【課題】はんだバンプを用いて実装する際に中空空間の内部へのフラックスの流入を抑制し、中空空間の液密性が高い弾性波装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る弾性波装置は、基板１１と、基板１１の一方の主面１１ａに形成されている振動部１４と、振動部１４の電極１２と電気的に接続されているパッド１３と、振動部１４の周囲を囲むように設けられ、幅が１０μｍ〜１００μｍであり、感光性ポリイミドを主成分とする支持層２０と、振動部１４を覆うように支持層２０の上に設けられ、振動部１４の周囲に中空空間１９を形成する、合成ゴムと樹脂とを少なくとも含むシート状のカバー層２２と、フラックス耐性を有する樹脂からなる保護層２４と、保護層２４、カバー層２２及び支持層２０を貫通し、パッド１３に接続されるビア導体１６と、ビア導体１６の保護層２４側の端部に設けられ、はんだバンプからなる外部電極１８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】はんだバンプを用いて実装する際に中空空間の内部へのフラックスの流入を抑制し、中空空間の液密性が高い弾性波装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る弾性波装置は、基板１１と、基板１１の一方の主面１１ａに形成されている振動部１４と、振動部１４の電極１２と電気的に接続されているパッド１３と、振動部１４の周囲を囲むように設けられる支持層２０と、振動部１４を覆うように設けられ、振動部１４の周囲に中空空間１９を形成しており、合成ゴムと樹脂とを少なくとも含み、前記合成ゴムの全体に対する重量比が１０ｗｔ％〜２５ｗｔ％である、シート状のカバー層２２と、フラックス耐性を有する樹脂からなる保護層２４と、保護層２４、カバー層２２及び支持層２０を貫通し、パッド１３に接続されるビア導体１６と、ビア導体１６の保護層２４側の端部に設けられ、はんだバンプからなる外部電極１８と、を備える。 （もっと読む）

バルク音響共振器アセンブリおよびその共振器アセンブリを製造するための方法を提供する。共振器は、基板の第１の表面上にキャビティを含み、低音響損失材料のシートがキャビティに亘って懸吊される。低音響損失材料のシートは、低音響損失材料のシートの関連される基本周波数が、基板の第１の表面に平行する方向における低音響損失材料のシートの長さに応じるように構成される。トランスデューサは、低音響損失材料のシート上に電気機械層、および電気機械材料上に形成されたパターニングされた導電材料を含む。トランスデューサは、電気信号を導電パターンに付与すると、低音響損失材料において振動を誘発するように構成される。 （もっと読む）

本発明の一部の実施例は、第１のフィルタがそれぞれ、少なくとも１つの第１のフィルタを製造するために使用される第１の材料の関数である第１のフィルタ・パラメータの組を有するバンド阻止型フィルタである少なくとも１つの第１のフィルタと、少なくとも１つの第２のフィルタを製造するために使用される第２の材料の関数である第２のフィルタ・パラメータの組を第２のフィルタがそれぞれ有する少なくとも１つの第２のフィルタであって、第２のフィルタがそれぞれ、バンド阻止型フィルタ及びバンド・パス型フィルタの一方である少なくとも１つの第２のフィルタとを有するフィルタが提供される。フィルタを形成するために、少なくとも１つの第１のフィルタ及び少なくとも１つの第２のフィルタのうちの少なくとも１つは併せて縦続接続される。第１の材料及び第２の材料は異なる材料である。縦続接続フィルタは、第１の材料及び第２の材料の関数である新たな第３のフィルタ・パラメータの組を有する。本発明の他の実施例は、フィルタを製造する方法、及び前述の縦続接続フィルタを使用したフィルタリングの方法を含む。
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【課題】圧電薄膜共振子の横方向漏れを抑制し、Ｑ値を高める。
【解決手段】上部電極２の端部２ａを圧電膜４の端部４ａから突出した庇状とし、端部２ａを逆テーパ形状とし、端部２ａの下端２ｂと圧電膜４の端部４ａとを一致または近傍配置したことにより、圧電膜４内を伝搬する弾性波を閉じこめることができ、損失を低下させることができるとともにＱ値を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】送信信号におけるＦＢＡＲの２次および３次のひずみによる２倍波および３倍波の両方の発生を抑制し得る分波器を提供する。
【解決手段】分波器１は、ラダー型の第１ＦＢＡＲフィルタ２およびそれより高い周波数の通過帯域を有するラダー型の第２ＦＢＡＲフィルタを備え、第１ＦＢＡＲフィルタの一方端子と第２ＦＢＡＲフィルタの一方端子との接続部をアンテナ端子ＡＮＴと接続してなり、更に、接続部とグランドとの間に介在する共振回路４を備える。共振回路４は、その直列共振周波数をＦｒ１とし且つ第１ＦＢＡＲフィルタの通過帯域の中心周波数をＦｆ１としたとき、Ｆｒ１がＦｆ１の２倍乃至３倍の範囲内となるように設定される。共振回路４は第１インダクタ７と第１キャパシタ８とを直列に接続したものまたはチップキャパシタからなる。分波器１は、更に接続部と共振回路４との間に介在する第２インダクタ５を備える。 （もっと読む）

それ自体公知のはしご型構造または格子型構造のリアクタンスフィルタにおいて、リアクタンスフィルタの少なくとも１つの直列共振器と並列につながれたコンデンサによって、通過帯域の上側エッジを急峻化することが提案される。このようなリアクタンスフィルタには、デュプレクサの送信フィルタとしての好ましい用途がある。コンデンサは、リアクタンスフィルタのデバイスチップの上に統合して作成することができ、特に、共振器とコンデンサを製作するのに同じ方法ステップと同じ層構造を利用することができる。
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【課題】小型化した場合でも、アイソレーション特性の劣化が少ない、特に送信信号帯域でのアイソレーション特性の劣化が少ない分波器を提供する。
【解決手段】第１フィルタ２は、第１直列共振器Ｓ１１〜Ｓ１ｎを直列に接続してなる第１直列部と、第１並列共振器Ｐ１１〜Ｐ１ｎのそれぞれを互いに並列に第１直列部に接続してなる第１並列部と、第１並列共振器とグランドとの間にそれぞれ接続された第１インダクタＬ１１〜Ｌ１ｎと、を有する。第２フィルタ３は、第２直列共振器Ｓ２１〜Ｓ２ｍを直列に接続してなる第２直列部と、第２並列共振器Ｐ２１〜Ｐ２ｎのそれぞれを互いに並列に第２直列部に接続してなる第２並列部と、第２並列共振器とグランドとの間にそれぞれ接続された第２インダクタＬ２１〜Ｌ２ｍと、を有する。第１インダクタＬ１２と第２インダクタＬ２２との間に容量性結合７が形成されている。 （もっと読む）

【課題】圧電層の結晶性を向上できるとともに共振子全体の機械的品質係数を向上でき、且つ、堅牢化が可能なＢＡＷ共振装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板１の一表面側の共振子３における圧電層３２がＰＺＴにより形成されている。支持基板１に、共振子３の下部電極３１および絶縁層４における支持基板１側の表面を露出させる空洞１ａが形成されるとともに、絶縁層４に、空洞１ａに連通するエッチングホール５が形成されている。支持基板１が、互いに厚さが異なる上層基板１１と下層基板１２との積層構造を有し、支持基板１において相対的に共振子３に近い側にある上層基板１１が、単結晶ＭｇＯ基板からなるとともに、相対的に共振子３から遠い側にある下層基板１２に比べて薄く、且つ、空洞１ａが、上層基板１１の厚み方向に貫設されエッチングホール５に連通した開口部により構成されてなる。 （もっと読む）

【課題】支持基板に空洞を形成する際のエッチャントによる圧電層の浸食を防止することが可能なＢＡＷ共振装置を提供する。
【解決手段】単結晶ＭｇＯ基板からなる支持基板１の一表面側に、Ｐｔ膜からなる下部電極３１とＰｔ膜からなる上部電極３３との間にＰＺＴ薄膜からなる圧電層３２を有する共振子３が形成され、支持基板１の上記一表面側に形成されて支持基板１に支持され平面視において共振子３を全周に亘って取り囲んで共振子３を保持したＳｉＯ２膜からなる保持層４を備えるとともに、支持基板１に、共振子３の下部電極３１における支持基板１側の表面３１ａを露出させる空洞１ａが形成されている。下部電極３１における上記表面３１ａの周部と保持層４とに跨って形成され支持基板１に空洞１ａを形成する際のエッチャントによる圧電層３２の浸食を防止するＳｉＯ_２膜からなる浸食防止膜２１を備えている。 （もっと読む）