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国際特許分類[H01L39/24]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 超電導性またはハイパーコンダクティビティを利用する装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (812) | 39/00に分類されている装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (152)

国際特許分類[H01L39/24]に分類される特許

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【課題】FF−MOD法を用いた酸化物超電導薄膜の製造において、Icが高い酸化物超電導薄膜を安定して得ることが可能となる技術を提供する。
【解決手段】塗布熱分解法により酸化物超電導薄膜を製造する際に使用される酸化物超電導薄膜製造用の原料溶液であって、フッ素を含まない金属有機化合物を溶質とする溶液に、塩素が含有されている酸化物超電導薄膜製造用の原料溶液。純金属イオン濃度に対する前記塩素の含有率が、0.05%〜5%である酸化物超電導薄膜製造用の原料溶液。金属有機化合物が、希土類元素、バリウムおよび銅のそれぞれのアセチルアセトン金属錯体である酸化物超電導薄膜製造用の原料溶液。酸化物超電導薄膜が、REBaCu7−Xの薄膜である酸化物超電導薄膜製造用の原料溶液。 (もっと読む)


【課題】高Icの厚膜化ができ、再現良く高Ic値を得ることができる酸化物超電導薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】フッ素を含まない金属有機化合物を用いて塗布熱分解法により超電導線材用の酸化物超電導薄膜を製造する酸化物超電導薄膜の製造方法であって、金属有機化合物の有機成分を熱分解するための仮焼成を水蒸気を含む雰囲気中で行い、さらに、結晶化熱処理のための本焼成熱処理の前に、前記本焼成熱処理を施す薄膜に含まれる炭酸塩を熱分解するための中間熱処理を行う。前記の中間熱処理は、650〜720℃の温度範囲で、10〜180分行う熱処理であり、酸化物超電導薄膜の厚さは0.3〜5μmである。 (もっと読む)


【課題】本発明は、優れた超電導特性を発揮する酸化物超電導導体用基材並びにその基材を用いた酸化物超電導導体として有用な技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、基材と、その上に、イオンビームアシスト法により成膜されて結晶配向性が整えられ、4回対称性が付与されたNiOからなる中間層と、該中間層上に形成されたキャップ層とを具備してなり、該キャップ層はその上に酸化物超電導層が設けられるものであることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】配向性の良好な超伝導結晶を連続的に形成できるBi系ガラス材料及び及び超伝導材料の製造方法を提案する。
【解決手段】Bi系ガラスのガラス組成として、下記酸化物基準のモル%で、Bi10〜50%、SrO30〜60%、CaO5〜30%、CuO0〜10%を含有することを特徴とする。また、超伝導材料の製造方法は、銅又は銅合金の表面に、上記のBi系ガラスを接触させた状態で熱処理し、超伝導結晶を析出させることを特徴とする。 (もっと読む)



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【課題】仮焼熱処理工程において発泡跡の生成が抑制された仮焼膜を得ることができ、その後の本焼熱処理工程において優れた超電導特性を有する酸化物超電導薄膜を得ることができる酸化物超電導薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】超電導線材の製造に用いる酸化物超電導薄膜を、金属有機化合物を原料とし、塗布熱分解法により製造する酸化物超電導薄膜の製造方法であって、基板上に金属有機化合物の溶液を塗布して塗膜を作製する塗膜作製工程と、塗膜の金属有機化合物に含有される有機成分を熱分解、除去して、仮焼膜を作製する仮焼熱処理工程と、仮焼膜を結晶化させて、酸化物超電導薄膜を作製する本焼熱処理工程とを備えており、仮焼熱処理工程が、無酸素雰囲気または酸素濃度が低い雰囲気下で行う熱処理工程である酸化物超電導薄膜の製造方法。 (もっと読む)


【課題】超伝導体の特性劣化を防ぎ、超伝導体の理想的な特性を実現する。
【解決手段】原子層堆積法を用いて超伝導体12の表面に酸化膜13を形成する。これにより、自然酸化膜15を除去し、緻密で均一な酸化膜13が形成されるので、超伝導体12の電磁場照射環境での特性劣化を防ぎ、超伝導体12の理想的な特性を実現することができる。また、緻密な酸化膜13により、大気中の酸素による超伝導体12の経年劣化を防止できる。 (もっと読む)


【課題】基材上に均一な超電導膜を形成すること。
【解決手段】排出口30は、超電導原料溶液40から基材10が引き上げられる界面41の面積を規定する。また、界面41における、排出口30と基材10との位置関係は、基材10が引き上げられるときに基材10に付着する超電導原料溶液40のメニスカスの形状が基材10の幅方向でほぼ同一になるように設定されている。好ましくは、基材10の幅方向の端部から排出口30の壁面までの距離L1,L2が、0<L1,L2≦10[mm]の範囲内とされている。 (もっと読む)


【課題】基材の長手方向に均一な膜厚の超電導膜を形成すること。
【解決手段】基材10が引き上げられるときに基材10に付着する超電導原料溶液40のメニスカス50を、基材10表面に付着する引き上げ方向のメニスカスの長さをy、基材10表面に直交する方向のメニスカスの長さをxとした場合、0<y/x≦3の範囲にすることで、基材10の引き上げ時のメニスカス50の形状を安定させ、基材からの超電導原料溶液40の液だれを抑制する。 (もっと読む)


【課題】印加される磁場の方向や膜の部位によらずに、量子化磁束の動きが効果的に抑制された酸化物超電導膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】レーザー蒸着法で酸化物超電導膜を製造する方法であって、エキシマレーザー光18a及びYAGレーザー光18bを同時にターゲット15に照射することで、基材12上に常電導部分となる不純物の比率を0.3〜6質量%含む酸化物超電導膜を形成する工程を有することを特徴とする酸化物超電導膜の製造方法。 (もっと読む)


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