【課題】ＦｉｎＦＥＴの特性が均一な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板の上層部分に凹部を形成する工程と、前記凹部内に犠牲材を配置する工程と、前記半導体基板及び前記犠牲材を選択的に除去することにより、一方向に延び、周期的に配列された複数本のフィンを形成する工程と、前記フィン間の空間の下部に素子分離絶縁膜を形成する工程と、前記犠牲材を除去する工程と、前記フィンの露出面上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記素子分離絶縁膜上に、前記フィンを跨ぐように、前記一方向に対して交差した方向に延びるゲート電極を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果の大きい新たな可変抵抗素子を提供する。
【解決手段】本発明による可変抵抗素子は、次の３つの特徴を備えた結晶性化合物を含む。第１の特徴は、トポロジカル誘電体特性を示すことにより、伝導帯と価電子帯がディラックコーンを形成する点である。第２の特徴は、ディラックコーンを構成する伝導帯の谷と価電子帯の山との間に、バンドギャップが形成される点である。第３の特徴は、異なるスピンが入る二つのバンドがΓポイントを中心に時間反転対称を持つことである。これら３つの特徴を全て備えることにより、著しい磁気抵抗効果が発現する。 （もっと読む）

【課題】書き込み電流の低減を図る。
【解決手段】実施形態による磁気抵抗素子は、膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、磁化方向が可変である記録層１３と、膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、磁化方向が不変である参照層１５と、記録層及び参照層間に設けられた中間層１４と、記録層の中間層が設けられた面と反対面に設けられ、ＡｌＴｉＮを含有する下地層１２と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波アシスト磁気記録において、スピントルク発振器の不安定な発振による記録エラーを修正して、信頼性を高める。
【解決手段】スピントルク発振器の抵抗値を測定する抵抗測定部を有し、監視することで、記録時に発振が不安定になったことを検出する。測定した抵抗値が予め定めた正常範囲を外れたとき、当該記録動作を行った情報を記録しなおす。 （もっと読む）

【解決課題】 磁場書き込み方式ＭＲＡＭ、および、スピン注入磁化反転方式ＭＲＡＭにおいても、書き込みに必要な電流値を小さくすることが可能な強磁性トンネル接合素子を提供する。
【解決手段】 順に、強磁性層を含む複数の層からなる強磁性自由層２と、絶縁層３と、強磁性層を含む複数の層からなる強磁性固定層４とを積層した構造を有し、前記強磁性自由層２が、該強磁性自由層２の飽和磁化を下げる働きを有する添加元素を、前記絶縁層３と接しない側において前記絶縁層３と接する側よりも多く含む強磁性トンネル接合素子１である。 （もっと読む）

【課題】高周波磁界アシスト記録方式において、低電流でも安定した発振が得られるスピントルク発振器を実現し、高記録密度を可能とする磁気記録ヘッドを提供する。
【解決手段】高周波磁界を発する発振器１１０を備える磁気記録ヘッドにおいて、二層の磁性層１１２ａ，１１２ｂが反平行方結合した積層構造のスピン注入層構造１１２を用いる。二層の磁性層のうち、高周波磁界発生層１１１に近い第一の磁性層１１２ａの飽和磁化Ｍｓと膜厚ｔとの積Ｍｓ×ｔは、高周波磁界発生層から遠い第二の磁性層１１２ｂのＭｓ×ｔよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】小さいバンドギャップを持つ障壁膜を岩塩構造の（００１）方向に高配向させて、低抵抗かつ高効率なスピン注入素子を提供する。
【解決手段】下地膜３００、非磁性シード膜３１０、強磁性膜３０５、障壁膜３０７、強磁性膜３０８、保護膜３０９を積層してトンネル磁気抵抗効果素子１を形成する。非磁性シード膜３１０として、格子定数が強磁性膜３０５の格子定数の√２倍よりも小さい面心立方格子の物質を用いる。 （もっと読む）

【課題】複数のチップを組み合わせることなく、３軸方向の検出が可能な磁気センサ装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０の上に設けられた下地犠牲層２０と、下地犠牲層２０に接触すると共に下地犠牲層２０に接触する部分の面積が下地犠牲層２０よりも広い一面３１を有するフレキシブル層３０と、を備える。フレキシブル層３０に複数の磁気抵抗素子部４２が設けられている。そして、一つの磁気抵抗素子部４２のピン磁性層４２ａの磁化の向きが基板１０の表面１１に対して平行に向けられていることによりＸ軸方向もしくはＹ軸方向の磁化が検出される。また、フレキシブル層３０が下地犠牲層２０との接触箇所を起点として半円筒状に反っていることにより、一つの磁気抵抗素子部４２のピン磁性層４２ａの磁化の向きがＸ軸およびＹ軸に対して傾けられ、これによりＺ軸方向の磁化が検出される。 （もっと読む）

【課題】水分透過量が小さいＳｉ系絶縁膜が回路表面に形成されており、Ｓｉ系絶縁膜の密着性及び耐クラック性に優れた薄膜磁気センサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】以下の工程を備えた薄膜磁気センサの製造方法及びこの方法により得られる薄膜磁気センサ。（１）基板表面に薄膜ヨーク、ＧＭＲ膜、電極及び配線を備えた素子部を形成する素子部形成工程。（２）少なくとも電極の表面の全部又は一部を含む領域（薄膜ヨーク、ＧＭＲ膜及び配線の表面を除く）にフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成工程。（３）基板の表面にＡｌ₂Ｏ₃膜を形成するＡｌ₂Ｏ₃膜形成工程。（４）Ａｌ₂Ｏ₃膜の表面に、Ｃａｔ−ＣＶＤ法を用いてＳｉ系絶縁膜を形成するＳｉ系絶縁膜形成工程。（５）フォトレジスト膜、並びに、フォトレジスト膜の上に形成された余分なＡｌ₂Ｏ₃膜及びＳｉ系絶縁膜を除去する除去工程。 （もっと読む）

【課題】 動作点の変動と抵抗値比のばらつきを抑制することができると共に、温度特性を改善した磁気センサを提供する。
【解決手段】 磁気センサ１は、センサ回路部２を備える。このセンサ回路部２は、第１および第３の磁気抵抗素子Ｒ1，Ｒ3を直列接続した第１の直列回路６と、第２および第４の磁気抵抗素子Ｒ2，Ｒ4を直列接続した第２の直列回路７とを備え、第１の直列回路６と第２の直列回路７とを並列接続したブリッジ回路５によって構成される。第１ないし第４の磁気抵抗素子Ｒ1〜Ｒ4の表面は絶縁膜１２によって覆われる。また、第３の磁気抵抗素子Ｒ3および第４の磁気抵抗素子Ｒ4の表面には、絶縁膜１２を挟んで磁性材料からなる磁束集磁膜１３が形成される。 （もっと読む）