【課題】ラテラル構造およびフリップチップ構造の問題を解決し、さらに発光層で発生した紫外光のうち、裏面に向かう光を効率的に反射して表面からの発光量を増大させることができるバーチカル型III族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のバーチカル型III族窒化物半導体発光素子１００は、ｐ側電極層１１１と、導電性サポート部１０９と、接続層１０８と、反射電極層１０７と、ｐ型半導体積層体１０５、発光層１０４およびｎ型半導体積層体１０３からなるIII族窒化物半導体積層体と、ｎ側電極層１１０とを順に具え、前記反射電極層１０７は、前記ｐ型半導体積層体１０５に直接接合するロジウム、ロジウム含有合金、ルテニウム、ルテニウム含有合金のいずれかからなり、発光波長が２００〜４９５ｎｍの範囲であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小型かつ低コストで、量産性に優れた、高出力の偏光制御発光素子を提供する。
【解決手段】偏光制御発光素子は、面内の方向によって熱膨張率が異なるサブマウント１と、成長主面が極性面である発光層３２を含む半導体積層膜３と、半導体積層膜３をサブマウント１上に接合する、少なくとも半田層２１を含む金属多層接着層２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物系半導体領域の表面がｃ面から傾斜している場合に、該半導体層上に設けられる電極と該半導体領域との接触抵抗を小さく抑えることが可能なIII族窒化物系半導体素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物系半導体素子は、III族窒化物結晶からなる非極性表面１３ａを有する半導体領域１３と、半導体領域１３の非極性表面１３ａに設けられた金属電極１７とを備え、非極性表面１３ａは半極性及び無極性のいずれかであり、半導体領域１３にはｐ型ドーパントが添加されており、半導体領域１３のIII族窒化物結晶と金属電極１７との間に、金属電極１７の金属と半導体領域１３のIII族窒化物とが相互拡散して成る遷移層１９を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の半導体層上に電解メッキ法でＡｕバンプを形成し、さらにその上にＳｎ層を形成した。この半導体発光素子を金メッキ処理した回路基板にフリップチップ実装したところ金錫共晶による接合が不安定になった。
【解決手段】半導体発光素子１０のバンプ１４において半導体層側からＡｕバンプ４６、Ｓｎ層４７、Ａｕ層４８を積層させた。この結果、Ｓｎ層の酸化が防止され、さらにＡｕが均一に拡散したので共晶結合が安定した。 （もっと読む）

【課題】外向きに配置された電極を具えた垂直発光ダイオードの提供。
【解決手段】本発明は一種の外向きに配置された電極を具えた垂直発光ダイオードに関し、それは、導電性基板と、該導電性基板の上に形成された半導体エピタキシャル構造と、該半導体エピタキシャル構造の周囲に形成された鈍化層と、該鈍化層上に形成されると共に、該半導体エピタキシャル構造の上表面の外側に接触し、該半導体エピタキシャル構造と電気的に接続された導電性フレームと、を包含する。
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半導体構造が、ｎ型領域２０とｐ型領域２４との間に配された、発光層２２を含んでいる。ｐ側電極が、ｐ型領域の一部の上に配されている。ｐ側電極は、ｐ型領域の第１の部分と直接接触する反射性の第１の材料２６と、その第１の部分に隣接するｐ型領域の第２の部分と直接接触する第２の材料３０とを含んでいる。第１の材料２６および第２の材料３０は、同一の厚さのプラナー状の層として形成される。
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薄膜ＬＥＤは、絶縁基板と、絶縁基板上の電極と、電極上のエピタキシャル構造とを備える。
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本発明の発光半導体装置（１）は、ＩＩＩ族金属の窒化物からなり、ｎ型半導体層（２）と、ｐ型半導体層（３）と、ｎ型半導体層及びｐ型半導体層間の活性領域（４）と、を含む層構造を含む。層構造は、ｎ型半導体層及びｐ型半導体層のいずれか１つにより規定されるコンタクト面（５）を有し、コンタクト面に付着される反射コンタクト構造（６）を更に含む。本発明によれば、反射コンタクト構造（６）は、多結晶構造を有し、層構造のコンタクト面（５）に付着される第１の透明導電酸化（ＴＣＯ）コンタクト層（１３）と、非晶質構造を有する第２の透明導電酸化（ＴＣＯ）コンタクト層（１４）と、第２のＴＣＯ層に付着される金属反射層（１５）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】雰囲気条件下で簡単に実施でき、安価な金属箔を使用できる、有機半導体表面に電気接点を形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体表面に溶媒層を形成し、前記表面、少なくともその下面が部分的に酸化された金属箔を載置し、次いで前記溶媒を蒸発させる。本発明方法によると、経済的な競争力が向上し、同時に半導体の構造の保持、及び高い界面導電性がその品質的な価値を上昇させる。 （もっと読む）

本開示は、３族窒化物半導体発光素子に関し、より詳細には、第１の導電性を有する第１の３族窒化物半導体層、第１の導電性とは異なる第２の導電性を有する第２の３族窒化物半導体層、及び第１の３族窒化物半導体層と第２の３族窒化物半導体層との間に位置し、電子と正孔の再結合により光を生成する活性層を備える複数の３族窒化物半導体層と、複数の３族窒化物半導体層と電気的に接続されるボンディングパッドと、ボンディングパッド上に位置する保護膜と、ボンディングパッドと保護膜との間に位置し、ボンディングパッドが露出するように形成されるバッファパッドとを含むことを特徴とする３族窒化物半導体発光素子に関する。

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