増大された高磁場特性を有する超電導体、それを製造する方法、及びそれを含むＭＲＩ装置
本明細書で例示的に記述した超電導体は、超電導材料を含み、この超電導材料は、その内部に形成された磁性不純物と非磁性無秩序性とを含む。本明細書で記述した超電導体は、磁石用途及び送電に使用するのに適している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施例は、一般的に超電導体及びこれを製造する方法に関する。より詳細には、本発明の実施例は、高磁場特性を有する超電導体、及び超電導体の高磁場特性を増大する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、高磁場の磁石を製造するために、Ｎｂ−Ｔｉ合金とＮｂＳｎ３を主に使用する。最近に発見された３９Ｋ超電導体ＭｇＢ２は、磁石用として大きい可能性を有していて、これに対する集中的な研究が行われている（Ｃ． Ｂｕｚｅａ及びＴ． Ｙａｍａｓｈｉｔａ， “Ｒｅｖｉｅｗ ｏｆ ｔｈｅ Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ＭｇＢ２”， Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄ． Ｓｃｉ． Ｔｅｃｈｎｏｌ． １５， Ｒ１１５−Ｒ１４６ （２００１）（非特許文献１）を参照）。送電のために、高いＴｃのクプラート（ｃｕｐｒａｔｅ）で作られた超電導ケーブルが開発中にある（Ｗ． Ｂｕｃｋｅｌ及びＲ． Ｋｌｅｉｎｅｒ， “Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ”， Ｗｉｌｅｙ−ＶＣＨ， Ｗｅｉｎｈｅｉｍ （２００４）， ｐ．３８２（非特許文献２）を参照）。
【０００３】
磁石用途及び送電のため、超電導材料は、強いボルテックスピンニング（ｖｏｒｔｅｘ ｐｉｎｎｉｎｇ）または磁束ピンニング（ｆｌｕｘ ｐｉｎｎｉｎｇ）により、高磁場で高い臨界電流密度を有さなければならない。Ｎｂ−Ｔｉ合金とＮｂＳｎ３は、良好なピンニング特性を示す。それにもかかわらず、加速器用途のような特別な科学的な応用のために、これら材料の高磁場特性をさらに増大させる必要がある。さらに、２０Ｋ近くで使用することができるＭｇＢ２は、良好なピンニング特性を示さない。
【０００４】
不純物、柱状欠陥、人工ピン及びナノ粒子を付加し、機械的合金化を行い、結晶粒界と沈殿物を導入し、放射ダメージを適用することによって、超電導材料のピンニング特性を増大させることができる（Ｗ． Ｂｕｃｋｅｌ及びＲ． Ｋｌｅｉｎｅｒ， “Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ”， Ｗｉｌｅｙ−ＶＣＨ， Ｗｅｉｎｈｅｉｍ （２００４）， ｐ．２８２（非特許文献２）を参照）。サンプルの製造条件を変更することも、無秩序性（ｄｉｓｏｒｄｅｒ）を引き起こし、高磁場特性の増大をもたらす。これらの方法は、基本的に、臨界温度Ｔｃを大きく減少させることなく、超電導体内に磁束ピンニングセンターを誘導する。一般的に、無秩序性によって生じたボルテックスピンニングに対する信頼できる微視的理論が存在しないため、大部分の進歩は、試行錯誤を経て経験的に行われて来た（Ｗ． ＢｕｃｋｅｌとＲ． Ｋｌｅｉｎｅｒ， “Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ”， Ｗｉｌｅｙ−ＶＣＨ， Ｗｅｉｎｈｅｉｍ （２００４）， ｐ．２８４（非特許文献２）を参照）。
【０００５】
物理的な観点から見れば、上記ピンニングセンターは、基本的に電気ポテンシャル揺動を生成し、電子密度揺動を引き起こす。電子−フォノン相互作用、すなわち超電導性の誘導力が電子密度相関を助けるため（Ｍｉ−Ａｅ Ｐａｒｋ及びＹｏｎｇ−Ｊｉｈｎ Ｋｉｍ， “Ｗｅａｋ ｌｏｃａｌｉｚａｔｉｏｎ ｅｆｆｅｃｔ ｉｎ ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ｆｒｏｍ ｒａｄｉａｔｉｏｎ ｄａｍａｇｅ”， Ｐｈｙｓ． Ｒｅｖ． Ｂ ６１， １４７３３ （２０００）（非特許文献３）を参照）、タイプＩＩ超電導体の高い磁場においてこれらのピンニング位置は、磁束の浸透を促進し、局所的には超電導性を破壊するが、全体的には超電導性を有することができるようにする。つまり、これらの公知技術は、電気ポテンシャル揺動、すなわち電気的特性を利用して超電導体内でピンニングセンターを生成する。しかし、これらのピンニングセンター近くの超電導性は、局所的な電気ポテンシャル揺動に起因しているというよりは、磁束浸透の存在下で、広範囲なエネルギー最小化に起因して破壊される。言い換えれば、これらのポテンシャル揺動は、局所的に超電導性を破壊する程度に充分に強くなく、したがって、最も好ましいピンニングセンターとなることができない。
【０００６】
超電導磁石は、動作温度と使用可能な磁場強度に影響を与えるので、磁気共鳴映像（ＭＲＩ）装置と核磁気共鳴（ＮＭＲ）装置において超電導磁石は、重要な部品である。現在、Ｎｂ−ＴｉとＮｂ３Ｓｎ磁石を主に利用する。しかし、これらの材料は、転移温度Ｔｃが低いため、液体ヘリウムを必要とする。そのため、ＭＲＩとＮＭＲ装置は、高価であり、高い維持保守費用をもたらす。したがって、ＭＲＩ及び関連ＮＭＲ装置用磁石として、高価の液体ヘリウムを必要とせず、高いＴｃを有する材料を探すことが非常に好ましい。
【０００７】
２００１年に、Ａｋｉｍｉｔｓｕらは、ＭｇＢ２がＴｃ＝３９Ｋを有する超電導体であることを発見した（Ｊ． Ｎａｇａｍａｔｓｕら， Ｎａｔｕｒｅ， ｖｏｌｕｍｅ ４１０ （２００１）， ｐ．６３−６４（非特許文献４）を参照）。高いＴｃ、低いコスト及び良好な機械的な特性によって、ＭｇＢ２は、磁石用途として大きい可能性を有している。実際に、２００６年１１月に、ＡＳＧ Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ、Ｐａｒａｍｅｄ Ｍｅｄｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ、及びＣｏｌｕｍｂｕｓ Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓにより最初にＭｇＢ２磁石ベースのＭＲＩが紹介された。何ら極低温液体を使用せずに、２つの極低温冷凍機（ｃｒｙｏｃｏｏｌｅｒ）のみを使用して２０Ｋの動作温度を得た。しかし、ＭｇＢ２磁石は、０．５Ｔしか生成しないので、ＭｇＢ２磁石ベースのＭＲＩの市場性には限界があった。なぜなら、現在のＮｂ−Ｔｉ及びＮｂ３Ｓｎ磁石ベースのＭＲＩは、液体ヘリウムを使用して４Ｋで３Ｔを生成することができるからである。イメージの解像度は、磁場強度の二乗に左右されるので、高い磁場は、さらに良好な映像を提供する（Ｅ． Ｍ． Ｈａａｋｅ， Ｒ． Ｗ． Ｂｒｏｗｎ， Ｍ． Ｒ． Ｔｈｏｍｓｏｎ及びＲ． Ｖｅｎｋａｔｅｓａｎ， “Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ Ｉｍａｇｉｎｇ： Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ ａｎｄ Ｓｅｑｕｅｎｃｅ Ｄｅｓｉｇｎ”， （Ｗｉｌｅｙ−Ｌｉｓｓ， Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ， １９９９）， ｐ．６（非特許文献５）参照）。
【０００８】
磁石用途に利用するためには、超電導材料は、強いボルテックスまたは磁束ピンニングにより、高磁場で高い臨界電流密度を有さなければならない。しかし、ＭｇＢ２は、良好なピンニング特性を示さない。したがって、ボルテックスまたは磁束ピンニングを増大させるために、ＭｇＢ２に添加剤を注入することができる。例えば、典型的な添加剤は、Ｃ（Ｓ． Ｘ． Ｄｏｕら， Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ８３， （２００３）， ｐ．４９９６（非特許文献６）を参照）、Ａｌ（Ａ． Ｂｅｒｅｎｏｖら， Ｃｏｎｄ−ｍａｔ／０４０５５６７ （２００４）（非特許文献７）を参照）、ＳｉＣ（Ｓ． Ｘ． Ｄｏｕら， Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ８１， （２００２）， ｐ．３４１９（非特許文献８）を参照）、Ｔｉ、Ｚｒ（Ｙ． Ｚｈａｏら， Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ７９ （２００１）， ｐ．１１５４（非特許文献９）を参照）、Ｓｉ（Ｘ． Ｌ． Ｗａｎｇら， Ｐｈｙｓｉｃａ Ｃ ３８５ （２００３）， ｐ．４６１（非特許文献１０）を参照）、Ｙ２Ｏ３（Ｊ． Ｗａｎｇら， Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ８１ （２００２）， ｐ．２０２６（非特許文献１１）を参照）、及びＭｇ（Ｂ、Ｏ）沈殿物（Ｅｏｍら， Ｎａｔｕｒｅ ４１１ （２００１）， ｐ．５５８（非特許文献１２）を参照）を含む。かなり進歩してきたが、ＭｇＢ２を高磁場磁石用に使用するためには、さらなる進歩が要求される。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】Ｃ． Ｂｕｚｅａ及びＴ． Ｙａｍａｓｈｉｔａ， “Ｒｅｖｉｅｗ ｏｆ ｔｈｅ Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ＭｇＢ２”， Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄ． Ｓｃｉ． Ｔｅｃｈｎｏｌ． １５， Ｒ１１５−Ｒ１４６ （２００１）
【非特許文献２】Ｗ． ＢｕｃｋｅｌとＲ． Ｋｌｅｉｎｅｒ， “Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ”， Ｗｉｌｅｙ−ＶＣＨ， Ｗｅｉｎｈｅｉｍ （２００４）
【非特許文献３】Ｍｉ−Ａｅ Ｐａｒｋ及びＹｏｎｇ−Ｊｉｈｎ Ｋｉｍ， “Ｗｅａｋ ｌｏｃａｌｉｚａｔｉｏｎ ｅｆｆｅｃｔ ｉｎ ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ｆｒｏｍ ｒａｄｉａｔｉｏｎ ｄａｍａｇｅ”， Ｐｈｙｓ． Ｒｅｖ． Ｂ ６１， １４７３３ （２０００）
【非特許文献４】Ｊ． Ｎａｇａｍａｔｓｕら， Ｎａｔｕｒｅ， ｖｏｌｕｍｅ ４１０ （２００１）， ｐ．６３−６４
【非特許文献５】Ｅ． Ｍ． Ｈａａｋｅ， Ｒ． Ｗ． Ｂｒｏｗｎ， Ｍ． Ｒ． Ｔｈｏｍｓｏｎ及びＲ． Ｖｅｎｋａｔｅｓａｎ， “Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ Ｉｍａｇｉｎｇ： Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ ａｎｄ Ｓｅｑｕｅｎｃｅ Ｄｅｓｉｇｎ”， （Ｗｉｌｅｙ−Ｌｉｓｓ， Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ， １９９９）
【非特許文献６】Ｓ． Ｘ． Ｄｏｕら， Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ８３， （２００３）， ｐ．４９９６
【非特許文献７】Ａ． Ｂｅｒｅｎｏｖら， Ｃｏｎｄ−ｍａｔ／０４０５５６７ （２００４）
【非特許文献８】Ｓ． Ｘ． Ｄｏｕら， Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ８１， （２００２）， ｐ．３４１９
【非特許文献９】Ｙ． Ｚｈａｏら， Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ７９ （２００１）， ｐ．１１５４
【非特許文献１０】Ｘ． Ｌ． Ｗａｎｇら， Ｐｈｙｓｉｃａ Ｃ ３８５ （２００３）， ｐ．４６１
【非特許文献１１】Ｊ． Ｗａｎｇら， Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ８１ （２００２）， ｐ．２０２６
【非特許文献１２】Ｅｏｍら， Ｎａｔｕｒｅ ４１１ （２００１）， ｐ．５５８
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本出願は、“ＭＥＴＨＯＤ ＯＦ ＥＮＨＡＮＣＩＮＧ ＨＩＧＨ ＭＡＧＮＥＴＩＣ ＦＩＥＬＤ ＰＲＯＰＥＲＴＩＥＳ ＯＦ ＳＵＰＥＲＣＯＮＤＵＣＴＩＮＧ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ， ＷＩＲＥＳ， ＡＮＤ ＴＡＰＥＳ ＩＮＣＬＵＤＩＮＧ Ｎｂ−Ｔｉ， ＮｂＳｎ３ ＡＮＤ ＭｇＢ２”という発明の名称で、２００７年８月１日に出願した米国仮特許出願第６０／９６３，１４５号と、“ＭｇＢ２ ＭＡＧＮＥＴ−ＢＡＳＥＤ ＭＲＩ ＡＮＤ ＲＥＬＡＴＥＤ ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ”という発明の名称で、２００７年８月１０日に出願した米国仮特許出願第６０／９６４，４４１号の優先権を主張し、これらの全体内容は、参照として本明細書に取り込む。
【００１１】
本明細書において例示的に記述した一実施例は、一般的に、超電導体と特徴付けられる。超電導体は、超電導材料を含むことができ、このような超電導材料は、その内部に形成された磁性不純物と非磁性無秩序性を含み、磁性不純物と非磁性無秩序性を含む超電導材料の上部臨界磁場及び臨界電流密度のうち少なくとも１つは、磁性不純物を含み且つ非磁性無秩序性を含まない超電導材料のそれよりさらに大きい。
【００１２】
本明細書において例示的に記述した他の実施例は、一般的に超電導体を製造するための方法と特徴付けられる。この方法は、超電導材料を調製する段階と、超電導材料内に磁性不純物を形成する段階及び超電導材料内に非磁性無秩序性を形成する段階を含むことができ、磁性不純物と非磁性無秩序性を含む超電導材料の上部臨界磁場及び臨界電流密度のうち少なくとも１つは、磁性不純物を含み且つ非磁性無秩序性を含まない超電導材料のそれよりさらに大きい。
【００１３】
本明細書において例示的に記述したさらに他の実施例は、一般的に、本明細書において記述した超電導体を含むＭＲＩ装置またはＮＭＲ装置と特徴付けられる。
【００１４】
本発明のこれら及び他の様態は、添付の図面を参照する本発明の下記説明を参照することによって自明になるだろう。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の実施例は、磁石用途と送電のために、超電導材料のピンニング特性を増大させる方法、及び、ひいては、高磁場特性を提供することができるものと特徴付けられる。本明細書に記述するように、超電導材料のピンニング特性は、超電導体内にピンニングセンターを生成する磁性不純物の特性を利用して増大され得、これにより、超電導性は局所的に破壊される。不純物、欠陥などのような非磁性無秩序性は、Ｔｃの顕著な減少による高磁場特性に対する磁性不純物の負の影響を（部分的に、または完全に）補償する。このように、非磁性無秩序性を付加すれば、高磁場特性、すなわちボルテックスピンニング、臨界電流密度Ｊｃ、及び臨界磁場Ｈｃ（特に、上部臨界磁場Ｈｃ２）を増幅させることができるが、これは、対応するボルテックスのサイズが従来のボルテックスのサイズより非常に小さいからである。したがって、磁性不純物によるボルテックスピンニングが維持且つ増幅されることができると共に、全体的な超電導性が維持されることができる。
【００１６】
磁性不純物の影響に対する最近の走査トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）研究（Ａ． Ｙａｚｄａｎｉ， Ｂ． Ａ． Ｊｏｎｅｓ， Ｃ． Ｐ． Ｌｕｚ， Ｍ． Ｆ． Ｃｒｏｍｍｉｅ， 及びＤ． Ｍ． Ｅｉｇｌｅｒ， “Ｐｒｏｂｉｎｇ ｔｈｅ Ｌｏｃａｌ Ｅｆｆｅｃｔｓ ｏｆ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ ｏｎ Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ”， Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｖｏｌ． ２７５， １７６７ （１９９７）を参照）は、各々の磁性不純物の１ナノメートル内で超電導性が破壊されることを示すと理解されることができるが、これは、ボルテックスが非常に小さいサイズを有することができることを示唆する。この場合、ボルテックスを通じた磁束が量子化されるので、上部臨界磁場は非常に高くなり、ボルテックスは、強くピンニングされる。また、ＫＩＭ及びＯｖｅｒｈａｕｓｅｒは、他の環境、すなわち磁場がないとき（Ｙｏｎｇ−Ｊｉｈｎ Ｋｉｍ及びＡ． Ｗ． Ｏｖｅｒｈａｕｓｅｒ， “Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ ｉｎ Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ： Ａ Ｔｈｅｏｒｙ ｗｉｔｈ Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ Ｐｒｅｄｉｃｔｉｏｎｓ”， Ｐｈｙｓ． Ｒｅｖ． Ｂ ４９， １５７９９ （１９９４）を参照）、磁性不純物によって引き起こされたＴｃ減少が非磁性無秩序性によって補償される可能性があることを明らかにした。それにもかかわらず、磁性不純物によるボルテックスピンニングを解決するために、上記で引用したＫＩＭ及びＯｖｅｒｈａｕｓｅｒ理論を一般化する方法は知られていない。
【００１７】
本発明の実施例は、実験データから得た、ボルテックスピンニングに対する磁性不純物の影響に関するさらに良好な理解に依存することによって、そして、このような影響に対する上記で引用したＫＩＭ及びＯｖｅｒｈａｕｓｅｒ理論の制限を認識することによって達成される。まず、前述したＳＴＭデータは、磁性不純物がクーパー対（Ｃｏｏｐｅｒ ｐａｉｒ）を破壊するか、または磁性不純物近くの超電導性を破壊し、ナノメートル長スケールｒ０（〜１０Å）を有しながら、あまり長くないコヒーレンス長スケールξ０（ＭｇＢ２の場合、ξ０＝〜５０Å（Ｃ． Ｂｕｚｅａ及びＴ． Ｙａｍａｓｈｉｔａ， “Ｒｅｖｉｅｗ ｏｆ ｔｈｅ Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ＭｇＢ２”， Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄ． Ｓｃｉ． Ｔｅｃｈｎｏｌ． １５， （２００１）， ｐ．Ｒ１１５−Ｒ１４６を参照）を有する準粒子束縛状態を誘導することを示す。言い換えれば、磁性不純物は、非常に強いピンニングセンターであり、対応するボルテックスサイズは、約〜１０Åであり、これは、磁束量子化によって上部臨界磁場Ｈｃ２を顕著に増加させる。
【００１８】
上記の点から見て、磁性不純物は、不純物近くの超電導性を局所的に破壊するボルテックスピンニングに対する正の影響と、全体超電導自由エネルギー及び対応する超電導転移温度Ｔｃを減少させるボルテックスピンニングに対する負の影響を共に有する。Ｔｃの減少は、究極的に臨界電流Ｊｃと上部臨界磁場Ｈｃ２の減少をもたらすので、負の影響は、磁性不純物濃度が増加するときに大きくなる。
【００１９】
超電導体内に非磁性無秩序性を形成すれば、磁性不純物の負の影響を（部分的に、または完全に）抑制し、したがって、磁性不純物の正の影響を増幅させることができる。例えば、以前の実験的な研究は、ただ極少量の磁性不純物が超電導体の高磁場特性を増大させることができ、これに少量の磁性不純物をさらに付加すれば、このような増加が消えることを示した。このような影響は、図６に線５１で示されている。ここで、ΔＨｃ２＝Ｈｃ２−Ｈｃ２，０であり、ΔＪｃ＝Ｊｃ−Ｊｃ０であり、Ｈｃ２，０及びＪｃ０は、磁性不純物がない純粋な超電導体の上部臨界磁場及び臨界電流密度である。しかし、本発明の実施例によって、磁性不純物を含む超電導体に非磁性無秩序性を付加すれば、臨界電流密度Ｊｃ及び／または上部臨界磁場Ｈｃ２は、顕著に増大し、これは、非常に重要（ｎｏｎ−ｔｒｉｖｉａｌ）である。このような影響は、図６に線５２で示されている。非磁性無秩序性により高磁場特性を増大させることができるこのような理論を、図１と図２を参照してさらに詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】磁性不純物と非磁性無秩序性を共に含む、本発明の一実施例による超電導ワイヤの断面図である。
【図２】図１の超電導体内の対応するボルテックスの構成を示す概略図である。
【図３】従来例の特性と本発明の一実施例による例の特性を比較するもので、Ｌａ３Ａｌベースの超電導材料のＨｃ２の温度依存性を示すグラフである。
【図４】従来例の特性と本発明の一実施例による例の特性を比較するもので、純粋なＭｇＢ２及び２％ナノ−Ｃｏ３Ｏ４がドープされたＭｇＢ２に対して、５Ｋで臨界電流密度Ｊｃ対印加された磁場を示すグラフである。
【図５】本発明の実施例によって製造されたＭｇＢ２磁石を具備したＭＲＩ装置またはＮＭＲ装置を示す概略図である。
【図６】ボルテックスピンニングに対する磁性不純物の影響と、本発明の実施例による非磁性無秩序性による高磁場特性の増大を示すもので、ＪｃとＨｃ２の磁性不純物濃度依存性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図１は、本発明の一実施例による超電導体を示す断面図である。
【００２２】
超電導体１０は、ワイヤとして提供されることができる。超電導体１０は、Ｎｂ−Ｔｉ合金、ＮｂＳｎ３、ＭｇＢ２などのような超電導材料を含むことができる。Ｎｂ−Ｔｉ合金の使用時に、Ｎｂは、超電導材料として作用し、Ｔｉは、非磁性無秩序性として作用することができる。超電導材料内に磁性不純物１１（矢印で表示）が形成されることができ、これは、ボルテックスピンニングセンターとして作用する。磁性不純物１１による全体的なＴｃ減少を（部分的にまたは完全に）補償するために、非磁性無秩序性１２（「ｘ」で表示）を付加する。一実施例において、磁性不純物１１のスピンは、図１に示されたように、任意に配向されることができる（すなわち、常磁性）。他の実施例において、磁性不純物１１のスピンは、超電導体１０内で強磁性または反強磁性に配向されることができる。一実施例において、磁性不純物は、磁性ナノ粒子として提供されることができ、この場合、高磁場特性を大きく増大させるために、ナノ粒子のサイズを制御することができる。
【００２３】
図２は、図１の超電導体内で対応するボルテックスの構成を示す概略図である。
【００２４】
図２を参照すれば、線２０は、磁力線を示す。ボルテックスのサイズξは、従来のボルテックスのサイズより小さい。一実施例において、ボルテックスのサイズξは、ｒ０＝〜１０Åのオーダーである。結果的に得られたボルテックスのサイズと上部臨界磁場Ｈｃ２は、概算することができ、本発明者が知っている限り、このような概算は、過去に決して成就されなかった。ボルテックスサイズξは、準粒子束縛状態のサイズｒ０＝〜１０Åと、（磁性不純物１１による）平均自由行程ｌｓ及びクーパー対のサイズ（すなわち、Ｂａｒｄｅｅｎ−Ｃｏｏｐｅｒ−Ｓｃｈｒｉｅｆｆｅｒ（ＢＣＳ）コヒーレンス長）ξ０の割合によって制約を受ける。ｌｓがξ０とほぼ同一であれば、ボルテックスサイズξは、準粒子束縛状態のサイズｒ０＝〜１０Å（さらに正確には、ξ≒２ｒ０＝〜２０Å）に相当する。しかし、ｌｓ＞ξ０なら、ボルテックスサイズξは、２ｒ０より大きい（すなわち、ξ０に相当する）。これらの２つの場合を組み合わせれば、次が得られる。
式（１）：
ここで、「ｆ」は、適切な関数を意味する。簡単に、「ｆ」は、特定指数αを有し、次の方式で選択することができる。
式（２）：
対応するギンツブルグ−ランダウ（Ｇｉｎｚｂｕｒｇ−Ｌａｎｄａｕ）コヒーレンス長ξＧＬは、次で与えられる。
式（３）：
最後に、上部臨界磁場Ｈｃ２は、次のように得ることができる（Ｗ． Ｂｕｃｋｅｌ及びＲ． Ｋｌｅｉｎｅｒによる“Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ”， Ｗｉｌｅｙ−ＶＣＨ， Ｗｅｉｎｈｅｉｍ （２００４）， ｐ．２３６を参照）。
式（４）：
【００２５】
不純物、欠陥などのような非磁性無秩序性１２の存在時に、非磁性無秩序性による平均自由行程が
＜ξ０である場合、クーパー対のサイズは、ξ０からξｅｆｆに減少する。
式（５）：
【００２６】
したがって、ξｅｆｆは、大部分の超電導体内で２ｒ０＝〜２０Åより非常に大きい。結果的に、ボルテックスサイズは、依然として２ｒ０によって制約を受け、式（４）は、依然として有効である。磁性不純物１１は、基本的に小さいサイズのボルテックスを引き起こし、したがって、上部臨界磁場Ｈｃ２の顕著な増加をもたらす点が強調される。ＪｃがＨｃ２に比例するものと仮定すれば、臨界電流密度も、ほぼ同一の割合で増大する（Ｗ． Ｂｕｃｋｅｌ及びＲ． Ｋｌｅｉｎｅｒ， “Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ”， Ｗｉｌｅｙ−ＶＣＨ， Ｗｅｉｎｈｅｉｍ （２００４）， ｐ．２７１を参照）。
式（６）：
ここで、Ｊｃ０は、純粋な超電導体に対する臨界電流密度である。したがって、非可逆性磁場Ｈｉｒｒは、顕著に増大する。
【００２７】
実験的に、少量の磁性不純物が超電導体の高磁場特性を増大させることができることが知られている（Ｙ． Ｋｕｗａｓａｗａ， Ｋ． Ｓｅｋｉｚａｗａ， Ｎ． Ｕｓｕｉ及びＫ． Ｙａｓｕｋｏｃｈｉ， “Ｅｆｆｅｃｔｓ ｏｆ Ｐａｒａｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ ｏｎ Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｉｎ ｔｈｅ Ｌａ３−ｘＧｄｘＡｌ Ｓｙｓｔｅｍ”， Ｊ． Ｐｈｙｓ． Ｓｏｃ． Ｊａｐａｎ ２７， ５９０ （１９６９）； Ｄ． Ｋ． Ｆｉｎｎｅｒｍｏｒｅ， Ｄ． Ｌ． Ｊｏｈｎｓｏｎ， Ｊ． Ｅ． Ｏｓｔｅｎｓｏｎ， Ｆ． Ｈ． Ｓｐｅｄｄｉｎｇ及びＢ． Ｊ． Ｂｅａｕｄｒｙ， “Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ ｉｎ Ｐｕｒｅ Ｌａ ａｎｄ Ｌａ−Ｇｄ”， Ｐｈｙｓ． Ｒｅｖ． １３７， Ａ５５０ （１９６５）； 及びＲ． Ｐ． Ｇｕｅｒｔｉｎ， Ｊ． Ｅ． Ｃｒｏｗ， Ａ． Ｒ． Ｓｗｅｅｄｌｅｒ， 及びＳ． Ｆｏｎｅｒ， “Ｕｐｐｅｒ ｃｒｉｔｉｃａｌ ｆｉｅｌｄｓ ｏｆ ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ Ｇｄ ａｎｄ Ｔｍ ｄｏｐｅｄ ＬａＳｎ３： Ｅｆｆｅｃｔｓ ｏｆ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｆｉｅｌｄｓ”， Ｓｏｌ． Ｓｔａ． Ｃｏｍｍｕｎ． １３， ２５ （１９７３））。しかし、このような増大は、ただ少量の磁性不純物が提供されたときにのみ得られ、磁性不純物によって顕著なＴｃ減少を伴った。したがって、このような増大は、実用的ではない。
【００２８】
本発明の実施例は、Ｎｂ−Ｔｉ、ＮｂＳｎ３、及びＭｇＢ２を含む任意の超電導体の高磁場特性を顕著に増大させる実用的な方法を提供する。例えば、図３は、Ｌａ３Ａｌの上部臨界磁場Ｈｃ２を増大させるために、本発明の実施例をどのように適用することができるかを示すＴｃ−Ｈｃ２グラフである。０．３ａｔ．％のＧｄを付加することによって、約１ＫでＴｃが減少すると共に、Ｈｃ２の温度依存性の傾きが増加することが明らかにされた（Ｙ． Ｋｕｗａｓａｗａ， Ｋ． Ｓｅｋｉｚａｗａ， Ｎ． Ｕｓｕｉ及びＫ． Ｙａｓｕｋｏｃｈｉ， “Ｅｆｆｅｃｔｓ ｏｆ Ｐａｒａｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ ｏｎ Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｉｎ ｔｈｅ Ｌａ３−ｘＧｄｘＡｌ Ｓｙｓｔｅｍ”， Ｊ． Ｐｈｙｓ． Ｓｏｃ． Ｊａｐａｎ ２７， ５９０ （１９６９）を参照）。この結果は、実線３０で示されている。破線３１は、傾きの増加を考慮せず、Ｔｃ減少を補償するために、Ｌａ３Ａｌに非磁性無秩序性のみ付加するときの予想結果を示す。実線３２は、Ｌａ３Ａｌに磁性不純物と非磁性無秩序性を付加するときの結果を示す。図示のように、実線３２の傾きは、破線３１の傾きに比べてさらに増加する。理論上の予測である式（４）は、磁性不純物及び非磁性無秩序性の両方ともによるＨｃ２の増大量を計算する、すなわち、線３１（ｌｓ＝３．３４９ξ０，
＝０．５ξ０，及びα＝１）と線３２（ｌｓ＝２．８１７ξ０，
＝０．５ξ０，及びα＝１）である。
【００２９】
本発明者が知っている限り、ＭｇＢ２でボルテックスピンニングに対する磁性不純物の影響に関して何ら実験的研究はなかった。しかし、ＭｇＢ２でボルテックスピンニングに対する磁性ナノ粒子の影響に関するいくつかの研究が行われている。磁性ナノ粒子と磁性不純物は、ボルテックスピンニングに対してほぼ同一の影響を及ぼす。図４は、線４０でＭｇＢ２の臨界電流密度Ｊｃ、線４１で２％Ｃｏ３Ｏ４ナノ粒子にドープされたＭｇＢ２の臨界電流密度Ｊｃ、線４２で本発明の実施例によって非磁性無秩序性及び２％Ｃｏ３Ｏ４ナノ粒子にドープされたＭｇＢ２の臨界電流密度Ｊｃを示す。
【００３０】
図４に関しては、２％Ｃｏ３Ｏ４ナノ粒子を付加して、ＭｇＢ２の臨界電流密度Ｊｃを増大させることがＡｗａｎｄａらによって報告された（Ｃｏｎｄ−ｍａｔ／０６０１３５９）。Ａｗａｎｄａらは、Ｔｃの減少と付随的なＪｃの減少によって、４％及び６％のＣｏ３Ｏ４ナノ粒子に対してＪｃが減少し始めることを発見した。したがって、２％のドーピングは、従来に達成された臨界電流密度Ｊｃで最大の増加を示す。しかし、本発明の実施例によれば、ＭｇＢ２＋２％Ｃｏ３Ｏ４の臨界電流密度Ｊｃは、非磁性無秩序性を付加することによって、さらに増大させることができる。仮に、ＭｇＢ２のクーパー対サイズを減少させるために、平均自由行程１〜３０Å＜ξ０〜５０Åを有する十分な非磁性無秩序性が付加されれば、Ｔｃの減少を補償しつつ、ボルテックスピンニングが増幅されることができ、線４２（ｌｓ＝１．７ξ０，
＝０．６ξ０，及びα＝１の場合）で示すように、Ｊｃの追加的な増幅をもたらす。
【００３１】
０．１３ｗｔ．％のＦｅ２Ｏ３ナノ粒子を有するサンプルが磁性ヒステリシスの相当な増大を示す一方、０．２６ｗｔ．％が付加されたサンプルは、ヒステリシスの中程度の増加を示すことが明らかにされた（Ｐｒｏｚｏｒｏｖら， Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ８３ （２００３）， ｐ．２０１９を参照）。結果的に、磁性ナノ粒子ドーピングによる磁束ピンニングの増大は、非常に低いドーピングレベルにのみ制限され、これは、あまり有用ではない。一方、１ｗｔ．％を超過するさらに高いドーピングレベルで、ＦｅＢナノ粒子によって臨界電流が減少することが明らかにされた（Ｄｏｕら， Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄ． Ｓｃｉ． Ｔｅｃｈｎｏｌ． １８ （２００５）， ｐ．７１０を参照）。Ｄｏｕらは、約０．２ｗｔ．％の低いドーピングレベルに対しては増大を見つけたかもしれないと考えられる。しかし、本発明の実施例によれば、超電導材料に非磁性無秩序性を付加して磁性不純物の負の影響（すなわち、ＴｃまたはＪｃの減少）を補償すると同時に、正の影響（すなわち、Ｈｃ２とＪｃの増加）を増幅させることができる。したがって、磁性不純物と非磁性無秩序性を含む超電導材料の超電導転移温度は、磁性不純物のみを含み、非磁性無秩序性を含まない超電導材料の超電導転移温度よりさらに高くなり得る。
【００３２】
発明のための形態
本発明の一実施例によれば、磁性不純物と非磁性無秩序性を超電導体に注入するために、利用可能な任意の技術を使用することができる。例えば、磁性不純物と非磁性無秩序性を超電導体に注入するために、拡散、アーク溶解、固相反応、急冷−凝結、パルスレーザー蒸着（ｐｕｌｓｅｄ ｌａｓｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＰＬＤ）、スパッタリング、分子線エピタキシー（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ；ＭＢＥ）、機械的合金化、照射及び注入（ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ ａｎｄ ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ）、化学気相蒸着（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＣＶＤ）、管内粉末（ｐｏｗｄｅｒ−ｉｎ−ｔｕｂｅ；ＰＩＴ）などの技術を使用することができる。超電導材料内で磁性不純物の溶解度は問題になり得る。したがって、超電導材料及び技術によって最適の溶解度を有する磁性不純物を選択しなければならない。仮に、溶解度限界を超過して磁性不純物を付加すれば、一部の磁性不純物は、沈殿物を形成し得る。この場合、沈殿物は、依然として臨界電流密度Ｊｃを増加させるのに寄与することができる。しかし、沈殿物は、基本的に超電導マトリックスと独立的なので、上部臨界磁場 Ｈｃ２は大きく増加しない。磁性ナノ粒子（Ｔ． Ｈ． Ａｌｄｅｎ及びＪ． Ｌｉｖｉｎｇｓｔｏｎ， “Ｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ Ｐａｒｔｉｃｌｅｓ ｉｎ ａ Ｔｙｐｅ−ＩＩ ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｏｒ”， Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． ３７， ３５５１ （１９６６）； Ｃ． Ｃ． Ｋｏｃｈ及びＧ． Ｒ． Ｌｏｖｅ， “Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ ｉｎ Ｎｉｏｂｉｕｍ ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ ｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ Ｇａｄｏｌｉｎｉｕｍ ｏｒ ｐａｒａｍａｇｎｅｔｉｃ Ｙｔｔｒｉｕｍ ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎｓ”， Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． ４０， ３５８２ （１９６９）； 及びＡ． Ｓｎｅｚｈｋｏ， Ｔ． Ｐｒｏｚｏｒｏｖ及びＲ． Ｐｒｏｚｏｒｏｖ， “Ｍａｇｎｅｔｉｃ ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅｓ ａｓ ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｂｕｌｋ ｐｉｎｎｉｎｇ ｃｅｎｔｅｒｓ ｉｎ ｔｙｐｅ−ＩＩ ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ”， Ｐｈｙｓ． Ｒｅｖ． Ｂ７１， ０２４５２７ （２００５）を参照）と， 人工磁性ピン（Ｎ． Ｄ． Ｒｉｚｚｏ， Ｊ． Ｑ． Ｗａｎｇ， Ｄ． Ｅ． Ｐｒｏｂｅｒ， Ｌ． Ｒ． Ｍｏｔｏｗｉｄｌｏ， 及びＢ． Ａ． Ｚｅｉｔｌｉｎ， “Ｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ ａｒｔｉｆｉｃｉａｌ ｐｉｎｎｉｎｇ ｃｅｎｔｅｒｓ ｉｎ ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ Ｎｂ０．３６Ｔｉ０．６４ ｗｉｒｅｓ”， Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ６９， ２２８５ （１９９６）参照）と， 磁性ドット（Ｇ． Ｔｅｎｉｅｒｓ， Ｍ． Ｌａｎｇｅ， Ｖ． Ｖ． Ｍｏｓｈｃｈａｌｋｏｖ， “Ｖｏｒｔｅｘ ｄｙｎａｍｉｃｓ ｉｎ ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ｗｉｔｈ ａ ｌａｔｔｉｃｅ ｏｆ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｄｏｔｓ”， Ｐｈｙｓｉｃａ Ｃ ３６９， ２６８ （２００２）を参照）を付加することは、磁性不純物付加のように、臨界電流の類似の増大をもたらすことができる。しかし、これらの技術は、ナノ粒子サイズの微細調整を必要とする可能性があり、大量生産に適さないと考えられる。それにもかかわらず、磁性ナノ粒子の負の影響も、本明細書で論議する非磁性無秩序性の付加を通じて補償することができ、したがって、正の影響は、非磁性無秩序性によって増幅されることができる。したがって、本発明の実施例で開示した方法は、超電導体の高磁場特性、すなわちＨｃ２とＪｃの両方を顕著に増大させることができ、これは、磁性不純物が誘導したボルテックスの強いピンニングにより、固有で且つ強力なので、本発明の方法が有利である。
【００３３】
本発明の一部実施例によれば、磁性不純物は、例えば、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈなどのように部分的に満たされたｄ−電子を有するイオン（すなわち、転移金属）、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｕなどのように部分的に満たされたｆ−電子を有するイオン（すなわち、希土類元素）及び磁性粒子（例えば、磁性沈殿物）よりなる群から選択された少なくとも１つを含むことができる。
【００３４】
本発明の一部実施例によれば、非磁性無秩序性は、例えば、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃ、Ｂ、Ｌｉなどのようなｓ−電子及び／またはｐ−電子を有する非磁性イオンよりなる群から選択された少なくとも１つを含むことができる。本発明の一部実施例によれば、非磁性無秩序性は、例えば、空孔型欠陥、格子間型欠陥、転位、放射ダメージなどよりなる群から選択された少なくとも１つの欠陥のような任意形態の結晶欠陥を含むことができる。本発明の他の実施例によれば、非磁性無秩序性は、例えば、非磁性粒子（例えば、非磁性沈殿物）、第２相包有物（ｓｅｃｏｎｄ−ｐｈａｓｅ ｉｎｃｌｕｓｉｏｎ）、ナノサイズ粒子、超電導材料の結晶粒界での析出物（ｓｅｇｒｅｇａｔｅ）などよりなる群から選択された少なくとも１つを含むことができる。また、非磁性無秩序性が上記例の組み合わせを含むことができることも理解することができる。一実施例において、超電導材料の形成間に工程条件を変化させることによって、超電導材料内に非磁性無秩序性を形成することができる。他の実施例として、超電導体材料を形成した後、非磁性無秩序性を形成することができる。磁性不純物と非磁性無秩序性の最適の組み合わせのためには、これらの製造上のすべての問題を考慮しなければならない。例えば、本発明の実施例によって、磁性不純物として、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉなどと、非磁性無秩序性としてＣ、Ｚｎ、Ａｌなどの組み合わせを使用することができる。
【００３５】
ＭｇＢ２は、３７〜１２８範囲の多少小さいクーパー対のサイズを有する（Ｃ． Ｂｕｚｅａ及びＴ． Ｙａｍａｓｈｉｔａ， “Ｒｅｖｉｅｗ ｏｆ ｔｈｅ Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ＭｇＢ２”， Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄ． Ｓｃｉ． Ｔｅｃｈｎｏｌ． １５， （２００１）， ｐ．Ｒ１１５−Ｒ１４６を参照）。ＭｇＢ２が結晶粒界の間で弱いリンク問題を有さないとしても、結晶粒界でクーパー対のサイズに相当する沈殿物、ナノ粒子または第２相包有物の過剰は、依然として臨界電流を減少させ得る。結果的に、ドーピング元素の沈殿物、ナノ粒子または第２相包有物のサイズをクーパー対のサイズより小さく制御することが好ましく、この場合には、臨界電流を増大させることができる。
【００３６】
図５は、本発明の実施例によって製造したＭｇＢ２磁石を有するＭＲＩ装置またはＮＭＲ装置を示す概略図である。
【００３７】
図５を参照すれば、ＭＲＩ装置またはＮＭＲ装置は、磁性不純物と非磁性無秩序性の両方を含むＭｇＢ２磁石１００を含むことができる。ＭｇＢ２磁石１００は、２０Ｋで１〜３テスラの磁場を生成することができる。極低温冷凍器１１０を使用すれば、ＭＲＩまたはＮＭＲは、スキャナーボア（ｓｃａｎｎｅｒ ｂｏｒｅ）１２０に横になっている患者の映像を生成するように構成されることができる。
【００３８】
磁性不純物と非磁性無秩序性の最適の量は、ＭｇＢ２のような超電導材料の臨界電流密度Ｊｃと上部臨界磁場Ｈｃ２の最適の増加から決定することができる。一実施例において、磁性不純物の濃度は、超電導材料の０．１ａｔ．％から２０ａｔ．％までの範囲であってもよい。これは、磁性不純物と超電導材料によってＴｃが２０〜３０％減少することに相当する。
【００３９】
一実施例において、超電導体材料内の非磁性無秩序性の濃度は、結果として得られる平均自由行程ｌによって算定することができ、これは、下記のように、超電導材料のＢＣＳコヒーレンス長ξ０と同等であるか、または、それより小さくなければならない。
式（７）：１／３＜ξ０／ｌ＜３
【００４０】
一実施例において、非磁性無秩序性の濃度は、超電導材料の１ａｔ．％から４０ａｔ．％までの範囲であってもよい。他の実施例において、超電導材料内で非磁性無秩序性の濃度は、任意の非磁性無秩序性が平均自由行程ｌを誘導し、式（７）を満たすように選択することができる。
【００４１】
上記の内容から分かるように、本発明の実施例は、様々な方式で実施することができる。下記に記載したことは、本発明の一部の実施例に対する非制限的な説明である。
【００４２】
一実施例において、超電導転移温度未満で高磁場特性を有する超電導体は、超電導性を有する超電導材料；超電導材料内に形成された磁性不純物；及び超電導材料内に形成された非磁性無秩序性を含む。この非磁性無秩序性は、超電導材料内に磁性不純物のみを形成する場合よりさらに大きい値で超電導体の上部臨界磁場または臨界電流密度を増加させることができる。
【００４３】
他の実施例において、超電導転移温度未満で高磁場特性を有する超電導体を製造する方法は、超電導性を有する超電導材料を調製する段階；超電導材料内に磁性不純物を形成する段階；及び超電導材料内に非磁性無秩序性を形成する段階を含む。この非磁性無秩序性は、超電導材料内に磁性不純物のみを形成する場合よりさらに大きい値で超電導体の上部臨界磁場または臨界電流密度を増加させることができる。磁性不純物と非磁性無秩序性は、超電導材料を調製する間に、または超電導材料を形成した後に、単一工程で形成することができる。
【００４４】
本明細書で例示的に記述したように、超電導体は、磁性不純物と非磁性無秩序性（例えば、不純物、欠陥など）を共に含み、それにより、超電導体の高磁場特性は、顕著に増大されることができる。仮に、溶解度限界以上に不純物を付加すれば、これらは、依然として高磁場特性の増大に寄与することができる別途の沈殿物またはナノ粒子を形成することができる。本発明の実施例は、管内粉末（ＰＩＴ）ＭｇＢ２ワイヤ及びテープに容易に適用することができる。結果として得られるＭｇＢ２磁石は、２０Ｋで１〜３Ｔを生成するものと予想されるが、これは、現在のＭＲＩ及び関連ＮＭＲ装置用Ｎｂ−Ｔｉ磁石を代替することができる。磁性不純物は、超電導材料内で最適の溶解度を有するように選択することができる。
【００４５】
以上、本発明の実施例を例示的に図示及び説明したが、当業者なら添付の請求範囲によって規定された本発明の思想と範疇を脱しない範囲内で形式と詳細事項で様々な変更が行われることを理解することができる。
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施例は、一般的に超電導体及びこれを製造する方法に関する。より詳細には、本発明の実施例は、高磁場特性を有する超電導体、及び超電導体の高磁場特性を増大する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、高磁場の磁石を製造するために、Ｎｂ−Ｔｉ合金とＮｂＳｎ３を主に使用する。最近に発見された３９Ｋ超電導体ＭｇＢ２は、磁石用として大きい可能性を有していて、これに対する集中的な研究が行われている（Ｃ． Ｂｕｚｅａ及びＴ． Ｙａｍａｓｈｉｔａ， “Ｒｅｖｉｅｗ ｏｆ ｔｈｅ Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ＭｇＢ２”， Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄ． Ｓｃｉ． Ｔｅｃｈｎｏｌ． １５， Ｒ１１５−Ｒ１４６ （２００１）（非特許文献１）を参照）。送電のために、高いＴｃのクプラート（ｃｕｐｒａｔｅ）で作られた超電導ケーブルが開発中にある（Ｗ． Ｂｕｃｋｅｌ及びＲ． Ｋｌｅｉｎｅｒ， “Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ”， Ｗｉｌｅｙ−ＶＣＨ， Ｗｅｉｎｈｅｉｍ （２００４）， ｐ．３８２（非特許文献２）を参照）。
【０００３】
磁石用途及び送電のため、超電導材料は、強いボルテックスピンニング（ｖｏｒｔｅｘ ｐｉｎｎｉｎｇ）または磁束ピンニング（ｆｌｕｘ ｐｉｎｎｉｎｇ）により、高磁場で高い臨界電流密度を有さなければならない。Ｎｂ−Ｔｉ合金とＮｂＳｎ３は、良好なピンニング特性を示す。それにもかかわらず、加速器用途のような特別な科学的な応用のために、これら材料の高磁場特性をさらに増大させる必要がある。さらに、２０Ｋ近くで使用することができるＭｇＢ２は、良好なピンニング特性を示さない。
【０００４】
不純物、柱状欠陥、人工ピン及びナノ粒子を付加し、機械的合金化を行い、結晶粒界と沈殿物を導入し、放射ダメージを適用することによって、超電導材料のピンニング特性を増大させることができる（Ｗ． Ｂｕｃｋｅｌ及びＲ． Ｋｌｅｉｎｅｒ， “Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ”， Ｗｉｌｅｙ−ＶＣＨ， Ｗｅｉｎｈｅｉｍ （２００４）， ｐ．２８２（非特許文献２）を参照）。サンプルの製造条件を変更することも、無秩序性（ｄｉｓｏｒｄｅｒ）を引き起こし、高磁場特性の増大をもたらす。これらの方法は、基本的に、臨界温度Ｔｃを大きく減少させることなく、超電導体内に磁束ピンニングセンターを誘導する。一般的に、無秩序性によって生じたボルテックスピンニングに対する信頼できる微視的理論が存在しないため、大部分の進歩は、試行錯誤を経て経験的に行われて来た（Ｗ． ＢｕｃｋｅｌとＲ． Ｋｌｅｉｎｅｒ， “Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ”， Ｗｉｌｅｙ−ＶＣＨ， Ｗｅｉｎｈｅｉｍ （２００４）， ｐ．２８４（非特許文献２）を参照）。
【０００５】
物理的な観点から見れば、上記ピンニングセンターは、基本的に電気ポテンシャル揺動を生成し、電子密度揺動を引き起こす。電子−フォノン相互作用、すなわち超電導性の誘導力が電子密度相関を助けるため（Ｍｉ−Ａｅ Ｐａｒｋ及びＹｏｎｇ−Ｊｉｈｎ Ｋｉｍ， “Ｗｅａｋ ｌｏｃａｌｉｚａｔｉｏｎ ｅｆｆｅｃｔ ｉｎ ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ｆｒｏｍ ｒａｄｉａｔｉｏｎ ｄａｍａｇｅ”， Ｐｈｙｓ． Ｒｅｖ． Ｂ ６１， １４７３３ （２０００）（非特許文献３）を参照）、タイプＩＩ超電導体の高い磁場においてこれらのピンニング位置は、磁束の浸透を促進し、局所的には超電導性を破壊するが、全体的には超電導性を有することができるようにする。つまり、これらの公知技術は、電気ポテンシャル揺動、すなわち電気的特性を利用して超電導体内でピンニングセンターを生成する。しかし、これらのピンニングセンター近くの超電導性は、局所的な電気ポテンシャル揺動に起因しているというよりは、磁束浸透の存在下で、広範囲なエネルギー最小化に起因して破壊される。言い換えれば、これらのポテンシャル揺動は、局所的に超電導性を破壊する程度に充分に強くなく、したがって、最も好ましいピンニングセンターとなることができない。
【０００６】
超電導磁石は、動作温度と使用可能な磁場強度に影響を与えるので、磁気共鳴映像（ＭＲＩ）装置と核磁気共鳴（ＮＭＲ）装置において超電導磁石は、重要な部品である。現在、Ｎｂ−ＴｉとＮｂ３Ｓｎ磁石を主に利用する。しかし、これらの材料は、転移温度Ｔｃが低いため、液体ヘリウムを必要とする。そのため、ＭＲＩとＮＭＲ装置は、高価であり、高い維持保守費用をもたらす。したがって、ＭＲＩ及び関連ＮＭＲ装置用磁石として、高価の液体ヘリウムを必要とせず、高いＴｃを有する材料を探すことが非常に好ましい。
【０００７】
２００１年に、Ａｋｉｍｉｔｓｕらは、ＭｇＢ２がＴｃ＝３９Ｋを有する超電導体であることを発見した（Ｊ． Ｎａｇａｍａｔｓｕら， Ｎａｔｕｒｅ， ｖｏｌｕｍｅ ４１０ （２００１）， ｐ．６３−６４（非特許文献４）を参照）。高いＴｃ、低いコスト及び良好な機械的な特性によって、ＭｇＢ２は、磁石用途として大きい可能性を有している。実際に、２００６年１１月に、ＡＳＧ Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ、Ｐａｒａｍｅｄ Ｍｅｄｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ、及びＣｏｌｕｍｂｕｓ Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓにより最初にＭｇＢ２磁石ベースのＭＲＩが紹介された。何ら極低温液体を使用せずに、２つの極低温冷凍機（ｃｒｙｏｃｏｏｌｅｒ）のみを使用して２０Ｋの動作温度を得た。しかし、ＭｇＢ２磁石は、０．５Ｔしか生成しないので、ＭｇＢ２磁石ベースのＭＲＩの市場性には限界があった。なぜなら、現在のＮｂ−Ｔｉ及びＮｂ３Ｓｎ磁石ベースのＭＲＩは、液体ヘリウムを使用して４Ｋで３Ｔを生成することができるからである。イメージの解像度は、磁場強度の二乗に左右されるので、高い磁場は、さらに良好な映像を提供する（Ｅ． Ｍ． Ｈａａｋｅ， Ｒ． Ｗ． Ｂｒｏｗｎ， Ｍ． Ｒ． Ｔｈｏｍｓｏｎ及びＲ． Ｖｅｎｋａｔｅｓａｎ， “Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ Ｉｍａｇｉｎｇ： Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ ａｎｄ Ｓｅｑｕｅｎｃｅ Ｄｅｓｉｇｎ”， （Ｗｉｌｅｙ−Ｌｉｓｓ， Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ， １９９９）， ｐ．６（非特許文献５）参照）。
【０００８】
磁石用途に利用するためには、超電導材料は、強いボルテックスまたは磁束ピンニングにより、高磁場で高い臨界電流密度を有さなければならない。しかし、ＭｇＢ２は、良好なピンニング特性を示さない。したがって、ボルテックスまたは磁束ピンニングを増大させるために、ＭｇＢ２に添加剤を注入することができる。例えば、典型的な添加剤は、Ｃ（Ｓ． Ｘ． Ｄｏｕら， Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ８３， （２００３）， ｐ．４９９６（非特許文献６）を参照）、Ａｌ（Ａ． Ｂｅｒｅｎｏｖら， Ｃｏｎｄ−ｍａｔ／０４０５５６７ （２００４）（非特許文献７）を参照）、ＳｉＣ（Ｓ． Ｘ． Ｄｏｕら， Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ８１， （２００２）， ｐ．３４１９（非特許文献８）を参照）、Ｔｉ、Ｚｒ（Ｙ． Ｚｈａｏら， Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ７９ （２００１）， ｐ．１１５４（非特許文献９）を参照）、Ｓｉ（Ｘ． Ｌ． Ｗａｎｇら， Ｐｈｙｓｉｃａ Ｃ ３８５ （２００３）， ｐ．４６１（非特許文献１０）を参照）、Ｙ２Ｏ３（Ｊ． Ｗａｎｇら， Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ８１ （２００２）， ｐ．２０２６（非特許文献１１）を参照）、及びＭｇ（Ｂ、Ｏ）沈殿物（Ｅｏｍら， Ｎａｔｕｒｅ ４１１ （２００１）， ｐ．５５８（非特許文献１２）を参照）を含む。かなり進歩してきたが、ＭｇＢ２を高磁場磁石用に使用するためには、さらなる進歩が要求される。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】Ｃ． Ｂｕｚｅａ及びＴ． Ｙａｍａｓｈｉｔａ， “Ｒｅｖｉｅｗ ｏｆ ｔｈｅ Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ＭｇＢ２”， Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄ． Ｓｃｉ． Ｔｅｃｈｎｏｌ． １５， Ｒ１１５−Ｒ１４６ （２００１）
【非特許文献２】Ｗ． ＢｕｃｋｅｌとＲ． Ｋｌｅｉｎｅｒ， “Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ”， Ｗｉｌｅｙ−ＶＣＨ， Ｗｅｉｎｈｅｉｍ （２００４）
【非特許文献３】Ｍｉ−Ａｅ Ｐａｒｋ及びＹｏｎｇ−Ｊｉｈｎ Ｋｉｍ， “Ｗｅａｋ ｌｏｃａｌｉｚａｔｉｏｎ ｅｆｆｅｃｔ ｉｎ ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ｆｒｏｍ ｒａｄｉａｔｉｏｎ ｄａｍａｇｅ”， Ｐｈｙｓ． Ｒｅｖ． Ｂ ６１， １４７３３ （２０００）
【非特許文献４】Ｊ． Ｎａｇａｍａｔｓｕら， Ｎａｔｕｒｅ， ｖｏｌｕｍｅ ４１０ （２００１）， ｐ．６３−６４
【非特許文献５】Ｅ． Ｍ． Ｈａａｋｅ， Ｒ． Ｗ． Ｂｒｏｗｎ， Ｍ． Ｒ． Ｔｈｏｍｓｏｎ及びＲ． Ｖｅｎｋａｔｅｓａｎ， “Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ Ｉｍａｇｉｎｇ： Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ ａｎｄ Ｓｅｑｕｅｎｃｅ Ｄｅｓｉｇｎ”， （Ｗｉｌｅｙ−Ｌｉｓｓ， Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ， １９９９）
【非特許文献６】Ｓ． Ｘ． Ｄｏｕら， Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ８３， （２００３）， ｐ．４９９６
【非特許文献７】Ａ． Ｂｅｒｅｎｏｖら， Ｃｏｎｄ−ｍａｔ／０４０５５６７ （２００４）
【非特許文献８】Ｓ． Ｘ． Ｄｏｕら， Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ８１， （２００２）， ｐ．３４１９
【非特許文献９】Ｙ． Ｚｈａｏら， Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ７９ （２００１）， ｐ．１１５４
【非特許文献１０】Ｘ． Ｌ． Ｗａｎｇら， Ｐｈｙｓｉｃａ Ｃ ３８５ （２００３）， ｐ．４６１
【非特許文献１１】Ｊ． Ｗａｎｇら， Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ８１ （２００２）， ｐ．２０２６
【非特許文献１２】Ｅｏｍら， Ｎａｔｕｒｅ ４１１ （２００１）， ｐ．５５８
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本出願は、“ＭＥＴＨＯＤ ＯＦ ＥＮＨＡＮＣＩＮＧ ＨＩＧＨ ＭＡＧＮＥＴＩＣ ＦＩＥＬＤ ＰＲＯＰＥＲＴＩＥＳ ＯＦ ＳＵＰＥＲＣＯＮＤＵＣＴＩＮＧ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ， ＷＩＲＥＳ， ＡＮＤ ＴＡＰＥＳ ＩＮＣＬＵＤＩＮＧ Ｎｂ−Ｔｉ， ＮｂＳｎ３ ＡＮＤ ＭｇＢ２”という発明の名称で、２００７年８月１日に出願した米国仮特許出願第６０／９６３，１４５号と、“ＭｇＢ２ ＭＡＧＮＥＴ−ＢＡＳＥＤ ＭＲＩ ＡＮＤ ＲＥＬＡＴＥＤ ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ”という発明の名称で、２００７年８月１０日に出願した米国仮特許出願第６０／９６４，４４１号の優先権を主張し、これらの全体内容は、参照として本明細書に取り込む。
【００１１】
本明細書において例示的に記述した一実施例は、一般的に、超電導体と特徴付けられる。超電導体は、超電導材料を含むことができ、このような超電導材料は、その内部に形成された磁性不純物と非磁性無秩序性を含み、磁性不純物と非磁性無秩序性を含む超電導材料の上部臨界磁場及び臨界電流密度のうち少なくとも１つは、磁性不純物を含み且つ非磁性無秩序性を含まない超電導材料のそれよりさらに大きい。
【００１２】
本明細書において例示的に記述した他の実施例は、一般的に超電導体を製造するための方法と特徴付けられる。この方法は、超電導材料を調製する段階と、超電導材料内に磁性不純物を形成する段階及び超電導材料内に非磁性無秩序性を形成する段階を含むことができ、磁性不純物と非磁性無秩序性を含む超電導材料の上部臨界磁場及び臨界電流密度のうち少なくとも１つは、磁性不純物を含み且つ非磁性無秩序性を含まない超電導材料のそれよりさらに大きい。
【００１３】
本明細書において例示的に記述したさらに他の実施例は、一般的に、本明細書において記述した超電導体を含むＭＲＩ装置またはＮＭＲ装置と特徴付けられる。
【００１４】
本発明のこれら及び他の様態は、添付の図面を参照する本発明の下記説明を参照することによって自明になるだろう。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の実施例は、磁石用途と送電のために、超電導材料のピンニング特性を増大させる方法、及び、ひいては、高磁場特性を提供することができるものと特徴付けられる。本明細書に記述するように、超電導材料のピンニング特性は、超電導体内にピンニングセンターを生成する磁性不純物の特性を利用して増大され得、これにより、超電導性は局所的に破壊される。不純物、欠陥などのような非磁性無秩序性は、Ｔｃの顕著な減少による高磁場特性に対する磁性不純物の負の影響を（部分的に、または完全に）補償する。このように、非磁性無秩序性を付加すれば、高磁場特性、すなわちボルテックスピンニング、臨界電流密度Ｊｃ、及び臨界磁場Ｈｃ（特に、上部臨界磁場Ｈｃ２）を増幅させることができるが、これは、対応するボルテックスのサイズが従来のボルテックスのサイズより非常に小さいからである。したがって、磁性不純物によるボルテックスピンニングが維持且つ増幅されることができると共に、全体的な超電導性が維持されることができる。
【００１６】
磁性不純物の影響に対する最近の走査トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）研究（Ａ． Ｙａｚｄａｎｉ， Ｂ． Ａ． Ｊｏｎｅｓ， Ｃ． Ｐ． Ｌｕｚ， Ｍ． Ｆ． Ｃｒｏｍｍｉｅ， 及びＤ． Ｍ． Ｅｉｇｌｅｒ， “Ｐｒｏｂｉｎｇ ｔｈｅ Ｌｏｃａｌ Ｅｆｆｅｃｔｓ ｏｆ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ ｏｎ Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ”， Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｖｏｌ． ２７５， １７６７ （１９９７）を参照）は、各々の磁性不純物の１ナノメートル内で超電導性が破壊されることを示すと理解されることができるが、これは、ボルテックスが非常に小さいサイズを有することができることを示唆する。この場合、ボルテックスを通じた磁束が量子化されるので、上部臨界磁場は非常に高くなり、ボルテックスは、強くピンニングされる。また、ＫＩＭ及びＯｖｅｒｈａｕｓｅｒは、他の環境、すなわち磁場がないとき（Ｙｏｎｇ−Ｊｉｈｎ Ｋｉｍ及びＡ． Ｗ． Ｏｖｅｒｈａｕｓｅｒ， “Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ ｉｎ Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ： Ａ Ｔｈｅｏｒｙ ｗｉｔｈ Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ Ｐｒｅｄｉｃｔｉｏｎｓ”， Ｐｈｙｓ． Ｒｅｖ． Ｂ ４９， １５７９９ （１９９４）を参照）、磁性不純物によって引き起こされたＴｃ減少が非磁性無秩序性によって補償される可能性があることを明らかにした。それにもかかわらず、磁性不純物によるボルテックスピンニングを解決するために、上記で引用したＫＩＭ及びＯｖｅｒｈａｕｓｅｒ理論を一般化する方法は知られていない。
【００１７】
本発明の実施例は、実験データから得た、ボルテックスピンニングに対する磁性不純物の影響に関するさらに良好な理解に依存することによって、そして、このような影響に対する上記で引用したＫＩＭ及びＯｖｅｒｈａｕｓｅｒ理論の制限を認識することによって達成される。まず、前述したＳＴＭデータは、磁性不純物がクーパー対（Ｃｏｏｐｅｒ ｐａｉｒ）を破壊するか、または磁性不純物近くの超電導性を破壊し、ナノメートル長スケールｒ０（〜１０Å）を有しながら、あまり長くないコヒーレンス長スケールξ０（ＭｇＢ２の場合、ξ０＝〜５０Å（Ｃ． Ｂｕｚｅａ及びＴ． Ｙａｍａｓｈｉｔａ， “Ｒｅｖｉｅｗ ｏｆ ｔｈｅ Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ＭｇＢ２”， Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄ． Ｓｃｉ． Ｔｅｃｈｎｏｌ． １５， （２００１）， ｐ．Ｒ１１５−Ｒ１４６を参照）を有する準粒子束縛状態を誘導することを示す。言い換えれば、磁性不純物は、非常に強いピンニングセンターであり、対応するボルテックスサイズは、約〜１０Åであり、これは、磁束量子化によって上部臨界磁場Ｈｃ２を顕著に増加させる。
【００１８】
上記の点から見て、磁性不純物は、不純物近くの超電導性を局所的に破壊するボルテックスピンニングに対する正の影響と、全体超電導自由エネルギー及び対応する超電導転移温度Ｔｃを減少させるボルテックスピンニングに対する負の影響を共に有する。Ｔｃの減少は、究極的に臨界電流Ｊｃと上部臨界磁場Ｈｃ２の減少をもたらすので、負の影響は、磁性不純物濃度が増加するときに大きくなる。
【００１９】
超電導体内に非磁性無秩序性を形成すれば、磁性不純物の負の影響を（部分的に、または完全に）抑制し、したがって、磁性不純物の正の影響を増幅させることができる。例えば、以前の実験的な研究は、ただ極少量の磁性不純物が超電導体の高磁場特性を増大させることができ、これに少量の磁性不純物をさらに付加すれば、このような増加が消えることを示した。このような影響は、図６に線５１で示されている。ここで、ΔＨｃ２＝Ｈｃ２−Ｈｃ２，０であり、ΔＪｃ＝Ｊｃ−Ｊｃ０であり、Ｈｃ２，０及びＪｃ０は、磁性不純物がない純粋な超電導体の上部臨界磁場及び臨界電流密度である。しかし、本発明の実施例によって、磁性不純物を含む超電導体に非磁性無秩序性を付加すれば、臨界電流密度Ｊｃ及び／または上部臨界磁場Ｈｃ２は、顕著に増大し、これは、非常に重要（ｎｏｎ−ｔｒｉｖｉａｌ）である。このような影響は、図６に線５２で示されている。非磁性無秩序性により高磁場特性を増大させることができるこのような理論を、図１と図２を参照してさらに詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】磁性不純物と非磁性無秩序性を共に含む、本発明の一実施例による超電導ワイヤの断面図である。
【図２】図１の超電導体内の対応するボルテックスの構成を示す概略図である。
【図３】従来例の特性と本発明の一実施例による例の特性を比較するもので、Ｌａ３Ａｌベースの超電導材料のＨｃ２の温度依存性を示すグラフである。
【図４】従来例の特性と本発明の一実施例による例の特性を比較するもので、純粋なＭｇＢ２及び２％ナノ−Ｃｏ３Ｏ４がドープされたＭｇＢ２に対して、５Ｋで臨界電流密度Ｊｃ対印加された磁場を示すグラフである。
【図５】本発明の実施例によって製造されたＭｇＢ２磁石を具備したＭＲＩ装置またはＮＭＲ装置を示す概略図である。
【図６】ボルテックスピンニングに対する磁性不純物の影響と、本発明の実施例による非磁性無秩序性による高磁場特性の増大を示すもので、ＪｃとＨｃ２の磁性不純物濃度依存性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図１は、本発明の一実施例による超電導体を示す断面図である。
【００２２】
超電導体１０は、ワイヤとして提供されることができる。超電導体１０は、Ｎｂ−Ｔｉ合金、ＮｂＳｎ３、ＭｇＢ２などのような超電導材料を含むことができる。Ｎｂ−Ｔｉ合金の使用時に、Ｎｂは、超電導材料として作用し、Ｔｉは、非磁性無秩序性として作用することができる。超電導材料内に磁性不純物１１（矢印で表示）が形成されることができ、これは、ボルテックスピンニングセンターとして作用する。磁性不純物１１による全体的なＴｃ減少を（部分的にまたは完全に）補償するために、非磁性無秩序性１２（「ｘ」で表示）を付加する。一実施例において、磁性不純物１１のスピンは、図１に示されたように、任意に配向されることができる（すなわち、常磁性）。他の実施例において、磁性不純物１１のスピンは、超電導体１０内で強磁性または反強磁性に配向されることができる。一実施例において、磁性不純物は、磁性ナノ粒子として提供されることができ、この場合、高磁場特性を大きく増大させるために、ナノ粒子のサイズを制御することができる。
【００２３】
図２は、図１の超電導体内で対応するボルテックスの構成を示す概略図である。
【００２４】
図２を参照すれば、線２０は、磁力線を示す。ボルテックスのサイズξは、従来のボルテックスのサイズより小さい。一実施例において、ボルテックスのサイズξは、ｒ０＝〜１０Åのオーダーである。結果的に得られたボルテックスのサイズと上部臨界磁場Ｈｃ２は、概算することができ、本発明者が知っている限り、このような概算は、過去に決して成就されなかった。ボルテックスサイズξは、準粒子束縛状態のサイズｒ０＝〜１０Åと、（磁性不純物１１による）平均自由行程ｌｓ及びクーパー対のサイズ（すなわち、Ｂａｒｄｅｅｎ−Ｃｏｏｐｅｒ−Ｓｃｈｒｉｅｆｆｅｒ（ＢＣＳ）コヒーレンス長）ξ０の割合によって制約を受ける。ｌｓがξ０とほぼ同一であれば、ボルテックスサイズξは、準粒子束縛状態のサイズｒ０＝〜１０Å（さらに正確には、ξ≒２ｒ０＝〜２０Å）に相当する。しかし、ｌｓ＞ξ０なら、ボルテックスサイズξは、２ｒ０より大きい（すなわち、ξ０に相当する）。これらの２つの場合を組み合わせれば、次が得られる。
式（１）：
ここで、「ｆ」は、適切な関数を意味する。簡単に、「ｆ」は、特定指数αを有し、次の方式で選択することができる。
式（２）：
対応するギンツブルグ−ランダウ（Ｇｉｎｚｂｕｒｇ−Ｌａｎｄａｕ）コヒーレンス長ξＧＬは、次で与えられる。
式（３）：
最後に、上部臨界磁場Ｈｃ２は、次のように得ることができる（Ｗ． Ｂｕｃｋｅｌ及びＲ． Ｋｌｅｉｎｅｒによる“Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ”， Ｗｉｌｅｙ−ＶＣＨ， Ｗｅｉｎｈｅｉｍ （２００４）， ｐ．２３６を参照）。
式（４）：
【００２５】
不純物、欠陥などのような非磁性無秩序性１２の存在時に、非磁性無秩序性による平均自由行程が
＜ξ０である場合、クーパー対のサイズは、ξ０からξｅｆｆに減少する。
式（５）：
【００２６】
したがって、ξｅｆｆは、大部分の超電導体内で２ｒ０＝〜２０Åより非常に大きい。結果的に、ボルテックスサイズは、依然として２ｒ０によって制約を受け、式（４）は、依然として有効である。磁性不純物１１は、基本的に小さいサイズのボルテックスを引き起こし、したがって、上部臨界磁場Ｈｃ２の顕著な増加をもたらす点が強調される。ＪｃがＨｃ２に比例するものと仮定すれば、臨界電流密度も、ほぼ同一の割合で増大する（Ｗ． Ｂｕｃｋｅｌ及びＲ． Ｋｌｅｉｎｅｒ， “Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ”， Ｗｉｌｅｙ−ＶＣＨ， Ｗｅｉｎｈｅｉｍ （２００４）， ｐ．２７１を参照）。
式（６）：
ここで、Ｊｃ０は、純粋な超電導体に対する臨界電流密度である。したがって、非可逆性磁場Ｈｉｒｒは、顕著に増大する。
【００２７】
実験的に、少量の磁性不純物が超電導体の高磁場特性を増大させることができることが知られている（Ｙ． Ｋｕｗａｓａｗａ， Ｋ． Ｓｅｋｉｚａｗａ， Ｎ． Ｕｓｕｉ及びＫ． Ｙａｓｕｋｏｃｈｉ， “Ｅｆｆｅｃｔｓ ｏｆ Ｐａｒａｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ ｏｎ Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｉｎ ｔｈｅ Ｌａ３−ｘＧｄｘＡｌ Ｓｙｓｔｅｍ”， Ｊ． Ｐｈｙｓ． Ｓｏｃ． Ｊａｐａｎ ２７， ５９０ （１９６９）； Ｄ． Ｋ． Ｆｉｎｎｅｒｍｏｒｅ， Ｄ． Ｌ． Ｊｏｈｎｓｏｎ， Ｊ． Ｅ． Ｏｓｔｅｎｓｏｎ， Ｆ． Ｈ． Ｓｐｅｄｄｉｎｇ及びＢ． Ｊ． Ｂｅａｕｄｒｙ， “Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ ｉｎ Ｐｕｒｅ Ｌａ ａｎｄ Ｌａ−Ｇｄ”， Ｐｈｙｓ． Ｒｅｖ． １３７， Ａ５５０ （１９６５）； 及びＲ． Ｐ． Ｇｕｅｒｔｉｎ， Ｊ． Ｅ． Ｃｒｏｗ， Ａ． Ｒ． Ｓｗｅｅｄｌｅｒ， 及びＳ． Ｆｏｎｅｒ， “Ｕｐｐｅｒ ｃｒｉｔｉｃａｌ ｆｉｅｌｄｓ ｏｆ ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ Ｇｄ ａｎｄ Ｔｍ ｄｏｐｅｄ ＬａＳｎ３： Ｅｆｆｅｃｔｓ ｏｆ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｆｉｅｌｄｓ”， Ｓｏｌ． Ｓｔａ． Ｃｏｍｍｕｎ． １３， ２５ （１９７３））。しかし、このような増大は、ただ少量の磁性不純物が提供されたときにのみ得られ、磁性不純物によって顕著なＴｃ減少を伴った。したがって、このような増大は、実用的ではない。
【００２８】
本発明の実施例は、Ｎｂ−Ｔｉ、ＮｂＳｎ３、及びＭｇＢ２を含む任意の超電導体の高磁場特性を顕著に増大させる実用的な方法を提供する。例えば、図３は、Ｌａ３Ａｌの上部臨界磁場Ｈｃ２を増大させるために、本発明の実施例をどのように適用することができるかを示すＴｃ−Ｈｃ２グラフである。０．３ａｔ．％のＧｄを付加することによって、約１ＫでＴｃが減少すると共に、Ｈｃ２の温度依存性の傾きが増加することが明らかにされた（Ｙ． Ｋｕｗａｓａｗａ， Ｋ． Ｓｅｋｉｚａｗａ， Ｎ． Ｕｓｕｉ及びＫ． Ｙａｓｕｋｏｃｈｉ， “Ｅｆｆｅｃｔｓ ｏｆ Ｐａｒａｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ ｏｎ Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｉｎ ｔｈｅ Ｌａ３−ｘＧｄｘＡｌ Ｓｙｓｔｅｍ”， Ｊ． Ｐｈｙｓ． Ｓｏｃ． Ｊａｐａｎ ２７， ５９０ （１９６９）を参照）。この結果は、実線３０で示されている。破線３１は、傾きの増加を考慮せず、Ｔｃ減少を補償するために、Ｌａ３Ａｌに非磁性無秩序性のみ付加するときの予想結果を示す。実線３２は、Ｌａ３Ａｌに磁性不純物と非磁性無秩序性を付加するときの結果を示す。図示のように、実線３２の傾きは、破線３１の傾きに比べてさらに増加する。理論上の予測である式（４）は、磁性不純物及び非磁性無秩序性の両方ともによるＨｃ２の増大量を計算する、すなわち、線３１（ｌｓ＝３．３４９ξ０，
＝０．５ξ０，及びα＝１）と線３２（ｌｓ＝２．８１７ξ０，
＝０．５ξ０，及びα＝１）である。
【００２９】
本発明者が知っている限り、ＭｇＢ２でボルテックスピンニングに対する磁性不純物の影響に関して何ら実験的研究はなかった。しかし、ＭｇＢ２でボルテックスピンニングに対する磁性ナノ粒子の影響に関するいくつかの研究が行われている。磁性ナノ粒子と磁性不純物は、ボルテックスピンニングに対してほぼ同一の影響を及ぼす。図４は、線４０でＭｇＢ２の臨界電流密度Ｊｃ、線４１で２％Ｃｏ３Ｏ４ナノ粒子にドープされたＭｇＢ２の臨界電流密度Ｊｃ、線４２で本発明の実施例によって非磁性無秩序性及び２％Ｃｏ３Ｏ４ナノ粒子にドープされたＭｇＢ２の臨界電流密度Ｊｃを示す。
【００３０】
図４に関しては、２％Ｃｏ３Ｏ４ナノ粒子を付加して、ＭｇＢ２の臨界電流密度Ｊｃを増大させることがＡｗａｎｄａらによって報告された（Ｃｏｎｄ−ｍａｔ／０６０１３５９）。Ａｗａｎｄａらは、Ｔｃの減少と付随的なＪｃの減少によって、４％及び６％のＣｏ３Ｏ４ナノ粒子に対してＪｃが減少し始めることを発見した。したがって、２％のドーピングは、従来に達成された臨界電流密度Ｊｃで最大の増加を示す。しかし、本発明の実施例によれば、ＭｇＢ２＋２％Ｃｏ３Ｏ４の臨界電流密度Ｊｃは、非磁性無秩序性を付加することによって、さらに増大させることができる。仮に、ＭｇＢ２のクーパー対サイズを減少させるために、平均自由行程１〜３０Å＜ξ０〜５０Åを有する十分な非磁性無秩序性が付加されれば、Ｔｃの減少を補償しつつ、ボルテックスピンニングが増幅されることができ、線４２（ｌｓ＝１．７ξ０，
＝０．６ξ０，及びα＝１の場合）で示すように、Ｊｃの追加的な増幅をもたらす。
【００３１】
０．１３ｗｔ．％のＦｅ２Ｏ３ナノ粒子を有するサンプルが磁性ヒステリシスの相当な増大を示す一方、０．２６ｗｔ．％が付加されたサンプルは、ヒステリシスの中程度の増加を示すことが明らかにされた（Ｐｒｏｚｏｒｏｖら， Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ８３ （２００３）， ｐ．２０１９を参照）。結果的に、磁性ナノ粒子ドーピングによる磁束ピンニングの増大は、非常に低いドーピングレベルにのみ制限され、これは、あまり有用ではない。一方、１ｗｔ．％を超過するさらに高いドーピングレベルで、ＦｅＢナノ粒子によって臨界電流が減少することが明らかにされた（Ｄｏｕら， Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄ． Ｓｃｉ． Ｔｅｃｈｎｏｌ． １８ （２００５）， ｐ．７１０を参照）。Ｄｏｕらは、約０．２ｗｔ．％の低いドーピングレベルに対しては増大を見つけたかもしれないと考えられる。しかし、本発明の実施例によれば、超電導材料に非磁性無秩序性を付加して磁性不純物の負の影響（すなわち、ＴｃまたはＪｃの減少）を補償すると同時に、正の影響（すなわち、Ｈｃ２とＪｃの増加）を増幅させることができる。したがって、磁性不純物と非磁性無秩序性を含む超電導材料の超電導転移温度は、磁性不純物のみを含み、非磁性無秩序性を含まない超電導材料の超電導転移温度よりさらに高くなり得る。
【００３２】
発明のための形態
本発明の一実施例によれば、磁性不純物と非磁性無秩序性を超電導体に注入するために、利用可能な任意の技術を使用することができる。例えば、磁性不純物と非磁性無秩序性を超電導体に注入するために、拡散、アーク溶解、固相反応、急冷−凝結、パルスレーザー蒸着（ｐｕｌｓｅｄ ｌａｓｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＰＬＤ）、スパッタリング、分子線エピタキシー（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ；ＭＢＥ）、機械的合金化、照射及び注入（ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ ａｎｄ ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ）、化学気相蒸着（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＣＶＤ）、管内粉末（ｐｏｗｄｅｒ−ｉｎ−ｔｕｂｅ；ＰＩＴ）などの技術を使用することができる。超電導材料内で磁性不純物の溶解度は問題になり得る。したがって、超電導材料及び技術によって最適の溶解度を有する磁性不純物を選択しなければならない。仮に、溶解度限界を超過して磁性不純物を付加すれば、一部の磁性不純物は、沈殿物を形成し得る。この場合、沈殿物は、依然として臨界電流密度Ｊｃを増加させるのに寄与することができる。しかし、沈殿物は、基本的に超電導マトリックスと独立的なので、上部臨界磁場 Ｈｃ２は大きく増加しない。磁性ナノ粒子（Ｔ． Ｈ． Ａｌｄｅｎ及びＪ． Ｌｉｖｉｎｇｓｔｏｎ， “Ｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ Ｐａｒｔｉｃｌｅｓ ｉｎ ａ Ｔｙｐｅ−ＩＩ ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｏｒ”， Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． ３７， ３５５１ （１９６６）； Ｃ． Ｃ． Ｋｏｃｈ及びＧ． Ｒ． Ｌｏｖｅ， “Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ ｉｎ Ｎｉｏｂｉｕｍ ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ ｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ Ｇａｄｏｌｉｎｉｕｍ ｏｒ ｐａｒａｍａｇｎｅｔｉｃ Ｙｔｔｒｉｕｍ ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎｓ”， Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． ４０， ３５８２ （１９６９）； 及びＡ． Ｓｎｅｚｈｋｏ， Ｔ． Ｐｒｏｚｏｒｏｖ及びＲ． Ｐｒｏｚｏｒｏｖ， “Ｍａｇｎｅｔｉｃ ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅｓ ａｓ ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｂｕｌｋ ｐｉｎｎｉｎｇ ｃｅｎｔｅｒｓ ｉｎ ｔｙｐｅ−ＩＩ ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ”， Ｐｈｙｓ． Ｒｅｖ． Ｂ７１， ０２４５２７ （２００５）を参照）と， 人工磁性ピン（Ｎ． Ｄ． Ｒｉｚｚｏ， Ｊ． Ｑ． Ｗａｎｇ， Ｄ． Ｅ． Ｐｒｏｂｅｒ， Ｌ． Ｒ． Ｍｏｔｏｗｉｄｌｏ， 及びＢ． Ａ． Ｚｅｉｔｌｉｎ， “Ｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ ａｒｔｉｆｉｃｉａｌ ｐｉｎｎｉｎｇ ｃｅｎｔｅｒｓ ｉｎ ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ Ｎｂ０．３６Ｔｉ０．６４ ｗｉｒｅｓ”， Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ６９， ２２８５ （１９９６）参照）と， 磁性ドット（Ｇ． Ｔｅｎｉｅｒｓ， Ｍ． Ｌａｎｇｅ， Ｖ． Ｖ． Ｍｏｓｈｃｈａｌｋｏｖ， “Ｖｏｒｔｅｘ ｄｙｎａｍｉｃｓ ｉｎ ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ｗｉｔｈ ａ ｌａｔｔｉｃｅ ｏｆ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｄｏｔｓ”， Ｐｈｙｓｉｃａ Ｃ ３６９， ２６８ （２００２）を参照）を付加することは、磁性不純物付加のように、臨界電流の類似の増大をもたらすことができる。しかし、これらの技術は、ナノ粒子サイズの微細調整を必要とする可能性があり、大量生産に適さないと考えられる。それにもかかわらず、磁性ナノ粒子の負の影響も、本明細書で論議する非磁性無秩序性の付加を通じて補償することができ、したがって、正の影響は、非磁性無秩序性によって増幅されることができる。したがって、本発明の実施例で開示した方法は、超電導体の高磁場特性、すなわちＨｃ２とＪｃの両方を顕著に増大させることができ、これは、磁性不純物が誘導したボルテックスの強いピンニングにより、固有で且つ強力なので、本発明の方法が有利である。
【００３３】
本発明の一部実施例によれば、磁性不純物は、例えば、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈなどのように部分的に満たされたｄ−電子を有するイオン（すなわち、転移金属）、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｕなどのように部分的に満たされたｆ−電子を有するイオン（すなわち、希土類元素）及び磁性粒子（例えば、磁性沈殿物）よりなる群から選択された少なくとも１つを含むことができる。
【００３４】
本発明の一部実施例によれば、非磁性無秩序性は、例えば、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃ、Ｂ、Ｌｉなどのようなｓ−電子及び／またはｐ−電子を有する非磁性イオンよりなる群から選択された少なくとも１つを含むことができる。本発明の一部実施例によれば、非磁性無秩序性は、例えば、空孔型欠陥、格子間型欠陥、転位、放射ダメージなどよりなる群から選択された少なくとも１つの欠陥のような任意形態の結晶欠陥を含むことができる。本発明の他の実施例によれば、非磁性無秩序性は、例えば、非磁性粒子（例えば、非磁性沈殿物）、第２相包有物（ｓｅｃｏｎｄ−ｐｈａｓｅ ｉｎｃｌｕｓｉｏｎ）、ナノサイズ粒子、超電導材料の結晶粒界での析出物（ｓｅｇｒｅｇａｔｅ）などよりなる群から選択された少なくとも１つを含むことができる。また、非磁性無秩序性が上記例の組み合わせを含むことができることも理解することができる。一実施例において、超電導材料の形成間に工程条件を変化させることによって、超電導材料内に非磁性無秩序性を形成することができる。他の実施例として、超電導体材料を形成した後、非磁性無秩序性を形成することができる。磁性不純物と非磁性無秩序性の最適の組み合わせのためには、これらの製造上のすべての問題を考慮しなければならない。例えば、本発明の実施例によって、磁性不純物として、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉなどと、非磁性無秩序性としてＣ、Ｚｎ、Ａｌなどの組み合わせを使用することができる。
【００３５】
ＭｇＢ２は、３７〜１２８範囲の多少小さいクーパー対のサイズを有する（Ｃ． Ｂｕｚｅａ及びＴ． Ｙａｍａｓｈｉｔａ， “Ｒｅｖｉｅｗ ｏｆ ｔｈｅ Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ＭｇＢ２”， Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄ． Ｓｃｉ． Ｔｅｃｈｎｏｌ． １５， （２００１）， ｐ．Ｒ１１５−Ｒ１４６を参照）。ＭｇＢ２が結晶粒界の間で弱いリンク問題を有さないとしても、結晶粒界でクーパー対のサイズに相当する沈殿物、ナノ粒子または第２相包有物の過剰は、依然として臨界電流を減少させ得る。結果的に、ドーピング元素の沈殿物、ナノ粒子または第２相包有物のサイズをクーパー対のサイズより小さく制御することが好ましく、この場合には、臨界電流を増大させることができる。
【００３６】
図５は、本発明の実施例によって製造したＭｇＢ２磁石を有するＭＲＩ装置またはＮＭＲ装置を示す概略図である。
【００３７】
図５を参照すれば、ＭＲＩ装置またはＮＭＲ装置は、磁性不純物と非磁性無秩序性の両方を含むＭｇＢ２磁石１００を含むことができる。ＭｇＢ２磁石１００は、２０Ｋで１〜３テスラの磁場を生成することができる。極低温冷凍器１１０を使用すれば、ＭＲＩまたはＮＭＲは、スキャナーボア（ｓｃａｎｎｅｒ ｂｏｒｅ）１２０に横になっている患者の映像を生成するように構成されることができる。
【００３８】
磁性不純物と非磁性無秩序性の最適の量は、ＭｇＢ２のような超電導材料の臨界電流密度Ｊｃと上部臨界磁場Ｈｃ２の最適の増加から決定することができる。一実施例において、磁性不純物の濃度は、超電導材料の０．１ａｔ．％から２０ａｔ．％までの範囲であってもよい。これは、磁性不純物と超電導材料によってＴｃが２０〜３０％減少することに相当する。
【００３９】
一実施例において、超電導体材料内の非磁性無秩序性の濃度は、結果として得られる平均自由行程ｌによって算定することができ、これは、下記のように、超電導材料のＢＣＳコヒーレンス長ξ０と同等であるか、または、それより小さくなければならない。
式（７）：１／３＜ξ０／ｌ＜３
【００４０】
一実施例において、非磁性無秩序性の濃度は、超電導材料の１ａｔ．％から４０ａｔ．％までの範囲であってもよい。他の実施例において、超電導材料内で非磁性無秩序性の濃度は、任意の非磁性無秩序性が平均自由行程ｌを誘導し、式（７）を満たすように選択することができる。
【００４１】
上記の内容から分かるように、本発明の実施例は、様々な方式で実施することができる。下記に記載したことは、本発明の一部の実施例に対する非制限的な説明である。
【００４２】
一実施例において、超電導転移温度未満で高磁場特性を有する超電導体は、超電導性を有する超電導材料；超電導材料内に形成された磁性不純物；及び超電導材料内に形成された非磁性無秩序性を含む。この非磁性無秩序性は、超電導材料内に磁性不純物のみを形成する場合よりさらに大きい値で超電導体の上部臨界磁場または臨界電流密度を増加させることができる。
【００４３】
他の実施例において、超電導転移温度未満で高磁場特性を有する超電導体を製造する方法は、超電導性を有する超電導材料を調製する段階；超電導材料内に磁性不純物を形成する段階；及び超電導材料内に非磁性無秩序性を形成する段階を含む。この非磁性無秩序性は、超電導材料内に磁性不純物のみを形成する場合よりさらに大きい値で超電導体の上部臨界磁場または臨界電流密度を増加させることができる。磁性不純物と非磁性無秩序性は、超電導材料を調製する間に、または超電導材料を形成した後に、単一工程で形成することができる。
【００４４】
本明細書で例示的に記述したように、超電導体は、磁性不純物と非磁性無秩序性（例えば、不純物、欠陥など）を共に含み、それにより、超電導体の高磁場特性は、顕著に増大されることができる。仮に、溶解度限界以上に不純物を付加すれば、これらは、依然として高磁場特性の増大に寄与することができる別途の沈殿物またはナノ粒子を形成することができる。本発明の実施例は、管内粉末（ＰＩＴ）ＭｇＢ２ワイヤ及びテープに容易に適用することができる。結果として得られるＭｇＢ２磁石は、２０Ｋで１〜３Ｔを生成するものと予想されるが、これは、現在のＭＲＩ及び関連ＮＭＲ装置用Ｎｂ−Ｔｉ磁石を代替することができる。磁性不純物は、超電導材料内で最適の溶解度を有するように選択することができる。
【００４５】
以上、本発明の実施例を例示的に図示及び説明したが、当業者なら添付の請求範囲によって規定された本発明の思想と範疇を脱しない範囲内で形式と詳細事項で様々な変更が行われることを理解することができる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
その内部に形成された磁性不純物（ｍａｇｎｅｔｉｃ ｉｍｐｕｒｉｔｙ）及び非磁性無秩序性（ｎｏｎ−ｍａｇｎｅｔｉｃ ｄｉｓｏｒｄｅｒ）とを含む超電導材料を含み、
前記磁性不純物と前記非磁性無秩序性を含む前記超電導材料の上部臨界磁場及び臨界電流密度のうち少なくとも１つは、磁性不純物を含み且つ非磁性無秩序性を含まない超電導材料のそれより大きい、超電導体。
【請求項２】
前記超電導材料は、ＮｂＳｎ３とＭｇＢ２よりなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項１記載の超電導体。
【請求項３】
前記磁性不純物は、ボルテックスピンニングセンター（ｖｏｒｔｅｘ ｐｉｎｎｉｎｇ ｃｅｎｔｅｒ）として作用する、請求項１記載の超電導体。
【請求項４】
超電導材料としてＮｂと、非磁性無秩序性としてＴｉと、磁性不純物とを含むＮｂ−Ｔｉ合金を含む、請求項１記載の超電導体。
【請求項５】
前記磁性不純物は、部分的に満たされたｄ−電子を有する磁性イオン、部分的に満たされたｆ−電子を有する磁性イオン、及び磁性粒子よりなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項１記載の超電導体。
【請求項６】
前記磁性不純物は、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ及びＲｈよりなる群から選択された少なくとも１つの材料を含む、請求項１記載の超電導体。
【請求項７】
前記磁性不純物は、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ及びＵよりなる群から選択された少なくとも１つの材料を含む、請求項１記載の超電導体。
【請求項８】
前記超電導材料内の磁性不純物の濃度は、０．１ａｔ．％から２０ａｔ．％までの範囲である、請求項１記載の超電導体。
【請求項９】
前記磁性不純物と前記非磁性無秩序性とを含む前記超電導材料の超電導転移温度は、前記磁性不純物を含み且つ前記非磁性無秩序性を含まない超電導材料の超電導転移温度より大きい、請求項１記載の超電導体。
【請求項１０】
前記非磁性無秩序性は、結晶欠陥、ｓ−電子またはｐ−電子を有する非磁性イオン、及び非磁性粒子よりなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項１記載の超電導体。
【請求項１１】
前記非磁性無秩序性は、空孔型欠陥、格子間型欠陥、転位、及び放射ダメージよりなる群から選択された少なくとも１つの結晶欠陥を含む、請求項１０記載の超電導体。
【請求項１２】
前記非磁性無秩序性は、沈殿物、第２相転移、ナノサイズ粒子、及び前記超電導材料の結晶粒界での析出物（ｓｅｇｒｅｇａｔｅ）よりなる群から選択された少なくとも１つの非磁性粒子を含む、請求項１０記載の超電導体。
【請求項１３】
前記非磁性無秩序性は、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃ、Ｂ及びＬｉよりなる群から選択された少なくとも１つの材料を含む、請求項１記載の超電導体。
【請求項１４】
前記超電導材料内で前記非磁性無秩序性の濃度は、ξ０/ ｌが１／３＜ξ０／ｌ＜３の範囲にあるように選択され、ξ０は、前記超電導材料のＢＣＳコヒーレンス長であり、かつｌは、前記非磁性無秩序性を含む前記超電導材料内での平均自由行程である、請求項１記載の超電導体。
【請求項１５】
前記超電導材料内の前記非磁性無秩序性の濃度は、１ａｔ．％から４０ａｔ．％までの範囲である、請求項１記載の超電導体。
【請求項１６】
超電導材料を調製する段階；
前記超電導材料内に磁性不純物を形成する段階；及び
前記超電導材料内に非磁性無秩序性を形成する段階を含む、
超電導体を製造する方法であって、
前記磁性不純物と前記非磁性無秩序性とを含む前記超電導材料の上部臨界磁場及び臨界電流密度のうち少なくとも１つは、磁性不純物を含み且つ非磁性無秩序性を含まない超電導材料のそれより大きい、方法。
【請求項１７】
前記非磁性無秩序性は、前記超電導材料を調製する段階中に形成される、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
前記非磁性無秩序性は、前記超電導材料を調製する段階後に形成される、請求項１６記載の方法。
【請求項１９】
請求項１記載の超電導体を含む、ＭＲＩまたはＮＭＲ装置。
【請求項１】
その内部に形成された磁性不純物（ｍａｇｎｅｔｉｃ ｉｍｐｕｒｉｔｙ）及び非磁性無秩序性（ｎｏｎ−ｍａｇｎｅｔｉｃ ｄｉｓｏｒｄｅｒ）とを含む超電導材料を含み、
前記磁性不純物と前記非磁性無秩序性を含む前記超電導材料の上部臨界磁場及び臨界電流密度のうち少なくとも１つは、磁性不純物を含み且つ非磁性無秩序性を含まない超電導材料のそれより大きい、超電導体。
【請求項２】
前記超電導材料は、ＮｂＳｎ３とＭｇＢ２よりなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項１記載の超電導体。
【請求項３】
前記磁性不純物は、ボルテックスピンニングセンター（ｖｏｒｔｅｘ ｐｉｎｎｉｎｇ ｃｅｎｔｅｒ）として作用する、請求項１記載の超電導体。
【請求項４】
超電導材料としてＮｂと、非磁性無秩序性としてＴｉと、磁性不純物とを含むＮｂ−Ｔｉ合金を含む、請求項１記載の超電導体。
【請求項５】
前記磁性不純物は、部分的に満たされたｄ−電子を有する磁性イオン、部分的に満たされたｆ−電子を有する磁性イオン、及び磁性粒子よりなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項１記載の超電導体。
【請求項６】
前記磁性不純物は、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ及びＲｈよりなる群から選択された少なくとも１つの材料を含む、請求項１記載の超電導体。
【請求項７】
前記磁性不純物は、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ及びＵよりなる群から選択された少なくとも１つの材料を含む、請求項１記載の超電導体。
【請求項８】
前記超電導材料内の磁性不純物の濃度は、０．１ａｔ．％から２０ａｔ．％までの範囲である、請求項１記載の超電導体。
【請求項９】
前記磁性不純物と前記非磁性無秩序性とを含む前記超電導材料の超電導転移温度は、前記磁性不純物を含み且つ前記非磁性無秩序性を含まない超電導材料の超電導転移温度より大きい、請求項１記載の超電導体。
【請求項１０】
前記非磁性無秩序性は、結晶欠陥、ｓ−電子またはｐ−電子を有する非磁性イオン、及び非磁性粒子よりなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項１記載の超電導体。
【請求項１１】
前記非磁性無秩序性は、空孔型欠陥、格子間型欠陥、転位、及び放射ダメージよりなる群から選択された少なくとも１つの結晶欠陥を含む、請求項１０記載の超電導体。
【請求項１２】
前記非磁性無秩序性は、沈殿物、第２相転移、ナノサイズ粒子、及び前記超電導材料の結晶粒界での析出物（ｓｅｇｒｅｇａｔｅ）よりなる群から選択された少なくとも１つの非磁性粒子を含む、請求項１０記載の超電導体。
【請求項１３】
前記非磁性無秩序性は、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃ、Ｂ及びＬｉよりなる群から選択された少なくとも１つの材料を含む、請求項１記載の超電導体。
【請求項１４】
前記超電導材料内で前記非磁性無秩序性の濃度は、ξ０/ ｌが１／３＜ξ０／ｌ＜３の範囲にあるように選択され、ξ０は、前記超電導材料のＢＣＳコヒーレンス長であり、かつｌは、前記非磁性無秩序性を含む前記超電導材料内での平均自由行程である、請求項１記載の超電導体。
【請求項１５】
前記超電導材料内の前記非磁性無秩序性の濃度は、１ａｔ．％から４０ａｔ．％までの範囲である、請求項１記載の超電導体。
【請求項１６】
超電導材料を調製する段階；
前記超電導材料内に磁性不純物を形成する段階；及び
前記超電導材料内に非磁性無秩序性を形成する段階を含む、
超電導体を製造する方法であって、
前記磁性不純物と前記非磁性無秩序性とを含む前記超電導材料の上部臨界磁場及び臨界電流密度のうち少なくとも１つは、磁性不純物を含み且つ非磁性無秩序性を含まない超電導材料のそれより大きい、方法。
【請求項１７】
前記非磁性無秩序性は、前記超電導材料を調製する段階中に形成される、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
前記非磁性無秩序性は、前記超電導材料を調製する段階後に形成される、請求項１６記載の方法。
【請求項１９】
請求項１記載の超電導体を含む、ＭＲＩまたはＮＭＲ装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公表番号】特表２０１０−５３５４１４（Ｐ２０１０−５３５４１４Ａ）
【公表日】平成２２年１１月１８日（２０１０．１１．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−５１９１５２（Ｐ２０１０−５１９１５２）
【出願日】平成２０年７月３１日（２００８．７．３１）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＫＲ２００８／００４４５４
【国際公開番号】ＷＯ２００９／０１７３７０
【国際公開日】平成２１年２月５日（２００９．２．５）
【出願人】（５１００１３２５３）
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２２年１１月１８日（２０１０．１１．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年７月３１日（２００８．７．３１）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＫＲ２００８／００４４５４
【国際公開番号】ＷＯ２００９／０１７３７０
【国際公開日】平成２１年２月５日（２００９．２．５）
【出願人】（５１００１３２５３）
【Ｆターム（参考）】
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