インジウムターゲット及びその製造方法
【課題】異常放電の発生を良好に抑制することの可能なインジウムターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】インジウムターゲットは、ターゲット表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１．６μｍ以下である。
【解決手段】インジウムターゲットは、ターゲット表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１．６μｍ以下である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はスパッタリングターゲット及びその製造方法に関し、より詳細にはインジウムターゲット及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インジウムは、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ系（ＣＩＧＳ系）薄膜太陽電池の光吸収層形成用のスパッタリングターゲットとして使用されている。
【０００３】
従来、インジウムターゲットは、特許文献１に開示されているように、バッキングプレート上にインジウム合金等を付着させた後、金型にインジウムを流し込み鋳造することで作製されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特公昭６３−４４８２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、この様な溶解鋳造法でインジウムターゲットを製造する場合、金型にインジウムを流し込み鋳造することで得られたインジウムインゴットは、表面加工を施さなければその表面に酸化膜が形成されてしまう。この酸化膜を除去するためにインゴット表面を研磨すると、インジウムが非常に柔らかい金属であるため、かえって表面が荒れてしまう。このようなインジウムターゲットの表面の荒れは、スパッタ時の異常放電発生の原因となっている。
【０００６】
そこで、本発明は、異常放電の発生を良好に抑制することの可能なインジウムターゲット及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は上記課題を解決するために鋭意検討したところ、溶解鋳造法で作製したインジウムターゲットの表面を切削加工することによって、ターゲット表面の算術平均粗さ（Ｒａ）を１．６μｍ以下とし、好ましくは更にターゲット表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）を１５μｍ以下とすることにより、異常放電の発生を良好に抑制することができることを見出した。
【０００８】
以上の知見を基礎として完成した本発明は一側面において、ターゲット表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１．６μｍ以下であるインジウムターゲットである。
【０００９】
本発明に係るインジウムターゲットは一実施形態において、算術平均粗さ（Ｒａ）が１．２μｍ以下である。
【００１０】
本発明に係るインジウムターゲットは別の一実施形態において、ターゲット表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が１５μｍ以下である。
【００１１】
本発明に係るインジウムターゲットは更に別の一実施形態において、十点平均粗さ（Ｒｚ）が１０μｍ以下である。
【００１２】
本発明は別の一側面において、インジウム原料を溶解鋳造後、スクレーパーによる切削加工を行うことにより本発明のインジウムターゲットを作製するインジウムターゲットの製造方法である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、異常放電の発生を良好に抑制することの可能なインジウムターゲット及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明に係るインジウムターゲットは、ターゲット表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１．６μｍ以下であるという特徴を有する。ターゲット表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１．６μｍを超えると、ターゲットをスパッタした際に異常放電が発生するおそれがある。ターゲット表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、好ましくは１．２μｍ以下であり、より好ましくは１．０μｍ以下である。本発明において、「算術平均粗さ（Ｒａ）」は、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４の定義による。
【００１５】
本発明に係るインジウムターゲットは、ターゲット表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が１５μｍ以下であるという特徴を有する。ターゲット表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）を１５μｍ以下であると、ターゲットをスパッタした際の異常放電の発生をより良好に抑制することができる。ターゲット表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）は、好ましくは１０μｍ以下であり、より好ましくは８μｍ以下である。本発明において、「十点平均粗さ（Ｒｚ）」は、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４の定義による。
【００１６】
次に、本発明に係るインジウムターゲットの製造方法の好適な例を順を追って説明する。まず、原料であるインジウムを溶解し、鋳型に流し込む。使用する原料インジウムは、不純物が含まれていると、その原料によって作製される太陽電池の変換効率が低下してしまうという理由により高い純度を有していることが望ましく、例えば、純度９９．９９質量％以上のインジウムを使用することができる。その後、室温まで冷却して、インジウムインゴットを形成する。冷却速度は空気による自然放冷でよい。
【００１７】
続いて、得られたインジウムインゴットを必要であれば所望の厚さまで冷間圧延し、さらに必要であれば酸洗や脱脂を行う。次に、例えば５〜１００ｍｍの刃幅のスクレーパーを用いて表面の切削加工を行うことにより、インジウムターゲットを作製する。スクレーパーは、インジウムターゲット表面の切削に耐えうる硬さを有し、耐磨耗性に優れるものであれば特に限定されず、例えば、ステンレス鋼、高クロム鋼等の金属製スクレーパー、又は、可能であればセラミックス製のスクレーパーも用いることができる。このようなスクレーパーにより、ターゲット表面を研磨することにより、ターゲット表面の算術平均粗さ（Ｒａ）を１．６μｍ以下、好ましくは１．２μｍ以下、より好ましくは１．０μｍ以下に加工する。また、ターゲット表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）についても、１５μｍ以下、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは８μｍ以下に加工する。
【００１８】
このようにして得られたインジウムターゲットは、ＣＩＧＳ系薄膜太陽電池用光吸収層のスパッタリングターゲットとして好適に使用することができる。
【実施例】
【００１９】
以下に本発明の実施例を比較例と共に示すが、これらの実施例は本発明及びその利点をよりよく理解するために提供するものであり、発明が限定されることを意図するものではない。
【００２０】
（実施例１）
直径２５０ｍｍ、厚さ５ｍｍの銅製のバッキングプレート上の周囲を直径２０５ｍｍ、高さ７ｍｍの円柱状の鋳型で囲い、その内部に１６０℃で溶解させたインジウム原料（純度５Ｎ）を流し込んだ後、室温まで冷却して、円盤状のインジウムインゴット（直径２０４ｍｍ×厚み６ｍｍ）を形成した。続いて、このインジウムインゴットの表面を、刃幅２０ｍｍのステンレス製スクレーパーによって切削加工し、インジウムターゲットを得た。
【００２１】
（実施例２）
ステンレス製スクレーパーの刃幅を４０ｍｍとした以外は、実施例１と同様の条件でインジウムターゲットを作製した。
【００２２】
（実施例３）
ステンレス製スクレーパーの刃幅を１０ｍｍとした以外は、実施例１と同様の条件でインジウムターゲットを作製した。
（実施例４）
ステンレス製スクレーパーの刃幅を５ｍｍとした以外は、実施例１と同様の条件でインジウムターゲットを作製した。
【００２３】
（比較例１）
ターゲット表面の切削を行わなかった以外は、実施例１と同様の条件でインジウムターゲットを作製した。
【００２４】
（比較例２）
ステンレス製スクレーパーによるターゲット表面の切削加工に代えて、フライス加工を行った以外は、実施例１と同様の条件でインジウムターゲットを作製した。
【００２５】
（評価）
実施例及び比較例で得られたインジウムターゲットについて、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４の規定による「算術平均粗さ（Ｒａ）」及び「十点平均粗さ（Ｒｚ）」を測定した。
また、これら実施例及び比較例のインジウムターゲットを、ＡＮＥＬＶＡ製ＳＰＦ−３１３Ｈスパッタ装置で、スパッタ開始前のチャンバー内の到達真空度圧力を１×１０-4Ｐａ、スパッタ時の圧力を０．５Ｐａ、アルゴンスパッタガス流量を５ＳＣＣＭ、スパッタパワーを６５０Ｗで３０分間スパッタし、目視により観察されたスパッタ中の異常放電の回数を計測した。
各測定結果を表１に示す。
【００２６】
【表１】
【００２７】
実施例１は、ターゲット表面を刃幅２０ｍｍのステンレス製スクレーパーによって切削加工しており、算術平均粗さ（Ｒａ）が１．３μｍで十点平均粗さ（Ｒｚ）が１２μｍであった。このため、異常放電が確認されなかった。
実施例２は、ターゲット表面を、実施例１に比べて刃幅が４０ｍｍと広いステンレス製スクレーパーによって切削加工しており、算術平均粗さ（Ｒａ）が１．６μｍで十点平均粗さ（Ｒｚ）が１５μｍと実施例１より表面がやや粗かったが、異常放電は確認されなかった。
実施例３は、ターゲット表面を、実施例１に比べて刃幅が１０ｍｍと狭いステンレス製スクレーパーによって切削加工しており、算術平均粗さ（Ｒａ）が１．２μｍで十点平均粗さ（Ｒｚ）が１０μｍと実施例１より表面が平坦で、異常放電は確認されなかった。
実施例４は、ターゲット表面を、実施例１及び３に比べて刃幅が５ｍｍと狭いステンレス製スクレーパーによって切削加工しており、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．８μｍで十点平均粗さ（Ｒｚ）が８μｍと実施例１及び３より表面が滑らかで、異常放電は確認されなかった。
比較例１は、ターゲット表面の切削を行っておらず、算術平均粗さ（Ｒａ）が２μｍで十点平均粗さ（Ｒｚ）が２０μｍと粗く、異常放電も８０回と多かった。
比較例２は、スクレーパーによるターゲット表面の切削加工に代えてフライス加工により表面処理を行っているため、算術平均粗さ（Ｒａ）が５０μｍで十点平均粗さ（Ｒｚ）が１５０μｍと粗く、異常放電も２５０回と多かった。
【技術分野】
【０００１】
本発明はスパッタリングターゲット及びその製造方法に関し、より詳細にはインジウムターゲット及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インジウムは、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ系（ＣＩＧＳ系）薄膜太陽電池の光吸収層形成用のスパッタリングターゲットとして使用されている。
【０００３】
従来、インジウムターゲットは、特許文献１に開示されているように、バッキングプレート上にインジウム合金等を付着させた後、金型にインジウムを流し込み鋳造することで作製されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特公昭６３−４４８２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、この様な溶解鋳造法でインジウムターゲットを製造する場合、金型にインジウムを流し込み鋳造することで得られたインジウムインゴットは、表面加工を施さなければその表面に酸化膜が形成されてしまう。この酸化膜を除去するためにインゴット表面を研磨すると、インジウムが非常に柔らかい金属であるため、かえって表面が荒れてしまう。このようなインジウムターゲットの表面の荒れは、スパッタ時の異常放電発生の原因となっている。
【０００６】
そこで、本発明は、異常放電の発生を良好に抑制することの可能なインジウムターゲット及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は上記課題を解決するために鋭意検討したところ、溶解鋳造法で作製したインジウムターゲットの表面を切削加工することによって、ターゲット表面の算術平均粗さ（Ｒａ）を１．６μｍ以下とし、好ましくは更にターゲット表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）を１５μｍ以下とすることにより、異常放電の発生を良好に抑制することができることを見出した。
【０００８】
以上の知見を基礎として完成した本発明は一側面において、ターゲット表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１．６μｍ以下であるインジウムターゲットである。
【０００９】
本発明に係るインジウムターゲットは一実施形態において、算術平均粗さ（Ｒａ）が１．２μｍ以下である。
【００１０】
本発明に係るインジウムターゲットは別の一実施形態において、ターゲット表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が１５μｍ以下である。
【００１１】
本発明に係るインジウムターゲットは更に別の一実施形態において、十点平均粗さ（Ｒｚ）が１０μｍ以下である。
【００１２】
本発明は別の一側面において、インジウム原料を溶解鋳造後、スクレーパーによる切削加工を行うことにより本発明のインジウムターゲットを作製するインジウムターゲットの製造方法である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、異常放電の発生を良好に抑制することの可能なインジウムターゲット及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明に係るインジウムターゲットは、ターゲット表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１．６μｍ以下であるという特徴を有する。ターゲット表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１．６μｍを超えると、ターゲットをスパッタした際に異常放電が発生するおそれがある。ターゲット表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、好ましくは１．２μｍ以下であり、より好ましくは１．０μｍ以下である。本発明において、「算術平均粗さ（Ｒａ）」は、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４の定義による。
【００１５】
本発明に係るインジウムターゲットは、ターゲット表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が１５μｍ以下であるという特徴を有する。ターゲット表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）を１５μｍ以下であると、ターゲットをスパッタした際の異常放電の発生をより良好に抑制することができる。ターゲット表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）は、好ましくは１０μｍ以下であり、より好ましくは８μｍ以下である。本発明において、「十点平均粗さ（Ｒｚ）」は、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４の定義による。
【００１６】
次に、本発明に係るインジウムターゲットの製造方法の好適な例を順を追って説明する。まず、原料であるインジウムを溶解し、鋳型に流し込む。使用する原料インジウムは、不純物が含まれていると、その原料によって作製される太陽電池の変換効率が低下してしまうという理由により高い純度を有していることが望ましく、例えば、純度９９．９９質量％以上のインジウムを使用することができる。その後、室温まで冷却して、インジウムインゴットを形成する。冷却速度は空気による自然放冷でよい。
【００１７】
続いて、得られたインジウムインゴットを必要であれば所望の厚さまで冷間圧延し、さらに必要であれば酸洗や脱脂を行う。次に、例えば５〜１００ｍｍの刃幅のスクレーパーを用いて表面の切削加工を行うことにより、インジウムターゲットを作製する。スクレーパーは、インジウムターゲット表面の切削に耐えうる硬さを有し、耐磨耗性に優れるものであれば特に限定されず、例えば、ステンレス鋼、高クロム鋼等の金属製スクレーパー、又は、可能であればセラミックス製のスクレーパーも用いることができる。このようなスクレーパーにより、ターゲット表面を研磨することにより、ターゲット表面の算術平均粗さ（Ｒａ）を１．６μｍ以下、好ましくは１．２μｍ以下、より好ましくは１．０μｍ以下に加工する。また、ターゲット表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）についても、１５μｍ以下、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは８μｍ以下に加工する。
【００１８】
このようにして得られたインジウムターゲットは、ＣＩＧＳ系薄膜太陽電池用光吸収層のスパッタリングターゲットとして好適に使用することができる。
【実施例】
【００１９】
以下に本発明の実施例を比較例と共に示すが、これらの実施例は本発明及びその利点をよりよく理解するために提供するものであり、発明が限定されることを意図するものではない。
【００２０】
（実施例１）
直径２５０ｍｍ、厚さ５ｍｍの銅製のバッキングプレート上の周囲を直径２０５ｍｍ、高さ７ｍｍの円柱状の鋳型で囲い、その内部に１６０℃で溶解させたインジウム原料（純度５Ｎ）を流し込んだ後、室温まで冷却して、円盤状のインジウムインゴット（直径２０４ｍｍ×厚み６ｍｍ）を形成した。続いて、このインジウムインゴットの表面を、刃幅２０ｍｍのステンレス製スクレーパーによって切削加工し、インジウムターゲットを得た。
【００２１】
（実施例２）
ステンレス製スクレーパーの刃幅を４０ｍｍとした以外は、実施例１と同様の条件でインジウムターゲットを作製した。
【００２２】
（実施例３）
ステンレス製スクレーパーの刃幅を１０ｍｍとした以外は、実施例１と同様の条件でインジウムターゲットを作製した。
（実施例４）
ステンレス製スクレーパーの刃幅を５ｍｍとした以外は、実施例１と同様の条件でインジウムターゲットを作製した。
【００２３】
（比較例１）
ターゲット表面の切削を行わなかった以外は、実施例１と同様の条件でインジウムターゲットを作製した。
【００２４】
（比較例２）
ステンレス製スクレーパーによるターゲット表面の切削加工に代えて、フライス加工を行った以外は、実施例１と同様の条件でインジウムターゲットを作製した。
【００２５】
（評価）
実施例及び比較例で得られたインジウムターゲットについて、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４の規定による「算術平均粗さ（Ｒａ）」及び「十点平均粗さ（Ｒｚ）」を測定した。
また、これら実施例及び比較例のインジウムターゲットを、ＡＮＥＬＶＡ製ＳＰＦ−３１３Ｈスパッタ装置で、スパッタ開始前のチャンバー内の到達真空度圧力を１×１０-4Ｐａ、スパッタ時の圧力を０．５Ｐａ、アルゴンスパッタガス流量を５ＳＣＣＭ、スパッタパワーを６５０Ｗで３０分間スパッタし、目視により観察されたスパッタ中の異常放電の回数を計測した。
各測定結果を表１に示す。
【００２６】
【表１】
【００２７】
実施例１は、ターゲット表面を刃幅２０ｍｍのステンレス製スクレーパーによって切削加工しており、算術平均粗さ（Ｒａ）が１．３μｍで十点平均粗さ（Ｒｚ）が１２μｍであった。このため、異常放電が確認されなかった。
実施例２は、ターゲット表面を、実施例１に比べて刃幅が４０ｍｍと広いステンレス製スクレーパーによって切削加工しており、算術平均粗さ（Ｒａ）が１．６μｍで十点平均粗さ（Ｒｚ）が１５μｍと実施例１より表面がやや粗かったが、異常放電は確認されなかった。
実施例３は、ターゲット表面を、実施例１に比べて刃幅が１０ｍｍと狭いステンレス製スクレーパーによって切削加工しており、算術平均粗さ（Ｒａ）が１．２μｍで十点平均粗さ（Ｒｚ）が１０μｍと実施例１より表面が平坦で、異常放電は確認されなかった。
実施例４は、ターゲット表面を、実施例１及び３に比べて刃幅が５ｍｍと狭いステンレス製スクレーパーによって切削加工しており、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．８μｍで十点平均粗さ（Ｒｚ）が８μｍと実施例１及び３より表面が滑らかで、異常放電は確認されなかった。
比較例１は、ターゲット表面の切削を行っておらず、算術平均粗さ（Ｒａ）が２μｍで十点平均粗さ（Ｒｚ）が２０μｍと粗く、異常放電も８０回と多かった。
比較例２は、スクレーパーによるターゲット表面の切削加工に代えてフライス加工により表面処理を行っているため、算術平均粗さ（Ｒａ）が５０μｍで十点平均粗さ（Ｒｚ）が１５０μｍと粗く、異常放電も２５０回と多かった。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲット表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１．６μｍ以下であるインジウムターゲット。
【請求項２】
前記算術平均粗さ（Ｒａ）が１．２μｍ以下である請求項１に記載のインジウムターゲット。
【請求項３】
ターゲット表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が１５μｍ以下である請求項１又は２に記載のインジウムターゲット。
【請求項４】
前記十点平均粗さ（Ｒｚ）が１０μｍ以下である請求項３に記載のインジウムターゲット。
【請求項５】
インジウム原料を溶解鋳造後、スクレーパーによる切削加工を行うことにより請求項１〜４のいずれかに記載のインジウムターゲットを作製するインジウムターゲットの製造方法。
【請求項１】
ターゲット表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１．６μｍ以下であるインジウムターゲット。
【請求項２】
前記算術平均粗さ（Ｒａ）が１．２μｍ以下である請求項１に記載のインジウムターゲット。
【請求項３】
ターゲット表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が１５μｍ以下である請求項１又は２に記載のインジウムターゲット。
【請求項４】
前記十点平均粗さ（Ｒｚ）が１０μｍ以下である請求項３に記載のインジウムターゲット。
【請求項５】
インジウム原料を溶解鋳造後、スクレーパーによる切削加工を行うことにより請求項１〜４のいずれかに記載のインジウムターゲットを作製するインジウムターゲットの製造方法。
【公開番号】特開２０１２−５２１７３（Ｐ２０１２−５２１７３Ａ）
【公開日】平成２４年３月１５日（２０１２．３．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１９４５３２（Ｐ２０１０−１９４５３２）
【出願日】平成２２年８月３１日（２０１０．８．３１）
【出願人】（５０２３６２７５８）ＪＸ日鉱日石金属株式会社 (482)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年３月１５日（２０１２．３．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年８月３１日（２０１０．８．３１）
【出願人】（５０２３６２７５８）ＪＸ日鉱日石金属株式会社 (482)
【Ｆターム（参考）】
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