【課題】焼成時における銅の酸化が抑制され、抵抗率の低い電極を形成可能な電極用ペースト組成物、および、該電極用ペースト組成物を用いて形成された電極を有する太陽電池を提供する。
【解決手段】電極用ペースト組成物を、示差熱−熱重量同時測定において最大面積を示す発熱ピークのピーク温度が２８０℃以上である銅含有粒子と、ガラス粒子と、溶剤と、樹脂と、を含んで構成する。また、該電極用ペースト組成物を用いて形成された電極を有する太陽電池である。 （もっと読む）

【課題】作業性が良好で、耐熱性、耐湿性、耐候性に優れ、かつ半導体素子と各種基材との接合において信頼性の高い物理的、電気的接合が可能な導電性ペースト、及びそのような導電性ペーストを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】導電性ペーストは、（Ａ）可溶性ポリイミド樹脂、（Ｂ）溶剤及び（Ｃ）比表面積（ＳＡ）０．３〜１．３ｍ^２／ｇ、タップ密度（ＴＤ）３．０〜６．０ｇ／ｃｍ^３のフレーク状銀粉を含有する。半導体装置は、そのような導電性ペーストにより、半導体素子を半導体素子支持部材上に接着してなる。 （もっと読む）

【課題】 光学式外観検査方法により、配線パターンの良否判別の高精度化、高感度化に応えることが可能な導体配線を形成できる導電性ペースト、及び当該導電性ペーストを用いて形成された配線パターンの良否を検査する方法を提供する。
【解決手段】 導電性粒子、バインダー樹脂、及び蛍光物質を含有する導電性ペーストで、前記蛍光物質は、沸点が２００℃以下の蛍光物質、特にｃｉｓ−スチルベンが好ましい。本発明の導電性ペーストを用いて形成される配線パターン又は導体配線の検査方法であって、前記蛍光物質の励起波長を含む光を前記配線パターン又は導体配線が形成された基板に照射し、その反射光によりパターン又は配線部の存在を検出する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】多層配線基板のバンプとして導電性ペーストを用いた際、導電性金属箔への印刷後に樹脂にじみの発生によるランド径周辺の汚染を抑制し、良好なバンプ貫通性を保持できるようなバンプ形状（印刷性）を与えることができる導電性ペーストを提供すること。
【解決手段】
多層基板のバンプ形成に用いられる導電性ペーストであり
（Ａ）２５℃において固形であるエポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）導電性フィラー、および（Ｄ）有機溶剤を含む導電性ペーストであって、レオメーターを使用して連続的にシェアレートを変えて繰り返し３０℃で測定した粘度が、シェアレート１０．０ｓｅｃ^-1のとき１００〜２００Ｐａ・ｓであり、かつ、シェアレート１００．０ｓｅｃ^-1のとき１０〜４０Ｐａ・ｓであることを特徴とする導電性ペースト。 （もっと読む）

【課題】 サブトラクティブ法を用いた加工においても、微細配線加工性に優れたメタライジング法による２層金属化ポリイミドフィルムの提供と、この微細配線加工性に優れた２層金属化ポリイミドフィルムを基材に用いたプリント配線基板を提供する。
【解決手段】 ポリイミドフィルムの少なくとも一方の面に接着剤を介することなくＮｉを含む合金からなる下地金属層と、その下地金属層の表面に乾式めっき法で成膜される銅薄膜層と、銅薄膜層の表面に電気めっき法で形成された銅めっき被膜を備える金属化ポリイミドフィルムにおいて、その銅めっき被膜が、銅薄膜層との界面から膜厚２．５μｍの範囲では、結晶が（１１１）面に配向し、双晶粒界を除くグレインサイズが０．５μｍ〜１．５μｍの範囲で、硫黄を３０重量ｐｐｍ〜２５０重量ｐｐｍ含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造に真空設備を必要とせず、また有機物接着剤を使用することなく、且つ導電層（銅箔層）を十分に薄くすることを可能とするプリント配線板用基板、プリント配線板、及びプリント配線板用基板の製造方法の提供を課題とする。
【解決手段】絶縁性の基材１１と、該絶縁性の基材１１の上に積層される第１導電層１２と、該第１導電層１２の上に積層される第２導電層１３とを有し、前記第１導電層１２が金属粒子を含む導電性インクの塗布層として構成され、前記第２導電層１３がめっき層として構成されていることを特徴とするプリント配線板用基板である。 （もっと読む）

【課題】従来市場に供給されてきた低プロファイル表面処理電解銅箔と同レベル以上の低プロファイルを有し、且つ、配線の直線性に影響を与えるうねりの小さな表面処理電解銅箔とその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するため、絶縁層構成材との接着面の、うねりの最大高低差（Ｗｍａｘ）は０．０５μｍ〜０．７μｍ、凹凸の最大高低差（ＰＶ）は０．０５〜１．５μｍ、表面粗さ（Ｒｚｊｉｓ）は０．１μｍ〜１．０μｍである表面処理電解銅箔とする。この表面処理電解銅箔の製造に用いる電解銅箔は、３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸又はビス（３−スルホプロピル）ジスルフィドと環状構造を持つ４級アンモニウム塩重合体と塩素とを添加して得られた硫酸系銅電解液を用い、表面粗さの小さな陰極を用いて、連続する第１ステップ電解から第ｎステップ電解までを、異なる２水準以上の電流密度で実施する電解条件で製造する。 （もっと読む）

【課題】銅箔表面を適度に粗くして取り扱い性を向上し、さらに屈曲性に優れるとともに、銅箔の取り扱い時に表面にキズが生じ難く、表面エッチング特性が良好な圧延銅箔を提供する。
【解決手段】表面粗さＲａと、銅箔の厚みｔとの比率Ｒａ／ｔが０.００４以上０.００７以下であり、集束イオンビームを用い、銅箔の圧延平行方向に沿う長さ２５μｍの断面を作製し、該断面の走査イオン顕微鏡像を観察したとき、銅箔の厚み方向へのせん断帯の到達深さのＬｓの平均値Ｌｓａが、銅箔の厚みｔに対し、０.０１≦Ｌｓａ／ｔ≦０.４の関係を満たす圧延銅箔である。 （もっと読む）

【課題】特に曲率半径の小さな繰り返し屈曲部における過酷な条件に対して耐久性を備え、屈曲性に優れた銅箔、銅張積層板、可撓性回路基板、及び銅張積層板の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＹからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素を０．００５質量％以上０．４質量％以下含有し、残部の銅が９９．６質量％以上９９．９９９質量％以下である銅箔であり、銅の単位格子の基本結晶軸＜１００＞が、銅箔の厚さ方向と箔面内に存在するある一方向との２つの直交軸に対して、それぞれ方位差１５°以内の優先配向領域が面積率で６０％以上を占める銅箔であり、また、これを用いた銅張積層板及び可撓性回路基板であり、更には上記銅箔を備えるようにした銅張積層板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の接合強度の低下が抑制されたセラミックス配線基板を提供する。
【解決手段】セラミックス配線基板１０は、セラミックス基板１１とその上に形成された配線層１２とを具備する。配線層１２は、セラミックス基板１１の表面に順に積層された下地金属層１５、第１の拡散防止層１６および第１のＡｕ層１７を有する配線部１３と、配線部１３上の所望の位置に順に積層された第２の拡散防止層１９、空孔抑制層２０および半田層１８を有する接続部１４とを備える。空孔抑制層２０はＡｕやＡｕを８５質量％以上含むＡｕ−Ｓｎ合金により構成される。 （もっと読む）