【課題】従来のHTS-SQUID２次元アレー作製方法では素子を構成するジョセフソン接合に
おける特性の不均一性に問題があった。
【構成】（１）Bi系高温超伝導単結晶を劈開し、清浄面を出す工程、（２）還元処理によ
り、該単結晶全体を絶縁体、常伝導体もしくは弱超伝導体にする工程、（３）酸化処理に
より、該絶縁体、常伝導体もしくは弱超伝導体の表面のみ超伝導を復活させ超伝導体層に
する工程、（４）フォトリソグラフィー加工で、（３）で作製した超伝導層のab面におけ
る全面積の40〜60%を、c軸方向に超伝導層が2〜40nm残るように直角に削り取り露出面を
形成する工程、（５）等方的な還元処理により、（４）で作製した超伝導層の露出面のみ
を絶縁体にし、絶縁体層を形成する工程、（６）方向性のある酸化処理により、（５）で
作製した絶縁体層のみを超伝導体層にする工程、からなることを特徴とする面内型ジョセ
フソン接合の形成法。 （もっと読む）

本明細書で例示的に記述した超電導体は、超電導材料を含み、この超電導材料は、その内部に形成された磁性不純物と非磁性無秩序性とを含む。本明細書で記述した超電導体は、磁石用途及び送電に使用するのに適している。

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【課題】バルクレベルで超伝導状態となる新規な材料系を提供する。
【解決手段】超伝導薄膜１０１は、アモルファス状態の炭素よりなる基質１１１と、基質１１１の中に局所的に形成されたｓｐ²混成軌道による結合（ｓｐ²結合）の部分からなる微細な複数のナノグラファイト（超伝導領域）１１２と、基質１１１の中に局所的に形成されたｓｐ³混成軌道による結合（ｓｐ³結合）の部分からなる微細な複数のナノダイアモンド１１３とを備える。隣り合うナノグラファイト１１２は、超伝導近接効果を示す距離離間して形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ膜を効率良く成膜して収率を向上させることができるランプ加熱型サーマルＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るランプ加熱型サーマルＣＶＤ装置は、基板３上にサーマルＣＶＤ法により成膜するＣＶＤ装置において、チャンバー１と、前記チャンバー１の外側に配置され、前記チャンバー１を透過したランプ光が前記基板３に照射されるランプヒーター４，６と、前記チャンバー１に接続され、前記チャンバー１内に原料ガスを導入する原料ガス導入機構と、前記チャンバー１に設けられ、前記チャンバー１内を排気する排気口２１と、前記排気口２１に接続された排気機構と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】工程数の増大や製造プロセスの複雑化を伴わず、製造コストが低く、且つジョセフソン接合の接合面積Ｓの微小化が容易な超伝導素子、この超伝導素子を用いた超伝導集積回路及び超伝導素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 負荷３２と、この負荷３２に電気的に接続された下部電極配線３３、この下部電極配線３３に接したトンネル・バリヤ膜４１、垂直側壁を有しこのトンネル・バリヤ膜４１に接した上部電極４２を備えたジョセフソン接合と、上部電極４２の垂直側壁に接した内壁を有して上部電極４２の周囲を囲み、内壁に直交する平坦な平面からなる上面を有し、上部電極４２より厚い第１の層間絶縁膜１６とを備える。第１の層間絶縁膜１６の上面は、内壁から少なくとも上部電極４２の上面の最大寸法分離れた範囲内において、上部電極４２の厚みの±１／２０の平坦度で平坦である。 （もっと読む）

【課題】室温超伝導体を開発するための有力な方策は、これまでとは異なる視点から材料
を見つめ、新たな超伝導化合物を見出し、超伝導化合物の系を拡げていくことである。
【解決手段】化学式[Ｃａ₂₄Ａｌ₂₈Ｏ₆₄]^４＋・２[ｘＯ^２−＋２ｙＡ＋２{1−（ｘ＋２ｙ)
}ｅ⁻] (Ａはケージに包接された、ＯＨ⁻、Ｏ⁻又はＯ_２⁻のいずれか１種以上、０≦
ｘ＋２ｙ≦０．５)で示されるマイエナイト型結晶構造を有する化合物であることを特徴
とする化合物超伝導体。化学式が[Ｃａ₂₄Ａｌ₂₈Ｏ₆₄]^４＋・２[ｘＯ^２−＋２ｙＡ] (Ａは
ケージに包接された、ＯＨ⁻、Ｏ⁻又はＯ_２⁻のいずれか１種以上、０≦ｘ≦１、ｙ＝１
−ｘ) で示されるマイエナイト型結晶構造を有する化合物を磁性イオンが含有されない方
法で調製し、該化合物のケージに包接されたＯ^２−及びＡの合計（ｘ＋２ｙ）の５０原子
％以上を電子で置換することにより作成できる。 （もっと読む）

【課題】これまで多くの超伝導化合物が見いだされているが、これらはいずれも可視光域
で不透明で、透明な超伝導体は実現していない。
【解決手段】化学式[Ｃａ₂₄Ａｌ₂₈Ｏ₆₄]^４＋・２[ｘＯ^２−＋２ｙＡ＋２{１−（ｘ＋２ｙ
）}ｅ⁻] （Ａ＝ＯＨ⁻、Ｏ⁻、Ｏ_２⁻のいずれか１種以上、０≦ｘ＋２ｙ≦０．５)で示
され、超伝導電気伝導を示し、かつ膜厚４０ナノメートルを基準として、ＪＩＳ Ｒ１６
３５で規定される方法により測定した可視光透過率が８０％以上であるマイエナイト型結
晶構造を有する化合物からなることを特徴とする超伝導化合物薄膜。化学式が[Ｃａ₂₄Ａ
ｌ₂₈Ｏ₆₄]^４＋・２[ｘＯ^２−＋２ｙＡ] (２番目の大括弧は、ケージ中のアニオンを示す
。また、Ａ＝ＯＨ⁻、Ｏ⁻、Ｏ_２⁻のいずれか１種以上：０≦ｘ≦１、ｙ＝１−ｘ）で示
される薄膜中のアニオンの１／２以上を還元処理により電子に置換することにより作成で
きる。 （もっと読む）

【課題】残留フッ素量が低く、膜厚が厚く、しかも高い超電導特性を示す酸化物超電導体を提供する。
【解決手段】基板上に、イットリウムおよびランタノイド族（ただしセリウム、プラセオジウム、プロメシウム、ルテニウムを除く）からなる群より選択される少なくとも１種の金属Ｍと、バリウムと、銅とを含む酸化物の膜として形成され、平均膜厚が３５０ｎｍ以上、平均残留炭素量が３×１０¹⁹ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上、残留フッ素量が５×１０¹⁷〜１×１０¹⁹ａｔｏｍｓ／ｃｃであり、前記膜を膜表面または基板との界面から厚さ１０ｎｍ毎に複数の領域に区分して分析したとき、互いに隣接する２つの領域における銅、フッ素、酸素または炭素の原子比が１／５倍から５倍の範囲内である酸化物超電導体。 （もっと読む）

【課題】高臨界電流密度であり、かつ、クラックの生じない高温超電導酸化物(RE)Ba₂Cu₃O₇ (RE = Y, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Yb)（以下 (RE)BCO 薄膜と略称）の薄膜及びその作製方法を提供する。
【解決手段】
バッファ層を有するサファイア単結晶基板のバッファ層上に、１％以上の空孔を導入した高温超電導酸化物 (RE)BCO 薄膜を、間に (RE)BCO 薄膜とは異なるRE’を選んだ (RE’)Ba₂Cu₃O₇の中間層薄膜を介して設けた多層構造の(RE)BCO 薄膜及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】臨界電流密度Ｊｃが高く、かつ磁場角度依存性が小さい超電導体膜を提供する。
【解決手段】
一般式ＲＥＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_Ｘ（式中、ＲＥはＰｒ及びＣｅを除く希土類元素のうち、少なくとも１種の元素であり、６．５＜Ｘ＜７．１である）で表される超電導物質からなる超電導体層中に、Ｂａを含む常電導物質からなり、膜厚方向に間欠的に並んだ柱状結晶が形成されている。 （もっと読む）