【課題】ベース電流による電力損失を低減するドライブ回路を提供する。
【解決手段】ＢＪＴ２１のベース端子にベース電流を供給するドライブ回路１は、ＢＪＴ２１のベース電流を生成するベース回路部３０と、制御端子に供給される制御電圧に基づき、ベース電流を生成するための駆動電圧をベース回路部３０に供給するドライブ部１０と、ＢＪＴ２１のベース端子とＢＪＴ２１のエミッタ端子との間に発生する第１のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅを検出し、検出した第１のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅに応じたベース電流をＢＪＴ２１に供給するように制御電圧を制御して、ドライブ部１０に供給するベース電流制御部５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】高速スイッチング素子である電圧駆動型トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）のターンオン・オフ時の電圧変化（ｄＶ／ｄｔ）と電流変化（ｄｉ／ｄｔ）を緩和して、ノイズとサージ電圧の発生を抑制する電源回路を提供する。
【解決手段】トランス２に流れる電流をスイッチングさせるためのＭＯＳＦＥＴ１のゲート抵抗値を、スイッチング期間内で、ＭＯＳＦＥＴ１のドレイン電圧Ｖｄｓの変化の検出と共に切り替える、ＭＯＳＦＥＴ１のゲート電圧Ｖｇは、ＭＯＳＦＥＴ１のゲート電圧の最大定格Ｖｇｍａｘ以下とする。 （もっと読む）

【課題】ドライバチップの異常検出期間が短過ぎると、異常パルス信号のパルス生成が停止された後、異常判定期間の経過前に異常パルス信号のパルス生成が再開されてしまい、コントローラチップでドライバチップの異常を認識することができなくなるおそれがあり、２つの回路を絶縁しつつ一方の異常を確実に他方に伝達することのできる信号伝達装置、及びこれを用いたモータ駆動装置を提供する。
【解決手段】信号伝達装置１００は、第１回路１１０と第２回路１２０との間を絶縁しながら信号伝達を行うものであり、第１回路１１０は、第２回路１２０から伝達される異常パルス信号Ｓｂを監視して第２回路１２０の異常有無を判定し、第２回路１２０は、第２回路１２０で異常が検出されてから少なくとも第１回路１１０で第２回路１２０の異常有無が判定されるまで異常パルス信号Ｓｂを異常状態に保持する。 （もっと読む）

【課題】イニシャルコストの削減が図れ、且つ回路内における接続負荷の設置個数を考慮する必要のない電力制御装置及び電力制御方法を提供すること。
【解決手段】加熱エリアＥ内に設置されるエリア内加熱用の複数の負荷４０に対して適切な電力供給を行うため、調節計１０で目標温度値とエリア内の温度値とから負荷４０を駆動するための操作量を算出する。次に、点弧制御モジュール２０において、算出した操作量から位相角調整用の点弧角制御信号を算出し、この点弧角制御信号に基づき交流電源の電圧波形を位相調整する。そして、電力調整モジュール３０において、点弧制御された点弧制御電圧を予め設定されたゲインとなるようにディレイ調整された印加電圧で対をなす負荷４０に電力供給する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング電源で、電流検出回路を設けずに、負荷変動に伴う電圧上昇の抑制を可能とする。
【解決手段】スイッチング電源回路１４は、一次巻線と二次巻線とを有するトランス４１と、スイッチング信号を一次巻線に入力してトランス４１を駆動する一次側回路４０と、二次巻線に接続され、一次側回路４０とは電気的に絶縁されているゲートドライブ回路２０−ｎとを具備している。ゲートドライブ回路２０−ｎは、モータＥＣＵ１００からのＰＷＭ信号によって駆動されるゲート駆動回路２１−ｎと、ゲートドライブ回路２０−ｎに流れる電流を増大させるブリーダ抵抗Ｒ２０−ｎとを有し、モータＥＣＵ１００からのＰＷＭ信号を検出した場合に、ブリーダ抵抗Ｒ２０−ｎに流れる電流値を減少させる。 （もっと読む）

【課題】 簡便な回路構成で、高速に動作するゲート駆動回路を提供することである。
【解決手段】 パワー半導体素子のゲート端子に正電圧を印加するためのＮＰＮトランジスタと、パワー半導体素子のゲート端子に負電圧を印加するためのＰＮＰトランジスタと、ＮＰＮトランジスタと、ＰＮＰトランジスタとに直列に接続された遮断用抵抗器と、遮断用抵抗器に、正極がパワー半導体素子のゲート端子側となるように並列に接続された遮断用抵抗器切換え半導体スイッチとを備えたゲート駆動回路である。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子の発熱を抑制した過電圧抑制ゲート制御を確実、容易にし、さらにスイッチング素子を複数直列接続した半導体スイッチ回路における発振防止と分担電圧のバランス制御を確実、容易にする。
【解決手段】ゲートドライブ回路２によるゲート抵抗Ａを通したＩＧＢＴ１の主ゲート電流とは独立して、電圧補償ゲート制御回路３〜６はＩＧＢＴ１のコレクタ・エミッタ間電圧Ｖｃｅがしきい値を超えたときにゲート抵抗Ｂを通して電圧補償ゲート電流を注入し、電圧Ｖｃｅがしきい値を下回ったときに電圧補償ゲート電流の注入をオフする。
ゲート抵抗Ａの抵抗値に対してゲート抵抗Ｂの抵抗値を小さくする。電圧補償ゲート電流を注入した後にこのゲート電流の注入量とほぼ同じ電荷量分をＩＧＢＴ１からゲート電流として引き抜く。 （もっと読む）

【課題】 リカバリー電流を低減させつつ、出力ＭＯＳトランジスタのスイッチング応答性を高くすることができるゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】 制御信号Ｓｃｄの信号レベルが所定の第１レベルＬから第２レベルＨへ遷移する第１遷移を契機として出力ＭＯＳトランジスタ２のゲートへ充電を開始する第１チャージ回路６と、制御信号Ｓｃｄの第１遷移または第１期間Ｔｐ１の経過を契機として出力ＭＯＳトランジスタ２のゲートへの充電を開始する第２チャージ回路７と、制御信号Ｓｃｄの第１遷移から第１期間Ｔｐ１より長い所定の第２期間Ｔｐ２経過後に出力ＭＯＳトランジスタ２のゲートへ充電を開始する第３チャージ回路８とを備え、第２チャージ回路７の単位時間あたりの充電量は、第１チャージ回路６および第３チャージ回路８の単位時間あたりの充電量より少ない。 （もっと読む）

【課題】複数の電力用半導体素子を並列接続する場合において、スイッチング損失を従来よりも低減する。
【解決手段】電力用半導体装置２００は、互いに並列に接続された第１および第２の電力用半導体素子Ｑ１，Ｑ２と、駆動制御部１００とを備える。駆動制御部１００は、外部から繰返し受けるオン指令およびオフ指令に応じて第１および第２の電力用半導体素子の各々をオン状態またはオフ状態にする。具体的には、駆動制御部１００は、オン指令に対して、第１および第２の電力用半導体素子Ｑ１，Ｑ２を同時にオン状態にする場合と、第１および第２の電力用半導体素子Ｑ１，Ｑ２の一方をオン状態にした後に他方をオン状態にする場合とに切替え可能である。駆動制御部１００は、オフ指令に対して、第１および第２の電力用半導体素子Ｑ１，Ｑ２の一方をオフ状態にした後に他方をオフ状態にする。 （もっと読む）

【課題】ゲート駆動回路に無駄な電流が流れないようにし、消費電力を低減する。
【解決手段】本発明のゲート駆動回路は、制御電源１２と、一次巻線と二次巻線とを有するトランス８と、第１のスイッチング素子２１と、第２のスイッチング素子１４と、整流素子１５と、容量素子２０と、を備え、第１のスイッチング素子２１は、制御電源１２と前記一次巻線の一端との間に接続され、第２のスイッチング素子１４は、前記一次巻線の他端に接続され、整流素子１５の両端は、前記一次巻線の両端に並列接続され、容量素子２０の一端は、前記一次巻線の一端または他端に接続され、第１のスイッチング素子２１及び第２のスイッチング素子１４のうち一方の導通時に容量素子２０が制御電源１２により充電され、且つ、第１のスイッチング素子２１及び第２のスイッチング素子１４のうち他方の導通時に容量素子２０が放電されるように構成される。 （もっと読む）