【課題】圧電層の結晶性を向上させることができ且つ製造歩留まりを向上させることができるＢＡＷ共振装置の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ＭｇＯ基板からなる支持基板１の一表面側の全面にＰＺＴ層からなる犠牲層２０、下部電極３１、ＰＺＴ薄膜からなる圧電層３２を順次形成し、圧電層３２、下部電極３１、犠牲層２０を順次パターニングしてから、支持基板１の上記一表面側に圧電層３２の一部を露出させる開孔部４ａおよび犠牲層２０の一部を露出させる複数のエッチングホール５を有する絶縁層４を形成し、その後、上部電極３３を形成する。次に、支持基板１の上記一表面側に上部電極３３および絶縁層４を保護するレジスト層６を形成し、続いて、レジスト層６の開孔部７および絶縁層４の各エッチングホール５を通してエッチング液を導入し犠牲層２０を選択的にエッチングすることにより空洞２を形成する。 （もっと読む）

【課題】各共振子の機械的品質係数を向上できるとともに共振子間を接続する金属配線の低抵抗化を図れてフィルタ特性の向上を図れ、且つ、支持基板の小型化を図れるＢＡＷフィルタを提供する。
【解決手段】支持基板１の一表面に、共振子３の下部電極３１および絶縁層４を露出させる複数の凹所１ａがエッチング速度の結晶方位依存性を利用した湿式の異方性エッチングにより形成されている。下部電極３１同士が電気的に接続された２個１組の共振子３の組を複数組備え、各組の２個の共振子３では、下部電極３１と圧電層３２とが連続して形成される一方で上部電極３３同士が絶縁分離され、隣り合う共振子３の組間では、隣接する２個の共振子３の上部電極３３同士が金属配線３４を介して電気的に接続され、各共振子３それぞれの厚み方向に沿った中心線と各共振子３それぞれに最も近いエッチング孔５のエッジとの最短距離を同じとしてある。 （もっと読む）

【課題】圧電層の結晶性を向上させることができ且つ製造歩留まりを向上させることができるＢＡＷ共振装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板（単結晶ＭｇＯ基板）１の一表面側の全面に下部電極３１、圧電層（ＰＺＴ薄膜）３２を形成した後にそれぞれをパターニングし、支持基板１の上記一表面側に圧電層３２の一部を露出させる開孔部４ａおよびエッチングホール５を有する絶縁層４を形成してから、上部電極３３を形成する。支持基板１における空洞形成予定領域に、空洞２を形成する際に用いるエッチング液によりエッチングされやすい変質部１ａを形成する。その後、支持基板１の上記一表面側に上部電極３３および絶縁層４を保護するレジスト層６を形成し、レジスト層６の開孔部７および各エッチングホール５を通してエッチング液を導入し支持基板１における空洞形成予定領域をエッチングすることにより空洞２を形成する。 （もっと読む）

【課題】圧電層の結晶性を向上させることができて機械的品質係数を向上でき、且つ、小型化および堅牢化が可能なＢＡＷ共振装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】下部電極３１と上部電極３３との間に圧電層３２を有する共振子３が支持基板１の一表面側に形成され、支持基板１に、共振子３の下部電極３１における支持基板１側の表面を露出させる空洞１ａが形成されている。圧電層３２の圧電材料がＰＺＴ系材料であり、圧電層３２は、平面視における全域が下部電極３１上に形成されている。支持基板１は、互いに厚さが異なる上層基板１１と下層基板１２との積層構造を有し、上層基板１１が、単結晶ＭｇＯ基板からなるとともに、下層基板１２に比べて薄く、且つ、空洞１ａが、エッチング速度の結晶方位依存性を利用した湿式の異方性エッチングにより上層基板１１の厚み方向に貫設された断面台形状の開口部１１ａにより構成されている。 （もっと読む）

【課題】電気機械結合係数を向上させること。
【解決手段】本発明は、基板１０と、基板１０上に形成された低比重下部電極１２ａと、低比重下部電極１２ａ上に形成され低比重下部電極１２ａより比重の大きい高比重下部電極１２ｂと、を備えた下部電極１２と、高比重下部電極１２ｂ上に形成された圧電膜１４と、圧電膜１４上に形成され高比重下部電極１２ｂより厚い高比重上部電極１６ｂと、高比重上部電極１６ｂ上に形成され高比重上部電極１６ｂより比重の小さい低比重上部電極１６ａと、を備えた上部電極１６と、を具備し、下部電極１２と上部電極１６との質量は等しい共振子である。 （もっと読む）

本願は、入力ポート、出力ポート、複数の音響共振器、及び該複数の音響共振器のインピーダンスを整合させるインダクタを有する無線周波数帯域阻止フィルタについて記載する。インダクタは、入力ポートとインダクタとの間の静的キャパシタンスが出力ポートインダクタとの間の静的キャパシタンスと略等しくなるように、複数の音響共振器に対して帯域阻止フィルタ内で位置付けられる。複数の音響共振器は、複数の並列共振器、複数の直列共振器、又は直列共振器及び並列共振器の組合せであってよい。無線周波数帯域阻止フィルタは、弾性表面波（ＳＡＷ）技術、薄膜バルク音響共振器（ＦＢＡＲ）技術、及びバルク音響波（ＢＡＷ）技術のいずれかにより製造される。
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【課題】 生産性を低下することなく挿入損失が少ない特性に優れた小型のフィルタおよびデュプレクサ、ならびにフィルタの製造方法を提供する。
【解決手段】 フィルタ１は、共振子１０とキャパシタ３０とを含み、キャパシタ３０は、基板１９の主面上に形成される第１キャパシタ用電極３１と、第１キャパシタ用電極３１上に形成される第１圧電膜１２と同一材料からなる第２圧電膜３２と、第１キャパシタ用電極３１と対向する部分を有するように第２圧電膜３２上に形成される第２キャパシタ用電極３３とを含んで構成される。さらに、ＵＢＭ層２１と同時に、第２キャパシタ用電極３３上に、ピークシフト層３４を設ける。 （もっと読む）

本発明は、音響波デバイスの分野に係わり、特に数百ＭＨｚから数ＧＨｚの高い周波数での作業が可能なトランスデューサの分野、とりわけ、少なくとも２基板と強誘電体層２とを含む界面音響波デバイス１に関するものである。強誘電体層は、第１電極３と第２電極４との間に配置され、かつ第１正偏向分域７と第２負偏向分域８とを含み、該第１と第２の分域は交互に配置されている。該音響波デバイスは、第１電極３と、強誘電体層２と、第２電極４とから成る集成体が、第１基板５と第２基板６との間に設けられていることを特徴とする。
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【課題】薄膜バルク音響共鳴器フィルタを形成するより良い方法の提供。
【解決手段】薄膜バルク音響共鳴器フィルタ１０は、同一の膜３５上に形成されている複数の相互接続された直列及び分岐薄膜バルク音響共鳴器３８ａ〜３８ｇにより形成されている。薄膜バルク音響共鳴器３８ａ〜３８ｇのそれぞれは、各薄膜バルク音響共鳴器の底部電極を形成するように定められている１つの共通の下部導電層から形成されている。１つの共通の導電層は、各薄膜バルク音響共鳴器３８ａ〜３８ｇの各上部電極を形成するように定められている。パターン化される事もされない事もある１つの共通圧電薄膜層は、１つの連続する又は連続しない薄膜にて形成される製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 ダイシング処理後の保護テープ剥離やピックアップ治具の接触による共振部の破壊が防止され、テープ糊残りの発生が防止され、共振部と第２基板とが接触するのが防止されて優れた共振特性を有する共振器を提供する。
【解決手段】 共振子１０が第２基板２３に実装された共振器１である。共振子１０は、第１基板２２と、圧電膜１２を介して対向するように配置される第１電極１３および第２電極１４を有し、第１基板２２の厚み方向一表面上に形成される共振部１１とを含んで構成される。そして、本発明の共振器１は、第１基板２２と第２基板２３との間隔が、共振部１１が第１基板２２の厚み方向一表面から突出する突出高さよりも大きくなるように、第１基板２２と第２基板２３との間隔を規定するスペーサ２０を含む。 （もっと読む）