組成物であって、分子内電荷移動もしくは分子間電荷移動または分子（１２）と電極（１４、１６；１４’、１６’）との間での、電界によって引き起こされる電荷移動によって、電気的特性に変化をもたらす組成物を提供する。
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【課題】
【解決手段】 メモリ（３７００）が提供される。メモリは、不揮発性メモリセルアレイ（３７２０）を含み、各セルは、第１の書き込み電圧パルスを印加されると第１の抵抗状態から第２の抵抗状態へと切り替わるとともに第２の書き込み電圧パルスを印加されると第２の抵抗状態から第１の抵抗状態へと可逆的に切り替わる２端子メモリプラグを含む。 （もっと読む）

有機メモリセルの製造中などに実施されうるものなど、導電層上にパッシブ層を形成するためのシステムおよび方法が開示され、これは、一般に、従来の無機メモリデバイスに固有の不具合を低減させる。パッシブ層は硫化銅（Ｃｕ_２Ｓ）などの導電促進化合物を含み、これは、導電材料の上部から形成される。この導電材料はメモリセルにおいて下部電極として作用し、導電材料の上部が、フッ素（Ｆ）系ガスから生成されたプラズマによる処理によってパッシブ層に変換されうる。
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【構成】この発明は，記憶保持特性およびスイッチング特性を高めた抵抗可変メモリ素子を提供する方法および装置に関する。この発明によれば，好ましくはＧｅ_xＳｅ_100-x組成を有する２つのカルコゲナイド・ガラス層（１７，２０）と上部，下部電極（１４，２２）との間に，好ましくはセレン化銀層である少なくとも１つの金属含有層（１８）を設けた抵抗可変メモリ素子が提供される。少なくとも第２のカルコゲナイド・ガラス層（２０）の上に，好ましくは銀層である金属層（５０）を設け，前記銀層の上に導電性接着層（３０）を配置する。この発明の他の実施形態によれば，第１のカルコゲナイド・ガラス層（１７）と，前記第１のカルコゲナイド・ガラス層の上にある銀層（４０’）と，前記銀層の上にあるセレン化銀層（１８）と，前記セレン化銀層の上にある第２のカルコゲナイド・ガラス層（２０）とを有する抵抗可変メモリ素子が提供され，前記第２のカルコゲナイド・ガラス層の上に第２の銀層が任意に設けられる。 （もっと読む）

薄膜記憶デバイスは、第１電極（３）と、第１の可変抵抗薄膜（２）と、第２の電極（１）とを備える。第１の電極（３）は、基板（４）の表面上に形成される。第１の可変抵抗薄膜（２）は、第１の電極（３）の表面上に形成される。第２の電極（１）は、第１の可変抵抗薄膜（２）の表面上に形成される。第１の可変抵抗薄膜（２）は、格子歪みおよび電荷配列のうち少なくとも１つによってバルク状態における抵抗値が変化する材料を含む。 （もっと読む）

本発明に係る電気デバイス（１００）は、第１の電気抵抗率を有する第１の相と第１の電気抵抗率と異なる第２の電気抵抗率を有する第２の相との間で変化可能な相変化材料からなる層（７，１０７）を備えるレジスタを有している。上記相変化材料は高速成長材料である。電気デバイス（１００）は、相変化材料からなる層（７，１０７）の対応する部分を第１の相から第２の相へ変化させることにより少なくとも三つの異なる電気抵抗値間で抵抗を切り換えるための切換信号生成器（４００）を更に備えている。
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双安定性に基づくエレクトロルミネセントデバイス、及びその使用方法。そのデバイスは電圧の印加により低抵抗状態と高抵抗状態との間を交互する。双安定電気デバイスは、双安定挙動を示す有機材料を二つの電極が挟むようになっている。その双安定素子につながれた有機発光ダイオードは、導電時に光を放射する。段階付けられた光出力を作り出すためには、ターンオフ電圧とターンオン電圧の中間であり一定なバイアス電圧と、パルス時間幅において変動するか、追加電圧において変動するか、又はその両方において変動する電気パルスを、その双安定素子に印加するための回路が提供される。そのパルスが印加されるにつき追加電圧がバイアス電圧に重畳される。双安定素子を通る電流、そして、したがって、そのパルスを終えた後のダイオードにより放射される光の明るさが、パルス時間幅や追加電圧を変化させることでコントロールされる。 （もっと読む）

本発明の電子接合体は、（ａ）第一の導電性構成要素と、（ｂ）第二の導電性構成要素と、から成り、第一の導電性構成要素は、（ｉ）接触面を持つ基板と、（ｉｉ）第一及び第二の末端を持つ複数の分子ユニットから成る少なくとも一つの層と、から成り、少なくとも一つの層の複数の分子ユニットの第一の末端は、共有結合と強い電子結合とから成る群から選択される型の結合を介して、接触面に結び付けられており、第二の導電性構成要素は、少なくとも一つの層の複数の分子ユニットの第二の末端に電気的に接触しており、第二の導電性構成要素は、少なくとも一の金属と、少なくとも一の金属酸化物と、から成り、電子接合体の少なくとも一つの導電性要素は刺激に応じて変化する電気的特性を持つ。 （もっと読む）

相変化メモリを低電圧動作および高温の動作又は放置させる場合に、記録保持信頼性を向上させること。
読み出し電圧をセット電圧およびリセット電圧以上として高速動作させ、読み出し後に読み出し前の状態を再書込みする、いわゆる破壊読出しを行う。または、複数個のセルを用いて１ビットの情報を記録する、いわゆるオアセルを用いて、高温時の動作又は放置のける信頼性を向上させる。破壊読出しおよびオアセルを用いた相変化メモリに必要な、回路構成および動作方法を用いる。 （もっと読む）

多重ターミナル論理デバイス。デバイスは、３つ又は３つ以上の電気端子と電気的に接続している結晶質及び非晶質状態を有する相変化材料を含む。相変化材料は、印加された電気的エネルギに応じて、非晶質状態と結晶質状態との間の可逆的変換を受けることが可能であり、この場合、非晶質状態及び結晶質状態は、測定可能な相異なる電気抵抗を示す。１組の端子間に印加される電流パルスまたは電圧パルスの形態の電気的エネルギは、構造状態及び端子間の測定電気抵抗に影響を及ぼす。本発明のデバイスにおいては、独立した入力信号が、異なる組み合わせの端子間に供給され、出力は、また別の組み合わせの端子間の抵抗として測定される。論理機能性は、印加された入力信号と、測定された出力抵抗の関係によって実現され、この場合、関係は、構造状態と、相変化材料の電気的抵抗とに対する入力信号の影響によって決まる。論理値は、相変化材料の結晶質状態及び非晶質状態と、または、１組の端子間の測定抵抗値と関連付けることができる。 （もっと読む）