【課題】金型寿命が短いため低コストで熱電材料を製造することが困難であった。また、高い性能指数の熱電材料を効率的に製造することができなかった。
【解決手段】Ｂｉ，Ｓｂからなる群から選択される少なくとも１種の元素と、Ｔｅ，Ｓｅからなる群から選択される少なくとも１種の元素との合金の粉末を固化し、固化された前記合金に対して、加圧通路の加圧軸と押出通路の押出軸とが一軸上に存在しない金型によって、前記押出通路内で押し出されている前記合金に対して押出方向と逆向きの背圧を作用させることなく押出処理を行う。 （もっと読む）

【課題】赤外線の入射時に冷接点の温度が変動することを抑え、温接点と冷接点との温度差を極力大きくして高感度化を図ると共に、温接点の保護と全体の剛性増加とを図って、高い信頼性が確保すること。
【解決手段】ベース基板２と、ベース基板を覆うサイズに形成されると共にベース基板上に間隔を開けて配置され、赤外線（ＩＲ）に対して非透過性のフィルム基板３と、ベース基板の上面に形成された冷接点６と、フィルム基板の下面に形成された温接点５と、両基板の間に挟まれた状態で冷接点と温接点とに両端がそれぞれ接続され、両冷接を介して両基板を一体的に固定する熱電変換素子４と、冷接点に接続された状態でベース基板に設けられ、熱電変換素子で生じた起電力を出力電圧Ｖ_ｏｕｔとして外部に出力する外部出力端子部７と、を備えている赤外線センサ１を提供する。 （もっと読む）

【課題】Ｂｉ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｓｅを主成分とする熱電変換材料からなる熱電変換素子において、元素の拡散防止効果が高く、しかも工業的に安価に形成し得る拡散防止層を有する熱電変換素子、及びそれを用いた優れた耐久性を有する熱電変換モジュールを提供すること。
【解決手段】Ｂｉ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＳｅの内の２つ以上の元素を含む合金からなる熱電変換材料１からなる熱電変換素子１０において、前記熱電変換材料１の表面に、異種元素の拡散を防止する拡散防止層２として、Ｃｏからなる金属層を形成し、前記拡散防止層２上に、前記拡散防止層２と電極を半田あるいは銀ペーストにより接合するための接合層３として、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｔｉ及びＣｒの内の１つ以上の元素を含む金属層または合金層を形成する。
この熱電変換素子１０を、半田あるいは銀ペーストにより電極と接合して、熱電変換モジュールを作製する。 （もっと読む）

【課題】基板の上に熱膨張係数が互いに異なる酸化物層と熱電物質を積層した後熱膨張係数の差による圧縮応力を利用して熱電物質から単結晶の熱電のナノワイヤを成長させて製造される熱電のナノワイヤ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】上面に酸化物層が形成された基板を用意する工程と、前記の酸化物層の上にＡｌ、Ａｇ、Ｆｅまたはこれらの酸化物で成り立った多数のナノ粒子を形成する工程と、前記の酸化物層の上に形成された前記の多数のナノ粒子を含むようにその酸化物層の上に熱電特性を持つ熱電物質の薄膜を形成する工程と、前記の熱電物質の薄膜が形成された基板を熱処理して前記の多数のナノ粒子が含有された熱電のナノワイヤを成長させる工程と、前記の熱処理の工程の以後に前記の基板を常温で冷却させる工程と、を備える熱電のナノワイヤの製造方法。 （もっと読む）

半導体のＺＴを増大させる方法は、圧力伝達媒体中に半導体を含む反応セルを作成する工程、半導体のＺＴを増大させるのに十分な時間にわたって反応セルを高圧及び高温にさらす工程、並びにＺＴが増大した半導体を回収する工程を含む。
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【課題】熱電構造とシリコン貫通ビア（ＴＳＶ）を用いた冷却装置を提供する。
【解決手段】集積回路（ＩＣ）チップを冷却する熱電構造であって、前記熱電構造は、第１電圧に接続されたＩＣチップの上部に形成された第１型超格子層、及び前記第１電圧と異なる第２電圧に接続されたＩＣチップの底部に形成された第２型超格子層を含み、有効伝導電流（ａｃｔｉｖｅ ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｃｕｒｒｅｎｔ）がＩＣチップを冷却するため前記第１と第２型超格子層に流れる熱電構造。 （もっと読む）

【課題】Ｂｉ₂Ｔｅ_３の格子熱伝導率を大きく改善すると共に、機械加工に対する強度を大きく向上させる。
【解決手段】熱電材料を、Ｂｉ，Ｓｂからなる群から選択される少なくとも１種の元素と、Ｔｅ，Ｓｅからなる群から選択される少なくとも１種の元素との合金であって、ユニットセルにおいてｃ軸に垂直な方向に形成される２１層の面のそれぞれに原子が配置される合金によって構成する。 （もっと読む）

【課題】良好な熱電特性を発揮することができるＢｉＴｅ系薄膜の作製方法の提供を課題とする。また良好な熱電特性を持つＢｉＴｅ系薄膜を用いた赤外線センサの提供を課題とする。
【解決手段】ＢｉＴｅ系薄膜３の作製方法は、少なくともＢｉとＴｅを有効成分とするＢｉＴｅ系薄膜を２００℃以下で成膜し、その後、Ａｒ−Ｈ_２雰囲気中で加熱することで薄膜の結晶化を行う。Ａｒ−Ｈ_２雰囲気中での加熱処理温度は３００〜５００℃とする。またレジストを用いたリフトオフ法により基板１上にＢｉＴｅ系薄膜のパターンを２００℃以下で成膜し、得られたＢｉＴｅ系薄膜のパターンを基板１と共にＡｒ−Ｈ_２雰囲気中で加熱処理して結晶化を行う。また以上のような作製方法により得たＢｉＴｅ系薄膜３を用いた赤外線センサを提供する。 （もっと読む）

【課題】高い発電特性を有する熱発電デバイスを提供すること。
【解決手段】第１電極１１および第２電極１２と、金属１６と電気絶縁体１７からなる第１金属層１３および第２金属層１４によってＰｂＴｅ層１５が挟まれるように積層されてなる積層体とで構成され、前記第１電極１１および第２電極１２の対向方向Ｘに対して金属１６と電気絶縁体１７がなす接続面が傾斜したような構成の熱発電デバイスにおいて、温度差が印加される方向Ｙが電極の対向方向Ｘに対して垂直になるようにすることにより、高い発電特性が実現する。 （もっと読む）