【課題】 マルチバンド、マルチシステムに対応した携帯電話機の高周波部を、小型、安価に一体化した電子部品モジュールを提供する。
【解決手段】 高周波モジュールにおいて、モジュール基板１２上に、ＲＦ送受信ＬＳＩ１０、ＳＡＷチップ２０、およびチップ部品３０，３１を実装し、ＳＡＷチップ２０は、モジュール基板１２との間に空洞２２を確保するように実装され、このＳＡＷチップ２０と、これを除く他のＲＦ送受信ＬＳＩ１０、チップ部品３０，３１とは、シート状シール材１１により周辺部がモジュール基板１２に接着されて外側から直接覆われている。 （もっと読む）

【課題】通過帯域での特性劣化を生じることなく、通過帯域外で広い減衰域を得る。
【解決手段】 入力端子１と、出力端子２と、音響結合する複数の交差指状電極（ＩＤＴ）とを含む弾性表面波装置で、ＩＤＴの１以上に位相回転素子（線路又はインダクタ）１３を並列に接続する。音響結合する前記ＩＤＴは、入出力端子間に直列に接続する。或いは、音響結合する前記ＩＤＴが、位相回転素子が接続されかつ入出力端子間に直列に接続された直列ＩＤＴと、この直列ＩＤＴと音響結合しかつ入出力端子間の伝送路から基準電位へ分岐する伝送路上に配される分岐ＩＤＴとを含むようにしても良い。前記複数のＩＤＴのうち、位相回転素子を接続したＩＤＴの電極周期をλａ、接続していないＩＤＴの電極周期をλｂとした場合にλａ≧λｂとする。 （もっと読む）

【課題】平衡型端子を有するアンテナ共用器において、平衡型端子における同相信号成分の漏洩が大きいという問題があった。
【解決手段】平衡型高周波フィルタ１０１は、平衡型高周波素子１０２と移相回路１０３とにより構成される。移相回路１０３は伝送線路１０４により構成され、出力端子間に配置される。伝送線路１０４は、長さが略λ_Ｔ／２（λ_Ｔは送信周波数帯の周波数における波長）に設定された、同相信号成分に対して所定の周波数で共振する直列共振回路である。 （もっと読む）

【課題】 不平衡−平衡変換機能を有し、通過帯域内の平衡度が良好な弾性表面波素子およびそれを用いた通信装置を提供すること。
【解決手段】 弾性表面波素子は、圧電基板１上に、弾性表面波の伝搬方向に第１のＩＤＴ電極31〜34の複数を電気的に接続したＩＤＴ電極群21，22及び第１の反射器電極２，３を配設し、ＩＤＴ電極群21，22の少なくとも２つの第１のＩＤＴ電極31〜34の間に、第１のＩＤＴ電極31〜34に電気的に非接続の、第２のＩＤＴ電極及び第２の反射器電極41，42の内いずれか１種以上を第１の分離電極として配設し、ＩＤＴ電極群21，22と第１の反射器電極２，３との間に、ＩＤＴ電極群21，22とは電気的に非接続の第３のＩＤＴ電極51，52を第２の分離電極として配設した弾性表面波素子部を備え、第３のＩＤＴ電極51，52同士が接続されて不平衡入力部４とされ、ＩＤＴ電極群21，22のそれぞれが平衡出力部５，６とされている。 （もっと読む）

【課題】従来の信号処理を目的とするＳＡＷデバイスは、周波数特性を変化させる機能が無いため、動作状態で特性を変化させるためには、出力を電気信号に変えた後に重み制御用の電気回路を介する必要があり、デバイスの構成が複雑となる問題があった。この問題を解消し、櫛形電極を有する表面弾性波デバイスにおいて動作中に簡便に伝搬特性を変化させる構造のデバイスを提供する。
【解決手段】基板１−０と、圧電性を有する半導体材料からなる伝搬層１−１と、伝搬層１−１の表面に局所的に形成される一組ないしそれ以上の櫛形電極１−３、１−４と、伝搬層１−１の表面に局所的に形成されるゲート電極１−６からなり、上記ゲート電極１−６が櫛形電極１−３、１−４から放射され伝搬層を伝搬する表面弾性波の伝搬領域１−５の外部に形成される構成とする。 （もっと読む）

本発明は、表面波でもって動作するコンポーネントのための電気音響的な変換器を提案する。この変換器は、それぞれ電極レールに接続されており交互に配置されている２つのフィンガおよび残片フィンガを有し、相互に向かい合っているフィンガおよび残片フィンガは相互にギャップによって分離されている。縦方向のギャップの位置は有利には周期的な変化を有する。殊に変換器の端部領域における音響波の励起強度に影響を及ぼすギャップ位置の変化のパターンは、音響波の励起プロファイルが所定のエネルギ密度プロファイルに適合されているように選択されている。そのような適合によって共振周波数における信号損失が著しく低減される。
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本発明は、音響表面波でもって動作する電子的なモジュールに関する。このモジュールには非対称的な入力側と、有利には対称的な出力側と、少なくとも１つの終端トランスデューサおよび少なくとも1つの結合トランスデューサを有するＤＭＳ（ＤＭＳ＝ダブルモードＳＡＷ）トラックと、少なくとも２つの直列トランスデューサを有する2ポート共振器とが設けられている。ＤＭＳトラックの結合トランスデューサは2ポート共振器のトランスデューサのうちの１つとそれぞれ直列に接続されている。本発明のようにトラックを相互接続して使用することにより、バンドパスフィルタの阻止領域における高い抑制での僅かな挿入減衰を達成すること、モジュール構造のために必要とされる面積を僅かに保つこと、また場合によっては同時にフィルタにおけるバランの機能を実現することが可能となる。
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本発明は、無線周波数（ＲＦ）フィルタのための共振器フィルタ構造（１０）、特にバルク音波（ＢＡＷ）フィルタ構造に関する。本発明によれば、共振器フィルタ構造（１０）は、ＢＡＷ格子フィルタ部（２０）を有して構成されている。ＢＡＷ格子フィルタ部（２０）内の総ての共振素子（２０−１，２０−２，２０−３，２０−４）はほぼ等しい共振周波数を有している。本発明によれば、ＢＡＷ格子フィルタ部（２０）の一方のブランチタイプのＢＡＷ共振器（２０−２，２０−３）に対して並列キャパシタンス（３０−１，３０−２）が並列に接続されている。従って、各ＢＡＷ共振器（２０−２，２０−３）の反共振周波数が調整される。これにより、格子フィルタ部（２０）の対角ブランチと水平ブランチとの間の反共振周波数の差にほぼ対応する非常に狭い通過帯域が得られる。並列キャパシタンス（３０−１，３０−２）は、帯域幅を調整するために使用される。即ち、キャパシタンスが小さければ小さいほど、帯域幅も小さくなる。また、用途の必要に応じて、格子構造により、共振器フィルタの一方のポートにおける信号誘導を平衡にし、他方のポートの信号誘導を非平衡又は平衡にすることができる。
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【課題】任意の帯域幅のフィルタを提供する。
【解決手段】λ／４幅の電極、λ／４ギャップのすだれ状電極を従来の＋１、−１、＋１、−１に対して、＋１、−１、−１、＋１などとすることにより、見かけ上の電気機械結合係数を低下させて、変換効率と反射係数を小さくした、或いは単位長さ当たりの反射器の数を小さくすることにより、共振と反共振の幅を狭くした構造にする。 （もっと読む）

圧電基板（Ｓ）上に形成されるＳＡＷ素子に関して損失を低減するために、速いすべり波の伝播速度よりも表面波の伝播速度が低くなるまで、金属化部（Ｍ）により質量応力が高められる。その際、温度変動の上昇が限界を超えないようにする目的で、Ａｌよりも著しく大きい固有層厚ないしは比層厚をもつ金属化部が用いられる。これと並行して、実質的に面全体にわたり被着された補償層（Ｋ）によって素子の温度変動が小さくされる。この補償層は、基板と金属化部の組み合わせによる弾性率に対し逆に作用する弾性係数の温度依存性をもつ材料から選択される。
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