【課題】ＧａＮを用いた縦型の電界効果トランジスタにおいて、素子の作製にコストの上昇を招くことなく、ドレイン電流密度を大きくできるようにする。
【解決手段】ＧａＮからなるチャネル層１０１と、ＧａＮより大きなバンドギャップエネルギーを有してアルミニウムを含む窒化物半導体から構成されてチャネル層１０１の一方の面に形成された障壁層１０２を備える。ここで、チャネル層１０１の一方の面は、Ｎ極性面とされ、他方の面はＩＩＩ族極性面とされていればよい。また、チャネル層１０１の他方の面に形成されたドレイン電極１０３と、ドレイン電極１０３に対向して障壁層１０２の上に形成されたゲート電極１０４と、ゲート電極１０４と離間して障壁層１０２の上に形成されたソース電極１０５とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮを用いた窒化物半導体装置において、電流が流れる経路に、再結晶成長などによる界面が存在することがない状態で、十分な耐圧が得られるようにする。
【解決手段】ＧａＮからなるチャネル層（第２半導体層）１０１と、チャネル層１０１の一方の面であるＮ極性面に形成された第１障壁層（第１半導体層）１０２と、チャネル層１０１の他方の面であるＩＩＩ族極性面に形成された第２障壁層（第３半導体層）１０３とを備える。第１障壁層１０２および第２障壁層１０３は、例えば、ＡｌＧａＮから構成されている。また、ドレイン電極（第１電極）１０４が、第１障壁層１０２の上に形成され、ゲート電極１０５が、ドレイン電極１０４に対向して第２障壁層１０３の上に形成されている。ソース電極（第２電極）１０６は、ゲート電極１０５と離間して第２障壁層１０３の上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧のばらつきを低減できる炭化珪素半導体装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体装置１０は、基板１１と、基板１１上に設けられ、主表面１３Ａと、主表面１３Ａと交差する厚さ方向とを有する炭化珪素層４とを含む。炭化珪素層４は、チャネル層７と、ソース領域１５と、ドレイン領域１７と、ソース領域１５とドレイン領域１７との間において、ゲート領域１６Ｒとを含む。ゲート領域１６Ｒはチャネル層７に対して、第１の導電型と異なる第２の導電型を有するようにエピタキシャル成長されている。 （もっと読む）

【課題】選択された物理的寸法、形状、組成、及び、空間的配置を有する高品質印刷可能半導体素子の製造、転写、組み立てのための高歩留りの経路を与える。
【解決手段】大面積基板及び／又はフレキシブル基板を含む基板上へのミクロサイズ及び／又はナノサイズの半導体構造の配列の高精度の位置合わせ転写及び集積を行なう。また、バルクシリコンウエハ等の低コストバルク材料から印刷可能半導体素子を形成する方法、及び、広範囲の機能的な半導体デバイスを形成するための多目的で商業的に魅力的な印刷ベースの製造ブラットフォームを可能にするスマート材料処理を行う。 （もっと読む）

【課題】ノーマリーオフ特性を具現すると共にゲートリーク電流を抑制する窒化物半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の窒化物層３１とその材料より広いエネルギバンドギャップを有する材料を含む第２の窒化物層３３とが異種接合され、接合界面寄りに２次元電子ガス（２ＤＥＧ）チャネルが形成された窒化物半導体層３０と、その上にオミック接触されたソース電極５０と、これから離間して窒化物半導体３０層上にオミック接触されたドレイン電極６０と、ソース電極５０とドレイン電極６０との間の窒化物半導体層３０上に、これらから離間して形成されたＰ型窒化物層４０と、この上に形成されたＮ型窒化物層１４０と、ソース側の側壁が、Ｐ型窒化物層４０及びＮ型窒化物層１４０のソース側の側壁と整列するようにＮ型窒化物層１４０上に接触させたゲート電極７０とを含む。 （もっと読む）

【課題】ゲート領域近傍のチャネル部分の抵抗を低減することにより、従来よりも特性オン抵抗が低い炭化珪素半導体装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体装置は、基板１１と、基板１１上に設けられ、主表面１３Ａと、主表面１３Ａと交差する厚さ方向とを有する炭化珪素層４とを有している。炭化珪素層４は、チャネル層１３と、ソース領域１５と、ドレイン領域１７と、ソース領域１５とドレイン領域１７との間において、厚さ方向に沿って主表面１３Ａからチャネル層１３中に突き出るように延びるゲート領域１６とを含んでいる。ゲート領域１６の対向方向に沿った寸法は、主表面１３Ａから離れるにつれて小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】耐圧を高めた窒化物半導体素子及び製造方法を提供する。
【解決手段】第１の窒化物層３１と該第１の窒化物層３１の材料より広いエネルギバンドギャップを有する材料を含む第２の窒化物層３３とが異種接合され、該接合界面寄りに２次元電子ガス（２ＤＥＧ）チャネルが形成された窒化物半導体層３０と、窒化物半導体層３０上にオーミック接触されるソース電極５０とドレイン電極６０と、ソース電極５０とドレイン電極６０との間の窒化物半導体層３０上に形成され、ソース電極５０から所定距離だけ離間された第１の側壁からドレイン側へ長く形成された多数のＰ型窒化物半導体セグメント８０と、ソース電極５０とドレイン電極６０との間でソース電極５０に近く形成され、多数のＰ型窒化物半導体セグメント８０間の窒化物半導体層３０上及びＰ型窒化物半導体セグメント８０上に接触されるゲート電極７０とを含む。 （もっと読む）

【課題】ノーマリオフ動作を実現しながら良好な伝導性能を得ることができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、基板１と、基板１上方に形成された電子走行層３及び電子供給層５と、電子供給層５上方に形成されたゲート電極１１ｇ、ソース電極１１ｓ及びドレイン電極１１ｄと、電子供給層５とゲート電極１１ｇとの間に形成されたｐ型半導体層８と、電子供給層５とｐ型半導体層８との間に形成され、電子供給層５よりもバンドギャップが大きい正孔障壁層６と、が設けられている。 （もっと読む）

【課題】リーク特性のばらつき幅を低減可能な、窒化物電子デバイスを作製する方法を提供する。
【解決手段】テトラメチルアンモニウムヒドロキシドを含む第１溶液を用いた処理を行って半導体積層５３ｂに第１処理面６５ｆを処理装置１０ｄで形成する。第１溶液による処理温度は、摂氏５０度以上摂氏１００度以下である。第１溶液の濃度は５パーセント以上であり、５０パーセント以下である。第１処理工程に引き続き第２処理工程を行う。第２処理工程では、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド処理の後に、フッ化水素酸及び過酸化水素を含む第２溶液を用いた処理を半導体積層５３ｂに行って半導体積層５３ｂに第２処理面６５ｇを処理装置１０ｅで形成する。第２処理工程の後において、半導体積層５３ｂの処理面６５ｇのドナー性不純物の濃度は５×１０^１７ｃｍ^−３以下である。 （もっと読む）

【課題】ホモエピタキシャルＬＥＤ、ＬＤ、光検出器又は電子デバイスを形成するために役立つＧａＮ基板の形成方法の提供。
【解決手段】約１０^４／ｃｍ^２未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが１０^１９ｃｍ^−３未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板上に配設された１以上のエピタキシャル半導体層を含むデバイス。かかる電子デバイスは、発光ダイオード（ＬＥＤ）及びレーザーダイオード（ＬＤ）用途のような照明用途、並びにＧａＮを基材とするトランジスター、整流器、サイリスター及びカスコードスイッチなどのデバイスの形態を有し得る。また、約１０^４／ｃｍ^２未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが１０^１９ｃｍ^−３未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板を形成し、該基板上に１以上の半導体層をホモエピタキシャルに形成する方法及び電子デバイス。 （もっと読む）