【課題】本発明は、酸化物超電導層への水分の浸入を抑えることができる酸化物超電導線材、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の酸化物超電導線材１０の製造方法は、基材１と中間層２と酸化物超電導層３と銀層４と金属安定化層６とがこの順に積層されてなる超電導積層体Ｓ０を準備する第１工程と、超電導積層体Ｓ０の幅方向端部にレーザＬを照射して超電導積層体Ｓ０の端部を溶融・凝固させて、少なくとも酸化物超電導層３の側面を覆う溶融凝固層７を形成する第２工程と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い配向率の中間層を形成することができ、優れた超電導特性を有するテープ状の酸化物超電導薄膜線材を製造することができる技術を提供する。
【解決手段】テープ状の配向金属基板に、６００℃以上の温度雰囲気下で、前記配向金属基板の最表層と中間層材料との格子不整合が３％以下になる所定の張力を掛けた状態で、前記配向金属基板上に、配向率８０％以上の中間層を形成することを特徴とするテープ状の酸化物超電導薄膜線材の中間層形成方法。前記テープ状の酸化物超電導薄膜線材の中間層形成方法を用いて、配向金属基板上に形成された中間層の上に、酸化物超電導薄膜を形成して、テープ状の酸化物超電導薄膜線材を製造することを特徴とするテープ状の酸化物超電導薄膜線材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】正確に膜厚を制御した最小構成元素数の銅酸化物高温超伝導体ＲＥ₂ＣｕＯ₄（ＲＥは希土類元素）の単結晶薄膜をより大きな面積に形成できるようにする。
【解決手段】形成対象の化合物ＲＥ₂ＣｕＯ₄と、面内および面間の少なくとも１つの格子定数が±１％の範囲で一致する単結晶から構成された単結晶基板１０１の上に、希土類元素ＲＥと銅と酸素とを含んで構成された前駆体薄膜１０２を、蒸着法により形成する。蒸着における希土類元素ＲＥおよび銅の供給量を制御することなどにより、形成される前駆体薄膜１０２における希土類元素ＲＥおよび銅の組成比を、化学式ＲＥ₂ＣｕＯ₄の化学量論組成にする。この後、高温、低酸素分圧雰囲気下での固相エピタキシーと低温還元により酸素の組成も化学量論組成に合わせて超伝導化した単結晶薄膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】ホウ化マグネシウム超伝導体の微細パターンの作製方法において、超伝導特性の劣化を抑制すること。
【解決手段】結晶基板１０１の上に、電子線レジストからなる微細パターン１０２を形成する（図１（ａ））。次に、微細パターン１０２の上に、室温においてアモルファス状炭素１０３及びアモルファス状珪素１０４を蒸着する（図１（ｂ））。その後、電子線レジストの微細パターン１０２をリフトオフして、炭素および珪素からなる微細パターン１０６を形成する（図１（ｃ））。次に、微細パターン１０６を設けた基板１０１の上にホウ化マグネシウム１０５を蒸着する（図１（ｅ））。ここで、蒸着時の基板温度は２８０℃であることが好ましい。最後に、ホウ化マグネシウム１０５が形成された基板１０１の超音波洗浄を行うことにより微細パターン１０６をリフトオフして、ホウ化マグネシウム１０５の微細パターンを得る（図１（ｆ））。 （もっと読む）

本明細書で例示的に記述した超電導体は、超電導材料を含み、この超電導材料は、その内部に形成された磁性不純物と非磁性無秩序性とを含む。本明細書で記述した超電導体は、磁石用途及び送電に使用するのに適している。

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【課題】量子ビット素子から大きな信号を得ることができる、超伝導量子ビット素子及びそれを用いた集積回路を提供する。
【解決手段】超伝導量子ビット素子１は、超伝導量子ビット部２と超伝導量子ビット部に接続された量子ビット読出部３とを備え、超伝導量子ビット部２は３つのジョセフソン接合を有する超伝導量子干渉素子からなり、量子ビット読出部３は、２つのジョセフソン接合を有する超伝導量子干渉素子からなり、量子ビット読出部３のジョセフソン接合の１つ２ｄを、超伝導量子ビット部３のジョセフソン接合の１つと共用できる。量子ビット読出部３は、量子ビットからの十分に大きな磁束信号を得ることができるため、ノイズが大きい環境でも量子ビットの信号を正確に読み出し得る。従来に比較して、必要なジョセフソン接合の個数を１個減らすことができるので、製作が容易となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ジョセフソン接合素子、その形成方法、および超電導接合回路に関し、ＩｃＲｎ積を向上することを目的とする。
【解決手段】ジョセフソン接合素子は、基板１１上に形成された下部電極層１２と、絶縁膜１３と、下部電極層１２の一端に形成された斜面を覆うバリア層１４と、バリア層１４を覆う上部電極層１５を有し、超電導接合部１６が形成される。下部電極層１２及び上部電極層１５は、（ＲＥ）₁（ＡＥ）₂Ｃｕ₃Ｏ_yを主成分とする酸化物超電導材料からなり、元素ＲＥはＹ、Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、およびＬｕからなる群のうち少なくとも１種、元素ＡＥがＢａ、Ｓｒ、およびＣａからなる群のうち少なくとも１種である。バリア層１４は、元素ＲＥ、元素ＡＥ、Ｃｕ、及び酸素を含む材料からなり、この材料中のカチオンのうち、Ｃｕ含有量が３５〜５５原子％、かつ元素ＲＥ含有量が１２〜３０原子％の範囲に設定され、かつ下部電極層１２及び上部電極層１５の組成と異なる。 （もっと読む）

【課題】有機薄膜を用いたジョセフソン素子を製造する。
【解決手段】
成膜対象物１０ｂを真空雰囲気に置き、有機薄膜から成る第一の超伝導電極膜１３表面にトリメチルアルミニウムを吸着させ、真空排気した後、オゾンガスを導入する。トリメチルアルミニウムとオゾンガスが反応し、酸化アルミニウム薄膜１４₁が形成される。残留ガスや反応副生成物は真空排気によって除去する。トリメチルアルミニウムとオゾンガスの導入を交互に複数回行い、アルミナ薄膜１４₁、１４₂を積層させ、トンネル障壁膜を形成する。トンネル障壁膜の表面に第二の超伝導電極膜を形成すると、ジョセフソン素子が得られる。 （もっと読む）

クラックの発生を防止し、かつ面内配向度と方位性等の結晶性並びに表面平滑性に優れた中間層の上に高い臨界電流密度（Ｊｃ）を有するＲＥ系超電導層を形成する。配向性Ｎｉ基板の上に、希土類元素の１種または２種以上を金属含有量で２０〜６０ｍｏｌ％を添加したセリウム系酸化物からなる中間層をＭＯＤ法により形成し、この酸化物層上にＭＯＤ法により高いＪｃを有するＲＥ系超電導層を形成する。上記の中間層は、Ｃｅの有機金属化合物溶液に、Ｇｄ、Ｙ及び／またはＹｂの各有機金属化合物溶液を混合した混合溶液を配向Ｎｉ基板上に塗布して塗膜を形成した後、仮焼熱処理を施し、Ａｒ−Ｈ２の雰囲気中で９５０〜１１５０℃の温度で、５０〜５００Ｐａの圧力下で焼成を行うことにより形成する。この中間層の上にＴＦＡ−ＭＯＤ法によりＹＢＣＯ超電導層を形成する。
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【課題】本発明は、小電流・小電力領域でも高性能で、大電流・大電力領域でも特性低下の小さい超電導バルク体を提供する。
【解決手段】超電導バルク体１において、該超電導バルク体１の少なくとも表面の一部の臨界電流密度が、該超電導バルク体内部の臨界電流密度よりも大きい表面超電導領域２が設けられていることを特徴とする超電導バルク体である。表面超電導領域２は、（ａ）のように、超電導バルク体１の一つの表面全面に形成しても良いし、また、（ｂ）のように、超電導バルク体１の一つの表面の一部に形成しても良い。あるいは、（ｃ）のように、超電導バルク体１の２つの表面形成しても良い。 （もっと読む）

【課題】 超伝導デバイスにおいて、局所的な電流の集中を防止するとともに、安定した高周波伝送特性を実現し、電流特性と電力特性を両立させる。
【解決手段】 超伝導デバイスは、第１の誘電体基板（１１）と、前記第１の誘電体基板上に超伝導材料で形成された２次元回路型の共振器パターン（１２）と、前記共振器パターンの上方に、好ましくは誘電体（１６）を介して位置し、前記共振器パターンに所望の帯域幅のカップリングを生じさせる導体パターン（１７）とを有する。導体パターンは、円形または楕円形であるのが好ましい。 （もっと読む）