【課題】 下部電極と相変化膜との接触面積を減らし電流量を減少させることができる相変化記憶素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 下部パターンがその上面に備えられた半導体基板と、下部パターンを覆うように半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜内に形成されたコンタクトプラグと、コンタクトプラグ及びこれに隣接した層間絶縁膜上に形成された下部電極と、下部電極を含んだ層間絶縁膜上に形成され、下部電極を露出させるコンタクトホールを備えた第１酸化膜と、コンタクトホールの側壁に形成されたスペーサと、スペーサ及び下部電極上にスペーサ形態で形成された相変化膜と、相変化膜の上部部分が露出するようにコンタクトホール内に埋め込まれる第２酸化膜と、露出した相変化膜部分とコンタクトするように第１酸化膜上に形成された上部電極とを有する。 （もっと読む）

【課題】 相変化膜の相変化に必要とする書込電流を低めることができる相変化記憶素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 下部構造を有する半導体基板上に形成、基板所定部分を露出させる第１、第２コンタクトホールを有する第１絶縁膜、第１コンタクトホールを埋込む導電プラグ、第１絶縁膜上に形成、第２コンタクトホールを埋込むビットライン、第１絶縁膜上に形成した第２絶縁膜、第２絶縁膜上に順次形成した上部電極、相変化膜パターン及びハードマスク膜、第２絶縁膜上に形成、ハードマスク膜上部表面を露出させる第３絶縁膜、第３、第２絶縁膜内を貫通形成し導電プラグを露出させる第３コンタクトホール、ハードマスク膜上に形成、相変化膜パターンを露出させる第４コンタクトホール、第３、第４コンタクトホールを埋込む第１、第２下部電極コンタクト、第３絶縁膜上に形成、第１、第２下部電極コンタクトが各々連結された下部電極を有する。 （もっと読む）

【課題】 相変化膜の相変化に必要な電流量を低めることができる相変化記憶素子及びその製造方法を開示する。
【解決手段】 所定下部構造を具備した半導体基板上に形成し基板所定部分を露出させる第１コンタクトホールを有した第１絶縁膜、第１コンタクトホールを埋込む導電プラグ、第１絶縁膜上に形成し導電プラグ間の基板一部を露出させる第２コンタクトホールを有した第２絶縁膜、第２絶縁膜上に形成し第２コンタクトホールを埋込むビットライン、第２絶縁膜上に順次形成し導電プラグを露出させる第３コンタクトホールを有した第３絶縁膜、第４絶縁膜、及び窒化膜、第３コンタクトホールを埋込む下部電極、下部電極間の第３絶縁膜の所定部分を露出させる開口部、開口部と連結し下部電極側壁一部を露出させるキャビティ部、開口部とキャビティ部を埋込み下部電極一側と連結する相変化膜パターン、相変化膜パターン上に形成された上部電極を有する。 （もっと読む）

【課題】 下部電極と相変化膜との接触面積を減らし電流量を減少させることができる相変化記憶素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 下部パターンが備えられた半導体基板、半導体基板上に形成された層間絶縁膜、層間絶縁膜内に形成された複数のコンタクトプラグ、コンタクトプラグ上に形成され、両側面が第１酸化膜、相変化膜、窒化膜及び第２酸化膜と接するように形成された複数の下部電極、下部電極間の層間絶縁膜部分上に形成され、両側面が第１酸化膜、相変化膜、窒化膜、第２酸化膜と接するように形成された上部電極、第１酸化膜と窒化膜との間に形成され、下部電極及び上部電極の側面と接するように形成された相変化膜、第２酸化膜と下部電極及び上部電極上に形成され、上部電極を露出させるコンタクトホールが備えらえた第３酸化膜、上部電極とコンタクトするようにコンタクトホールの内部及び第３酸化膜上に形成された金属配線を含む。 （もっと読む）

【課題】 相変化膜の相変化に必要な電流量を低めることができ、相変化記憶素子の駆動スピード能力を向上することができる相変化記憶素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 その上面に所定の下部構造を含む半導体基板上に形成されて半導体基板の所定部分を露出させる第１コンタクトホールを有した第１絶縁膜と、第１コンタクトホールを充填する下部電極コンタクトと、下部電極コンタクトを含んだ第１絶縁膜上に形成される下部電極コンタクトと連結された第１下部電極、及び第１下部電極と所定距離離隔された第２下部電極と、第１、第２下部電極を含んだ第１絶縁膜上に形成され第１下部電極と第２下部電極との間の第１絶縁膜部分を露出させる第２コンタクトホールを有した第２絶縁膜と、第２コンタクトホールを充填する相変化膜パターンと、相変化膜パターン上に形成された上部電極とを有する。 （もっと読む）

第一の相と第二の相とを取りえる相変化材料を備えたレジスタ（３６，２５０）を備えた電子装置（１，１００）。レジスタ（３６，２５０）は相変化材料が第一の相の場合に第一の値を有し、相変化材料が第二の相の場合に第二の値を有する。レジスタ（３６，２５０）は第一の導電体（３，１３０Ａ、１３０Ｂ）と第二の導電体（４，２７０）とに電気的に接続され、それらは、相変化材料を加熱して第一の相から第二の相への転移が行われるように電流を流すことができる。電子装置（１，１００）は、さらに、加熱の間に本体（２，１０１）のレジスタ（３６，２５０）と繋がらない部分への熱流を低減させる誘電体層の層（２０，３９，１２６，１４０，２６０）を備え、この発明の誘電体層はサイズが０．５から５０ｎｍの間の複数の孔を有する多孔性材料を備える。
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メモリセルと一体化されたダイオード構成要素を形成し、メモリセルのアレイのプログラミングを容易にするシステムおよび方法が提供されている。このようなダイオード構成要素は、非対称の半導体特性を有するパッシブ層とアクティブ層とを備えたメモリセルのｐｎ接合の一部であり得る。そのような配置にすることで、トランジスタタイプの電圧制御の数と関連する電力消費を減らし、一方で、パッシブアレイの一部として個々のメモリセルのプログラミングを可能にする。さらに、システムにより、メモリセルがウェハ表面上に効率的に配置され、かつ、回路設計に利用できるダイスペース量を増加する。
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本発明による電子装置（１００）は、第１値と第２値との間で電気的にスイッチ可能な電気抵抗率を有するメモリ材料の層（１０７）を備える。メモリ材料は相変化材料でもよい。電子装置（１００）は電子装置の第１端子（１７２）とメモリ材料の層（１０７）を電気的に接続する一組のナノワイヤ（ＮＷ）をさらに備え、それによって、第１端子からナノワイヤ（ＮＷ）及びメモリ材料の層（１０７）を介して電子装置の第２端子（２７２）への電流の伝導を可能にする。各ナノワイヤ（ＮＷ）は各々のコンタクト領域でメモリ材料の層（１０７）に電気的にコンタクトがとられる。全てのコンタクト領域ほぼ同一である。本発明による方法は、本発明による電子装置（１００）を製造するのに適している。
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【課題】電流を制御するために測定を利用する相変化メモリ装置駆動回路及び測定を利用して相変化メモリ装置の駆動電流を調節する方法を提供する。
【解決手段】相変化メモリ装置をプログラミングする方法において、相変化メモリ装置のプログラミング中に相変化物質の抵抗値を測定し、測定された抵抗値に応答して、相変化メモリ装置の相変化物質に供給する電流の大きさを調節する工程を含む相変化メモリ装置のプログラミング方法である。これにより、検出された電圧または電流に応答して、次のような調節を行える。相変化物質に印加される電流の大きさは、検出される電圧のレベルが基準電圧値に対して変化するまで増加し、検出される電圧のレベルが基準電圧値に対して変化すれば、一定の大きさに維持させることができる。基準電圧値に対する検出された電圧の変化は、検出された電圧レベルが基準電圧値以下に低下する場合でありうる。 （もっと読む）

本発明は、パンチスルーダイオード（Ｓ）と直列に接続されたプログラマブル抵抗器（ＰＲ）を有する電気デバイス（図６）に関する。本発明はまた、そのような電気デバイスの製造方法に関する。前記方法は、第１の導電型とは反対の第２の導電型の半導体材料からなる第２の層と第３の層との間に配置された、第１の導電型の半導体材料からなる第１の層を含む積層体を設けるステップと、プログラマブルな抵抗率を有する材料の層であって、半導体材料の第２および第３の層のうちの１つと電気的に接触している、プログラマブルな抵抗率を有する材料の層を設けるステップとを含む。
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