【課題】本発明の技術的課題は、異種結晶（超伝導特性を示さない結晶）の析出量が少なく、短時間の処理でＢｉ系超伝導結晶を析出させ得る超伝導材料の製造方法を創案することである。
【解決手段】本発明の超伝導材料の製造方法は、（１）Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃｕ−Ｏ系非晶質材料とＣａ化合物とを接触させた状態、又は（２）Ｂｉ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系非晶質材料とＳｒ化合物とを接触させた状態、又は（３）Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃｕ−Ｏ系非晶質材料とＢｉ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系非晶質材料とを接触させた状態で熱処理し、超伝導結晶を析出させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＤ法を用いて酸化物超電導薄膜線材を製造するに際して、安定して優れた超電導特性を有する酸化物超電導薄膜線材を得ることができる技術を提供する。
【解決手段】塗布熱分解法を用いて、基板上に酸化物超電導薄膜が形成されている酸化物超電導薄膜線材であって、酸化物超電導薄膜の空隙率が１０％以下である酸化物超電導薄膜線材。酸化物超電導薄膜が、フッ素を含まない金属有機化合物を用いた塗布熱分解法により形成されている酸化物超電導薄膜線材。基板上に金属有機化合物の溶液を塗布して塗布膜を作製する塗布膜作製工程と、塗布膜の金属有機化合物に含有される有機成分を熱分解、除去して、仮焼膜を作製する仮焼熱処理工程と、仮焼膜を結晶化させて、酸化物超電導薄膜を作製する本焼熱処理工程とを備えており、仮焼熱処理工程における昇温速度が、２℃／分以下である酸化物超電導薄膜線材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い配向率の中間層を形成することができ、優れた超電導特性を有するテープ状の酸化物超電導薄膜線材を製造することができる技術を提供する。
【解決手段】テープ状の配向金属基板に、６００℃以上の温度雰囲気下で、前記配向金属基板の最表層と中間層材料との格子不整合が３％以下になる所定の張力を掛けた状態で、前記配向金属基板上に、配向率８０％以上の中間層を形成することを特徴とするテープ状の酸化物超電導薄膜線材の中間層形成方法。前記テープ状の酸化物超電導薄膜線材の中間層形成方法を用いて、配向金属基板上に形成された中間層の上に、酸化物超電導薄膜を形成して、テープ状の酸化物超電導薄膜線材を製造することを特徴とするテープ状の酸化物超電導薄膜線材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】良好な超電導特性の酸化物超電導導体を提供可能な酸化物超電導導体用基材、及び該酸化物超電導導体用基材を工程時間を短縮して効率的に製造することができる酸化物超電導導体用基材の製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、良好な超電導特性の酸化物超電導導体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の酸化物超電導導体用基材１０は、金属基材１上に、第１拡散防止層１１と、第２拡散防止層１２と、第３拡散防止層１３と、イオンビームアシスト蒸着法により成膜された中間層４とがこの順に設けられてなり、第２拡散防止層１２の表面粗さＲａが、金属基材１の表面粗さＲａよりも低く設定されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系薄膜の結晶配向性を制御でき、優れたデバイスとなる超伝導体薄膜の提供を目的とする。
【解決手段】基板材料の表面に形成したＬａＮｉＯ_３薄膜層と、当該ＬａＮｉＯ_３薄膜層の上に形成されたＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系薄膜層を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】正確に膜厚を制御した最小構成元素数の銅酸化物高温超伝導体ＲＥ₂ＣｕＯ₄（ＲＥは希土類元素）の単結晶薄膜をより大きな面積に形成できるようにする。
【解決手段】形成対象の化合物ＲＥ₂ＣｕＯ₄と、面内および面間の少なくとも１つの格子定数が±１％の範囲で一致する単結晶から構成された単結晶基板１０１の上に、希土類元素ＲＥと銅と酸素とを含んで構成された前駆体薄膜１０２を、蒸着法により形成する。蒸着における希土類元素ＲＥおよび銅の供給量を制御することなどにより、形成される前駆体薄膜１０２における希土類元素ＲＥおよび銅の組成比を、化学式ＲＥ₂ＣｕＯ₄の化学量論組成にする。この後、高温、低酸素分圧雰囲気下での固相エピタキシーと低温還元により酸素の組成も化学量論組成に合わせて超伝導化した単結晶薄膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン元素を含む原料を供給するＭＢＥ法又はＭＯＣＶＤ法により、基板がエッチングされることなく、また、基板の種類に依存せず、薄膜を基板上に成長させることができる薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】ハロゲン元素を含む原料を供給するＭＢＥ法又はＭＯＣＶＤ法により、薄膜を基板上に成長させる薄膜製造方法であって、前記薄膜を成長させるとき、前記薄膜を構成する原料とともに、Ｇａ、Ｂ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩから成る群から選ばれる１種以上を供給することを特徴とする薄膜製造方法。 （もっと読む）

【課題】臨界電流密度の特性に優れ、かつ剥離を防止した超電導体厚膜を容易に製造することができる酸化物超電導体厚膜の製造方法、酸化物超電導体厚膜、これを用いた磁場遮蔽体及び超電導限流器を提供する。
【解決手段】基体１の表面を粗面化し、当該表面に、実質的に（Ｂｉ、Ｐｂ）_２＋ａＳｒ_２Ｃａ_２Ｃｕ_３Ｏ_ｚ（ただし、０＜ａ＜０．５）の組成を有する酸化物超電導体厚膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】仮焼熱処理工程において、発泡の発生を抑制すると共に、組成の偏析の発生を抑制して、ｃ軸配向した結晶が十分に成長した、優れた超電導特性を有する酸化物超電導薄膜を作製することができる酸化物超電導薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】超電導線材の製造に用いる酸化物超電導薄膜を、金属有機化合物を原料とし、塗布熱分解法により製造する酸化物超電導薄膜の製造方法であって、基板上に金属有機化合物の溶液を塗布して塗膜を作製する塗膜作製工程と、塗膜の金属有機化合物に含有される有機成分を熱分解、除去して、仮焼膜とする仮焼熱処理工程と、仮焼膜を結晶化させて、酸化物超電導薄膜とする焼熱処理工程とを備えており、仮焼熱処理工程が、昇温速度を速くすると共に、酸素濃度が低い雰囲気下で行う熱処理工程である。 （もっと読む）

【課題】高Ｉｃの厚膜化ができ、再現良く高Ｉｃ値を得ることができる酸化物超電導薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】フッ素を含まない金属有機化合物を用いて塗布熱分解法により超電導線材用の酸化物超電導薄膜を製造する酸化物超電導薄膜の製造方法であって、金属有機化合物の有機成分を熱分解するための仮焼成を水蒸気を含む雰囲気中で行い、さらに、結晶化熱処理のための本焼成熱処理の前に、前記本焼成熱処理を施す薄膜に含まれる炭酸塩を熱分解するための中間熱処理を行う。前記の中間熱処理は、６５０〜７２０℃の温度範囲で、１０〜１８０分行う熱処理であり、酸化物超電導薄膜の厚さは０．３〜５μｍである。 （もっと読む）