【課題】双方向に導通可能なスイッチング素子に逆電流が流れた場合であってもスイッチング素子の損失を低減できるゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】双方向に導通可能なスイッチング素子Ｑ１のゲートに正電圧を印加してオンさせ、ゲートに負電圧を印加してオフさせる駆動部２と、スイッチング素子Ｑ１に逆方向電流が流れる前にゲートへの負電圧の印加を解除する負電圧解除部３とを備える。 （もっと読む）

【課題】交流電源の電圧波形が変動する場合でも当該変動に対応した位相制御を行い、不具合の生じにくい位相制御を行えるようにすること。
【解決手段】交流電源４００から供給される交流電力を用いて位相制御を行う電力制御方法であって、交流電圧Ｖの絶対値が所定の値以下であることに対応して第１レベルを示し交流電圧の絶対値が所定の値より大きいことに対応して第２レベルを示すゼロクロス信号Ｓｚを生成し、このゼロクロス信号Ｓｚにおける、交流電圧Ｖの絶対値が所定の値以下である際の時間幅であるゼロクロス幅および交流電圧の絶対値が所定の値以上である際の時間幅である非ゼロクロス幅を検出し、検出したゼロクロス幅および検出した非ゼロクロス幅に基づいて、交流電圧Ｖの周波数および電圧値を検出し、検出した交流電圧Ｖの周波数および電圧値に応じて位相制御を行う。 （もっと読む）

【課題】印加可能なゲート電圧の制約条件を満たしながら、高速スイッチングによる低損失特性を満足させるとともに、誤オン動作等のインバータとしての不正動作を阻止することのできるゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】ＳｉＣで形成された接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）１のゲート側にゲート抵抗（Ｒｇ１）３を設け、スイッチ５を介してゲート電源（Ｖｓｇ）７と接続し、ＪＦＥＴ１のゲート・ソース間に、ＪＦＥＴ１のドレイン・ゲート間に生じる浮遊容量（Ｃｆ１）９よりも大きな容量を有するコンデンサ（Ｃｇ）１１を設ける。 （もっと読む）

【課題】複数のスイッチング素子を含む電力変換器において、動作モードに応じてスイッチング速度を制御することによって、サージ電圧抑制およびスイッチング損失低減の両立を図る。
【解決手段】電力変換器５０は、スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ４を独立にオンオフ制御して、直流電源１０，２０および負荷３０の間で電力変換を実行する第１の動作モードと、スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ４のうちの２個ずつを共通にオンオフ制御して、直流電源１０または２０と負荷３０の間で電力変換を実行する第２の動作モードとを有する。スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ４の各々のターンオンおよびターンオフ時におけるスイッチング速度は、動作モードに応じて制御される。具体的には、第２の動作モードにおけるスイッチング速度は、第１の動作モードにおけるスイッチング速度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体素子のコントロールコンタクトとメインコンタクトとの間のショート回路が、システム全体の全体的な安定性および／または制御性に影響しないような、複数のパワー半導体素子（例えばＩＧＢＴ）のコントロールコンタクトを駆動するためのシステムを提供する。
【解決手段】複数のパワー半導体素子のためのコントロールコンタクト駆動システムは、パワー半導体素子のコントロールコンタクトをプルアップおよび／またはプッシュダウンするための参照電流を提供するのに適した電流ドライバユニット１と、パワー半導体素子のコントロールコンタクトへの参照電流を増幅および／または分配するのに適した電流ディストリビュータユニット３とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＴのゲートドライブ回路に正負の電源を必要とせず、簡単な受動素子のみの回路で、ゲート電位に正極／負極電位を印加しＦＥＴの高速スイッチングドライブを可能とする。
【解決手段】電流路が導通する電位を超える電位１を、電流路の一端を基準電位として、制御端に容量素子を介して断続的に印加されるべく構成され、電位１が印加されたとき、電位１が前記定電圧素子１に対して、電流路が導通に要す定電圧素子１の有する降伏電圧１を発生すべく、かつ電位１が定電圧素子２に対して順方向に、電位１が印加された後、電位１が低下されたとき、電位１により容量素子に充電された電位２が電流路の一端を基準電位とし定電圧素子２に対して、電位１と逆極性の、定電圧素子２の有する降伏電圧２を発生すべく、かつ電位２が定電圧素子１に対して順方向に、定電圧素子１と定電圧素子２の直列接続回路を、制御端と電流路の一端との間に介在させた。 （もっと読む）

【課題】３相インバータを構成するスイッチング素子の操作信号の伝送と駆動回路への電力の供給とをトランス１つで行なうことが困難なこと。
【解決手段】マイクロプロセッサ５０から出力される操作信号ｇ￥＃は、エンコーダ４１にてマンチェスタ符号にて符号化され、１次側コイルＷ１の印加電圧信号となる。２次側コイルＷ２ｕには、電源回路６０およびデコードユニット７０が並列接続されている。電源回路６０は、スイッチング素子Ｓｕｐの駆動部２０の電源を生成する。これに対し、デコードユニット７０は、２次側コイルＷ２ｕに伝送された電圧信号の復号処理をすることで、スイッチング素子Ｓｕｐの操作信号ｇｕｐを抽出し、駆動部２０に出力する。 （もっと読む）

【課題】低ゲート消費電力で、高速かつ確実にスイッチング素子をオンオフさせる半導体スイッチング回路、及びそれを用いた半導体モジュール、電力変換モジュールを提供する。
【解決手段】スイッチング素子１，１１を有するスイッチング回路２０，２１において、容量４，１４と抵抗５，１５との容量抵抗並列接続回路３，１３と、ダイオード直列接続回路７，１７とこのダイオードと逆方向に並列に接続されたダイオード８，１８とを有するダイオード直列並列接続回路６，１６とを有し、スイッチング素子１，１１のゲート端子には容量抵抗並列接続回路３，１３の一端が接続され、この他端とゲート駆動用回路９の出力端子との間には、ダイオード直列接続回路７，１７のダイオードのアノード端子をゲート駆動用回路９側、このカソード端子をスイッチング素子１，１１のゲート端子側にして、ダイオード直列並列接続回路６，１６が接続されている。 （もっと読む）

【課題】単発的な異常が原因でブートストラップ電圧の低下を一時的に検出した場合に、上アームスイッチング素子の動作停止期間を最短に制御することが可能な電力変換装置を提供する。
【解決手段】電圧監視回路２４は、ブートストラップコンデンサ２２に充電されているブートストラップ電圧(c)を監視する。電圧監視回路２４は、上アームスイッチング素子駆動信号(b)の上アームスイッチング素子１１への出力を、ブートストラップ電圧(c)が閾値電圧以上であれば実行し、ブートストラップ電圧(c)が閾値電圧よりも低下すれば停止する。停止期間制御回路２５は、電圧監視回路２４が上アームスイッチング素子１１への上アームスイッチング素子駆動信号(b)の出力を停止する期間を制御する。 （もっと読む）

【課題】ハイサイドにｎ型ＭＯＳＦＥＴを使用する昇降圧コンバータにおいて、より容易に昇圧モードを実現する。
【解決手段】昇降圧コンバータ１００は、降圧モードにおいて、ハイサイドｎ型ＭＯＳＦＥＴ１３４のオンオフにより、バッテリ電圧Ｖｂａｔよりも低い駆動電圧Ｖｄを生成する降圧部１０２と、昇圧モードにおいて、ローサイドｎ型ＭＯＳＦＥＴ１２８のオンオフにより、バッテリ電圧Ｖｂａｔよりも高い駆動電圧Ｖｄを生成する昇圧部１０４と、昇圧モードにおいて、ローサイドｎ型ＭＯＳＦＥＴ１２８のオンオフを利用してブートストラップキャパシタ１１４を充電する充電部１４２と、昇圧モードにおいて、充電されたブートストラップキャパシタ１１４の他端１１４ｂの電圧Ｖｂをハイサイドｎ型ＭＯＳＦＥＴ１３４のゲートに印加するハイサイドスイッチ駆動部１３８と、を備える。 （もっと読む）