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国際特許分類[H05K3/18]の内容

国際特許分類[H05K3/18]に分類される特許

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【課題】 線間距離を狭めても信頼性が低下しない多層プリント配線板を提供することにある。
【解決手段】 第2導体回路58と第2導体回路58との間(絶縁間隔:スペース)において、第1樹脂絶縁層50と上層樹脂絶縁層150との間に無機絶縁膜48が介在しており、第1樹脂絶縁層50と上層樹脂絶縁層150とが無機膜は表面がフラットなため給電層の除去が容易に可能となり、第2導体回路との間(絶縁間隔:スペース)において、第1樹脂絶縁材−第2樹脂絶縁材間でのエレクトロケミカルマイグレーションが発生することが無い。このため、第2導体回路の絶縁間隔を10μm以下に狭めても、信頼性が低下しない。 (もっと読む)


【課題】インクジェット方式を用いた微細配線の形成において、複数の材料にまたがるよう形成された微細配線の断線が防止され、好ましい微細配線形成が実現される配線構造体製造方法及び配線構造体製造装置並びに配線構造体を提供する。
【解決手段】シリコンデバイス(12)を含む基板(10)の表面に、基板とシリコンデバイスをまたがって形成される電気配線(20)のパターンに対応して、基板の基材に対応する第1の密着補助層(14)をインクジェット方式によりパターンニングして形成するとともに、シリコンデバイスに対応する第2の密着補助層(16)をインクジェット方式によりパターンニングして形成し、第1の密着補助層及び第2の密着補助層の上に、めっき受容性層(18)をインクジェット方式によりパターンニングして形成し、めっき受容性層に対してめっき処理を行い電気配線が形成される。 (もっと読む)


【課題】高分子錯体層を用いて基体表面に無電解めっきにより金属パターンを容易に形成することのできる金属パターンの製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体デバイス、電子部品評価用テスタ、プローブカード、ICカード、光デバイス等に用いられる基板表面(基体1の表面)に金属微細配線等の金属パターン7を形成するにあたって、まず、高分子層形成工程では、触媒金属イオンと錯体を形成可能な高分子層3を基体1の表面上のめっき予定領域に選択的に形成する。次に、高分子錯体層形成工程では、触媒金属イオンを含む処理液を高分子層3に接触させてめっき予定領域に触媒金属イオンと高分子層3との高分子錯体層4を形成する。次に、無電解めっき工程では、無電解めっき液を高分子錯体層4に接触させて高分子錯体層4上に無電解めっき層5(金属層)を無電解めっきにより形成し、金属パターン7を構成する。 (もっと読む)


【課題】電極層と樹脂との密着性を高めた半導体素子搭載用基板を提供すること。
【解決手段】金属板の表面に感光波長の異なるレジストにより下層と上層からなる2層のレジスト層を形成する工程と、前記下層のレジスト層は未露光の状態で前記上層のレジスト層を所定のパターンで露光する工程と、前記上層のレジスト層に所定のパターンで開口部を形成し、その開口部から未露光の前記下層のレジスト層を、前記上層のレジスト層のパターンで開口部を形成して前記金属板表面を部分的に露出させる現像工程と、前記下層のレジスト層を露光して硬化させる工程と、前記下層のレジスト層から露出している前記金属板表面に所定のめっきを形成する工程と、前記下層と上層からなる2層のレジスト層を全て剥離する工程を順次経ること。 (もっと読む)


【課題】析出膜厚が均一で、めっき反応の促進効果を持ち皮膜の未析出問題がなく、自己分解による浴内析出のない浴の安定性に優れ、被めっき物となる導体の組成等に影響されない無電解Pdめっき液と無電解Auめっき方法を提供する。
【解決手段】表面がCu、Ni−Pからなる導体上にPdあるいはAuの皮膜を形成する無電解めっき方法において、前記導体表面に触媒層として置換還元めっき方法によりPtとRuを0.05mg/dm以下の付与量で形成する工程と、前記PtとRuからなる触媒層を付与した導体上にPdあるいはAuの無電解めっき皮膜形成処理を行う工程とからなり、前記無電解めっき液の、pHが5以下で、炭素の数が3以下のアルコールを含有していることを特徴とする無電解めっき方法。 (もっと読む)


【課題】本発明は、めっき析出性に優れると共に、金属膜の欠損の発生が抑制された導電膜形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に、めっき触媒またはその前駆体と相互作用を形成する非解離性官能基および架橋性基を有するポリマーと、架橋性基と反応する反応性基を少なくとも2つ有する架橋剤との架橋反応により得られるポリマー層を形成するポリマー層形成工程と、ポリマー層にめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、めっき触媒またはその前駆体に対してめっきを行うめっき工程とを備える、導電膜形成方法。 (もっと読む)


【課題】ビルドアッププリント配線基板のセミアディティブ工法において、ドライフィルムレジストが、より剥離不良なく剥離できるようにする。
【解決手段】ビルドアッププリント配線基板をセミアディティブ工法によって製造するビルドアッププリント配線基板の製造方法である。形成したドライフィルムレジストを剥離する前に、当該ドライフィルムレジストを乾燥させる。ドライフィルムレジスト剥離工程の前処理として、ドライフィルムレジストを乾燥収縮させることにより、電解銅めっきとドライフィルムレジストとの境界面で剥離を促し、ドライフィルムレジストの剥離工程での剥離性を向上させる。 (もっと読む)


【課題】無電解めっき方法において、パラジウム等の貴金属を使用することなく、またクロム酸等の有害な薬剤を使用せずにめっきと被めっき物間の良好な密着性を確保でき、かつ、めっき液を繰り返し使用することができる無電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】被めっき物の表面上に、めっき金属の金属イオンを還元する能力を有する有機残基を側鎖に含有するポリマーを塗設する工程(1)と、前記ポリマーが塗設された被めっき物の表面上に、前記金属イオンを含みこの金属イオンを還元しうる還元剤を含まない溶液中において、前記金属イオンの部分還元金属酸化物を析出させる工程(2)と、前記金属イオンを還元しうる還元剤を含む溶液中において、前記部分還元金属酸化物を自己触媒性を有するめっき金属に還元する工程(3)と、被めっき物の表面上に、無電解めっき液中においてめっき金属の被膜を形成する工程(4)と、を含む無電解めっき方法。 (もっと読む)


【課題】フレキシブルプリント基板の出力端子部にメッキリード配線を接続してメッキ蒸着処理を行う場合において、出力端子部に端子が設けられていない配線の端子に対してもメッキ蒸着を施す。
【解決手段】フレキシブルプリント基板10の製造方法は、絶縁フィルム101上に導体膜102をパターニングして入力端子部13及び出力端子部12に複数の端子を形成する第一工程と、導体膜102及び絶縁フィルム101上に絶縁材104を成膜する第二工程とを含み、第一工程において、出力端子部12に端子が設けられていないNC配線19等と、該NC配線等に接続されているグランド配線16と、を更に形成し、第二工程に次いで、出力端子部12から電流を流して入力端子部13及び出力端子部12等に配置された複数の端子をメッキ蒸着する第三工程を含む。 (もっと読む)


【課題】インクジェット記録装置上における放置回復性に優れ、かつエッチング耐性が高く、得られるパターン形状の精度を向上することができる金属膜材料の製造方法、及びこれを用いた金属膜材料を提供すること。
【解決手段】インクジェット法によるインク付与工程と、インク組成物に露光、又は加熱の少なくともいずれかを行い、硬化膜を形成する硬化膜形成工程と、硬化膜にめっき触媒、又はその前駆体を付与する触媒付与工程と、めっき触媒、又はその前駆体にめっきを行うめっき処理工程とを含み、インク組成物は、シアノ基、アルキルオキシ基、アミノ基、ピリジン残基、ピロリドン残基、イミダゾール残基、アルキルスルファニル基、又は環状エーテル残基、を有する第1のモノマーと、多官能性を有する第2のモノマーと、重合開始剤とを含み、前記インク組成物中におけるモノマーの合計含有量が85質量%以上である金属膜材料の製造方法を用いる。 (もっと読む)


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