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国際特許分類[H01L39/24]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 超電導性またはハイパーコンダクティビティを利用する装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (812) | 39/00に分類されている装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (152)

国際特許分類[H01L39/24]に分類される特許

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【課題】
優れた特性を有する耐環境性保護膜を提供すること、また、液体窒素への出し入れとそれに伴う水の付着や高温・高湿度における加速試験において、特性が劣化しにくい超電導限流素子を提供すること。
【解決手段】
中間層が付いていてもよい単結晶基板、超電導膜、常電導転移時の分流層、保護膜から構成されることを特徴とする超電導限流素子において、保護膜として、天然樹脂または炭素材料を含む膜を採用する。天然樹脂としてはシェラック樹脂等の動物性樹脂が好ましい。本発明の超電導限流素子は、長寿命でかつ耐低温性および耐熱衝撃性に優れた特性を有する。 (もっと読む)


【課題】イオン注入やイオンビームエッチングおよびリソグラフィーなど高度で複雑な技術を要することなく、固有ジョセフソントンネルデバイスを作製する固有ジョセフソントンネルデバイスの簡易作製法を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するために、本発明は、超伝導単結晶の表面に絶縁層と電極を配置してなる固有ジョセフソントンネルデバイスの簡易作製法であって、前記表面の絶縁層を前記超伝導単結晶の結晶面を表面とし、当該表面を還元雰囲気に暴露しながら加熱して、当該表面を還元して絶縁化し、形成することを特徴とする固有ジョセフソントンネルデバイスの簡易作製法の構成とした。 (もっと読む)


【課題】結晶性に優れた酸化物超伝導薄膜を形成可能とするとともに、当該酸化物超伝導薄膜を含んで高い超伝導転移温度を有する超伝導薄膜積層体を形成可能で、製造工程中に有毒元素を含まない酸化物超伝導薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶基板上にYBaCuで構成されるバッファー薄膜を形成する第1の工程と、バッファー薄膜上に連続してBa−Ca−Cu−O系酸化物超伝導薄膜を形成する第2の工程とを備え、第1の工程は、前記バッファー薄膜をパルスレーザーデポジション法によりエピタキシャル成長させるバッファー薄膜成長工程を含み、第2の工程は、バッファー薄膜上に酸化物超伝導薄膜をパルスレーザーデポジション法によりエピタキシャル成長させる超伝導薄膜成長工程と、超伝導薄膜成長工程に連続し、基板温度を徐冷させる徐冷工程と、徐冷工程に連続し、基板温度を急冷させる急冷工程とを含む。 (もっと読む)


様々な技法および装置が、例えば量子コンピュータで有用となることがある超伝導回路および構造、例えばジョセフソン接合の製造を可能にする。例えば、超伝導することができる2つの要素または層の間に誘電体構造または層が挿間された、低い磁束ノイズの三層構造を製造することができる。超伝導バイアが、ジョセフソン接合の上に直接位置することがある。平坦化された誘電体層上に構造、例えばジョセフソン接合を担持することができる。構造から熱を除去するためにフィンを採用することができる。超伝導することができるバイアは、約1マイクロメートル未満の幅を有することができる。構造は、例えばバイアおよび/またはストラップコネクタによって抵抗器に結合することができる。
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【課題】サファイア基板上に、MHz以上の高周波帯域において、高い表面導電率を実現する超電導層を備える高周波用超電導部材を提供する。
【解決手段】R面サファイア基板12と、この基板12の片面または両面に形成され、XRDを用いた(002)ピークのロッキングカーブ測定において半値幅0.7以上1.1以下であるセリアのバッファ層14と、このバッファ層14上の超電導層16とを有することを特徴とする高周波用超電導部材10。 (もっと読む)


【課題】幅方向に複数のレーンを成すように配列した基材または幅広の基材に対しても、膜厚や特性が均一な薄膜を効率良く成膜することが可能であり、また、良好な生産性で厚い膜の成膜が可能な成膜方法および成膜装置を提供する。
【解決手段】レーザー光Lによってターゲット6から叩き出され若しくは蒸発した構成粒子を帯状の基材34の表面上に堆積させ、基材34の表面上に薄膜を形成するにあたり、基材34の移動方向を転向させる転向部材11を囲んで加熱ボックス20を設けるとともに、転向部材11に接した状態にある基材34の表面に対向するようにターゲット6を配し、転向部材11に基材34の裏面が接しつつ、基材34を長手方向に移動させた状態で、加熱ボックス20の中を均等加熱するヒーター25により、基材34を加熱し、ターゲット6にレーザー光Lを照射する位置を、基材34の幅方向と同じ方向に振幅させる。 (もっと読む)


【課題】
超伝導トンネル接合の品質を評価することを容易にする超伝導トンネル接合の品質評価方法などを提供するとともに、超伝導トンネル接合の品質を向上する方法を提供する。
【解決手段】
本発明のある側面は、超伝導トンネル接合の超伝導ギャップエネルギの虚数部から超伝導トンネル接合の品質を評価することを特徴とする超伝導トンネル接合の品質評価方法にある。本構成によれば、虚数部は、動作温度と異なる温度のデータからも得ることができるため、超伝導トンネル接合の品質を評価することが容易になる。また、超伝導トンネル接合の超伝導ギャップエネルギの虚数部の大きさを制御することにより、高品質の超伝導トンネル接合を供する方法を提供する。 (もっと読む)


希土類金属Ba2Cu3O7膜を生成する組成物及び方法が記載される。組成物は、バリウム(Ba)金属有機化合物、1又はそれより多い希土類金属有機化合物を含み、組成物は、ハロゲンも含む。例えば、組成物は、ハロゲン化された有機溶媒を含む。組成物はまたほぼ230℃よりも大きい沸点を有する溶媒を含む。前駆体溶液は、また、水を生成するために、ハロゲン化された溶媒と反応しない低粘度溶媒を含む。高粘度化合物は、より厚い膜の形成を可能とするために含まれることもある。得られた前駆体溶液は、基板上に堆積され、50℃/分よりも大きい加熱速度で熱分解され、滑らかな、剪断膜を生成するために結晶化される。100nmよりも大きい厚さの膜は、4×10A/cmの輸送Jc値を用いて、77°Kでさまざまな基板上で生成される。 (もっと読む)


【課題】 多層カーボンナノチューブをより高温で再現性良く超伝導状態にすることができる超伝導素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 多孔質膜2中の細孔21内に多層カーボンナノチューブが形成されており、当該多層カーボンナノチューブは、その直径が5〜30nm、その層数が2〜20である超伝導素子であって、前記多層カーボンナノチューブが、多層カーボンナノチューブを構成する炭素原子の一部がホウ素原子で置換されたホウ素置換型多層カーボンナノチューブ3である。 (もっと読む)


【課題】 多層カーボンナノチューブと少なくとも同程度の高温で超伝導状態となることができる超伝導膜構造及びその作製方法の提供。
【解決手段】超伝導膜構造は、基板上に複数の単層カーボンナノチューブからなるカーボンナノチューブ膜が形成されてなる超伝導膜構造であって、前記単層カーボンナノチューブが、前記単層カーボンナノチューブを構成する炭素原子の一部がホウ素原子で置換されたホウ素置換型単層カーボンナノチューブである。 (もっと読む)


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