間に設けられる。窒化ガリウム系半導体層２９は、第２導電型窒化ガリウム系半導体層２７と導電性基板１３との間の絶縁のために、導電性基板１３と第２導電型窒化ガリウム系半導体層２７との間に設けられる。窒化ガリウム系半導体層２９は、例えばアンドープ半導体であることができる。
【００４１】
第１導電型窒化ガリウム系半導体層２５は、半導体積層１５の開口１６の側面１６ａに位置する端面２５ａを有する。第２導電型窒化ガリウム系半導体層２７は、半導体積層１５の開口１６の側面１６ａに位置する端面２７ａを有する。窒化ガリウム系半導体層２９は、半導体積層１５の開口１６の側面１６ａに到達する端面２９ａを有する。チャネル層１９は、第１導電型窒化ガリウム系半導体層２５の端面２５ａ及び第２導電型窒化ガリウム系半導体層２７の端面２７ａ並びにドリフト半導体層１７の上面１７ａ上に設けられる。ドリフト層１７は、絶縁のための窒化ガリウム系半導体層２９の端面２９ａ上に設けられ、また主面１３ア上に設けられる。ドリフト層１７の側面１７ｂは、窒化ガリウム系半導体層２９の端面２９ａに接合を成しており、端面２９ａはドリフト層１７の側面１７ｂを覆っている。また、ドリフト層１７の側面１７ｂは、第１導電型窒化ガリウム系半導体層２５の端面２５ａ及び第２導電型窒化ガリウム系半導体層２７の端面２７ａとは対面していない。
【００４２】
図１に示されるように、本実施例では開口１６の側面１６ａはほぼｃ面（ｃ軸に直交する面）に沿って設けられている。図１においては、結晶座標系ＣＲが示されており、基準軸Ｃｘはｃ軸の方向を示している。ｍ面は結晶座標系ＣＲのｍ軸に直交する面であり、ａ面は結晶座標系ＣＲのａ軸に直交する面である。開口１６の側面１６ａは、III族窒化物半導体のａ面に対して第１の角度を成し、III族窒化物半導体のｍ面に対して第２の角度を成すと共に前記III族窒化物半導体のｃ面に対して第３の角度を成す。これらの角度は、それぞれの面における法線動詞の成す角度として規定される。この定義に基づくとき、第３の角度は前記第１の角度よりも小さく、第３の角度は第２の角度よりも小さい。
【００４３】
このヘテロ接合トランジスタ１１では、半導体積層１５が、半極性を示すIII族窒化物主面１３ａ上に設けられており、半導体積層１５が導電性基板１３の主面１３ａに到達する開口１６を有する。第２導電型窒化ガリウム系半導体層２７の端面２７ａ（開口１６の側面１６ａ）上に、チャネル層１９が設けられる。また、窒化ガリウム系半導体層２９の端面２９ａ（開口１６の側面１６ａ）上にドリフト層１７が設けられる。
【００４４】
III族窒化得物の成長をｍ面やａ面及びこれらの面に近い面方位の窒化物表面に行うとき、成長された半導体層が、取り込まれる不純物により低抵抗になる。ドリフト層１７及びチャネル層１９の特性は、このような不純物の影響に敏感である。
【００４５】
半導体積層１５では、開口１６の側面１６ａは、III族窒化物半導体のａ面に対して第１の角度を成し、III族窒化物半導体のｍ面に対して第２の角度を成すと共にIII族窒化物半導体のｃ面に対して第３の角度を成す。このとき、第３の角度は第１の角度よりも小さく、第３の角度は第２の角度よりも小さいので、開口１６の側面１６ａの傾斜角は、ｍ面やａ面よりもｃ面に近くなる。この開口１６の側面１６ａにドリフト層１７及びチャネル層１９の半導体が設けられるので、その成長中に不可避的に取り込まれる不純物量を小さくできる。これ故に、ドリフト層１７及びチャネル層１９は低い不純物濃度を有する。したがって、このトランジスタ１１の構造によれば、ドリフト層１７及びチャネル層１９における抵抗の不均一を避けることができる。
【００４６】
ヘテロ接合トランジスタ１１は、第１導電型窒化ガリウム系半導体層２５に接続されたソース電極３１を更に備えることができる。ソース電極３１は第２導電型窒化ガリウム系半導体層２７に接続されている。ソース電極３１が第１導電型窒化ガリウム系半導体層２５だけでなく、第２導電型窒化ガリウム系半導体層２７にも接続されているので、第２導電型窒化ガリウム系半導体層２７の電位はソース電極３１を用いて印加されて、これが背面バイアスとなる。これは、ヘテロ接合トランジスタ１１にノーマリオフ動作をさせるために好適である。
【００４７】
ヘテロ接合トランジスタ１１では、導電性基板１３の裏面１３ｂに設けられたドレイン電極３３を更に備えることができる。ドレイン電極３３が導電性基板１３の裏面１３ｂに設けられるので、ドレイン電極３３をゲート電極２３から隔てることができる。
【００４８】
第１導電型窒化ガリウム系半導体層２５の第１の面２５ｂは、チャネル層１９と接合３５ａを成す。第１導電型窒化ガリウム系半導体層２５の第２の面２５ｃは、第２導電型窒化ガリウム系半導体層２７の第１の面２７ｂと接合３５ｂを成す。窒化ガリウム系半導体層２９の第１の面２９ｂは、第２導電型窒化ガリウム系半導体層２７の第２の面２７ｃと接合３５ｃを成す。窒化ガリウム系半導体層２９の第２の面２９ｃは、導電性基板１３の主面１３ａと接合３５ｄを成す。
【００４９】
開口１６の側面１６ａでは、チャネル層１９の裏面は、第１導電型窒化ガリウム系半導体層２５の端面２５ａと接合３５ａを成す。また、チャネル層１９の裏面は、第１導電型窒化ガリウム系半導体層２５の端面２５ａ、及び第２導電型窒化ガリウム系半導体層２７の端面２７ａと接合３５ｅを成す。チャネル層２３の裏面は、窒化ガリウム系半導体層２９の端面２９ａと接合３５ｆを成す。ゲート電極１８は、バリア層２１にショットキ接合３５ｇを成す。
【００５０】
本発明に係るヘテロ接合トランジスタでは、導電性基板１３はｎ型ＧａＮからなり、ドリフト層１７はＧａＮからなり、チャネル層１９はアンドープＧａＮからなり、バリア層２１はＡｌＧａＮからなり、第１導電型窒化ガリウム系半導体層２５はｎ型ＧａＮからなり、第２導電型窒化ガリウム系半導体層２７はｐ＋型ＧａＮからなり、絶縁用の窒化ガリウム系半導体層２９はＧａＮからなることができる。
【００５１】
ヘテロ接合トランジスタ１１の一実施例を以下に示す。
導電性基板１３：ｎ型ＧａＮ（キャリア濃度：1×1019cm-3）；
ドリフト層１７：アンドープＧａＮ（キャリア濃度：5×1015cm-3、厚さ：５μｍ）；
チャネル層１９：アンドープＧａＮ（キャリア濃度：1×1015cm-3、厚さ：３０ｎｍ）；
バリア層２１：アンドープＡｌＧａＮ（厚さ：３０ｎｍ、Al組成比0.25）；
第１導電型窒化ガリウム系半導体層２５：ｎ型ＧａＮ（キャリア濃度：1×1018cm-3、厚さ：０．３μｍ）；
第２導電型窒化ガリウム系半導体層２７：ｐ＋型ＧａＮ（キャリア濃度：1×1018cm-3、厚さ：０．５μｍ）；
窒化ガリウム系半導体層２９：アンドープＧａＮ（厚さ：５μｍ）。
このヘテロ接合トランジスタによれば、実用的な構造の一例が提供される。
【００５２】
図２を参照しながら、ヘテロ接合トランジスタ１１の動作を説明する。ヘテロ接合トランジスタ１１の導通及び非導通は、ゲート電極２３に印加される電圧により制御される。ヘテロ接合トランジスタ１１が非導通であるとき、ヘテロ接合トランジスタ１１のソース電極３１及びドレイン電極３３の間に電流は流れない。ヘテロ接合トランジスタ１１が導通であるとき、ソース電極３１からキャリアＩＣ１が第１導電型窒化ガリウム系半導体層２５に流れ込む。第１導電型窒化ガリウム系半導体層２５からチャネル層１９にキャリアＩＣ２が流れ込む。ゲートバイアスにおかげでチャネルが形成されているので、キャリアＩＣ３は、ゲート電極直下のチャネルを通過する。チャネルを通過したキャリアＩＣ４は、ドレインバイアスに引かれて、チャネル層１９からドリフト層１７に流れ込む。さらに、ドリフト層１７を走行したキャリアＩＣ５は、導電性基板１３を介してドレイン電極３３に到達する。
【００５３】
有用な形態では、第１導電型窒化ガリウム系半導体層２５の端面２５ａは、この半導体層２５のｃ面を含むことが良い。また、第２導電型窒化ガリウム系半導体層２７の端面２７ａは、この半導体層２７のｃ面を含むことが良い。さらに、絶縁用の窒化ガリウム系半導体層２９の端面２９ａは、この半導体層２９のｃ面を含むことが良い。ｃ面において、開口１６の側面１６ａ上への半導体層の成長の際に、不純物の取り込みを低減できる。
【００５４】
実験的には、炭素の取り込み量及び酸素の取り込み量をｃ面ＧａＮ及びｍ面ＧａＮにおいて調べた。
面方位、酸素濃度、炭素濃度、 濃度の単位（ｃｍ−３）
ｃ面：７×１０１６、８×１０１６；
ｍ面：９×１０１７、４×１０１６。
ｃ面上の成長では、酸素濃度が炭素濃度より小さく、ｍ面上の成長では、酸素濃度が炭素濃度より大きい。
【００５５】
実用的には、トランジスタでは、開口１６の側面１６ａは、窒化ガリウム系半導体層２５、２７、２９のｃ面を基準にして40度以上90度以下の角度範囲にあることができる。この角度範囲において、開口１６の側面１６ａ上への半導体層の成長において、不純物の取り込みを低減できる。
【００５６】
ヘテロ接合トランジスタ１１では、導電性基板１３の主面１３ａはIII族窒化物半導体のｃ軸の方向に延在する基準軸Ｃｘに直交する面に対して６３度以上８０度以下の範囲の角度を成すことができる。このトランジスタ１１によれば、75度とする。また、開口１６の側面１６ａに、不純物の取り込みによる抵抗不均一を避けることができる。
【００５７】
また、ヘテロ接合トランジスタ１１では、導電性基板１３の主面１３ａは基準軸Ｃｘに直交する面に対して７０度以上８０度以下の範囲の角度を成すことができる。このトランジスタ１１によれば、上記の角度範囲において、75度とする。また、開口１６の側面１６ａに、不純物の取り込みによる抵抗不均一を避けることができる。また、開口１６の側面１６ａにｃ面及び／又はｃ面に近い面方位を提供できる。
【００５８】
さらに、ヘテロ接合トランジスタ１１では、チャネル層１９は不純物として酸素及び炭素を含み、チャネル層１９における酸素濃度はチャネル層１９における炭素濃度より小さい。酸素はドナーとして作用して半導体層に電子を供給する一方、炭素の添加は半導体を高比抵抗にする。これ故に、チャネル層１９において、酸素濃度が炭素濃度より小さい。これ故に、酸素の働きが炭素により低減される。また、ドリフト層１７は不純物として酸素及び炭素を含み、ドリフト層１７における酸素濃度はドリフト層１７における炭素濃度より小さい。既に説明したように、酸素はドナーとして作用して半導体層に電子を供給する一方、炭素の添加は半導体を高比抵抗にする。このため、ドリフト層１７において、酸素濃度が炭素濃度より小さい。これ故に、酸素の働きが炭素により低減される。
【００５９】
図３〜図５は、本実施の形態に係るヘテロ接合トランジスタを作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。
【００６０】
工程Ｓ１０１では、図３（ａ）に示されるように、III族窒化物半導体の半極性を示す主面５１ａを有する導電性基板５１を準備する。例えば、導電性基板５１として、III族窒化物半導体基板を用いることができる。III族窒化物半導体基板は、例えばＧａＮ、ＡｌＮ等からなることができる。導電性基板５１の主面５１ａは、後の工程で形成される開口の側面の傾斜角に所望の面方位を提供できるように選択される。一実施例として、｛２０−２１｝ＧａＮ面を用いることができる。この面は、ＧａＮのｃ軸に対してｍ軸方向に約７５度の角度で傾斜している。面方位の傾斜を例えばａ軸方向に行うことができる。
【００６１】
工程Ｓ１０２では、図３（ａ）に示されるように、導電性基板５１の主面５１ａに半導体積層５３を成長する。半導体積層５３の形成では、絶縁用窒化ガリウム系半導体層５５、第２導電型窒化ガリウム系半導体層５７、及び第１導電型窒化ガリウム系半導体層５９を基板５１の主面５１ａ上に順に成長する。この成長は、例えば有機金属気相成長法で行われる。絶縁用窒化ガリウム系半導体層５５は、例えば厚さ５μｍのアンドープＧａＮからなり、第２導電型窒化ガリウム系半導体層５７は例えば厚さ１．０μｍのＭｇドープｐ型ＧａＮからなり、及び第１導電型窒化ガリウム系半導体層５９は例えば厚さ0.3μｍのＳｉドープｎ＋型ＧａＮからなる。半導体積層５３における接合６１ａ、６１ｂの各々も、基板５１の主面５１ａの傾斜に応じてｃ軸に対して傾斜している。このとき、半導体積層５３の厚さは７μｍである。
【００６２】
工程Ｓ１０３では、図３（ｂ）に示されるように、フォトリソグラフィで半導体積層５３の表面５３ａに形成されたマスク６３を用いて、半導体積層５３に開口６５を形成する。開口６５は、半導体積層５３の表面５３ａから導電性基板５１の主面５１ａに到達する。開口６５は、第１〜第３部分６５ａ、６５ｂ、６５ｃを有する。第１の部分６５ａでは、導電性基板５１の主面５１ａの一部５１ｂが露出している。第２の部分６５ｂでは、開口６５の側面６５ｃが、導電性基板５１の主面５１ａから半導体積層５３の表面５３ａまで傾斜する。開口６５の側面６５ｃには、絶縁用窒化ガリウム系半導体層５５の端面５５ａ、第２導電型窒化ガリウム系半導体層５７の端面５７ａ、及び第１導電型窒化ガリウム系半導体層５９の端面５９ａが現れている。開口形成の結果として、半導体積層５３ｂが形成される。半導体積層５３ｂは、基板５１の主面５１ａの残り５１ｃを覆う。半導体積層５３ｂは、開口の形状に応じて、メサ形状、或いは凹部を含む形状を成す。開口６５の側面６５ｃには、良好な条件ではほぼｃ面が現れる。側面６５ａは、基板５１の主面５１ａに対して傾斜している。側面６５ａの具体的な傾斜角は、基板５１の主面５１ａの半極の傾斜に応じて決定される。
【００６３】
工程Ｓ１０４では、開口６５を形成した後に、図３（ｃ）に示されるように、半導体積層５３ｂ及び基板５１上にドリフト層のための窒化ガリウム系半導体膜６７を成長する。窒化ガリウム系半導体膜６７の成長では、半導体積層５３ｂの側面における成長速度が基板５１の露出面上の成長速度より十分に大きくなる条件が用いられる。また、窒化ガリウム系半導体膜６７は、開口６５を埋め込む程度の厚さに成長されることが良い。窒化ガリウム系半導体膜６７の厚さは、少なくとも絶縁用窒化ガリウム系半導体層５５の端面５５ａを覆う程度である。本実施例では、窒化ガリウム系半導体膜６７の厚さは、半導体積層５３ｂの厚さ以上の値であり、例えば７μｍである。
【００６４】
次いで、工程Ｓ１０５では、図４（ａ）に示されるように、窒化ガリウム系半導体膜６７を加工して、エピタキシャル基板の表面に半導体積層５３ｃが露出させる。加工は例えば研磨及び化学的エッチングであることができる。研磨は、例えば機械的研磨（ＭＰ）及び化学的機械的研磨（ＣＭＰ）を用いることができる。この加工の結果、エピタキシャル基板の表面には、半導体積層５３ｃ及びドリフト層のための窒化ガリウム系半導体領域６７ａが現れている。本実施例では、窒化ガリウム系半導体領域６７ａは、開口１６に充填されている。窒化ガリウム系半導体領域６７ａは、半導体層５５、５７、５９の端面５５ａ、５７ａ、５９ａを覆っている。本実施例では、研磨を用いて上記の加工を行う。この研磨により、半導体積層５３ｂの最上層の半導体５９の表層が少し除かれて、半導体積層５３ｃが形成される。
【００６５】
工程Ｓ１０６では、図４（ｂ）に示されるように、窒化ガリウム系半導体領域６７ａを選択的にエッチングして、窒化ガリウム系半導体領域６７ｂを形成する。この結果、開口６５の側面６５ａのうち端面５５ａの一部及び端面５７ａ、５９ａの全体を露出される。前述の開口65形成と同様である。窒化ガリウム系半導体領域６７ｂは、端面５５ａの残りを覆う。窒化ガリウム系半導体領域６７ｂはドリフト層を構成する。このエッチングで、半導体層５５、５７、５９もエッチングされることがあるが、エッチング後において、半導体層５５、５７、５９の端面はほぼｃ面からなることが良い。この工程において、半導体積層５３ｃの開口内及び導電性基板５１の主面５１ａ上にドリフト層６７ｂが形成される。
【００６６】
必要な場合には、図４（ｃ）に示されるように、工程Ｓ１０７においてチャネル層及びバリア層の成長に先立って前処理を行う。
【００６７】
工程Ｓ１０８では、図５（ａ）に示されるように、半導体積層５３ｃの表面、開口６５の側面及びドリフト層６７ｂ上に、窒化ガリウム系半導体からなるチャネル半導体層６９を成長する。次いで、工程Ｓ１０９では、チャネル半導体層６９上に、窒化ガリウム系半導体からなるバリア層７１を成長する。
【００６８】
工程Ｓ１１０では、半導体積層５３ｃの半導体層５７、５９に接触を成すソース電極７３の形成、バリア層７１にショットキ接触を成すゲート電極の形成、及び基板５１の裏面５１ｂに接触を成すドレイン電極７５の形成を行う。
【００６９】
この製造方法によれば、半導体積層５３が、半極性を示すIII族窒化物主面５１ａ上に成長され、半導体積層５３には、該主面５１ａに到達する開口６５が形成される。開口６５の側面６５ａ上に、ドリフト層のための半導体層６７が成長される。また、第１導電型窒化ガリウム系半導体層５９及び第２導電型窒化ガリウム系半導体層５７の端面（開口６５の側面６５ａ）上に、チャネル層７１が成長される。
【００７０】
上記の説明においては、良好な形態を提供するｃ面傾斜を開口に形成したけれども、以下の角度条件を満たすとき、ドリフト層６７ｂ及びチャネル層７１の成長中に取り込まれる不純物量を低減できる。角度条件を次のように規定する：開口６５の側面６５ａが当該トランジスタを構成するIII族窒化物半導体のａ面に対して角度（図面には記載しないが「角度θ１」として参照する）を成し、該III族窒化物半導体のｍ面に対して角度（図面には記載しないが「角度θ２」として参照する）を成し、該III族窒化物半導体のｃ面に対して角度（図面には記載しないが「角度θ３」として参照する）を成す。角度条件：角度θ３が角度θ１よりも小さく、且つ角度θ３が角度θ２よりも小さい。
【００７１】
このとき、上記の角度の関係から、開口６５の側面６５ａの傾斜角は、ｍ面やａ面よりもｃ面に近くなる。この側面６５ａにドリフト層６７ｂ及びチャネル層７１の半導体を成長するので、その成長中に不可避的に取り込まれる不純物量を小さくできる。これ故に、ドリフト層７６ｂ及びチャネル層７１は低い不純物濃度を有する。したがって、この方法によれば、ドリフト６７ｂ層及びチャネル層７１における抵抗の不均一を避けることができる。
【００７２】
この結果、チャネル層７１は不純物として酸素及び炭素を含むけれども、チャネル層７１における酸素濃度をチャネル層７１における炭素濃度より小さくできる。また、ドリフト層６７ｂは不純物として酸素及び炭素を含むけれども。ドリフト層６７ｂにおける酸素濃度をドリフト層６７ｂにおける炭素濃度より小さくできる。酸素はドナーとして作用して半導体層に電子を供給する一方、炭素の添加は半導体を高比抵抗にする。チャネル層において、酸素濃度が炭素濃度より小さい。これ故に、酸素の働きが炭素により低減される。
【００７３】
好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【符号の説明】
【００７４】
１１…ヘテロ接合トランジスタ、１３…導電性基板、１５…半導体積層、１６…開口、１７…ドリフト層、１９…チャネル層、２０…ヘテロ接合、２１…バリア層、２３…ゲート電極、２５…第１導電型窒化ガリウム系半導体層、２７…第２導電型窒化ガリウム系半導体層、２９…絶縁用の窒化ガリウム系半導体層、３１…ソース電極、３３…ドレイン電極、３５ａ、３５ｂ、３５ｃ、３５ｄ、３５ｅ、３５ｆ…接合、３５ｇ…ショットキ接合、ＣＲ…結晶座標系
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘテロ接合トランジスタであって、
半極性を示すIII族窒化物主面を有する導電性基板と、
前記導電性基板の前記主面に到達する開口を有する半導体積層と、
前記半導体積層の前記開口内及び前記導電性基板の前記主面上に設けられ窒化ガリウム系半導体からなるドリフト層と、
前記半導体積層の前記開口内に設けられ窒化ガリウム系半導体からなるチャネル半導体層と、
前記半導体積層の前記開口内の前記チャネル半導体層上に設けられたバリア層と、
前記バリア層上に設けられたゲート電極と
を備え、
前記半導体積層は、前記導電性基板の前記主面上に設けられた第１導電型窒化ガリウム系半導体層、前記導電性基板と前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層との間に設けられた第２導電型窒化ガリウム系半導体層、及び前記導電性基板と前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層との間に設けられ絶縁のための窒化ガリウム系半導体層を含み、
前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層は、前記半導体積層の前記開口の側面に位置する端面を有し、
前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層は、前記半導体積層の前記開口の側面に位置する端面を有し、
前記絶縁のための窒化ガリウム系半導体層は、前記半導体積層の前記開口の前記側面に到達する端面を有し、
前記チャネル層は、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層の前記端面及び前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層の前記端面上に設けられ、
前記ドリフト層は、前記絶縁のための窒化ガリウム系半導体層の前記端面上に設けられ、
前記開口の前記側面は、前記III族窒化物半導体のａ面に対して第１の角度を成し、前記III族窒化物半導体のｍ面に対して第２の角度を成すと共に前記III族窒化物半導体のｃ面に対して第３の角度を成し、
前記第３の角度は前記第１の角度よりも小さく、
前記第３の角度は前記第２の角度よりも小さい、ことを特徴とするヘテロ接合トランジスタ。
【請求項２】
前記半導体積層にソース電極を更に備え、
前記ソース電極は、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層及び前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層に接続されている、ことを特徴とする請求項１に記載されたヘテロ接合トランジスタ。
【請求項３】
前記チャネル層は不純物として酸素及び炭素を含み、
前記チャネル層における酸素濃度は前記チャネル層における炭素濃度より小さい、ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載されたヘテロ接合トランジスタ。
【請求項４】
前記導電性基板の裏面に設けられたドレイン電極を更に備える、ことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載されたヘテロ接合トランジスタ。
【請求項５】
前記導電性基板の前記主面は、前記III族窒化物半導体のｃ軸の方向に延在する基準軸に直交する面に対して６３度以上８０度以下の範囲の角度を成す、ことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載されたヘテロ接合トランジスタ。
【請求項６】
前記導電性基板の前記主面は、前記III族窒化物半導体のｃ軸の方向に延在する基準軸に直交する面に対して７０度以上８０度以下の範囲の角度を成す、ことを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載されたヘテロ接合トランジスタ。
【請求項７】
前記開口の前記側面は、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層のｃ面を基準にして40度以上90度以下の角度範囲にある、ことを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載されたヘテロ接合トランジスタ。
【請求項８】
前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層の前記端面は、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層のｃ面を含み、
前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層の前記端面は、前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層のｃ面を含む、ことを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載されたヘテロ接合トランジスタ。
【請求項９】
前記絶縁のための窒化ガリウム系半導体層の端面は、前記窒化ガリウム系半導体層のｃ面を含む、ことを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれか一項に記載されたヘテロ接合トランジスタ。
【請求項１０】
前記導電性基板はｎ型ＧａＮからなり、
前記窒化ガリウム系半導体ドリフト層はＧａＮからなり、
前記チャネル半導体層はアンドープＧａＮからなり、
前記バリア層はＡｌＧａＮからなり、
前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層はｎ型ＧａＮからなり、
前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層はｐ＋型ＧａＮからなり、
前記絶縁のための窒化ガリウム系半導体層はＧａＮからなる、ことを特徴とする請求項１〜請求項９のいずれか一項に記載されたヘテロ接合トランジスタ。
【請求項１１】
ヘテロ接合トランジスタを作製する方法であって、
半極性を示すIII族窒化物半導体の主面を有する導電性基板を準備する工程と、
前記導電性基板の前記主面に半導体積層を成長する工程と、
前記導電性基板の前記主面に到達する開口を前記半導体積層に形成する工程と、
前記半導体積層の前記開口内及び前記導電性基板の前記主面上に、窒化ガリウム系半導体からなるドリフト層を形成する工程と、
前記半導体積層の前記開口の側面及び前記窒化ガリウム系半導体ドリフト層上に、窒化ガリウム系半導体からなるチャネル半導体層を成長する工程と、
窒化ガリウム系半導体からなるバリア層を前記チャネル半導体層上に成長する工程と、
前記バリア層上にゲート電極を形成する工程と
を備え、
前記半導体積層は、前記導電性基板の前記主面上に設けられた第１導電型窒化ガリウム系半導体層、前記導電性基板と前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層との間に設けられた第２導電型窒化ガリウム系半導体層、及び前記導電性基板と前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層との間に設けられ絶縁のための窒化ガリウム系半導体層を含み、
前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層は、前記半導体積層の前記開口の前記側面に到達する端面を有し、
前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層は、前記半導体積層の前記開口の前記側面に到達する端面を有し、
前記絶縁のための窒化ガリウム系半導体層は、前記半導体積層の前記開口の前記側面に到達する端面を有し、
前記チャネル層は、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層の前記端面及び前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層の前記端面上に設けられ、
前記ドリフト層は、前記絶縁のための窒化ガリウム系半導体層の前記端面上に設けられ、
前記開口の前記側面は、前記III族窒化物半導体のａ面に対して第１の角度を成し、前記III族窒化物半導体のｍ面に対して第２の角度を成すと共に前記III族窒化物半導体のｃ面に対して第３の角度を成し、
前記第３の角度は前記第１の角度よりも小さく、
前記第３の角度は前記第２の角度よりも小さい、ことを特徴とする方法。
【請求項１２】
前記半導体積層にソース電極を形成する工程を更に備え、
前記ソース電極は前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層及び前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層に接続されている、ことを特徴とする請求項１１に記載された方法。
【請求項１３】
前記開口の前記側面は、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層のｃ面を基準にして40度以上90度以下の角度範囲にある、ことを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載された方法。
【請求項１４】
前記チャネル層は不純物として酸素及び炭素を含み、
前記チャネル層における酸素濃度は前記チャネル層における炭素濃度より小さい、ことを特徴とする請求項１１〜請求項１３のいずれか一項に記載された方法。
【請求項１５】
前記ドリフト層は不純物として酸素及び炭素を含み、
前記ドリフト層における酸素濃度は前記ドリフト層における炭素濃度より小さい、ことを特徴とする請求項１１〜請求項１４のいずれか一項に記載された方法。
【請求項１】
ヘテロ接合トランジスタであって、
半極性を示すIII族窒化物主面を有する導電性基板と、
前記導電性基板の前記主面に到達する開口を有する半導体積層と、
前記半導体積層の前記開口内及び前記導電性基板の前記主面上に設けられ窒化ガリウム系半導体からなるドリフト層と、
前記半導体積層の前記開口内に設けられ窒化ガリウム系半導体からなるチャネル半導体層と、
前記半導体積層の前記開口内の前記チャネル半導体層上に設けられたバリア層と、
前記バリア層上に設けられたゲート電極と
を備え、
前記半導体積層は、前記導電性基板の前記主面上に設けられた第１導電型窒化ガリウム系半導体層、前記導電性基板と前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層との間に設けられた第２導電型窒化ガリウム系半導体層、及び前記導電性基板と前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層との間に設けられ絶縁のための窒化ガリウム系半導体層を含み、
前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層は、前記半導体積層の前記開口の側面に位置する端面を有し、
前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層は、前記半導体積層の前記開口の側面に位置する端面を有し、
前記絶縁のための窒化ガリウム系半導体層は、前記半導体積層の前記開口の前記側面に到達する端面を有し、
前記チャネル層は、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層の前記端面及び前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層の前記端面上に設けられ、
前記ドリフト層は、前記絶縁のための窒化ガリウム系半導体層の前記端面上に設けられ、
前記開口の前記側面は、前記III族窒化物半導体のａ面に対して第１の角度を成し、前記III族窒化物半導体のｍ面に対して第２の角度を成すと共に前記III族窒化物半導体のｃ面に対して第３の角度を成し、
前記第３の角度は前記第１の角度よりも小さく、
前記第３の角度は前記第２の角度よりも小さい、ことを特徴とするヘテロ接合トランジスタ。
【請求項２】
前記半導体積層にソース電極を更に備え、
前記ソース電極は、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層及び前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層に接続されている、ことを特徴とする請求項１に記載されたヘテロ接合トランジスタ。
【請求項３】
前記チャネル層は不純物として酸素及び炭素を含み、
前記チャネル層における酸素濃度は前記チャネル層における炭素濃度より小さい、ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載されたヘテロ接合トランジスタ。
【請求項４】
前記導電性基板の裏面に設けられたドレイン電極を更に備える、ことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載されたヘテロ接合トランジスタ。
【請求項５】
前記導電性基板の前記主面は、前記III族窒化物半導体のｃ軸の方向に延在する基準軸に直交する面に対して６３度以上８０度以下の範囲の角度を成す、ことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載されたヘテロ接合トランジスタ。
【請求項６】
前記導電性基板の前記主面は、前記III族窒化物半導体のｃ軸の方向に延在する基準軸に直交する面に対して７０度以上８０度以下の範囲の角度を成す、ことを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載されたヘテロ接合トランジスタ。
【請求項７】
前記開口の前記側面は、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層のｃ面を基準にして40度以上90度以下の角度範囲にある、ことを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載されたヘテロ接合トランジスタ。
【請求項８】
前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層の前記端面は、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層のｃ面を含み、
前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層の前記端面は、前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層のｃ面を含む、ことを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載されたヘテロ接合トランジスタ。
【請求項９】
前記絶縁のための窒化ガリウム系半導体層の端面は、前記窒化ガリウム系半導体層のｃ面を含む、ことを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれか一項に記載されたヘテロ接合トランジスタ。
【請求項１０】
前記導電性基板はｎ型ＧａＮからなり、
前記窒化ガリウム系半導体ドリフト層はＧａＮからなり、
前記チャネル半導体層はアンドープＧａＮからなり、
前記バリア層はＡｌＧａＮからなり、
前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層はｎ型ＧａＮからなり、
前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層はｐ＋型ＧａＮからなり、
前記絶縁のための窒化ガリウム系半導体層はＧａＮからなる、ことを特徴とする請求項１〜請求項９のいずれか一項に記載されたヘテロ接合トランジスタ。
【請求項１１】
ヘテロ接合トランジスタを作製する方法であって、
半極性を示すIII族窒化物半導体の主面を有する導電性基板を準備する工程と、
前記導電性基板の前記主面に半導体積層を成長する工程と、
前記導電性基板の前記主面に到達する開口を前記半導体積層に形成する工程と、
前記半導体積層の前記開口内及び前記導電性基板の前記主面上に、窒化ガリウム系半導体からなるドリフト層を形成する工程と、
前記半導体積層の前記開口の側面及び前記窒化ガリウム系半導体ドリフト層上に、窒化ガリウム系半導体からなるチャネル半導体層を成長する工程と、
窒化ガリウム系半導体からなるバリア層を前記チャネル半導体層上に成長する工程と、
前記バリア層上にゲート電極を形成する工程と
を備え、
前記半導体積層は、前記導電性基板の前記主面上に設けられた第１導電型窒化ガリウム系半導体層、前記導電性基板と前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層との間に設けられた第２導電型窒化ガリウム系半導体層、及び前記導電性基板と前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層との間に設けられ絶縁のための窒化ガリウム系半導体層を含み、
前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層は、前記半導体積層の前記開口の前記側面に到達する端面を有し、
前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層は、前記半導体積層の前記開口の前記側面に到達する端面を有し、
前記絶縁のための窒化ガリウム系半導体層は、前記半導体積層の前記開口の前記側面に到達する端面を有し、
前記チャネル層は、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層の前記端面及び前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層の前記端面上に設けられ、
前記ドリフト層は、前記絶縁のための窒化ガリウム系半導体層の前記端面上に設けられ、
前記開口の前記側面は、前記III族窒化物半導体のａ面に対して第１の角度を成し、前記III族窒化物半導体のｍ面に対して第２の角度を成すと共に前記III族窒化物半導体のｃ面に対して第３の角度を成し、
前記第３の角度は前記第１の角度よりも小さく、
前記第３の角度は前記第２の角度よりも小さい、ことを特徴とする方法。
【請求項１２】
前記半導体積層にソース電極を形成する工程を更に備え、
前記ソース電極は前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層及び前記第２導電型窒化ガリウム系半導体層に接続されている、ことを特徴とする請求項１１に記載された方法。
【請求項１３】
前記開口の前記側面は、前記第１導電型窒化ガリウム系半導体層のｃ面を基準にして40度以上90度以下の角度範囲にある、ことを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載された方法。
【請求項１４】
前記チャネル層は不純物として酸素及び炭素を含み、
前記チャネル層における酸素濃度は前記チャネル層における炭素濃度より小さい、ことを特徴とする請求項１１〜請求項１３のいずれか一項に記載された方法。
【請求項１５】
前記ドリフト層は不純物として酸素及び炭素を含み、
前記ドリフト層における酸素濃度は前記ドリフト層における炭素濃度より小さい、ことを特徴とする請求項１１〜請求項１４のいずれか一項に記載された方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１１−７７４００（Ｐ２０１１−７７４００Ａ）
【公開日】平成２３年４月１４日（２０１１．４．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２２８８５９（Ｐ２００９−２２８８５９）
【出願日】平成２１年９月３０日（２００９．９．３０）
【出願人】（０００００２１３０）住友電気工業株式会社 (12,747)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年４月１４日（２０１１．４．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年９月３０日（２００９．９．３０）
【出願人】（０００００２１３０）住友電気工業株式会社 (12,747)
【Ｆターム（参考）】
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