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国際特許分類[H01L35/22]の内容

国際特許分類[H01L35/22]に分類される特許

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【課題】層状マンガン酸化物を用いて、熱電変換特性に優れた熱電変換モジュールを提供する。
【解決手段】組成式:Ca3-xMxMn2O7(式中、Mは、Y,La,Sm,Bi,Sr,Ba,Pr,Nd,Sm,Na及びKからなる群から選ばれた少なくとも一種類の元素であり、0≦x≦1である。)で表される組成を有し、かつ、高温域において負のゼーベック係数を有し、かつ、低い熱伝導率を有するn型熱電変換材料を用いて、n型熱電変換素子を作成し、このn型熱電変換素子を用いて熱電変換モジュールを構成する。 (もっと読む)


【課題】ゼーベック係数が大きく、抵抗率が低く、出力因子の大きなn型の熱電変換材料、およびそれを用いた熱電変換効率の高い熱電変換モジュールを提供する。
【解決手段】酸化物熱電変換材料(n型熱電変換材料)の組成を、組成式:CuxWO4、(ただし、0.1≦x≦0.8)で表わされる組成とする。
また、酸化物熱電変換材料の組成を、組成式:CuxWO4-δ、(ただし、0.1≦x≦0.8、δは酸素欠陥を表す)で表される組成とする。
上記の熱電変換材料を、n型熱電変換材料2として用い、このn型熱電変換材料2をp型熱電変換材料1と組み合わせて熱電変換モジュール10を構成する。 (もっと読む)


【課題】粒径が小さく、かつ単相のカルシウム−マンガン複合酸化物の粒子を容易に製造することができる方法を提供すること。
【解決手段】本発明のカルシウム−マンガン複合酸化物の製造方法は、カルシウム源及びマンガン源を分散媒と混合してスラリーを調製し、このスラリーをメディアミルによって湿式粉砕し、粉砕後のスラリーをスプレードライ法に付して乾燥粉体となし、この乾燥粉体を焼成することを特徴とする。焼成は750〜1200℃で行うことが好適である。 (もっと読む)


【課題】熱電変換素子の熱電変換効率の向上を図る。
【解決手段】グラフェン53aとカーボンナノチューブ53bとが接合された構造を有し、電子移動度が高く、且つ、熱伝導率の低い複合構造体53を熱電変換材料として用い、その両端部に一対の電極54,55を電気的に接続することで、熱電変換素子50を構成する。 (もっと読む)


【課題】製造が容易であり、且つ大量生産に適し、低コストで良好な熱電変換性能を有する熱電変換材料を提供する。
【解決手段】粒子とその表面を被覆する粒界相とよりなり、該粒子がペロブスカイト型酸化物、例えば、SrTiO等の絶縁体であり、該粒界相がペロブスカイト型酸化物、例えば、SrTiO等に金属をドープした半導体であり、粒子の平均一次粒径が2〜100nmであり、粒界相の厚みが0.2〜8nmである熱電変換材料。 (もっと読む)


【課題】複合合金の複合材料とその生成法、熱電素子、および熱電モジュールを提供する。
【解決手段】セラミック材料で満たされた熱電材料を基にしたセラミック・金属複合材である複合合金の複合材料を提供する。この複合材料は、以下の一般式(I)で示される。
1-xx (I)
上記の一般式(I)において、0.05≦X≦0.2であり、Aは、ハーフホイスラー熱電材料を示し、その比例組成は、以下の式(II)で示される。
(Tia1Zrb1Hfc11-y-zNiySnz (II)
上記の一般式(II)において、0<a1<1、0<b1<1、0<c1<1、a1+b1+c1=1、0.25≦y≦0.35および1、0.25≦z≦0.35であり、Bは、炭素(C)、酸素(O)および窒素(N)の群から選ばれた少なくとも1つの元素を示す。 (もっと読む)


【課題】電気伝導率が高く熱伝導率が低い高効率の熱電変換材料及び熱電変換素子を提供する。
【解決手段】炭素元素の複数の線状構造体20と、線状構造体20に内包され、線状構造体20の熱伝導率を低下する熱伝導率低下物質22とを有している。これにより、線状構造体20が有する高い電気伝導率を維持しつつ、線状構造体20の熱伝導率を低下することができ、性能指数ZTが高い高効率の熱電変換材料が得られる。 (もっと読む)


多相熱電材料は、チタニア系半導体相および半金属導電相を備える。多相熱電材料は、有利にはナノ複合材料であり、ここで、両構成相は均一に分布し、約10nm〜800nmの範囲の微結晶サイズを有する。チタニア系半導体相は、半金属導電相によって部分的に還元された酸化チタンの準化学量論的な相の混合物でありうる。多相熱電材料を形成する方法についても開示される。
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【課題】明確なp型伝導を示す酸化物半導体を提供する。
【解決手段】アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類、遷移金属、及び窒素から選択される一種以上の元素、又はこれら元素を一種以上含有する化合物を固溶置換させた酸化インジウムを、100℃〜250℃の範囲を0.0001℃/秒以上、0.1℃/秒以下の昇温速度で加熱し結晶化させることを特徴とする酸化物半導体の製造方法。 (もっと読む)


エネルギー変換装置は、高温流体を受け取るように構成された少なくとも1つの熱源チャンバ(255,355)、冷却液を受け取るように構成された少なくとも1つの冷源チャンバ(275,375)及び、少なくとも1つの熱源チャンバ(255,355)及び少なくとも1つの冷源チャンバ(275,375)と熱が流通する、複数の熱電素子(272,273,773)を備えることができ、熱電素子は温度勾配にさらされたときに電圧を発生するように構成されている。少なくとも1つの熱源チャンバ(255,355)はその中に受け取られる高温流体の触媒変換を行うように構成することができる。少なくとも1つの熱源チャンバ(255,355)及び少なくとも1つの冷源チャンバ(275,375)は熱膨張係数が比較的低い材料で形成することができる。
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