【課題】実効キャリアー濃度が増加し、物質間のエネルギーバンドギャップ調節によりショットキー障壁が減少し、高い透過率を有する、優れた電気的、光学的、熱的及び構造的特性を有する新概念のオーミック接触システムを提供する。
【解決手段】発光ダイオード又はレーザーダイオードにおいてオーミック接触を形成するための薄膜電極において、ｐ型窒化ガリウム層上に積層され、Ｎｉ−Ｘ固溶体を含有する第１電極層と、前記第１電極層上に積層され、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｃ、Ｃｕ、及びＩｒからなる群から選択される少なくとも１種以上の元素を含有する第２電極層と、を含むことを特徴とする、薄膜電極である。 （もっと読む）

【課題】III 族窒化物半導体発光素子の光取り出し効率を向上させること。
【解決手段】発光素子１００は、ｐ型層１０４のｐ電極１０３と接合している側の表面に、第１の溝１０８が形成されている。この溝１０８は、ｐ型層１０４、活性層１０５を貫通し、ｎ型層１０６に達する深さである。溝１０８の底面に接し、溝１０８の側面には接しないよう補助電極１０９が形成されている。また、溝１０８の側面、補助電極１０９の形成されていない溝１０８の底面、補助電極１０９に連続してＳｉＯ₂ からなる絶縁膜１１０が形成されている。また、ｎ型層１０６の活性層１０５側とは反対側の表面であって、補助電極１０９の一部と対向する領域に、その補助電極１０９に達する深さの第２の溝１１１が形成されている。そして、第２の溝１１１の底面に露出した補助電極１０９上にパッド部のみからなるｎ電極１０７が形成されている。 （もっと読む）

【課題】反射電極層の劣化を抑制できる半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光装置は、発光層を含む半導体層と、半導体層の第２の主面に設けられた第１の電極と、半導体層の第２の主面に設けられ銀層を含む第２の電極と、半導体層の第２の主面側に設けられた絶縁膜と、絶縁膜における半導体層に対する反対側の面に設けられた第１の配線と、絶縁膜における半導体層に対する反対側の面に設けられた第２の配線と、第２の電極と絶縁膜との間及び第２の電極と第２の配線との間に設けられて第２の電極を覆い、第２の電極、第１の配線及び第２の配線とは異なる金属からなるバリアメタル層と、第１の配線における第１の電極に対する反対側の面に設けられた第１の金属ピラーと、第２の配線における第２の電極に対する反対側の面に設けられた第２の金属ピラーと、第１の金属ピラー及び第２の金属ピラーの周囲を覆う樹脂とを備えた。 （もっと読む）

【課題】溶液中で分散し易く、かつその溶液中において長期間、安定に存在することができ、十分な低いバンドギャップを有するπ電子系共役ポリマー及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下記式（１），（２）に例示される、チオフェン骨格π電子系共役ポリマー。


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【課題】透明導電体にＩＴＯＮ層を用いた低駆動電圧、高発光効率、かつ発光強度分布が均一化された半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成されるｎ型半導体層と、ｎ型半導体層上に形成される活性層と、活性層上に形成され最上部がｐ型ＧａＮ層であるｐ型半導体層と、ｐ型ＧａＮ層上に形成されるＩＴＯＮ（酸窒化インジウムスズ）層と、ＩＴＯＮ層上に形成されるＩＴＯ（酸化インジウムスズ）層と、ＩＴＯ層上の一部に形成される第１の金属電極と、ｎ型半導体層に接続して形成される第２の金属電極を有することを特徴とする半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】単一のダイに含まれる単位ＬＥＤ素子の個数を切り換え小型から大型まで様々な形態に対応できるＬＥＤチップにおいても、高輝度化のため電流密度が高くなり放熱が課題となった。
【解決手段】ＬＥＤチップ２０は、一つの面にｎ電極とｐ電極を備えた単位ＬＥＤ素子４０が２行２列で配列している。この配列領域の中心部にｎ電極２３が配置され、角部にｐ電極２４が配置される。ｎ電極用２３と回路基板の−電極１４をまとめて一本の細い配線に接続することで、発熱源に接するｐ電極２４を＋電極１５の太い配線に接続できるため効率のよい放熱経路が確保できる。 （もっと読む）

【課題】窒化物系発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型クラッド層と反射層との間に亜鉛、インジウム、スズのうち少なくとも一つの金属又は合金で形成された金属層が介在しており、金属層及び反射層形成以後に熱処理工程を経て製作される窒化物系発光素子及びその製造方法である。これにより、ｐ型クラッド層とのオーミック接触特性が改善され、発光素子のパッケージング時にワイヤボンディング効率及び収率を高めることができ、低い非接触抵抗と優秀な電流−電圧特性とにより素子の発光効率及び素子寿命を向上させうる。 （もっと読む）

【課題】光透過性の伝導性酸化物層を導入し反射性オーミックコンタクト構造の反射効果を極大化することにより高い発光輝度を有することが可能な高輝度の窒化物発光素子を提供すること。
【解決手段】フリップチップ型の窒化物半導体発光素子２０は、ｐ型及びｎ型窒化物半導体層２４、２６とその間に形成された活性層２５を有する。上記ｐ型窒化物半導体層上に形成されたオーミックコンタクト層２７ａと、上記オーミックコンタクト層の上に形成された光透過性の伝導性酸化物層２７ｂと、上記光透過性の伝導性酸化物層上に形成された高反射性の金属層２７ｃを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光効率が向上した発光素子及び発光素子パッケージを提供するためのものである。
【解決手段】本発明による発光素子は、伝導性支持部材と、上記伝導性支持部材の上に形成され、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、及び上記第１導電型半導体層と上記第２導電型半導体層との間に活性層を含み、上部領域に酸素（Ｏ_２）が注入された酸素注入領域を含む発光構造物と、上記発光構造物の上に電極と、を含む。上記電極は、上記発光構造物と隣接した第１領域、及び上記第１領域の上に第２領域を含み、上記第１領域の酸化物の濃度が上記第２領域の酸化物の濃度より高い。 （もっと読む）

【課題】ラテラル構造およびフリップチップ構造の問題を解決し、さらに発光層で発生した紫外光のうち、裏面に向かう光を効率的に反射して表面からの発光量を増大させることができるバーチカル型III族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のバーチカル型III族窒化物半導体発光素子１００は、ｐ側電極層１１１と、導電性サポート部１０９と、接続層１０８と、反射電極層１０７と、ｐ型半導体積層体１０５、発光層１０４およびｎ型半導体積層体１０３からなるIII族窒化物半導体積層体と、ｎ側電極層１１０とを順に具え、前記反射電極層１０７は、前記ｐ型半導体積層体１０５に直接接合するロジウム、ロジウム含有合金、ルテニウム、ルテニウム含有合金のいずれかからなり、発光波長が２００〜４９５ｎｍの範囲であることを特徴とする。 （もっと読む）