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国際特許分類[H03F3/60]の内容

電気 (1,674,590) | 基本電子回路 (63,536) | 増幅器 (10,074) | 増幅素子として電子管のみまたは半導体装置のみをもつ増幅器 (6,434) | 結合回路網が分布定数をもつ増幅器,例.導波管共振器をもつもの (397)

国際特許分類[H03F3/60]に分類される特許

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【課題】発振抑制用の抵抗を備えながら高周波処理による高効率化を図る。
【解決手段】分配された高周波信号を伝送線路14a,14bの一端の入力部13a,13bに供給し、伝送線路14aは直列接続された伝送線路15aを介して被増幅用高周波信号として出力部16aから次段の増幅用トランジスタに供給する。伝送線路14bは直列接続された伝送線路15bを介して被増幅用高周波信号として出力部16bから次段の増幅用トランジスタに供給する。伝送線路14a,15aの接続点Paに一端を接続したスタブ19aと伝送線路14b,15bの接続点Pbに一端を接続したスタブ19bとの間に発振抑制用の抵抗R1を介挿接続した。接続点Pa,Pbの電位差がない場合は、抵抗R1が見えない状態となり、スタブ19a,19bは高周波信号処理の効率化に寄与し、抵抗R1はセルA,B間のループ発振の抑制させることが可能となる。 (もっと読む)


【課題】パッケージの電極部と整合回路との間で生ずるインピーダンスの不整合を改善することができる高周波半導体装置を提供すること。
【解決手段】入出力用電極部16、17を有するパッケージ11とパッケージ内部に載置された半導体チップ12と半導体チップおよび入出力用電極部にそれぞれ電気的に接続された入出力整合回路パターン22、31と、入出力整合回路パターンと入出力用電極部16、17とをそれぞれ接続する第1、第5の導体線23、32と、入力整合回路パターン22および出力整合回路パターン31上にそれぞれ載置された小型チップコンデンサ24、33と、これらの小型チップコンデンサと入力用電極部とを接続する第2、第6の導体線25、34と、を具備し、小型チップコンデンサは、小型チップコンデンサの容量および第2、第6の導体線25、34のインダクタンスによって決定される共振周波数が、使用周波数帯に含まれる容量を有する。 (もっと読む)


【課題】RF電力増幅器の高効率動作
【解決手段】入力電力は分割され、不均等にキャリア増幅器および複数のピーク増幅器に供給されることによって、増加された電力負荷効率(PAE)および直線性を実現できる。それぞれのピーク増幅器は、キャリア増幅器へ提供される入力信号レベルより高い入力信号レベルを提供される。ピーク増幅器は、均等電力分割を用いて達成されえるよりも、より効率的にRF信号によって持ち上げられえ、よってスレッショルド近くにトランジスタのトランスコンダクタンス特性を補償し、同じ効率についてのバックオフ能力を増し、または同じバックオフ点における直線性を改善しえる。 (もっと読む)


【課題】利得を向上させ、高周波信号を供給するドライバアンプの消費電力を減少させることが可能な最終段に使用されるドハティ型の高周波増幅器を提供する。
【解決手段】高周波増幅器は、挿入される線路の線路インピーダンスが予め設定され、入力された高周波信号を第1の信号と第2の信号とに分配するハイブリットと、第1の信号を増幅するメインアンプと、第2の信号を増幅するピークアンプとを具備する。ハイブリットは、高周波信号が入力される第1のポートと、メインアンプへ向けて第1の信号を出力する第2のポートと、ピークアンプへ向けて第2の信号を出力する第3のポートと、オープン接続された第4のポートとを備える。 (もっと読む)


【課題】 電力増幅器に発生するホットキャリアの影響を抑制する。
【解決手段】 一つの実施形態の電力増幅器には、半導体層に形成され、少なくとも1つ以上から構成され、電力増幅動作する第1のグロースリングゲート構造体と、半導体層に形成され、第1のグロースリングゲート構造体を取り囲むように隣接配置され、第1の構造体が電力増幅動作するときに、逆バイアスが印加されて空乏化領域が形成され、第1の構造体を周囲からアイソレートする複数の第2のグロースリングゲート構造体とが設けられる。 (もっと読む)


【課題】 誤差増幅器から出力される歪成分の信号を全て無駄なく有効利用して、電力効率を向上させることができ、広帯域の信号に適用可能な電力合成増幅器を提供する。
【解決手段】 入力信号を3分配する分配器1と、位相及び振幅を調整した第1の分配信号を増幅する第1の増幅器4と、第2の分配信号と第1の増幅器4の出力とを逆位相で合成して歪成分を出力する分配合成器6と、歪成分を増幅する第2の増幅器9と、第2の増幅器9の出力と第3の分配信号とを合成する第1の合成器11と、第1の合成器11の出力を増幅する第3の増幅器14と、分配合成器6から出力される第1の増幅器4の出力信号と、第3の増幅器14の出力信号について、歪成分を逆相で合成して相殺し、信号成分を同相で合成して増幅器出力とする第2の合成器16とを備え、分配器1と、分配合成器6と、第1及び第2の合成器とをウィルキンソンカプラで構成した電力増幅器としている。 (もっと読む)


【課題】出力特性の平坦度が良好な広帯域増幅器を提供する。
【解決手段】第1中心周波数有する第1増幅ユニットと、第1増幅ユニットに並列に配置され、第1中心周波数よりも高い第2中心周波数を有する第2増幅ユニットと、第1増幅ユニットの入力と第2増幅ユニットの入力に接続された電力分配器と、第1増幅ユニットの出力と第2増幅ユニットの出力に接続された電力合成器とを備える広帯域増幅器。 (もっと読む)


【課題】高い歩留りを得ながらゲートスロープを抑制することができるアナログ回路を提供する。
【解決手段】アナログ回路には、発振トランジスタ27と、発振トランジスタ27に対する負性抵抗を変更する負性抵抗変更回路と、が設けられている。負性抵抗変更回路には、可変抵抗回路及び可変容量回路が含まれている。可変抵抗回路には、抵抗体29、抵抗体31及びトランジスタ(スイッチ)35が含まれ、可変容量回路には、キャパシタ30及び可変容量ダイオード36が含まれている。 (もっと読む)


【課題】異なる周波数帯の分波を可能とする分布増幅器を提供する。
【解決手段】本発明の分布増幅器は、第1,第2,第3伝送線路の一端を第1接続点で接続し、第1伝送線路の他端を第1入力端、第2伝送線路の他端を第2入力端とする入力疑似線路と、第4,第5,第6伝送線路の一端を第2接続点で接続し、第4伝送線路の他端を第1出力端、第5伝送線路の他端を第2出力端とする出力疑似線路と、入力端子が第1接続点、出力端子が第2接続点に接続された増幅部からなる単位増幅器と、第1帯域で左手系、第1帯域より高い第2帯域で右手系特性となるCRLH線路から構成され、信号入力端子を初段の第1入力端に接続し、第2入力端を次段の第1入力端に接続し、最終段の第2入力端を終端回路に接続し、第1信号出力端子が初段の第1出力端に、第2出力端がCRLH線路の第1入出力端子に、CRLH線路の第2入出力端子が次段の第1出力端に、最終段の第2出力端が第2信号出力端子にそれぞれ接続されている。 (もっと読む)


【課題】シャントの寄生キャパシタンス成分を相殺することができ、高域周波数帯における特性劣化を抑圧することができる高周波多段能動回路を得る。
【解決手段】高周波多段能動回路の段間インピーダンス整合回路20として、誘電体基板21上において一対の長さ1/4波長未満のくし型の導体電極パターンを対向して形成されるインターデジタルキャパシタを含み、かつこのインターデジタルキャパシタのくし型電極23a、23bの要部に誘導性スタブを接続し、かつこの誘導性スタブを介して能動デバイス10、30へのバイアス電圧を印加した。 (もっと読む)


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