【課題】 高いコントラストを有する表示装置を得る。
【解決手段】 前面板と発光層と散乱層と励起源で構成された表示装置で、前面板は可視域の波長の光に対して透明な媒質で形成され、励起源は発光層を励起する手段を有し、発光層は発光媒質を含み、発光層の裏側に、発光層で発生した光の少なくとも一部を散乱し、発光層よりも有効屈折率が高い散乱層を有している。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に第１の薄膜トランジスタを有する画素部と第２の薄膜トランジ
スタを有する駆動回路を有し、画素部の薄膜トランジスタは、ゲート電極層、ゲート絶縁
層、膜厚の薄い領域を周縁に有する酸化物半導体層、酸化物半導体層の一部と接する酸化
物絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層、及び画素電極層とを有し、第１の薄膜トラ
ンジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極
層、酸化物絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路部の薄膜トランジスタのソ
ース電極層及びドレイン電極層は、保護絶縁層で覆われ、画素部のソース電極層及びドレ
イン電極層よりも低抵抗の導電材料である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】明るく、信頼性の高い発光装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタ上に設けられ、コンタクトホールを
有する絶縁膜と、コンタクトホールを埋めて設けられた導電体と、絶縁膜上に設けられ、
導電体を介して薄膜トランジスタと電気的に接続された第１の金属膜と、第１の金属膜上
に設けられた透明導電膜と、透明導電膜上に設けられたＥＬ層と、ＥＬ層上に設けられた
第２の金属膜と、を有し、第２の金属膜を透過した光が放射される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アクティブマトリクス型表示装置の製造コストを低減するこ
とを課題とし、安価な表示装置を提供することを課題とする。また、本発明の表
示装置を表示部に用いた安価な電子装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 アクティブマトリクス型表示装置の製造コストを低減するために
画素部に用いるＴＦＴを全て一導電型ＴＦＴ（ここではｐチャネル型ＴＦＴもし
くはｎチャネル型ＴＦＴのいずれか一方を指す）とし、さらに駆動回路もすべて
画素部と同じ導電型のＴＦＴで形成することを特徴とする。これにより製造工程
を大幅に削減し製造コストを低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】赤色、青色、緑色の発光輝度のバランスが良い、色鮮やかな画像を表示することができるＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】複数のＥＬ素子をそれぞれ含む複数の画素を有するＥＬ表示装置であって、前記ＥＬ表示装置は前記複数のＥＬ素子の発光する時間を制御することで階調表示を行い、前記複数のＥＬ素子に印加される電圧は、前記複数のＥＬ素子をそれぞれ含む複数の画素が表示する色によって異なることを特徴とするＥＬ表示装置。 （もっと読む）

【課題】ＥＬデバイス（特にＯＬＥＤ）、光電池、および半導体デバイス（有機電界効果トランジスタ、薄膜トランジスタ、および集積回路一般など）を含む、電子または光電子デバイス（特に導電ポリマーを含むデバイス）の製造において、基板、特に可撓性基板として使用するのに適した、改善されたバリア特性を有するフィルムを提供すること。
【解決手段】ポリマー基板、平坦化被覆層、および無機バリア層を含む複合フィルムであって、前記バリア層は、２ｎｍから１０００ｎｍの厚さを有し、マイクロ波で活性化された反応性マグネトロンスパッタリングによって得ることができる前記複合フィルム。 （もっと読む）

【課題】発光装置からの光を効率よく電力に変換し、再利用することで消費電力が少ない光エネルギー再利用型の発光装置を提供する。また、歩留まりが高い光エネルギー再利用型の発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置の遮光膜を光電変換素子に置き換えることにより、光を電力に変換する。すなわち、従来遮光膜領域では、光が射出されなかったのに対し、開示される発明では、射出されない光を光電変換素子により電力に変換し、再利用することができる。従って、消費電力が少ない発光装置を実現できる。 （もっと読む）

【課題】量産性や製造の容易性などの上記問題を解決するとともに、有機ＥＬ層を有する面発光素子の光の取り出し効率を改善することが可能な、面発光素子用基板、面発光素子用基板の製造方法、この基板を備える面発光素子、及び、この面発光素子を用いた照明器具や表示装置を提供する。
【解決手段】透光性基板１１０と、該透光性基板１１０の表面に形成される透明導電膜１３０とからなる面発光素子用基板において、透光性基板１１０に凹凸面１１１を形成し、該凹凸面１１１を、４５０℃以下のガラス転移温度を有するガラスフリットと、溶剤と、樹脂とを含むガラスペースト組成物を用いて形成される透明平坦化膜１２０により平坦化し、透明平坦化膜１２０の屈折率ｎｄ１と、透明導電膜１３０の屈折率ｎｄ２との関係が、ｎｄ１／ｎｄ２≧０．９となるようにした。 （もっと読む）

【課題】消費電力を増加させることなく、負荷へ電流を供給する電源線の電位を一行ずつ変化させずに、信号書き込み動作時に表示素子へ電流が流れてしまうのを防ぐことが可能な半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】トランジスタに所定の電流を流してトランジスタのゲート・ソース間電圧を設定する際、トランジスタのソース端子に接続された負荷に電流が流れないようにするため、トランジスタのゲート端子の電位を調整する。そのため、トランジスタのゲート端子の接続された配線とトランジスタのドレイン端子の接続された配線とを異なる電位にする。またその際、トランジスタの動作を切り替えることで大きな電流を流し、配線などに寄生する交差容量や配線抵抗の影響を受けにくくして、すばやく、設定動作を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】合金形態の半導体結晶、その製造方法及び有機電界発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体結晶の製造方法は、（ａ）１種以上の１２族金属前駆体を分散剤及び溶媒と混合し、これを加熱して１２族金属前駆体溶液を得る段階と、（ｂ）１種以上の１６族元素前駆体をこれと配位可能な溶媒に溶解して１６族元素前駆体溶液を得る段階と、（ｃ）前記１種以上の１２族金属前駆体溶液と１種以上の１６族元素前駆体溶液とを混合して反応させた後、結晶を成長させる段階と、を含み、前記結晶のサイズ分布を表す光励起発光スペクトルの半値幅が５０ｎｍ以下、かつ、発光効率が３０％以上であり、前記１２族金属前駆体溶液、及び前記１６族元素前駆体溶液の濃度は０．００１Ｍないし２Ｍであり、前記（ａ）段階において、加熱が１００ないし４００℃であり、前記（ｃ）段階において、反応温度は５０℃ないし４００℃であることを特徴とする。 （もっと読む）