【課題】電力変換回路の性能を高める。
【解決手段】ユニット１０は、半導体スイッチ素子１，２と、ダイオード３，４とを備える。ダイオード３は、半導体スイッチ素子２がオン状態である時に逆バイアスされ、半導体スイッチ素子２がオフ状態である時に導通する。ダイオード４は、半導体スイッチ素子１がオン状態である時に逆バイアスされ、半導体スイッチ素子１がオフ状態である時に導通する。ダイオード３，４は、窒化ガリウム（ＧａＮ）ダイオードまたはダイヤモンドダイオードである。ユニット１０を備えるパワーモジュールは、コンバータ、インバータ等の電力変換回路に適用される。 （もっと読む）

【課題】装置面積を増大させることなく、保護素子を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｐ型のIII族窒化物半導体からなる第１Ｐ型層２００と、第１Ｐ型層２００の一部上には、ゲート絶縁膜４２０およびゲート電極４４０とが設けられている。第１Ｐ型層２００内のうち、ゲート電極４４０の両脇には、Ｎ型のソース領域３４０およびドレイン領域３２０が設けられている。また、第１Ｐ型層２００の下には、Ｎ型のIII族窒化物半導体からなる第１Ｎ型層１００が設けられている。基板内には、Ｎ型のIII族窒化物半導体とオーミック接続する材料からなるオーミック接続部（たとえばＮ型ＧａＮ層５２０）が、ソース領域３４０および第１Ｎ型層１００と接するように設けられている。また、ドレイン電極６００は、ドレイン領域３２０および第１Ｐ型層２００と接するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】スイッチ素子のオン抵抗をより一層小さく抑えることができるスイッチ装置を提供する。
【解決手段】スイッチ素子１０は、半導体基板１０４に直接接合された注入用電極１４を具備するホール注入部１４０を有している。駆動回路２０の注入駆動部２２は、スイッチ素子１０の注入用電極１４およびソース電極１３に接続されており、注入用電極１４−ソース電極１３間に注入電圧Ｖｉｎを印加する。注入駆動部２２は、閾値を超える注入電圧Ｖｉｎをスイッチ素子１０に印加することによって、ホール注入部１４０から半導体基板１０４のヘテロ接合界面にホールを注入する。注入されたホールは、ヘテロ接合界面に同量の電子を引き寄せるので、チャネル領域として２次元電子ガスの濃度が高くなり、スイッチ素子１０のオン抵抗は小さくなる。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗を小さく抑えながらも、スイッチ素子の駆動に必要な電力を小さく抑えることができるスイッチ装置を提供する。
【解決手段】スイッチ装置１は、スイッチ素子１０のドレイン電極１２とソース電極１３との間を流れるドレイン電流Ｉｄｓを計測する電流モニタ部２３を駆動回路２０に備えている。制御部２２は、スイッチ素子１０がオンしている状態において、スイッチ素子１０のオン抵抗が規定値以下になるように電流モニタ部２３の計測値（ドレイン電流Ｉｄｓ）に応じてゲート電圧Ｖｇｓの下限値を設定する。制御部２２は、設定した下限値を下回らない範囲で、電圧印加部２１から印加可能な最小の大きさにゲート電圧Ｖｇｓを調節する。電圧印加部２１は、制御部２２に制御され、制御部２２で決定された大きさのゲート電圧Ｖｇｓをスイッチ素子１０に印加する。 （もっと読む）

【課題】順方向電圧降下の平均値を低減し、整流素子の低損失化を実現する半導体装置とその駆動方法を提供する。
【解決手段】アノード電極９とカソード電極３との間に、ｐ型層７と、ｉ層１と、ｎ型層２とを順に形成したダイオード構造の半導体装置において、アノード電極９側に、ｐ型層７と並列に第２ｎ型層８を形成し、順方向バイアス中に、アノード電極９側をｐ型層７と第２ｎ型層８のいずれかに切り替えるゲート駆動回路１０を備えた半導体装置。ゲート電極５は、ｐ型層７と第２ｐ型層６と第２ｎ型層８に接するトレンチ構造４とし、トレンチ内部に絶縁膜４ａと電極とを備えたものとすることができる。このゲート電極５は、ゲート駆動回路１０から印加するゲート電圧に応じてｐ型及びｎ型のチャネルをトレンチ表面に形成する。 （もっと読む）

【課題】チャネルとなるナノワイアの周囲をゲート電極が取り巻いて形成されているＦＥＴが、より容易に高い精度で製造できるようにする。
【解決手段】被覆ナノワイア１０３を配置した基板１２１のゲート電極形成領域の上に、被覆ナノワイア１０３に交差して下部ゲート電極１２２に重なる上部ゲート電極１２４を形成する。上部ゲート電極１２４の形成は、公知のリソグラフィー技術とリフトオフとにより行えばよい。例えば、被覆ナノワイア１０３が下部ゲート電極１２２と交差して配置されている基板１２１の上に、電子ビーム露光により電極形成部に開口を備えるレジストパターンを形成し、この上に、電極材料を堆積する。この後、先に形成してあるレジストパターンを除去すれば、上部ゲート電極１２４が形成できる。 （もっと読む）

【課題】装置全体としての長寿命化を図りつつ、装置全体としての小型化を可能とする電動機駆動装置を提供する。
【解決手段】駆動部１２は、横型半導体素子からなる１回路２接点式の切替素子１６，１７を２つ有している。第１の切替素子１６は、コモン端子１６０を電動機１１に接続し、第１の端子１６１および第２の端子１６２を電源部１５に接続する。第２の切替素子１７は、コモン端子１７０を電動機１１に接続し、第１の端子１７１および第２の端子１７２を電源部１５に接続する。制御部１４は、各切替素子１６，１７において、コモン端子１６０，１７０が、第１の端子１６１，１７１および第２の端子１６２，１７２に対して択一的に接続されるように、各切替素子１６，１７を個別に切替制御する。 （もっと読む）

【課題】高耐圧及び高電流の動作が可能な半導体素子及びその製造方法を提案する。
【解決手段】内部に２次元電子ガス（２ＤＥＧ）チャンネルを形成する窒化物半導体層３０と、窒化物半導体層３０にオーミック接合されたドレイン電極５０と、ドレイン電極５０の方向に突出した多数のパターン化された突起６１を備え、内部に窒化物半導体層３０にオーミック接合されるオーミックパターン６５を含むソース電極６０と、ドレイン電極５０とソース電極６０との間の窒化物半導体層３０上に、且つ、パターン化された突起６１を含んでソース電極６０上の少なくとも一部に亘って形成された誘電層４０と、一部が、誘電層４０を間に置いてソース電極６０のパターン化された突起６１部分及びドレイン方向のエッジ部分の上部に形成されたゲート電極７０と、を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】透明酸化物膜を用いた半導体デバイスや回路を提供する。
【解決手段】電子キャリア濃度が１０^１５／ｃｍ^３以上、１０^１８／ｃｍ^３未満である、Ｉｎ―Ｚｎ―Ｇａ酸化物、Ｉｎ―Ｚｎ―Ｇａ―Ｍｇ酸化物、Ｉｎ―Ｚｎ酸化物、Ｉｎ―Ｓｎ酸化物、Ｓｎ−Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ酸化物、Ｚｎ―Ｇａ酸化物、及びＩｎ―Ｇａ酸化物のうちのいずれかである非晶質酸化物を、Ｎ型半導体として用いたＮ型ＴＦＴを含む回路を構成要素としており、前記Ｎ型ＴＦＴは、ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であり、電界効果移動度が１ｃｍ^２／（Ｖ・秒）超であることを特徴とする集積回路。 （もっと読む）

【課題】 ＪＦＥＴ等のような低ノイズ特性が要求される半導体装置において、発生するノイズを低減すると共に、半導体装置を小さい寸法で製造する。
【解決手段】 半導体装置は、半導体層（１０１）に形成された素子分離（１０２）、第１導電型の不純物層（１０４）、第１導電型のソース領域（１０６）、第１導電型のドレイン領域（１０７）、第２導電型のゲート領域（１０５）、絶縁膜（１０８）を介して形成された制御電極（１０９）を備える。制御電極（１０９）に電圧を印加すると、半導体装置の動作中に制御電極（１０９）の下の不純物層（１０４）に空乏層を発生させることができ、キャリアは絶縁膜（１０８）と不純物層（１０４）の界面から離れて流れる。 （もっと読む）