説明

めっき給電線を除去したテープキャリア及びその製造方法

【課題】配線部分に悪影響を及ぼすことなく、どんなパターンにも対応できる、めっき給電線を除去したテープキャリアの製造方法を提供する。
【解決手段】片面または両面に所定の回路パターンを形成した後、電気めっきを析出させるための給電線を、前記回路パターンの外形の給電帯からハンダボール搭載ランド間をつなげて引き回し、電気めっきを析出させた後に前記給電線を除去するようにした。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体チップを搭載するためのテープキャリアと、その製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年の電子機器は、ますます小型化・軽量化・薄型化の傾向が進み、これに用いられる部品の高集積化が厳しく要求されている。従来から、ファインピッチに対応できる半導体パッケージとして銅ポリイミドテープを使用したTCP(テープキャリアパッケージ)などがあったが、昨今のパッケージの小型化とともに、ICの高周波化が加速され、これに伴い半導体を搭載する周辺部品にも高周波化が求められるようになった。
こうした小型化・高周波化の要求によって、TCPにおいても高周波特性の向上が必須となり、これらの要求をみたすものとしてめっき給電線のないテープキャリアが望まれている。めっき給電線がパターンにあると、信号ノイズの原因となり、高周波回路では誤動作の原因となってしまう。そこで、電気めっきの場合はめっき給電線を除去した製造方法が模索されている。また、外部からの電気を用いない無電解めっきも検討されているが、ワイヤーボンディング性、ハンダ接合性、耐折曲げ性の観点において電気めっきに劣る点がある。またファインなパターンでは、パターン間にめっきが析出してショート不良となる不具合があり、適用に限界があると考えられる。
【0003】
従来のめっき給電線を除去したテープキャリアの製造方法を図3に示す(従来法1)。従来法1では、銅箔の回路形成(図3(b))後に、めっきを析出させる領域以外をドライフィルムでカバーした(図3(c))後に電気めっきを行い(図3(d))、その後該ドライフィルムを剥離し(図3(e))、さらに、めっきが析出していない銅配線部分をエッチングし(図3(f))、銅配線を溶解して給電線を除去するようにしていた。
また、他の従来方法(従来法2)では、給電線を極力少なくするようなパターン設計を行うものである(図4)。パターン外の給電帯からパターン最内まで一括で給電線を引き、そこから各々のパターンに分配するものであり(図4(a)参照)、電気めっきを行った後、分配給電線を金型などで打ち抜いて分離するようにしていた(図4(b)参照)。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、従来法1においては、除去した給電線の端面が、銅のサイドエッチングによりアンダーカットとなるため配線内が中空となり(図3(f)参照)、その上に析出させためっき膜が剥がれて飛散し、電気的にショートするという不具合があった。また従来法2においては、従来法1におけるようなめっき膜剥がれなどは生じないが、金型で打ち抜くため、わずかに給電線が残ってしまい、また打ち抜いた跡にはテープキャリアに不要な穴が開いてしまう。さらに給電のバランスが悪く、めっき厚分布が悪化する傾向があった。
【0005】
本発明は、上記の如き従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、配線部分に悪影響を及ぼすことなく、どんなパターンにも対応できる、めっき給電線を除去したテープキャリアの製造方法、およびその方法を用いて製造したテープキャリアを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記目的を達成するため、本発明によるテープキャリアの製造方法は、片面または両面に所定の回路パターンを形成した後、電気めっきを析出させるための給電線を、前記回路パターンの外形の給電帯からハンダボール搭載ランド間をつなげて引き回し、電気めっきを析出させた後に前記給電線を除去するようにしている。
【0007】
また、本発明によるテープキャリアの製造方法は、片面または両面に所定の回路パターンを形成した後、電気めっきを析出させる領域以外をドライフィルムでマスキングし、電気めっきを行った後前記ドライフィルムを剥離し、次いで、電気めっきを行なった領域に対し外形が10〜60μm大きい領域をドライフィルムで再度マスキングした後、露出した銅パターンをエッチング液で溶解し、次いで、前記ドライフィルムを剥離することによりめっき給電線を除去するようにしている。
【0008】
本発明によれば、前記電気めっきは、好ましくは、Ni、Au、Sn、Cu、Pb、Ag、Pdから選択される1つ以上のめっき金属で行なわれる。
【0009】
本発明によるめっき給電線を除去したテープキャリアは、銅箔と、接着剤と、ポリイミドと、Ni、Au、Sn、Cu、Pb、Ag、Pdから選択される1つ以上のめっき金属とからなる。
【0010】
また、本発明によるめっき給電線を除去したテープキャリアは、銅箔と、ポリイミドと、Ni、Au、Sn、Cu、Pb、Ag、Pdから選択される1つ以上のめっき金属とからなる。
【発明の効果】
【0011】
本発明によれば、給電線を除去する領域が、ハンダボール搭載ランド間のみであるため、信号ノイズの発生を最小限に抑えることができる。また、銅配線を除去する工程において、めっきより外側にレジストがあるため、銅のサイドエッチングが配線まで至らず、配線が中空になることはない。さらにパターン外形の給電帯から内側に引き回すので、どんなパターンにも対応が可能であり、給電バランスも改善されるため、めっき厚分布も良好とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0012】
以下本発明の実施の形態を図1を参照して説明する。
まず、表面に銅層を設けたポリイミドテープ1の銅層2に、レジストを貼り付け、所定のパターンで露光を行ない、現像し、エッチングして、レジスト剥離を行い、回路パターンを形成する(図1(b))。なお、この時に給電線も同時に形成するが、給電線はパターン外形の給電帯から内側に向かってランド同士をつなぐように配置する(図2(a)参照)。次いで、電気めっきを析出させる領域以外をマスキングするため、銅層表面にレジストを形成し、パターン露光、現像を経てマスキングを施す(図1(c))。その後、所定の電気めっきを行い(図1(d))、所望の領域にのみめっき皮膜を析出させた後、マスキングレジストを剥離する(図1(e))。次いで、再度レジストを貼り付け、電気めっきを析出させた領域から10〜60μm大きめにパターン露光を行ない、現像して、めっき皮膜とその外側をマスキングする(図1(f))。その後、銅エッチャントを用いて、露出した銅の給電線を溶解し(図1(g))、最後にマスキングレジストを剥離する(図1(h))。この方法によれば、図1(h)に示されるように、めっき配線下はサイドエッチングされず、配線内も中空にならない。
なお、必要に応じてテープキャリア表面に、ソルダーレジスト形成を行ってもよい。
以上は、ポリイミドテープ1の片面に銅層2を設けた場合について説明したが、ポリイミドテープ1の両面に銅層2を設けた場合も、その両面が上記と同様にして処理される。
【実施例】
【0013】
図1は本発明の1実施例であり、給電線を除去したテープキャリアの各工程ごとの断面図を示すものである。まず、出発材料として50μm厚のポリイミドテープ1の片面にNi-Cr合金を約200Åの厚さにスパッタし、金属層を形成した。さらに銅めっきにより厚さ8μmの銅めっき層2を形成し、片面銅層付ポリイミドテープを用意した(図1(a))。次に該ポリイミドテープの片面にアルカリ現像型感光性レジストフィルム(旭化成製:SPG-102)をラミネートした後、50μmピッチのファインパターンを有するマスクパターンを露光した後、1wt%炭酸ナトリウム水溶液で40℃で30秒間現像を行った。次いで、現像によりパターニングされたレジストに対し、10wt%塩化銅エッチング液により45℃×30秒間エッチングを行った後、レジストを2wt%水酸化ナトリウム溶液で30℃×3分間処理してレジストの剥離を行い、回路パターンを形成した(図1(b))。このとき、給電線は図2(a)に示すようにパターン外形の給電帯から、内側にランド同士をつなぐように配置し、最内側のワイヤーボンディングパッドには給電線を接続しないようにした。
【0014】
次いで、回路パターン面にアルカリ現像型感光性レジストフィルム(旭化成製:AQ-1558)をラミネートした(図1(c))後、給電線領域のみをマスキングするパターンを露光した後、1wt%炭酸ナトリウム水溶液により40℃で30秒間現像を行った。次いで、電気Niめっきを3μm、電気Auめっきを0.3μm施した(図1(d))のち、該マスキングレジストを2wt%水酸化ナトリウム溶液により30℃で3分間処理しレジストの剥離を行った(図1(e))。この状態でNi、Auめっきは給電線以外のパターンには析出しているが、除去したい給電線部はCuのままである。
【0015】
再度、回路パターン面にアルカリ現像型感光性レジストフィルム(旭化成製:AQ-1558)をラミネートした後、Ni、Auめっき析出部から50μm外側までマスキングするパターンを露光した(図1(f))後、1wt%炭酸ナトリウム水溶液により40℃で30秒間現像を行った。次いで、10wt%塩化銅エッチング液により45℃で30秒間エッチングを行い(図1(g))、Cuの給電線を溶解除去したのち、最後に該マスキングレジストを2wt%水酸化ナトリウム溶液により30℃で3分間処理し、レジストの剥離を行い(図1(h))、給電線を除去したテープキャリアを得た。
【0016】
このようにして得たテープキャリアの給電線を除去した端面は、電気めっきより外側にレジストをマスキングしたため、Cuのサイドエッチングがめっき下に到達しておらず、中空にはなっていなかった。このためめっき皮膜が剥離したり、飛散してショートするようなこともなかった。また、除去した給電線の端面はランドにのみ在り、ワイヤーボンディングパッドからランドまでの信号線には無いため、電気的なノイズも抑制できた。
【図面の簡単な説明】
【0017】
【図1】給電線を除去した本発明方法によるテープキャリアの製造工程図である。
【図2】本発明方法により製造されたテープキャリアの平面図で、(a)は給電線による給電帯とランドとの接続状態を、(b)は給電線を除去した状態を、それぞれ示す。
【図3】給電線を除去した一従来方法によるテープキャリアの製造工程図である。
【図4】他の従来方法により製造されたテープキャリアの平面図で、(a)は給電線による給電帯とランドとの接続状態を、(b)は給電線を金型で打ち抜いて除去した状態を、それぞれ示す。
【符号の説明】
【0018】
1 ポリイミドテープ
2 銅層

【特許請求の範囲】
【請求項1】
片面または両面に所定の回路パターンを形成した後、電気めっきを析出させるための給電線を、前記回路パターンの外形の給電帯からハンダボール搭載ランド間をつなげて引き回し、電気めっきを析出させた後に前記給電線を除去するようにしたテープキャリアの製造方法。
【請求項2】
片面または両面に所定の回路パターンを形成した後、電気めっきを析出させる領域以外をドライフィルムでマスキングし、電気めっきを行った後前記ドライフィルムを剥離し、次いで、電気めっきを行なった領域に対し外形が10〜60μm大きい領域をドライフィルムで再度マスキングした後、露出した銅パターンをエッチング液で溶解し、次いで、前記ドライフィルムを剥離することによりめっき給電線を除去したテープキャリアの製造方法。
【請求項3】
前記電気めっきが、Ni、Au、Sn、Cu、Pb、Ag、Pdから選択される1つ以上のめっき金属からなる請求項1または2に記載のテープキャリアの製造方法。
【請求項4】
銅箔と、接着剤と、ポリイミドと、Ni、Au、Sn、Cu、Pb、Ag、Pdから選択される1つ以上のめっき金属とからなることを特徴とする、めっき給電線を除去したテープキャリア。
【請求項5】
銅箔と、ポリイミドと、Ni、Au、Sn、Cu、Pb、Ag、Pdから選択される1つ以上のめっき金属とからなることを特徴とする、めっき給電線を除去したテープキャリア。













【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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