【課題】コンデンサインプット形の整流回路を用いているにもかかわらず、入力電流のピーク値を抑えることのできる電力制御を低コストで実現すること。
【解決手段】交流電源３５からの交流電力をコンデンサインプット形のレギュレーター１０により整流して二次側負荷に供給し、かつ、交流電源３５からの交流電力をヒーター３８に供給するための電力制御方法である。この電力制御方法は、ヒーター３８に流れ込むヒーター入力電流Ｉｉ２を各半サイクルの全期間においてオンとする第１モード、および、ヒーター入力電流Ｉｉ２の各半サイクルにおいて、レギュレーター１０においてコンデンサの充電電流Ｉｃに起因する入力充電電流Ｉｉ３が流れている期間はヒーター入力電流Ｉｉ２をオフとしそれ以外の期間はヒーター入力電流Ｉｉ２をオンとする第２モード、が設けられ、第１モードまたは第２モードを選択して用いることにより制御を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチを小さい負担で駆動できるとともに、半導体スイッチに十分なゲート電流を流すことができ、しかも、ゲート配線のインピーダンスによる障害を回避できる半導体モジュール。
【解決手段】ゲートに印加される電圧に応じてオンオフする半導体スイッチＱ１と、半導体スイッチのソース電位に対して正極性を有する正極コンデンサ１１０と、半導体スイッチのソース電位に対して負極性を有する負極コンデンサ１１１と、正極コンデンサを充電する機能を有し、半導体スイッチをターンオンさせる場合は正極コンデンサからの電流を半導体スイッチのゲートに流すターンオン制御部１１２と、負極コンデンサを充電する機能を有し、半導体スイッチをターンオフさせる場合は負極コンデンサからの電流を半導体スイッチのゲートに流すターンオフ制御部１１３を備える。 （もっと読む）

【課題】 電力損失が小さく、発生ノイズが小さいパワー半導体モジュールを実現する。
【解決手段】 ワイドバンドギャップ半導体を利用したユニポーラ型スイッチング素子（ワイドバンドギャップ半導体スイッチング素子）１とシリコン半導体を利用した絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（Ｓｉ−ＩＧＢＴ）２を並列接続したパワー半導体モジュールで、ワイドバンドギャップ半導体素子１のチップ面積はＳｉ−ＩＧＢＴ２のチップ面積よりも小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ターンオン時のスイッチング特性が変動せず、また、電流回生時の電力損失を発生せずにスイッチング素子を安定してターンオンさせることができるゲート駆動回路。
【解決手段】ドレインとソースとゲートとを有し且つワイドバンドギャップ半導体かなるノーマリオフ型スイッチグ素子Ｑ１のゲートに制御回路からの制御信号を印加することによりスイッチング素子をオンオフ駆動させるゲート駆動回路であって、制御回路とスイッチング素子のゲートとの間に接続され、コンデンサＣ１と抵抗Ｒ１との直列回路と並列にノーマリオン型スイッチグ素子Ｑ２が接続され、スイッチング素子Ｑ２のゲートはＧＮＤに接続され、スイッチング素子Ｑ１のゲート電圧に応じたゲートバイアス電流を供給し、スイッチング素子Ｑ１のオフ時にはゲート・ソース間を短絡する。 （もっと読む）

【課題】並列に接続したＭＯＳＦＥＴの発熱を均一化することが可能な負荷回路の制御装置を提供する。
【解決手段】電源と負荷とを接続する負荷回路に、２個のＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１），（Ｑ２）を並列に配置する。そして、各ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１），（Ｑ２）が交互にオン、オフとなるように制御する。その結果、各ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１），（Ｑ２）のいずれか一方にのみ電流が流れることになるので、電流センサ１２，２２で検出されるオフセット誤差は、いずれか一方のオフセット誤差のみとなり、高精度な電流検出が可能となる。従って、負荷に流れる電流が過電流となった際に回路を遮断する制御を行う際に、高精度な遮断制御が可能となる。 （もっと読む）

【課題】ブートストラップダイオード（ＢＳＤ）を用いない新たな方式のブートストラップ回路を提供する。
【解決手段】ブートストラップ部用電源供給部１０は、抵抗Ｒ１からなる回路である。抵抗Ｒ１の一方の端子は、Ｐ母線と接続している。抵抗Ｒ１の他方の端子は、コンデンサＣ１およびツェナーダイオードＤ１の並列回路の一端と接続している。コンデンサＣ１は、充電された電圧をスイッチング素子駆動用回路（ＨＶＩＣ４）に印加する。抵抗Ｒ１は、メイン電源母線に一方の端子が接続し、他方の端子がコンデンサＣ１と接続して、メイン電源母線の電圧をコンデンサＣ１に印加する。抵抗Ｒ１によって、メイン電源側からブートストラップ回路のコンデンサＣ１を充電することができる。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子を複数並列に接続して逆変換器等を構成した場合にも簡易かつ確実に電流アンバランスを解消することができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】ゲート調整回路１２は、基準素子ユニット５０１における直流電流検出器５４１の直流電流の検出値Ｉｄ１および、基準素子ユニット５０１以外の素子ユニット５０２における直流電流検出器５４２の直流電流の検出値Ｉｄ２に基づいて、それぞれ時間γ１および時間γ２から時間差Δｔを電流アンバランス量として算出する。ゲート調整回路１２は、時間差Δｔを次の第１状態におけるターンオフのタイミングで、ゲート駆動回路５５２ｕの動作信号Ｓ２ｕに遅延時間として付加する。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型電界効果トランジスタとＮ型電界効果トランジスタとが同時にオン状態になる期間内で発生する短絡電流に起因する消費電力の増大を抑制するともに、パワー素子を高速スイッチングさせることが可能なゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】このゲート駆動回路１１は、ＰｃｈＦＥＴ１２と、ＮｃｈＦＥＴ１３と、駆動信号が入力される入力側とＰｃｈＦＥＴ１２のゲート（Ｇ）およびＮｃｈＦＥＴ１３との間に設けられ、電源電位ＶＣＣに接続されているツェナーダイオード１４およびツェナーダイオード１５とを備え、ツェナーダイオード１４および１５は、ＰｃｈＦＥＴ１２およびＮｃｈＦＥＴ１３のゲート（Ｇ）に印加される電圧を、ＰｃｈＦＥＴ１２およびＮｃｈＦＥＴ１３のゲート（Ｇ）の閾値電圧側にシフトさせるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】ワイドギャップ半導体のターンオフの速度を高速化できるゲート駆動回路。
【解決手段】負極が接地された正電源Ｅ１と、正極が接地された負電源Ｅ２と、正電源の正極と負電源の負極との間に設けられ、制御信号を生成する制御回路１１と、正電源の正極と負電源の負極との間に設けられたトランジスタＱ１とトランジスタＱ２との直列回路と、ドレイン端子、接地されたソース端子及びＱ１とＱ２との接続点に接続されたゲート端子を備えたワイドバンドギャップ半導体からなるスイッチング素子ＧａＮＦＥＴと、制御信号のオフ時にＱ１を所定時間だけオンさせＱ１を介して負電源の電圧をスイッチング素子のゲート端子に印加するターンオフ制御回路１３と、スイッチング素子のゲート端子と接地との間に設けられ、制御信号のオフ時にそのゲート端子とソース端子を短絡させるトランジスタＱ３とトランジスタＱ４との直列回路を備える。 （もっと読む）

【課題】双方向に導通可能なスイッチング素子に逆電流が流れた場合であってもスイッチング素子の損失を低減させることができるゲート駆動回路。
【解決手段】双方向に導通可能なスイッチング素子ＳＷと、スイッチング素子のオンオフを制御する制御部１１と、スイッチング素子に流れる電流を検出する電流検出部１２と、電流検出部によってスイッチング素子に逆方向の電流が流れたことが検出された時に、制御部によるオンオフの制御とは独立に、スイッチング素子をオン制御するゲート駆動部１３とを備える。 （もっと読む）