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国際特許分類[H03F3/60]の内容

電気 (1,674,590) | 基本電子回路 (63,536) | 増幅器 (10,074) | 増幅素子として電子管のみまたは半導体装置のみをもつ増幅器 (6,434) | 結合回路網が分布定数をもつ増幅器,例.導波管共振器をもつもの (397)

国際特許分類[H03F3/60]に分類される特許

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【課題】 電力合成器の横寸法を低減しつつ、横寸法の低減に伴う特性劣化を防止する。
【解決手段】 入力側から第1線路、折返し線路、第2線路、直線線路が接続される直列回路を構成し、入力側が入力端子に接続される第1インピーダンス変成器と、第1インピーダンス変成器と同構成の第2インピーダンス変成器と、第1及び第2インピーダンス変成器とループを構成するアイソレーション回路と、第1及び第2インピーダンス変成器が共有する出力接点と出力端子との間に配置される出力インピーダンス変成器とを有する電力合成器であって、第1線路と第2線路は互いに平行に配置され、ループの横縦アスペクト比が1より小さく、第1線路の線幅を第1折返し線路の線幅より狭くして入力信号位相を90度回転し、アイソレーション回路で入力インピーダンスと整合し、出力インピーダンス変成器で出力インピーダンスと整合する。 (もっと読む)


【課題】窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタ(GaN HEMT)電力素子を用いて広い範囲で高い効率を持つようにした高周波用3ステージ(Three−Stage)GaN HEMTドハティ電力増幅器を提供する。
【解決手段】そのための本発明は、キャリア増幅器及び第1及び第2のピーク増幅器を含む高周波用3ステージ窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタドハティ電力増幅器において、前記キャリア増幅器と第1及び第2のピーク増幅器に入力信号を分配するための10dB電力分配器;前記キャリア増幅器の入力電力を調整するための第1の経路部;及び広い出力電力範囲で高い効率を維持させるための第2の経路部を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】より広い周波数範囲で同時的な高電力と高電力付加効率(PAE)をもたらす改良されたE級増幅器を提供する。
【解決手段】2段のE級の高電力増幅器100は駆動装置段102、E級段間整合ネットワーク(ISMN)104、負荷回路を使用する高電力段106を含んでいる。負荷回路はスイッチングモード回路の出力に結合されている直列の誘導性−容量性ネットワークと、スイッチングモード回路の出力に結合されているキャパシタンスを提供するための回路を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】所望の数の周波数帯で動作する可変整合回路に必要な構成回路素子数を減らす。
【解決手段】伝送線路11Lに、第1の線路スタブSB1と、2つのスイッチSW1, SW2の一端を入力端から順次間隔L1, L2, L3をあけてそれぞれ接続し、2つのスイッチの他端は第2の線路スタブSB2接続し、第1及び第2線路スタブは開放端あるいは短絡端を有し、スイッチSW1, SW2のON,OFFの組み合わせにより4つの周波数帯での整合を選択可能にされている。 (もっと読む)


【課題】全てのトランジスタに対して最適かつ等位相で高調波を反射させ、高い出力かつ高い効率で動作する高周波増幅器を得る。
【解決手段】FET1Aのドレイン(D)に一端が接続された四角形線路部5A、FET1BのDに一端が接続された四角形線路部5B、並びに四角形線路部5A及び5Bの他端を接続する弓形線路部5Cを有する伝送線路5と、四角形線路部5A及び5Bの間に配置された伝送線路6Bと、四角形線路部5Aに対して伝送線路6Bと反対側に配置された伝送線路6Aと、四角形線路部5Bに対して伝送線路6Bと反対側に配置された伝送線路6Cとを備え、伝送線路6A、6B、6Cの電気長は、高調波の1/4波長であり、伝送線路6A、6B、6Cのそれぞれのビアホール7A、7B、7Cは、伝送線路6A、6B、6Cの一端に接続される。 (もっと読む)


【課題】広い入力レベル範囲にわたって高い効率を実現することが可能な増幅回路を提供する。
【解決手段】増幅回路101において、入力側高調波整合回路3および出力側高調波整合回路4により、トランジスタTRの制御電極から前段側を見たインピーダンスのうち基本周波数の高調波に対するインピーダンスと、トランジスタTRの導通電極から後段側を見たインピーダンスのうち基本周波数の高調波に対するインピーダンスとが、それぞれ、対象信号のレベルが異なる条件下において整合されている。 (もっと読む)


【課題】差分周波数Δfが数百MHzにおいても高周波半導体チップのドレイン端面の電圧が平滑化された半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波半導体チップと、高周波半導体チップの入力側に配置された入力整合回路と、高周波半導体チップの出力側に配置された出力整合回路と、入力整合回路に接続された高周波入力端子と、出力整合回路に接続された高周波出力端子と、高周波半導体チップに接続される平滑化キャパシタ用端子とを備え、高周波半導体チップと、入力整合回路と、出力整合回路とが1つのパッケージに収納された半導体装置。 (もっと読む)


【課題】差分周波数Δfが数百MHzにおいても電力増幅器用バイアス回路のリップル電圧ΔVが抑制されてバイアス回路電圧が平滑化され、マイクロ波/ミリ波/サブミリ波帯の高周波に適用可能な電力増幅器用バイアス回路を提供する。
【解決手段】電力増幅器の出力側整合伝送線路のバイアス回路接続点に接続された第1ボンディングワイヤと、第1ボンディングワイヤの終端に接続された第2ボンディングワイヤと、第1ボンディングワイヤの終端に接続されたオープンスタブ伝送線路と、第2ボンディングワイヤの終端に接続されたバイパスリザバーキャパシタとを備える電力増幅器用バイアス回路。 (もっと読む)


【課題】分布定数線路の長さの誤差または製造ばらつき等による特性変動を抑制すること。
【解決手段】制御端子と、第1端子と、第2端子と、を有する第1トランジスタT1と、制御端子に前記第1トランジスタの第2端子が接続し、第2端子に直流電源が接続される第2トランジスタT2と、前記第2トランジスタの第1端子から前記第1トランジスタの第2端子に直流電流を供給する、互いに独立した配線からなる複数の直流経路11、12と、前記複数の直流経路内にそれぞれ直列に設けられた分布定数線路L11、L12と、を具備する電子回路。 (もっと読む)


【課題】電流共有増幅器を用いた信号増幅を提供する。
【解決手段】電力増幅器は増幅段を有する。増幅段はトランジスターを有する。また少なくとも1つの増幅段は駆動段を有する。増幅段は、第1のトランジスターと有し及び第1の出力電力と関連付けられた第1の増幅段、並びに第2の出力電力と関連付けられた第2のトランジスターを有する第2の増幅段、を有する。電流共有結合は、第1の増幅段と第2の増幅段を結合する。第1の増幅段と第2の増幅段は、電流共有結合を通じて電流を共有する。電流共有結合は、第1の出力電力と第2の出力電力のスケーリングを助ける。 (もっと読む)


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