【課題】超伝導物質である二硼化マグネシウムを用い、電流電圧特性としてＲＳＪ特性を有する積層型の積層型超伝導接合を提供する。
【解決手段】積層型超伝導接合は、サファイアからなる基板１上に形成された二硼化マグネシウム（ＭｇＢ_２）層からなる下部電極２と、下部電極２上に形成された窒化アルミニウム（ＡｌＮ）層からなる絶縁層３と、絶縁層３上に形成されたアルミニウム（Ａｌ）層からなる導体層４と、導体層４上に形成された二硼化マグネシウム（ＭｇＢ_２）層からなる上部電極５とを備える。積層型超伝導接合は、その電流電圧特性としてＲＳＪ特性を備える。絶縁層３の膜厚が０．６４ｎｍであり、導体層４の膜厚が５０ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ジョセフソン接合素子、その形成方法、および超電導接合回路に関し、ＩｃＲｎ積を向上することを目的とする。
【解決手段】ジョセフソン接合素子は、基板１１上に形成された下部電極層１２と、絶縁膜１３と、下部電極層１２の一端に形成された斜面を覆うバリア層１４と、バリア層１４を覆う上部電極層１５を有し、超電導接合部１６が形成される。下部電極層１２及び上部電極層１５は、（ＲＥ）₁（ＡＥ）₂Ｃｕ₃Ｏ_yを主成分とする酸化物超電導材料からなり、元素ＲＥはＹ、Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、およびＬｕからなる群のうち少なくとも１種、元素ＡＥがＢａ、Ｓｒ、およびＣａからなる群のうち少なくとも１種である。バリア層１４は、元素ＲＥ、元素ＡＥ、Ｃｕ、及び酸素を含む材料からなり、この材料中のカチオンのうち、Ｃｕ含有量が３５〜５５原子％、かつ元素ＲＥ含有量が１２〜３０原子％の範囲に設定され、かつ下部電極層１２及び上部電極層１５の組成と異なる。 （もっと読む）

【課題】超伝導接合の製造方法において、高温超伝導薄膜を、希土類常伝導相を含む三層構造薄膜にする。そして、三層構造薄膜を部分溶融することより相分離させ、超伝導薄膜に常伝導層を形成し接合を作製する。
【解決手段】常伝導/超伝導/常伝導の三層構造薄膜を堆積する。エッチング等により傾斜を持つようにパターニングする。超伝導薄膜を部分溶融し、常伝導層を形成する。エッチングにより常伝導層の厚さを制御する。超伝導薄膜を堆積し上部電極とする。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生及び結晶粒界の電気的結合性の低下の原因を抑制し、高いJc及びIc値を有するテープ状超電導体を得る。
【解決手段】MOD法により基板上にRe系（１２３）超電導体を製造する際に、Re、Ba及びCuのモル比をRe：Ba：Cu＝１：X：３としたときにX＜２の範囲内のBaモル比（好ましくは１．０≦X≦１．８、より好ましくは１．３≦X≦１．７）の原料溶液を用いることにより、Jc＝３．２０MA／cm^２、Ic＝５２５A／cm（X＝１．５）の超電導特性を有する厚膜のテープ状超電導体の製造が可能になる。 （もっと読む）

【課題】クラスタービーム自体を補助的に噴射／成長させる方法で超伝導膜内にナノ粒子を形成させることにより、磁束線のピン止め力を向上させて超伝導体の臨界電流密度を増大させる、補助クラスタービームの噴射による高温超伝導膜の製造方法、製造装置、及びその方法によって製造される高温超伝導膜の提供。
【解決手段】真空チャンバー内で蒸発法によって高温超伝導膜を形成させる高温超伝導膜製造方法において、高温超伝導体材料物質を蒸発させて高温超伝導体物質を蒸気状態にして基板に蒸着させると同時に、ハウジングの内部に充填されたクラスタービーム材料物質を加熱して気体原子に形成させ、形成された気体原子をハウジングの入り口のノズルを通過させた後、クラスタービームの形で基板側に噴射／成長させることにより、高温超伝導膜の内部にピン止め点を形成させる、補助クラスタービームの噴射による高温超伝導膜製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】超電導体薄膜を多層にしてもジョセフソン接合が劣化しない超電導素子とその製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板２と、基板２の上に形成された第１超電導体パターン３ａと、第１超電導体パターン３ａ上に形成された絶縁パターン５ａと、下面若しくは膜中にジョセフソン接合のバリア層８ｂが形成されたと共に、絶縁パターン５ａ上において回路要素を構成し、且つ多層の超電導体パターンの中で最上層に形成された第２超電導体パターン８ａとを有する超電導素子による。 （もっと読む）

【課題】ペロブスカイト型銅酸化物において、１００Ｋを超える高温超電導体が見出され
ているが、まだ、室温超伝導体は見出されていない。
【解決手段】化学式ＬａＦｅＯＰｈ（Ｐｈは、Ｐ、Ａｓ及びＳｂのうちの少なくとも１種
）で示され、ＺｒＣｕＳｉＡｓ型（空間群Ｐ４／ｎｍｍ）の結晶構造を有する化合物で超
伝導転移を見出した。ＬａＦｅＯＰｈは、一般化学式ＬｎＭＯＰｎ（Ｍは遷移金属）で示
される遷移金属イオンを骨格構造に有する層状構造化合物群の一員である。ここで、Ｌｎ
は、Ｙ及び希土類金属元素（Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，
Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ、Ｙｂ，Ｌｕ）の少なくとも一種であり、Ｍは，遷移金属元素（Ｆｅ，
Ｒｕ，Ｏｓ）の少なくとも一種であり、Ｐｎは、プニクタイド元素（Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ
）の少なくとも一種である。この化合物はＦイオンの添加などにより、キャリア数を変化
させ、転移温度を制御できる。 （もっと読む）

【課題】広い範囲の印加磁場角度に対して高い臨界電流密度を示す二ホウ化マグネシウム（ＭｇＢ_２）超電導薄膜を提供すること。
【解決手段】高真空中において、マグネシウム（Ｍｇ）蒸気とホウ素（Ｂ）蒸気を基板法線軸に対して傾いた方向から供給することで、ＭｇＢ_２の柱状結晶粒を基板法線に対して傾けて成長させる。基板に対するマグネシウム（Ｍｇ）蒸気とホウ素（Ｂ）蒸気の供給角度を制御することで、粒界の傾き角度が互いに異なるＭｇＢ_２柱状結晶粒を含んだ複数の層から成るＭｇＢ_２超電導薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】大量生産に適したネオジムガレート単結晶上に望ましい配向を有する希土類１２３型超電導膜の製造方法を提供する。
【解決手段】ネオジムガレート単結晶上に、セリウムの有機化合物を有機溶媒あるいは水に溶解した溶液を塗布し、加熱処理することで配向した酸化セリウム（セリア）膜を作製し、その上に希土類元素、バリウム及び銅を含有する金属有機化合物を有機溶媒に溶解させた溶液を塗布し、加熱処理することを特徴とするｃ軸配向性をもつ希土類１２３型超電導体多層膜の製造方法。
（もっと読む）

【課題】高いＪ_Ｃおよび高いＩ_Ｃ等の優れた特性と、低コスト化の実現とを両立することが可能な超電導薄膜材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】超電導薄膜材料１は、金属配向基板１０と、金属配向基板１０上に形成された酸化物超電導膜３０とを備え、酸化物超電導膜３０は、物理蒸着法により形成された物理蒸着ＨｏＢＣＯ層３１と、物理蒸着ＨｏＢＣＯ層３１上に有機金属堆積法により形成された有機金属堆積ＨｏＢＣＯ層３２とを含んでいる。 （もっと読む）