【課題】消費電力を増加させることなく、負荷へ電流を供給する電源線の電位を一行ずつ変化させずに、信号書き込み動作時に表示素子へ電流が流れてしまうのを防ぐことが可能な半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】トランジスタに所定の電流を流してトランジスタのゲート・ソース間電圧を設定する際、トランジスタのソース端子に接続された負荷に電流が流れないようにするため、トランジスタのゲート端子の電位を調整する。そのため、トランジスタのゲート端子の接続された配線とトランジスタのドレイン端子の接続された配線とを異なる電位にする。またその際、トランジスタの動作を切り替えることで大きな電流を流し、配線などに寄生する交差容量や配線抵抗の影響を受けにくくして、すばやく、設定動作を行うことができる。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第５の薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、
前記第１乃至第５の薄膜トランジスタは、インジウムと、ガリウムと、亜鉛と、酸素とを有し、
前記第１の薄膜トランジスタの第１端子は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１の薄膜トランジスタのゲートは、前記第３の薄膜トランジスタの第１端子と電気的に接続され、
前記第３の薄膜トランジスタの第２端子は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２の薄膜トランジスタの第１端子は、前記第１の薄膜トランジスタの第２端子と電気的に接続され、
前記第２の薄膜トランジスタのゲートは、前記第３の薄膜トランジスタの第１端子と電気的に接続され、
前記第２の薄膜トランジスタの第２端子は、負荷と電気的に接続され、
前記第２の薄膜トランジスタの第２端子は、前記第４の薄膜トランジスタの第１端子と電気的に接続され、
前記第４の薄膜トランジスタの第２端子は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第５の薄膜トランジスタの第１の端子は、前記第２の薄膜トランジスタの第１端子と電気的に接続され、
前記第５の薄膜トランジスタの第２の端子は、前記第１の薄膜トランジスタの第１端子、又は、前記第２の薄膜トランジスタの第２端子と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１乃至第５の薄膜トランジスタを有する表示装置であって、
前記第１乃至第５の薄膜トランジスタは、インジウムと、ガリウムと、亜鉛と、酸素とを有し、
前記第１の薄膜トランジスタの第１端子は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１の薄膜トランジスタのゲートは、前記第３の薄膜トランジスタの第１端子と電気的に接続され、
前記第３の薄膜トランジスタの第２端子は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２の薄膜トランジスタの第１端子は、前記第１の薄膜トランジスタの第２端子と電気的に接続され、
前記第２の薄膜トランジスタのゲートは、前記第３の薄膜トランジスタの第１端子と電気的に接続され、
前記第２の薄膜トランジスタの第２端子は、表示素子と電気的に接続され、
前記第２の薄膜トランジスタの第２端子は、前記第４の薄膜トランジスタの第１端子と電気的に接続され、
前記第４の薄膜トランジスタの第２端子は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第５の薄膜トランジスタの第１の端子は、前記第２の薄膜トランジスタの第１端子と電気的に接続され、
前記第５の薄膜トランジスタの第２の端子は、前記第１の薄膜トランジスタの第１端子、又は、前記第２の薄膜トランジスタの第２端子と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
ハウジング、又は、ＦＰＣと、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の半導体装置、又は、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の表示装置と、を有する表示モジュール。
【請求項４】
アンテナ、操作キー、又は、スピーカと、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の半導体装置、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の表示装置、又は、請求項１４に記載の表示モジュールと、を有する電子機器。

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５】

【図６】

【図７】

【図８】

【図９】

【図１０】

【図１１】

【図１２】

【図１３】

【図１４】

【図１５】

【図１６】

【図１７】

【図１８】

【図１９】

【図２０】

【図２１】

【図２２】

【図２３】

【図２４】

【図２５】

【図２６】

【図２７】

【図２８】

【図２９】

【図３０】

【図３１】

【図３２】

【図３３】

【図３４】

【図３５】

【図３６】

【図３７】

【図３８】

【図３９】

【図４０】

【図４１】

【図４２】

【図４３】

【図４４】

【図４５】

【図４６】

【図４７】

【図４８】

【図４９】

【図５０】

【図５１】

【図５２】

【図５３】

【図５４】

【図５５】

【図５６】

【図５７】

【図５８】

【図５９】

【図６０】

【図６１】

【図６２】

【図６３】

【図６４】

【図６５】

【図６６】

【図６７】

【図６８】

【図６９】

【図７０】

【図７１】

【図７２】

【図７３】

【図７４】

【図７５】

【図７６】

【図７７】

【図７８】

【図７９】

【図８０】

【図８１】

【図８２】

【図８３】

【図８４】

【図８５】

【図８６】

【図８７】

【図８８】

【図８９】

【図９０】

【図９１】

【図９２】

【図９３】

【図９４】

【図９５】

【図９６】

【図９７】

【図９８】

【図９９】

【図１００】

【図１０１】

【公開番号】特開２０１２−１３３３８１（Ｐ２０１２−１３３３８１Ａ）
【公開日】平成２４年７月１２日（２０１２．７．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−２２９１７（Ｐ２０１２−２２９１７）
【出願日】平成２４年２月６日（２０１２．２．６）
【分割の表示】特願２００６−２１６９０２（Ｐ２００６−２１６９０２）の分割
【原出願日】平成１８年８月９日（２００６．８．９）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】