【課題】無配向である基材上にベッド層を用いることなく、単結晶に近い良好な配向性を有する多結晶薄膜を直接形成することが可能な多結晶薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】被成膜面βが無配向である基材α上に設けられた六方晶系の面内配向を有する多結晶薄膜の製造方法であって、被成膜面β上に多結晶薄膜を成膜する際にイオンビームアシスト法を用い、成膜の温度を１００度から１２００度の範囲とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射状況を限定せず、つまり重ね塗りでの厚膜化の場合においても、また基板の両面に製膜する場合においても、背面照射と同じ効果を適用することを可能にする超電導材料の製造方法を提供する。
【解決手段】
酸化物が超電導物質を形成する金属の有機化合物溶液を基板上に塗布し、乾燥させる工程（1）、金属の有機化合物中の有機成分を熱分解させる仮焼成工程（2）、超電導物質への変換を行う本焼成工程（3）を経てエピタキシャル成長させた超電導コーティング材料を製造するに際し、工程（1）と工程（2）の間でレーザ光を照射する際に、超電導物質を形成する金属の有機化合物溶液を塗布した面の直前に散乱機構を設置し、レーザ光をいったん散乱光にしたのちに有機化合物溶液に照射することを特徴とする超電導材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ペロブスカイト型銅酸化物に代わる新しい化合物組成からなる超伝導体を見出す
こと。
【解決手段】化学式Ａ（ＴＭ）_２Ｐｎ_２［ただし、Ａは、１族元素、２族元素又は３族元
素（Ｓｃ，Ｙ及び希土類金属元素）から選ばれる少なくとも１種、ＴＭは、Ｆｅ，Ｒｕ，
Ｏｓ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔの遷移金属元素から選ばれる少なくとも１種、Ｐｎは、１５族元
素（プニコゲン元素）から選ばれる少なくとも１種である。］で表され、（ＴＭ）Ｐｎ層
とＡ元素からなる金属層とが交互に重なる無限層結晶構造を有する化合物からなることを
特徴とする超伝導体。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの基板と、酸化物材料から作られた少なくとも１つの配向したバッファ層とを含む、高温超電導体層配置に関する。本発明によれば、前記バッファ層は、均質な混晶相を形成する追加成分を少なくとも１種含有し、前記追加成分は、第一サブグループから選択される遷移金属であり、及び／又は、１，６００℃以下のアニール温度にて、酸化物バッファ材料と、少なくとも部分的に溶融する。前記追加成分は、特に、銅及び／又は銀とすることができる。 （もっと読む）

【課題】超電導機器に電力を供給することができる低熱伝導性でコンパクトな単一の電流リードを提供する。
【解決手段】基板上に中間層を介して積層された超電導層及び安定化層を備えたテープ状のＲｅＢａ_ｘＣｕ_３Ｏ_ｙ系酸化物超電導線材Ａ及びＢを電気的絶縁テープを介して、その基板面を外側にして電流リード支持体１０の外周に同方向に無誘導巻きされるように巻回し、超電導線材Ａの両端末を電流端子１１ａ及び１１ｂの半円板状の部分に半田接続し、同様に超電導線材Ｂの両端末を電流端子１１ｃ及び１１ｄの半円板状の部分に半田接続して酸化物超電導電流リード２０を形成することにより、単一の電流リードで電力を供給することができ、熱伝導量を低減させることができる上、コンパクトで、自己磁界による超電導特性の低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】レーザ蒸着装置に用いる酸化物ターゲットにおいて、その使用限界時間を改善し、安定した成膜を長時間行うことができるレーザー蒸着用酸化物ターゲットの提供。
【解決手段】ターゲットにレーザー光を照射してターゲット表面から酸化物の微粒子を発生させ、該微粒子を基材表面に堆積させ、基材表面に酸化物膜を成膜するレーザ蒸着装置に用いる酸化物ターゲットにおいて、ターゲットの固定プレート上に、Ａｇろう層が接合され、該Ａｇろう層上に酸化物・Ａｇ混合層が接合され、該酸化物・Ａｇ混合層上に酸化物層が接合されてなることを特徴とするレーザー蒸着用酸化物ターゲット。 （もっと読む）

【課題】絶縁バリア層の形成を不要とする新たな超伝導量子干渉素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】超伝導量子干渉素子１０は、リング部１２Ａを有する超伝導体層１２と、この超伝導体層１２のリング部１２Ａの一部を跨いで配設された強磁性層１３，１３と、を有する。２つの強磁性層１３、１３がリング部１２Ａに跨いで被覆している。超伝導体層１２のリング部１２Ａのうち強磁性層１３，１３で被覆した領域１２Ｂ，１２Ｂが、強磁性層１３により超伝導体（Ｓ）から絶縁体（Ｉ）へ転移し、障壁となる。この構造により所謂ＳＩＳ型のジョセフソン接合が２箇所で形成されるため、所謂ＤＣ−ＳＱＵＩＤを構成する。 （もっと読む）

【課題】プロセス条件やニオブ電極の接続具合、すなわちパターンに依存しない、ジョセフソン接合を備えた電子デバイスの形成方法、およびその方法で形成された信頼度の高いジョセフソン接合を備えた電子デバイスを提供する。
【解決手段】ニオブ膜、ニオブ配線中の水素を放出させて十分低い濃度にするか、もしくはジョセフソン接合電極ニオブからの水素移動を抑制し、一定の水素濃度を保てるようにすることで設計値どおりの接合特性を実現する。 （もっと読む）

【課題】
高性能なSIS素子などを提供する。
【解決手段】
本発明のひとつの側面は、基板と、前記基板上に形成され、下部電極と、上部電極と、前記上部電極と前記下部電極とに挟まれて形成されたバリア層とを有するSIS三層膜と、前記基板上に形成され、前記下部電極と電気的に接続され、前記下部電極と異なる材料のグランドプレーンとを備え、前記SIS三層膜は、前記基板上に形成されたバッファ層又は前記基板の上に接して形成されていることを特徴とするSIS素子にある。本構成によれば、SIS三層膜は、基板上に形成されたバッファ層又は基板の上に接して形成されているため、高品質なSIS接合が実現でき、高性能なSIS素子が得られる。 （もっと読む）

【課題】高い臨界面電流を実現できる超伝導酸化物薄膜、および大きな耐電力性を持った超伝導部材の提供。
【解決手段】サファイアＲ面基板上に形成された、酸化物からなるバッファ層と、さらにその上に形成された超電導超伝導層とを具備してなる超電導超伝導部材であって、前記酸化物の酸素原子同士の最近接酸素間の距離と、酸化物の粒塊の粒径が特定された超電導超伝導部材とその製造方法。この超伝導部材は超伝導フィルターの部材として用いることができる。 （もっと読む）