国際特許分類[H01L29/808]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00〜47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00 (54,759) | 半導体装置の型 (42,689) | 整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの (37,192) | ユニポーラ装置 (34,588) | 電界効果トランジスタ (34,488) | PN接合ゲートまたは他の整流接合ゲートによって生じる電界効果を有するもの (3,053) | PN接合ゲートを有するもの (358)
国際特許分類[H01L29/808]に分類される特許
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スイッチ装置
【課題】GaNトランジスタを理想的な還流ダイオードとして動作させ、低損失のスイッチ装置を実現できるようにする。
【解決手段】スイッチ装置は、窒化物半導体素子301と、窒化物半導体素子301を駆動する駆動部302とを備えている。窒化物半導体素子301は、第1のオーミック電極、第2のオーミック電極及び第1のゲート電極を有している。駆動部302は、第1のゲート電極にバイアス電圧を印加するゲート回路311と、第1のゲート電極と第1のオーミック電極との間に接続され、双方向に電流を流すスイッチ素子312とを有している。駆動部302は、第1のオーミック電極から第2のオーミック電極への電流を通電し且つ第2のオーミック電極から第1のオーミック電極への電流を遮断する動作を行う場合には、スイッチ素子312をオン状態とする。
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炭化珪素半導体装置およびその製造方法
【課題】斜めイオン注入を行わなくても、外周耐圧構造を形成でき、かつ、高いドレイン耐圧が得られるようにする。
【解決手段】凹部16の底面に形成されたP型領域18と、トレンチ13内に配置されたP+型層15、および、凹部17の底面に形成されたP型領域19とによってP型リサーフ層20を構成することで電界緩和構造とする。P型リサーフ層20がトランジスタセル領域R1の周囲を囲むような構成とされることから、外周耐圧構造領域R2に延びる電界をさらにトランジスタセル領域R1の外周側に延ばすことが可能となり、ブレークダウン位置を凹部17の底面におけるN-型ドリフト層2にシフトできるため、電界緩和を行うことが可能となる。したがって、ドレイン耐圧を向上させることが可能となる。
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集積されたダイオードを備える複合半導体装置
【課題】高電圧が印加されても、故障しにくい複合半導体装置を提供する。
【解決手段】複合半導体装置200はダイオード210の上に形成された遷移体220を含み、この遷移体220は2以上の半導体層を含む。複合半導体装置200は遷移体220の上に形成されたトランジスタ230も含む。ダイオード210は半導体貫通ビア、外部電気接続部又はその両方の組み合わせを用いてトランジスタ230の両端間に接続される。
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炭化珪素半導体装置
【課題】スイッチング素子のソースおよびドレイン間に還流ダイオードが接続された構造を有する炭化珪素半導体装置を一の炭化珪素基板を用いて提供する。
【解決手段】第1層34は第1導電型を有する。第2層35は、第1層34の一部が露出されるように第1層34上に設けられ、第2導電型を有する。第1〜第3不純物領域は、第2層35を貫通して第1層34に達する。第1および第2不純物領域11、12の各々は第1導電型を有する。第3不純物領域13は、第1および第2不純物領域11、12の間に配置され、かつ第2導電型を有する。第1〜第3電極S1、D1、G1は、第1〜第3不純物領域11〜13のそれぞれの上に設けられている。ショットキー電極SKは、第1層34の一部の上に設けられ、第1電極S1に電気的に接続されている。
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テラヘルツ波素子
【課題】テラヘルツ波を発生又は検出するテラヘルツ波素子において、単色性が良いテラヘルツ波を効率良く出射する。
【解決手段】テラヘルツ波素子は、基板101の上に形成された第1の半導体層102と、第1の半導体層102の上に形成された第2の半導体層104と、第2の半導体層104の上に形成されたゲート電極106と、第2の半導体層104の上にゲート電極106を挟んで対向するように形成されたソース電極107及びドレイン電極108と、第2の半導体層104の上におけるゲート電極106とソース電極107との間及びゲート電極106とドレイン電極108との間に形成され、複数の金属膜109が周期的に配置された周期構造を有する周期金属膜109A,109Bと、ゲート電極106及び複数の金属膜109の上方に配置された第1のミラー111と、基板101の下に形成された第2のミラー112とを備えている。
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半導体集積回路装置
【課題】高周波回路に於いては、トランジスタ等の能動素子間および能動素子と外部端子の間を直流的に遮断する必要がありため、MIMキャパシタ等が多用される。これらのMIMキャパシタのうち、外部端子に接続されたものは、外部からの静電気の影響を受けやすく、静電破壊等の問題を発生しやすい。
【解決手段】本願発明は、半絶縁性化合物半導体基板上に形成された半導体集積回路装置であって、外部パッドに電気的に接続されたMIMキャパシタの第1の電極は前記半絶縁性化合物半導体基板に電気的に接続されており、一方、前記MIMキャパシタの第2の電極は前記半絶縁性化合物半導体基板に電気的に接続されている。
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半導体装置
【課題】高耐圧を確保でき、かつ大電流を流すことができるMOSトランジスタを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】P型拡散層15に起因してN型拡散層13に第1空乏層23が形成される。ゲート電極19にゲート電圧が印加されていない状態では、P型ポリシリコンからなるゲート電極19及びN型拡散層13の仕事関数差に起因してN型拡散層13に第2空乏層25が形成される。空乏層23,25によってソースコンタクト用拡散層9とドレインコンタクト用拡散層11が電気的に遮断される。ゲート電極19にゲート電圧が印加された状態では、第2空乏層25が消滅又は縮小することによってソースコンタクト用拡散層9とドレインコンタクト用拡散層11がN型拡散層13を介して電気的に導通する。
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窒化物半導体装置
【課題】ダイオード等の保護素子の外付けによる部品点数の増加及び占有面積の増大を抑えた、双方向に高いアバランシュエネルギー耐量を有する窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板10は、第1のn型領域12A、第2のn型領域12Bとともにトランジスタ11を構成する。半導体基板10の裏面には、裏面電極13が接合され、また、半導体基板10の上には、HFET21が形成されている。HFET21は、AlGaN層23A及びGaN層23Bを備える半導体層積層体23と、第1のオーミック電極24A、第2のオーミック電極24B、第1のゲート電極25A、第2のゲート電極25Bにより構成されている。第1のオーミック電極24Aと第1のn型領域12A、第2のオーミック電極24Bと第2のn型領域12Bはそれぞれ電気的に接続されている。
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半導体装置及びその製造方法
【課題】GaN系トランジスタを簡便な構造で適切に保護することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極110gと保護ダイオード用電極115pとが互いに接続されている。絶縁膜113は、所定値以上の電圧がゲート電極110gに印加された場合にリーク電流を保護ダイオード用電極115pと電子走行層104及び電子供給層103との間に流し、所定値は、HEMTがオン動作する電圧より高く、ゲート絶縁膜109gの耐圧よりも低い。
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シリコンカーバイドから製造されるモノリシックな縦型接合型電界効果トランジスタおよびショットキーバリアダイオード、および、その製造方法
【課題】縦型接合型電界効果トランジスタ(JFET)およびショットキーバリアダイオード(SBD)を備えるスイッチング素子を提供すること。
【解決手段】自己整合縦型接合型電界効果トランジスタを、エッチング注入ゲートおよび集積逆並列ショットキーバリアダイオードと組み合わせたスイッチング素子が、記載されている。ダイオードのアノードは、漂遊インダクタンスによる損失を低減するために、デバイスレベルでトランジスタのソースに接続される。SBDアノード領域におけるSiC表面は、SBDのターンオン電圧と関連するパワー損失が低減されるよう低いショットキーバリア高さを達成するために、乾式エッチングによって調整される。
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