【課題】結晶配向度が大きく、かつ熱伝導率及び比抵抗を小さくすることが可能な、優れた熱電特性を有する配向熱電材料の製造方法及びその製造方法により形成された配向熱電材料を提供する。
【解決手段】熱電材料を磁場中で成形して配向熱電材料を製造する配向熱電材料の製造方法において、前記熱電材料中に、炭素成分を含有する磁性成分を添加する工程（ステップＳ１２）を具備する。 （もっと読む）

【課題】希土類ホウ炭化物からなり、高ゼーベック係数などの高性能を発揮するｎ型熱電半導体を提供する。
【解決手段】組成が下式に示す組成を有する三方晶系である希土類ホウ炭化物。ＲＥＢ_２６＋ＸＣ_４＋ＹＮ_１＋Ｚ・ｔ（ＴＭ）（−１０＜Ｘ＜１０、−３＜Ｙ＜３、−１＜Ｚ＜１，ＲＥ＝Ｓｃ、Ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、またはＬｕ、０．５ａｔ％＜ｔ＜ａｔ６％、ＴＭ＝Ｃｏ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｖ、またはＣｒ） （もっと読む）

【課題】大きな熱起電力を発生させる放射検出器と電磁波を検出する方法とを提供する。
【解決手段】本発明は電磁波を検出する方法であって、以下の工程を具備する：放射検出器を準備する工程、ここで、放射検出器は、薄膜、基板、電磁波反射膜、第１電極および第２電極を具備し、前記基板は前記薄膜および前記電磁波反射膜の間に挟まれており、前記薄膜は、結晶体であり、ゼーベック係数に異方性を有し、かつ異方性を発現させる基準となる結晶面を有し、前記基板は結晶体であり、前記薄膜の前記結晶面と前記基板の表面とが形成する角度αは１０°以上８０°以下であり、前記基板の低指数面と前記基板の表面とが形成する角度βは１０°以上８０°以下であり、第１電極および第２電極は前記薄膜に電気的に接続され、および、第１電極と第２電極との間の電位差を検出し、電位差が検出されれば放射検出器に電磁波が照射されたことが決定される工程。 （もっと読む）

【課題】高い放射検出感度や発電時の高い起電圧を実現するために、ゼーベック係数の大きな異方性を有し、かつ異方性を有する面に沿って大きな結晶が得られる異方的熱電材料を提供すること。
【解決手段】化学式Sr_2-xLa_xNb₂O₇で表され、c軸方向に4層のNbO₆八面体からなるブロック層が周期的に積層してなる層状ペロブスカイト型の結晶構造を有し、a軸方向とa軸に対して垂直方向のゼーベック係数との差の絶対値が100μV/K以上であることを特徴とする異方的熱電材料によって高い放射検出感度や発電時の高い起電圧が実現できる。 （もっと読む）

【課題】比較的簡素な構成で、変換効率の極めて高い熱電変換素子を実現する。
【解決手段】一対の電極１，３間に、例えばｎ型のＺｎＯ等の半導体層２ａとＡｌ等の金属層２ｂとが交互に複数積層された周期構造体２を設け、必要に応じて電極１上に絶縁板を設けて熱電変換素子を構成し、電極３上又は絶縁板上に発熱源４が当接する。 （もっと読む）

【課題】
製造が容易で、熱膨張に対する耐性の高い、熱電変換モジュールを提供する
【解決手段】
耐熱性絶縁性柱状体に形成した一対の貫通孔に、ｎ型半導体熱電変換素子およびｐ型半導体熱電変換素子を形成し、耐熱性絶縁性柱状体の上端において素子内配線で両熱電変換素子を接続した複合熱電変換素子を複数個、絶縁性基板上に形成した複数の接続配線を接続するように配置し、熱電変換モジュールを形成する。 （もっと読む）

【課題】均一かつ微粒、高密度であり電気抵抗の上昇を抑制可能な熱電変換材料、該熱電変換材料を短時間で簡便に製造することのできる熱電変換材料の製造方法、及び、該熱電変換材料を用いた熱電変換モジュールの提供。
【解決手段】本発明の熱電変換材料の製造方法は、主ノズルより主剤を基板上に静電噴霧して堆積させると同時に、前記主ノズルの周りに複数配置された補助ノズルより補助剤を基板上に静電噴霧して堆積させて、形成された堆積物を焼成させる熱電変換材料の製造方法であって、前記主剤は、少なくとも１種の金属元素を含み、前記補助剤は、加熱により蒸発除去可能あり、前記主ノズルと前記補助ノズルとを同極性に電圧印加させながら、前記主剤と前記補助剤とを噴霧することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は：ＧｅドープＺｎＯをｎ型熱電材料として含む材料、前記熱電材料を調製するプロセス、及び前記材料を熱電素子のｎ型部分に含む熱電素子に関するものである。
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【課題】新たな構造を有する複無機化合物系を提供する。
【解決手段】本発明に係る複無機化合物系１は、無機化合物から構成される主結晶相２を含む複無機化合物系１において、主結晶相２と同一の非金属元素配列を有し、主結晶相２と異なる元素組成から構成される副結晶相３が、主結晶相２の内部において層状にて含有されている。さらに、副結晶相３に含まれる少なくとも１種の金属元素と同一の金属元素が主結晶相２に固溶している。 （もっと読む）

【課題】製造工程数が少なく、製品コストの低減が可能な熱電変換モジュール及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型半導体ブロック１１はｐ型熱電変換材料により形成され、柱部１１ａと該柱部１１から横方向に突出する接続部１１ｂとを有する。また、ｎ型半導体ブロック１２はｎ型熱電変換材料により形成され、柱部１２ａと該柱部１２から横方向に突出する接続部１２ｂとを有する。ｐ型半導体ブロック１１の接続部１１ｂはｎ型半導体ブロック１２の柱部１２ａに接続され、ｎ型半導体ブロック１２の接続部１２ｂはｐ型半導体ブロック１１の柱部１１ａに接続されて、一対の伝熱板１３ａ，１３ｂ間に交互に配置されている。半導体ブロック１１，１２は、熱電変換材料からなる基板にダイシングソーにより切れ込み（溝）を格子状に設けることにより形成される。 （もっと読む）