【課題】ダンピング抵抗に破断が発生することがなく、搭載する半導体素子を常に正常に作動させることが可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】絶縁層１ｂの表面に、半導体素子の電極または電気回路基板が接続される接続面３ｄを有する複数の接続パッド３を具備して成る配線基板であって、接続パッド３の一部は、絶縁層１ｂの側に配置された体積抵抗率が１００μΩ・ｃｍ以下の低抵抗材料から成る主導体層３ａと接続面３ｄの側に配置された体積抵抗率が１０Ω・ｃｍ以上の高抵抗材料から成る抵抗体層３ｂとが積層されて成り、抵抗体層３ｂが接続面３ｄと主導体層３ａとの間に電気的に直列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ファインピッチ化に適した、裾引きが小さい断面形状の回路を製造可能なプリント配線板用銅箔及びそれを用いた積層板を提供する。
【解決手段】銅箔基材と、該銅箔基材表面の少なくとも一部を被覆し、且つ、Ａｕ、Ｐｔ及びＰｄからなる群から選択された１種以上を含む被覆層とを備え、前記被覆層におけるＡｕの付着量が２００μｇ／ｄｍ²以下、Ｐｔの付着量が２００μｇ／ｄｍ²以下、Ｐｄの付着量が１２０μｇ／ｄｍ²以下であるプリント配線板用銅箔。 （もっと読む）

【課題】 配線基板上の表面金属層にめっき層を良好に被着し、信頼性に優れた配線基板を提供する。
【解決手段】 本発明の配線基板10は、絶縁基体１と、絶縁基体１から部分的に露出するように絶縁基体１内に設けられており、ＣｕＷを含む放熱部材２と、放熱部材２に接して放熱部材２を覆うように絶縁基体１の表面に設けられており、主成分としてＭｏを含んでおり、Ｃｕを含む表面部を有している第１表面金属層３ａと、絶縁基体１の表面に設けられており、主成分としてＭｏを含んでおり、Ｃｕを含む表面を有している第２表面金属層３ｂと、絶縁基体１の表面または内部に設けられており、第２表面金属層３ｂに接してＣｕＷからなる金属部材３ｃと、第１表面金属層３ａ上および第２表面金属層３ｂ上にそれぞれ設けられためっき層とを備える。第１表面金属層３ａおよび第２表面金属層３ｂの表面にＣｕを起点としてめっき層を被着できる。 （もっと読む）

【課題】製造適性に優れ、密着性及び導電性が高く、かつ、描画した導電パターンが乾燥前に変化することのない導電パターンを提供する。
【解決手段】基材上に、厚み方向において前記基材に最も遠い側から前記基材に最も近い側に向かって金属から樹脂に連続的に組成が変化する組成傾斜膜のパターンを有する、導電パターンの形成方法であって、
金属を含有するインク組成物と活性エネルギー線により硬化可能な化合物を含有するインク組成物との少なくとも２種のインク組成物をインクジェット法により前記基材上に吐出して前記組成傾斜膜を作成する、導電パターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】プリント配線板の絶縁基板の耐熱温度よりも高い融点を有し、電子部品のはんだ付け温度に耐えることが可能な金属間化合物からなる導体材料を有する電子機器の製造方法の提供を提供すること。
【解決手段】基板に、第１の金属からなる複数の粒子と、前記第１の金属の融点より低い融点を有する第２の金属からなる複数の粒子とを供給し、前記基板を加熱して、前記第１の金属と前記第２の金属との金属間化合物内に前記複数の粒子が分散した導体を形成し、前記基板に、電子部品をはんだ付けする電子機器の製造方法であり、前記金属間化合物の融点が、前記はんだの溶融温度よりも高いことを特徴とする電子機器の製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属ナノ粒子の低温焼結特性を用いて、導電性及び機械的特性に優れた金属接合を得ることができる導電性材料、導電性に優れた配線パターンを形成できる導電性材料を提供する。
【解決手段】（Ａ）平均一次粒子径が１〜１００ｎｍの金属ナノ粒子と（Ｂ）平均一次粒子径が１〜１００μｍの第２の金属粒子とを含有した金属粉が、配合されていることを特徴とする導電性材料。 （もっと読む）

【課題】 低温焼結性、基板との密着性、極性溶媒の分散性を併せ持つ銀粒子分散体組成物を提供する。
【解決手段】
【化１】


粒子表面にアミノ基を有する有機物が存在している平均一次粒子径１〜１００ｎｍの銀ナノ粒子と、下記一般式（１）で示される化合物と、分散溶媒とを含む銀粒子分散体組成物である。ただし、式（１）のＲは少なくとも１個以上の芳香環を含有する炭化水素基を示し、式（１）のＡＯは炭素数が１ないし４のオキシアルキレン基を示し、ｎはアルキレンオキシドの平均付加モル数を示す１以上２０未満の値であり、式（１）のＸはＯ原子、Ｓ原子、−ＮＲ^１−（Ｒ^１はＨ原子又はＣ原子、Ｈ原子、Ｏ原子のいずれかから構成される基）のいずれかから構成される連結基であり、式（１）のＹはＣ、Ｈ、Ｏ原子のいずれかから構成される連結基である。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性が高く狭ピッチ化にも対応可能な接続端子を有する配線基板、前記配線基板を有する半導体パッケージを提供する。
【解決手段】配線基板１０は、一方の面及びその反対面である他方の面１０ａを備え、前記他方の面が配線基板表面となるように最外層に配置された絶縁層１２ａと、前記絶縁層の他方の面から突出する柱状の突出部１１と、を有し、前記突出部は上面及び下面を有し、前記上面及び下面方向の断面が矩形の柱状で、前記下面及び側面の前記下面側が前記絶縁層に被覆され、前記上面側が前記絶縁層の他方の面から突出した接続端子１６であり、前記絶縁層には、前記突出部の下面を露出するビアホール１２ｘが設けられ、前記絶縁層の一方の面上に、前記ビアホールを介して前記突出部の下面に接続された配線層１３ａが設けられている。 （もっと読む）

【課題】セラミック、ガラス、樹脂などの素体に対し、金属膜を接合形成する際、簡便さと接合信頼性とを両立させることが問題となっていた。
【解決手段】多数の孔部を有する多孔質金属めっき膜と、前記孔部に充填されたガラス成分と、を備える金属膜を用意し、これを素体に加熱接着すればよい。 （もっと読む）

【課題】 低温焼結性、極性溶媒の分散性を併せ持つ金属粒子分散体組成物を提供する。
【解決手段】
【化１】


粒子表面にアミノ基を有する有機物が存在している平均一次粒子径１〜１００ｎｍの金属ナノ粒子と、下記式（１）で示される化合物と、分散溶媒とを含む金属粒子分散体組成物である。ただし、式（１）のＲは分岐鎖を有するアルキル基および／又はアルケニル基を含有する炭素数が１ないし２４であるアルキル基および／又はアルケニル基を示し、式（１）のＡＯは炭素数が１ないし４のオキシアルキレン基を示し、ｎはアルキレンオキシドの平均付加モル数を示す１以上２０未満の値であり、式（１）のＸはＣ、Ｈ、Ｏ原子のいずれかから構成される連結基である。 （もっと読む）