【課題】
低背化が可能であり、非常に小型で、且つ、気密封止が可能な圧電デバイスを提供する。
【解決手段】
第１の半導体基板と、第１の半導体基板上に形成される下部電極と、第１の半導体基板と下部電極との間に形成される空隙部または音響反射層と、下部電極上に形成される圧電薄膜と、圧電薄膜上に形成される上部電極とを有する薄膜圧電共振器が、梯子型または格子型に接続されてなる薄膜圧電フィルタを含む第１の基板と、第２の半導体基板上に電気要素が形成されている第２の基板とが接合され、接合部分は気密封止されている圧電デバイス。 （もっと読む）

【課題】
相互変調ひずみに関するノイズの発生を抑制することができる分波器を提供する。
【解決手段】
第１薄膜圧電共振器フィルタと、第１薄膜圧電共振器フィルタより高い周波数の通過帯域を有する第２薄膜圧電共振器フィルタと、アンテナ端子とを備える分波器であって、前記分波器は第１インダクタと第１キャパシタとが直列に接続された共振回路と、第２インダクタを備え、共振回路は直列共振を発生し、その直列共振周波数をＦｒ１とし、第１薄膜圧電共振器フィルタの通過帯域の中心周波数をＦｆ１とし、第２薄膜圧電共振器フィルタの通過帯域の中心周波数をＦｆ２としたとき、前記Ｆｒ１が（２×Ｆｆ１）乃至（３×Ｆｆ２）の範囲内となるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】フィルタの低損失化及び広帯域化を行う。
【解決手段】入力側の並列共振器Ｐ１１に対して並列にインダクタＬ１１が接続され、出力側の直列共振器Ｓ１２に対して並列にインダクタＬ１２が接続されている。インダクタＬ１１及びＬ１２は、それぞれ異なる経路上（直列共振器と並列共振器との間の経路上）に接続されている。このような構成とすることにより、入出力間においてインピーダンス整合を行うことができるので、低損失かつ広帯域のラダー型フィルタを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】共振特性の劣化を抑制すること。
【解決手段】基板１０と、前記基板上に設けられた圧電薄膜１４と、前記圧電薄膜の少なくとも一部を挟んで設けられた下部電極１２および上部電極１６と、前記圧電薄膜を挟み前記下部電極および上部電極が対向する共振領域５０と、前記共振領域に複数の島パターンを備える第１質量負荷膜２８と、前記共振領域に前記複数の島パターンに対応する位置にそれぞれ設けられた複数の開口パターンを備える第２質量負荷膜２９と、を具備する弾性波デバイス。 （もっと読む）

【課題】アンバランス−バランス変換を行うフィルタをＦＢＡＲで実現する。
【解決手段】主端子に接続されている主トランスデューサと、複数の副端子に接続されている副トランスデューサと、主トランスデューサと副トランスデューサとを機械的に結合する結合トランスデューサとを備えている。主トランスデューサ及び副トランスデューサと結合トランスデューサとの間には、音響カプラー膜１１が備わる。 （もっと読む）

【課題】小型で、アイソレーションが良好なデュープレクサを実現する。
【解決手段】不平衡型の送信フィルタ３１と、平衡型の受信フィルタ３２と、送信フィルタ３１に接続されている送信ポート３３と、受信フィルタ３２に接続されている主受信ポート３４ａ及び副受信ポート３４ｂとを備えたデュープレクサにおいて、送信ポート３３と主受信ポート３４ａ及び副受信ポート３４ｂとの間に接続されている静電結合部３６を備えている。静電結合部３６は、送信ポート３３から主受信ポート３４ａへ流れる電力と、送信ポート３３から副受信ポート３４ｂへ流れる電力との位相を調整する。 （もっと読む）

【課題】スプリアス振動に基づくノイズの発生を抑制し、大きなｋｔ^２を維持しながら高いＱ値を有する薄膜圧電共振器およびそれを用いた薄膜圧電フィルタを提供する。
【解決手段】基板６と、基板上に形成される下部電極８と、基板６と下部電極８との間に形成される空隙または音響反射層と、下部電極上に形成される圧電層２と、圧電層上に形成される上部電極１０と、上部電極上に形成される質量負荷層１６とを含む薄膜圧電共振器であって、下部電極８と空隙または音響反射層と圧電層２と上部電極１０とが重なる振動領域が、質量負荷層１６の投影面が形成する領域に内包されており、質量負荷層１６の少なくとも一方の端部は、前記端部と同じ方向の前記上部電極１０の端部よりも水平方向に張り出し、前記張り出した部分の水平距離（Ｗ）は、０を超え１５μｍ未満である薄膜圧電共振器である。 （もっと読む）

【課題】エレクトレットを備える音響共振器、および前記共振器を製造する方法、切り替え可能な結合共振器フィルターへの応用を提供すること。
【解決手段】共振器は、少なくとも１つの圧電層（３０）と、この層の両側にある電極（２４、２６）と、永久電界を圧電層に印加するための電極間の少なくとも１つのエレクトレット層（３２）とを備える。この電界の強度は、所望の値だけ共振器の共振周波数をシフトするように決定される。圧電層は、電荷を含み、それ自体エレクトレット層を構成することができる。 （もっと読む）

【課題】ＦＢＡＲタイプのバルク波音響共振器を製作する方法の提供。
【解決手段】局部的に、圧電材料１０の部分的に懸架された薄層を含むバルク波音響共振器（ＦＢＡＲ）を製作するための方法であって、圧電材料１０の薄層の表面において少なくとも１つの、第１のいわゆる下部電極１２を形成するステップと、圧電材料１０の前記薄層と、第１の集合を定義する前記第１の電極との表面において、いわゆる犠牲層を堆積するステップと、前記第１の集合と第２の基板２０とを組み立てるステップと、前記第１の電極を含む面と反対の、圧電材料１０の前記薄層の面において、上部電極２１と称される少なくとも１つの第２の電極を形成するステップと、圧電材料１０の前記薄層及び前記第１の電極を露出させる為、及びバルク波の共振器を定義する為に、犠牲層を取り除くステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】デジタル地上波ＴＶ電波に整合させた広い通過域を有して低損失になり、かつＴＶ電波の帯域外における互いに接近した減衰域では急峻で大きな減衰量を得ることができ、そしてインダクタの使用個数を抑えられる弾性波フィルタを提供する。
【解決手段】信号路の同電位点に、複数の減衰域を夫々形成するための複数の並列腕をなし、直列共振を起こす素子部を接続し、これら複数の素子部からなる素子部の組を前記信号路に複数段接続し、また互いに隣接する素子部の組の間における前記信号路に位相反転用のインダクタを設ける。更に、信号路に直列腕をなし、通過域よりも高域側に反共振点を有しかつ通過域に共振点を有する弾性波共振子を接続し、信号路に前記弾性波共振子と直列に設けられ、一端が当該弾性波共振子に接続されると共に、他端が入力ポートに接続されるか、または当該弾性波共振子に隣接する前記素子部の組の同電位点にインダクタを接続する。 （もっと読む）