【課題】内部ダイオード又は外部ダイオードを使用せずに、逆方向へ導通可能なＭＯＳ−ＦＥＴ回路を提供すること。
【解決手段】ＭＯＳ−ＦＥＴ（１０）と、このＭＯＳ−ＦＥＴ（１０）のドレインをマイナス入力に接続し、ソースをプラス入力に接続したオペアンプ（１５）と、このオペアンプ（１５）の出力を一方の入力とし、ゲート端子（１４）を他方の入力とした第一ＯＲ回路（１７）とからなり、前記第一ＯＲ回路（１７）の出力を前記ＭＯＳ−ＦＥＴ（１０）のゲートに接続した。 （もっと読む）

【課題】同時オン防止回路を有し、かつ3レベル電力変換装置の構成部品を少なくし信頼性を向上した3レベル電力変換装置のゲート駆動装置を提供する。
【解決手段】3レベル電力変換装置は、一対の直流電源端子間に順次直列に接続された第一ないし第四の半導体スイッチング素子4〜7をそれぞれ、第一ないし第四のゲート駆動回路28〜31により駆動し、第一及び第二の半導体スイッチング素子4、5のみをオンしたときプラス出力、第二及び第三の半導体スイッチング素子5、6のみをオンしたとき零出力、そして、第三及び第四の半導体スイッチング素子6、7のみをオンしたときマイナス出力を出力する。その際、第一の駆動回路28と第三の駆動回路29、第二の駆動回路30と第四の駆動回路31をそれぞれ同一の基板に実装し、各基板上において、通信線を介して相互に論理回路に接続し、いずれか一方のゲート駆動回路がオンしている時に他方のゲート駆動回路をオフする。 （もっと読む）

【課題】更なる信頼性向上を図れる電力変換装置及び電力変換システムを提供すること。
【解決手段】上記課題を解決するために、例えば、インバータ回路は、前記モータ制御回路からのＰＷＭ信号に基づき前記インバータ回路を構成する半導体スイッチング素子を駆動するゲートドライブ回路とサージ電圧検出信号を検出するサージ電圧検出回路を備え、サージ電圧検出回路により検出されたサージ電圧検出信号はモータ制御回路に入力され、サージ電圧検出信号を検出した際に前記電流指令生成部からの電流指令値と所定の電流指令値と対比することによりサージ電圧を抑制するサージ電圧抑制手段の実施の可否を選択するような手段を設けるようにすればよい。 （もっと読む）

【課題】より簡単な構成で、出力トランジスタを確実にオフ状態に維持できるトランジスタ駆動回路を提供する。
【解決手段】ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ５とコイル２との共通接続点；出力端子ＯＵＴとグランドとの間にフライホイールダイオード３を接続する。ＦＥＴ５のゲートには、ＮＰＮトランジスタ６及びＰＮＰトランジスタ７のプッシュプル回路により制御信号を出力し、トランジスタ７のベースとグランドとの間にＮＰＮトランジスタ１１を接続し、トランジスタ１１のベースとグランドとの間にＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１４を接続して、ＦＥＴ１４にＰＷＭ信号を入力する。ダイオード１３は、ＦＥＴ１４がオフ状態になるとトランジスタ１１のベースにベース電流を供給し、ダイオード１５をダイオード１３のアノードとトランジスタ６及び７のベースとの間に接続する。ＮＰＮトランジスタ２２をＦＥＴ５のゲートと出力端子との間に接続し、トランジスタ２２をＰＷＭ信号に応じてＦＥＴ５がオフする際にオンさせる。 （もっと読む）

【課題】貫通電流の発生を防止することのできる出力回路を提供する。
【解決手段】実施形態の出力回路は、出力用ＮＭＯＳトランジスタＮ１００のドレイン端子に入力電圧ＶＤＩＮが印加され、ソース端子ＯＵＴにＬＣ回路およびダイオードＤが接続される。この出力回路は、ＮＭＯＳトランジスタＮ１およびＮ２が、出力用ＮＭＯＳトランジスタＮ１００のソース端子ＯＵＴとゲート端子との間に直列に接続され、ＮＭＯＳトランジスタＮ３が、ＮＭＯＳトランジスタＮ１とＮＭＯＳトランジスタＮ２の接続点と接地電位端子ＧＮＤとの間に接続され、制御回路１が、出力用ＮＭＯＳトランジスタＮ１００が非導通のときに出力用ＮＭＯＳトランジスタＮ１００のソース端子ＯＵＴとゲート端子との間に短絡経路が形成されるようＮＭＯＳトランジスタＮ１〜Ｎ３の導通を制御する。 （もっと読む）

【課題】従来のゲート駆動回路で高速スイッチングさせる場合、複数の直流電源と、複数の制御用スイッチと、複雑な制御回路が必要で、装置が大型で、高価格となっていた。
【解決手段】制御用スイッチ直列回路の中点にスイッチング素子のゲート端子を、制御用スイッチ直列回路と並列に直流電源を、制御用スイッチ直列回路の正極端子と制御対象となるスイッチング素子のソース端子との間に小さい静電容量のコンデンサとダイオードとの並列回路と十分大きい静電容量を有するコンデンサとの直列回路を、スイッチング素子のソース端子と制御用スイッチ直列回路の負極端子との間に小さい静電容量のコンデンサとダイオードの並列回路を、各々接続する。 （もっと読む）

【課題】ターンオン時のスイッチング特性が変動せず、電力損失を発生せずにスイッチング素子を安定してターンオンさせることができるゲートドライブ回路。
【解決手段】ワイドバンドギャップ半導体かなるスイッチング素子Ｑ１のゲートに制御回路からの制御信号を印加することによりスイッチング素子をオンオフ駆動させるゲートドライブ回路であって、制御回路とスイッチング素子のゲートとの間に接続されたコンデンサＣ１と抵抗Ｒ１とからなる並列回路と、並列回路にコンデンサＣ２とスイッチング素子Ｑ２と抵抗Ｒ２からなる直列回路がさらに並列接続され、コンデンサＣ２とスイッチング素子Ｑ２との接続点にダイオードＤ１のアノードが接続され、ダイオードＤ１のカソードとスイッチング素子Ｑ２のゲートはスイッチング素子Ｑ１のソースに接続され、制御信号のオフ信号に対してスイッチング素子Ｑ１ゲートを負電位にバイアスする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＩＧＢＴの制御信号のゲート−エミッタ電圧の傾きを制御するＩＧＢＴ駆動方法を提供する。
【解決手段】本発明によるＩＧＢＴ駆動方法によって、ＩＧＢＴのゲート−エミッタ間電圧の傾きを低減して、ＩＧＢＴの両端に印加される過度電圧を低減できる。 （もっと読む）

【課題】両極性ブートストラップ回路のキャパシタ充電を短絡電流が流れることがなく安全かつ確実に実施できる電力変換装置を提供する。
【解決手段】各レグ２〜４を構成する上下の各アームのスイッチング素子ＳｕＨ、ＳｕＬ、・・・に対しオン／オフ駆動用の正負両極の電圧を印加するアーム駆動回路ＤＲｕＨ、ＤＲｕＬ、・・・を個別に設け、直流電源Ｖｇ１〜Ｖｇ３からの電力により正負の各電圧を充電する各キャパシタＣ１ｕ、Ｃ２ｕ、・・・を上下の各アームに設け、かつ各レグ２〜４に両極性ブートストラップ回路５〜７を配置し、キャパシタ充電制御を行う制御回路８は、多相交流電源１の各相の電圧の中で最も高い電圧が入力されているレグの上段アーム側のスイッチング素子と、最も低い電圧が入力されているレグの下段アーム側のスイッチング素子のみをオンする制御信号を各相の電圧変化に応じて繰り返し出力する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング損失の増大を抑制しつつ、より高い周波数帯で発生するスイッチングノイズを抑制できるスイッチング素子の駆動装置を提供する。
【解決手段】スルーレート調整部は、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴを介してＤＣモータに出力される電圧波形のスルーレートを変化させ、キャリア周波数によって決まる周波数帯よりも高い周波数帯域に現れるスイッチングノイズの周波数成分を分散させてピークレベルを低下させる。 （もっと読む）