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国際特許分類[H01L35/22]の内容

国際特許分類[H01L35/22]に分類される特許

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【課題】 低温域における電気伝導性が良好なn型熱電素子を得ることができるn型熱電素子用組成物を提供する。
【解決手段】 n型熱電素子3の材料となるn型熱電素子用組成物は、金属元素比率でCaとMnとの合計が100mol%になるようにCa:40〜60mol%、Mn:40〜60mol%を含有したCaMnOに、Nbを添加してなるものである。このとき、Nbは、Ca及びMnを上記の比率で含有するCaMnOに、CaとMnとの合計100mol%に対して元素換算で10〜30mol%だけ添加されている。これにより、低温域における比抵抗ρを小さくすることができる。 (もっと読む)


【課題】 低温域でも大きな起電力が発生するn型熱電素子を得ることができるn型熱電素子用組成物を提供する。
【解決手段】 n型熱電素子3の材料となるn型熱電素子用組成物は、金属元素比率でCaとMnとの合計が100mol%になるようにCa:40〜60mol%、Mn:40〜60mol%を含有したCaMnOに、Snを添加してなるものである。このとき、Snは、Ca及びMnを上記の比率で含有するCaMnOに、CaとMnとの合計100mol%に対して元素換算で10〜30mol%だけ添加されている。これにより、低温域におけるゼーベック係数αの絶対値を大きくすることができる。 (もっと読む)


【課題】熱電変換素子および電極間の熱応力を抑制することのできる熱電変換モジュールとそれに好適な熱電変換素子を提供する。
【解決手段】熱電変換材料および導電性金属を含有する焼結体からなる複数の熱電変換素子と、複数の電極とを有し、該素子と該電極とが接しており、その少なくとも1箇所においては接合されることなく接している熱電変換モジュール。熱電変換材料および導電性金属を含有する焼結体からなり、該焼結体が、該焼結体の一端に存在し、かつ熱電変換材料および導電性金属を含有する第1の層301と、該第1の層に接合している第2の層302と、を含む複数の層から形成され、第1の層における熱電変換材料および導電性金属の合計量(モル)に対する導電性金属の割合(モル比)が、第2の層における熱電変換材料および導電性金属の合計量(モル)に対する導電性金属の割合(モル比)よりも大きい熱電変換素子。 (もっと読む)


【課題】ゼーベック係数を大きくしてエネルギーの変換効率の高い熱電変換材料を得る。
【解決手段】熱電変換材料は、金属元素からなる金属層2が、二次元的な三角格子を形成する2つのCoO層1,1間に挟まれ、厚みが結晶構造の単位格子のc軸長と一致する層状構造を有している。 (もっと読む)


【課題】煩雑および高コストなプロセスを必要とせずに作製可能であり、かつ高い熱電変換特性を有する、結晶配向性の熱電材料と、その製造方法の提供。
【解決手段】熱電材料はLotgering法によるc軸配向度が0.6以上0.9未満である、結晶配向性の酸化亜鉛を主成分とする焼結体であり、20℃以上1000℃以下における熱電出力因子が8.0×10−4W・m−1・K−2以上という高い熱電性能を有する材料であり、熱電材料の製造方法は、ドーパントとなる金属元素を含む層状水酸化亜鉛塩の板状粒子を加熱する工程を含んでなるものである。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】本発明は、下記化学式で表される新規な化合物半導体を提供する:Bi1-xxCuwa-yQ1yTeb-zQ2z。化学式において、MはBa、Sr、Ca、Mg、Cs、K、Na、Cd、Hg、Sn、Pb、Eu、Sm、Mn、Ga、In、Tl、As及びSbからなる群より選択されたいずれか1つまたはそのうちの2種以上の元素であり、Q1及びQ2はS、Se、As及びSbからなる群より選択されたいずれか1つまたはそのうちの2種以上の元素であり、0≦x<1、0<w≦1、0.2<a<4、0≦y<4、0.2<b<4及び0≦z<4である。前記化合物半導体は従来の化合物半導体に代替するか又は従来の化合物半導体に加え、太陽電池、熱電変換素子など多様な用途に用いられ得る。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】本発明は、次の化学式で表される新規な化合物半導体を提供する(Bi1-x-yLnxyCuOTe)。化学式において、Lnはランタン族元素であってLa、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及びLuからなる群より選択されたいずれか1つまたはそのうちの2種以上の元素であり、MはBa、Sr、Ca、Mg、Cd、Hg、Sn、Pb、Mn、Ga、In、Tl、As及びSbからなる群より選択されたいずれか1つまたはそのうちの2種以上の元素であり、0<x<1、0≦y<1及び0<x+y<1である。前記化合物半導体は従来の化合物半導体に代替するかまたは従来の化合物半導体に加え、熱電変換素子などの用途に用いられ得る。 (もっと読む)


【課題】n型熱電変換材料として優れた性能を有し、高い耐久性を有する材料を提供する。
【解決手段】下記組成式で表される酸化物からなる焼結体であって、該焼結体を構成する結晶粒子の50%以上が1μm未満の粒径を有することを特徴とする酸化物焼結体:組成式:Ca1-xM1xMn1-yM2yOz(式中、Mは、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Yb、Dy、Ho、Er、Tm、Tb、Lu、Sr、Ba、Al、Bi、Y及びLaからなる群から選ばれた少なくとも一種の元素であり、M2は、Ta、Nb、W及びMoからなる群から選ばれた少なくとも一種の元素である。また、x、y及びzはそれぞれ次の範囲である:0≦x≦0.5、0≦y≦0.2、2.7≦z≦3.3)で表される酸化物。 (もっと読む)


【課題】室温より低い温度域において高いゼーベック係数を有する材料を提供すること。
【解決手段】ホウ素をドープしたルチル型酸化チタンを含む熱電変換材料である。特に、300K以下の温度域におけるゼーベック係数が500μV/K以上である、ホウ素をドープしたルチル型酸化チタンである。これらの熱電変換素子材料は、たとえば、チタニアと酸化ホウ素の粉末をプラズマ焼結させることによりドープできる。 (もっと読む)


【課題】煩雑および高コストなプロセスを必要とせずに作製可能な結晶配向性構造体と、その製造方法を提供する。
【解決手段】2価の金属イオンを含む層状金属水酸化物、あるいは2価および3価の金属イオンを含む層状金属水酸化物の板状粒子を配向処理し、さらに加熱処理することにより得られる多結晶性の結晶配向性構造体。この結晶配向性構造体は、高い熱電変換能を示す材料として利用できる。 (もっと読む)


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