【課題】 ＩＤＴ電極で発生する熱の放熱性に優れ、耐電力性に優れた弾性表面波装置を提供すること。
【解決手段】 圧電基板１の一方主面にＩＤＴ電極２および電極パッド３が形成され、これらを取り囲むように接地用環状電極４が形成されている弾性表面波素子が回路基板11の上面に一方主面を対向させて実装されており、接地用環状電極４は、回路基板11の下面に形成された接地導体15に、回路基板11の内部に形成された貫通導体14により接続されている弾性表面波装置である。これによりＩＤＴ電極２で発生した熱が接地用環状電極４，貫通導体14および接地導体15を介して外部に逃げやすくなり、熱による悪影響を抑えて弾性表面波装置の耐電力性を向上させることができる。 （もっと読む）

より一層の小型化を図ることができ、かつ帯域外減衰量の拡大を図ることができ、良好なフィルタ特性を得ることを可能とするバランス型の弾性波フィルタを提供する。
弾性波基板２上において、不平衡端子３と、第１，第２の平衡端子４，５との間に、第１，第２のフィルタ素子７，８が接続されており、フィルタ素子７，８は、少なくとも３個のＩＤＴ７ａ〜７ｃ，８ａ〜８ｃをそれぞれ有する縦結合型の表面波フィルタであって、ＩＤＴ７ａ，７ｃ，８ａ，８ｃの一端同士が共通接続されて、不平衡端子３に接続されており、ＩＤＴ７ａ，７ｃ，８ａ，８ｃの他端同士が第２の接続配線１２により接続されて不平衡側接地部を構成しており、ＩＤＴ７ｂ，８ｂの接地側端部同士が第１の接続配線１１により接続されて共通中点接地部を構成しており、該共通中点接地部と上記不平衡側接地部とが電気的に分離されている、弾性波フィルタ１。
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高い周波数における共振子のＱ値を向上し、このような共振子を用いたフィルタの挿入損失、及びフィルタの急峻度を向上する。 圧電基板の上に、インターディジタルトランスデューサとその両側に反射電極とを設けた弾性表面波共振子を複数個並列接続し、並列接続された弾性表面波共振器の共振周波数を、並列接続されたもの同士すべて同じにするものであり、このようにすることにより、共振のＱ値が向上でき、またこの弾性表面波共振子を用いて弾性表面波フィルタを構成することにより、挿入損失、急峻度の改善を図る。 （もっと読む）

本発明は、縦方向に結合されており、非対称的な電気的なポートおよび対照的な電気的ポートを有する入力変換器および出力変換器を備えた表面波共振器フィルタに関する。入力変換器は相互に並列に接続されており、また非対称的な電気的なポートの信号端子と接続されている。入力変換器はそれぞれ２つの出力変換器の間に配置されており、これらの２つの出力変換器は相互に並列に接続されており、また対称的な電気的なポートの端子に接続されている。中央に配置されている２つの出力変換器は一緒にいわゆるＶスプリット変換器を形成し、２つの出力変換器に共通する電流レールは、音響的なトラックの中心とは反対側において反射性に作用するフィンガを用いて、隣接する入力変換器の前述の電流レールとは反対側にあるアースレールに接続されている。本発明によるフィルタは良好な対称性および整合において挿入損失が少ないという利点を有する。
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圧電基板上に複数の縦結合共振子型弾性波フィルタ素子を形成し、これらをカスケード接続して構成した弾性波フィルタにおいて、縦結合共振子型弾性波フィルタ素子間のカスケード接続線に入る寄生容量の悪影響を軽減することで、カスケード接続点のインピーダンス整合を改善し、弾性波フィルタ入出力端のＶＳＷＲを改善する。 圧電基板３００上に弾性波の伝搬方向に沿って形成された３つのＩＤＴ３０２，３０３，３０４；３０８，３０９，３１０をそれぞれ含む２つの縦結合共振子型弾性波フィルタ３０６，３１２をカスケード接続した弾性波フィルタ３５０において、縦結合共振子型弾性波フィルタ３０６，３１１の少なくとも一方について、カスケード接続されたＩＤＴ３０２，３０４；３０８，３１０の電極指ピッチを、他の前記ＩＤＴ３０３；３０９電極指ピッチよりも小さくする。 （もっと読む）

集積回路は、気密封止された空洞（６４）内の能動面（５８）と、前記空洞を気密封止するカバー（６６）と、を有するオンチップ電子部品（３２）と、追加の電子部品（７４）とを含み、前記追加の電子部品は、前記カバーに固定される。
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圧電基板（１２）上に櫛型電極およびグレーティング反射器で構成された弾性表面波共振子（１５〜２０）を複数接続して構成であって、上記弾性表面波共振子（１５〜２０
）のうち、少なくとも１つの弾性表面波共振子の表面には誘電体膜（１４）が形成されており、少なくとも１つの弾性表面波共振子の表面には誘電体膜（１４）が形成されていない構成からなる。これにより、帯域内挿入損失が小さく、また急峻性が良好で、かつ帯域の広いＳＡＷフィルタを得ることができる。 （もっと読む）

樹脂封止部分におけるボイドの発生及び経時的な特性劣化が生じ難く、低コスト化され得る電子部品の製造方法を提供する。
実装集合基板１１上に実装された各ＳＡＷ素子２と樹脂フィルム１２とを、ガスバリア性を備えた袋１３の中に入れ、密封する減圧パック工程を設ける。減圧パックされた実装集合基板１１上に実装された各ＳＡＷ素子２間に樹脂フィルム１２を袋１３の内外の圧力差に基づき浸入させることにより、ＳＡＷ素子２を樹脂フィルム１２由来の封止樹脂部４によって封止する封止工程を設ける。 （もっと読む）

圧電基板（１１）と、圧電基板（１１）の表面に設けた複数個の電極指（１２）で構成されるＩＤＴ（１３）と、このＩＤＴ（１３）の両端部に近接して設けた反射器（１４）とを備え、上記ＩＤＴ（１３）は両端部の複数の電極指（１２）の電極指ピッチを、このＩＤＴ（１３）の中央付近の電極指ピッチと異ならせたグラデーション領域を有し、このグラデーション領域の電極指ピッチはグラデーション領域の一方に位置する最端部の電極指からグラデーション領域のもう一方の端部の電極指にかけて電極指ピッチを順次変化させるとともに、グラデーション領域の一方に位置する最端部の電極指の電極指ピッチを上記ＩＤＴ（１３）の中央付近の電極指ピッチの１〜５％小さくした構成からなる。 （もっと読む）

十分な減衰量を得ることができ、加えて、低損失かつ広帯域であるフィルタ装置を提供する。 通過帯域の相対的に低い第１のバンドパスフィルタまたは通過帯域が相対的に高い第２のバンドパスフィル
タとを含む通信システムの第１のバンドパスフィルタとして用いられるフィルタ装置であって、入力端子２と出力端子３とを結ぶ直列腕に直列腕共振子Ｓ２１〜Ｓ２３が挿入されており、直列腕と基準電位とを結ぶ並列腕にそれぞれ、並列腕共振子Ｐ２１，Ｐ２２が接続されており、少なくとも１つの並列腕共振子Ｐ２１，Ｐ２２に直列にインダクタンスＬ１，Ｌ２が接続されており、インダクタンスＬ１，Ｌ２の挿入により生じた副共振の共振周波数が、該ラダー型フィルタに対して相手側のフィルタである受信側または送信側帯域フィルタの通過帯域内またはその近傍に位置されている、フィルタ装置１。 （もっと読む）