【課題】高いＱ値の高温超伝導フィルタを実現可能とするＮｄＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ₇やＬａＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ₇などの薄膜が、ＭｇＯ基板の上に形成できるようにする。
【解決手段】酸化マグネシウム（ＭｇＯ）基板１０１を用意する。ＭｇＯ基板１０１は、主表面が（１００）面とされたものであり、また、一辺が２０ｍｍ程度の矩形の基板である。次に、ＭｇＯ基板１０１を、分子線エピタキシー装置の処理室内に搬入し、ＭｇＯ基板１０１が６００℃〜６４０℃の範囲に加熱された状態とし、例えば、ネオジウム（Ｎｄ），バリウム（Ｂａ），及び銅（Ｃｕ）を蒸発源（蒸着源）とする分子線エピタキシー法により、ＭｇＯ基板１０１の主表面にＮｄ₁Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-d（０≦ｄ≦０．３）からなる高温超伝導体薄膜１０２が膜厚５００ｎｍ程度に形成された状態とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、分断した個々のフィラメント導体どうしの絶縁性を高めることができ、低交流損失の酸化物超電導体を得ることができる技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、基体１上に酸化物超電導層６が設けられてなる低交流損失超電導導体Ａにおいて、前記酸化物超電導層６が、前記基体１の長さ方向に沿って前記基体の幅方向に複数形成された細線化溝３により複数のフィラメント導体２に分離されてなり、前記細線化溝３に高抵抗酸化物８が形成されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＰＬＤ法により、長尺の金属基材上に、バッファ層を介し、ＲＥ―Ｂａ―Ｃｕ系酸化物からなる超電導層を形成した臨界電流密度特性に優れたＲＥ―Ｂａ―Ｃｕ系酸化物超電導長尺体と、その製造方法を提供する。
【解決手段】金属基材上に、バッファ層を介して、ＲＥ―Ｂａ―Ｃｕ系酸化物からなる超電導層が形成されたＲＥ―Ｂａ―Ｃｕ系酸化物超電導長尺体であって、該ＲＥ―Ｂａ―Ｃｕ系酸化物のＢａ組成が化学量論組成より小さいことを特徴とする臨界電流密度特性に優れたＲＥ―Ｂａ―Ｃｕ系酸化物超電導長尺体。ここで、ＲＥは、Ｙ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅrのいずれか１種又は２種以上の元素。 （もっと読む）

【課題】ＭｇＯ基板を効率よく均一に加熱し、ＭｇＯ基板の上に酸化物超伝導体薄膜を均一に形成することができる酸化物超伝導体薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】ＭｇＯ基板１０１の裏面に、膜厚３００ｎｍ程度のカーボン層１０２を形成した後、分子線エピタキシー装置に搬入し、カーボン層を輻射加熱することでＭｇＯ基板を均一に加熱し、ＭｇＯ基板の主表面にＮｄ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-d（０≦ｄ≦０．３）からなる酸化物超伝導体薄膜１０４を形成する。次に、カーボン層を除去してＭｇＯ基板の裏面を露出させる。このＭｇＯ基板を、分子線エピタキシー装置の処理室内に搬入し、ＭｇＯ基板に形成されている酸化物超伝導体薄膜を輻射加熱することでＭｇＯ基板を加熱し、ＭｇＯ基板の裏面に、Ｓｍ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-d（０≦ｄ≦０．３）からなる酸化物超伝導体薄膜を、膜厚６００ｎｍ程度に形成する。こうして、ＭｇＯ基板の両面に酸化物超伝導体薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】ジョセフソン接合の動作特性に優れ、かつ、絶縁体膜の表面が緻密で平坦性に優れると共に、超電体層の平坦性および結晶性に優れる超電導素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】酸化物基板１上に、第１酸化物超電導体薄膜２、セリアからなる第１絶縁体薄膜３、第２酸化物超電導体薄膜４、セリアからなる第２絶縁体薄膜５を順次形成する。第２酸化物超電導体薄膜４に、第１絶縁体薄膜３に対して鈍角をなす斜面を形成すると共に、第２絶縁体薄膜５に、第２酸化物超電導体薄膜４の斜面に略連続する斜面を形成する。第２酸化物超電導体薄膜４の斜面に極薄い絶縁体薄膜を形成する。第２絶縁体薄膜５上、第２絶縁体薄膜５の斜面上、上記極薄い絶縁体薄膜上、および、第１絶縁体薄膜３上に、第３酸化物超電導体膜６を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＭｇＯ基板の上に、バリウムと銅とを含む酸化物からなる高品質な高温超伝導薄膜が、再現性よく形成できるようにする。
【解決手段】Ｃａの含有量が１４７ｐｐｍ程度のＭｇＯ基板１０１を用意し、これを酸素雰囲気１０２の中に配置された状態とし、加えて、ＭｇＯ基板１０１に１０００℃・１２時間の加熱処理が行われた状態とする。このことにより、ＭｇＯ基板１０１の表面に形成されている劣化層が除去された状態とする。次に、ＭｇＯ基板１０１を、分子線エピタキシー装置の処理室内に搬入し、基板温度を７００℃とした状態とし、Ｎｄ，Ｂａ，及びＣｕを蒸発源とする分子線エピタキシー法により、ＭｇＯ基板１０１の上にＮｄ₁Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-d（０≦ｄ≦０．３）からなる高温超伝導薄膜１０３が膜厚２５０ｎｍ程度に形成された状態とする。 （もっと読む）

【課題】表面に（１１１）結晶面が存在すると共にＢが高濃度でドープされ、優れた超伝導特性を有する超伝導ダイヤモンド積層膜、デバイス及び製造方法を提供する。
【解決手段】下層ダイヤモンド膜２は、表面がダイヤモンド（１１１）結晶面により構成され、前記表面にダイヤモンドの４角錐状の突起が形成されたものであり、気相合成により形成されている。また、超伝導ダイヤモンド膜４は、下層ダイヤモンド膜２上に積層され、ホウ素が高濃度に、例えば、ホウ素（Ｂ）と炭素（Ｃ）との原子数比（Ｂ／Ｃ）が、５．０％以上にドーピングされている。前記ダイヤモンド粒子は一定方向に配列されている。 （もっと読む）

【課題】
損傷が起きる可能性が小さく、容易な金属材料層等の製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明の一つの側面は、基板上にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層をパターニングすることによってレジストパターンを形成する工程と、前記基板上及び前記レジストパターン上に有機金属溶液を配置する工程と、前記有機金属溶液の溶媒を除去する溶媒除去工程と、前記溶媒除去工程の後に前記レジストパターンを除去するリフトオフ工程とを有する金属材料層の製造方法にある。本構成によれば、損傷が起きる可能性が小さく、容易な金属材料層等の製造方法が得られる。 （もっと読む）

【課題】 長尺な線材と同様の効果を有する超電導テープ線材の製造方法、超電導テープ線材、および超電導機器を提供する。
【解決手段】 超電導テープ線材１０の製造方法は、テープ状基板１１を準備する工程（Ｓ１０）と、テープ状基板１１上に中間薄膜層１２を形成する工程（Ｓ２０）と、中間薄膜層１２上に超電導層１３を形成する工程（Ｓ３０）と、超電導層１３は一方端部１３ｃから他方端部１３ｄまで伸び、超電導層１３に一方端部１３ｃから他方端部１３ｄまで延在する少なくとも１つの分割領域１３ａを形成する加工工程とを備えている。分割領域１３ａは、超電導層１３の臨界温度では超電導状態とならない領域であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 超伝導素材としてＡｌを採用した超伝導フォトン検出器を提供可能にする。
【解決手段】 Ａｌ系超伝導フォトン検出器を製造する際に、超伝導フォトン検出器用の基板に、超伝導材料としてＡｌ薄膜を積層し、このＡｌ薄膜上にレジスト処理によるマスクを形成して、基板及びＡｌ薄膜をチャンバー内に収容する。更に、チャンバーにエッチング用ガスを導入しながら、プラズマ発生手段によってチャンバー内にプラズマを発生させ、プラズマ高密度化手段によって、チャンバー内のプラズマの密度を向上させることで、この密度が向上されたプラズマを用いてＡｌ薄膜をエッチングするようにした。 （もっと読む）