【課題】 スパッタ法により良好にＮａ添加されたＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅからなる膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｃｕ，Ｉｎ，ＧａおよびＳｅを含有し、さらに、ＮａＦ化合物、Ｎａ_２Ｓ化合物、又はＮａ_２Ｓｅ化合物の少なくとも１種の状態でＮａが、Ｎａ／（Ｃｕ＋Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｅ＋Ｎａ）×１００：０．０５〜５原子％の割合で含有され、酸素濃度が、２００〜２０００重量ｐｐｍであり、残部が不可避不純物からなる成分組成を有する。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を異常放電を抑制しつつ成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化インジウムと；Ｔｉ、Ｍｇ、Ａｌ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも１種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ_mＩｎ₂Ｏ_3+m（ｍは５〜７の整数）相を主相とし、Ｉｎ₂Ｏ₃、及びＺｎＯの各結晶相を含むと共に、相対密度８５％以上、比抵抗０．１Ω・ｃｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】ターゲット材とバッキングプレートとを、気泡を発生させることなく確実に接合できる簡単な方法を提供する。
【解決手段】ターゲット材２及びバッキングプレート３の接合面にボンディング材の塗布層４Ａ，４Ｂを形成した状態でこれらの一方の接合面を上方に向けて配置するとともに、その接合面に他方の接合面を上方から対向させ、これらの面方向の一端部を接触させた状態で、一端部から離れた位置で両接合面の間にボンディング材により形成されたブロック材１１を配置し、ブロック材１１及び塗布層４Ａ，４Ｂを溶融することにより、両接合面どうしを密接させ、ターゲット材２とバッキングプレート３とを接合する。 （もっと読む）

【課題】インジウム−錫ロウ材からインジウムターゲットへの錫の拡散が良好に抑制された、使用効率が良好な積層構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】バッキングプレート、インジウム−錫ロウ材、及び、インジウムターゲットがこの順で積層され、インジウムターゲットのインジウム−錫ロウ材側表面から２．５〜３．０ｍｍの厚み範囲における錫濃度が、５ｗｔｐｐｍ以下である積層構造体。 （もっと読む）

【課題】短い円筒型のサブターゲットを円筒軸方向に並べて構成される長い円筒型ターゲットを用いて、膜質の変化を抑制して成膜を行うスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】基板１７を第１の円筒ターゲット１９の近傍を所定の方向Ｄｓに搬送させながら、中心軸Ａｘ１９に沿って延在する第１の円筒ターゲット１９からスパッタリングして、当該基板１７に薄膜を形成するスパッタリング装置Ａｓであって、前記第１の円筒ターゲット１９は、当該第１の円筒ターゲット１９より筒長の短い第２の円筒ターゲット１８が第１の所定数ｋだけ前記中心軸Ａｘ１９に沿って連結されて構成されると共に、当該中心軸Ａｘ１９が前記基板搬送方向Ｄｓに対して第１の所定の角度θを成すように配置され、当該第１の所定の角度θは０°より大きく９０°より小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの動きおよびＰＶＤプロセスで起こる擦れを減少させるターゲット構造物および方法を提供する。
【解決手段】ターゲット構造物であって、ターゲット構造物の前面に配置されたスパッタ面を含むスパッタ領域と、スパッタ領域に対して横方向外方に向かい、かつ、スパッタ領域から前記構造物の外縁まで延びる前面を有するフランジ領域２２と、フランジ領域２２の前面の少なくとも一部を覆う保護層５０とを備える。保護層５０が約０．００２５４ｃｍ（０．００１インチ）から約０．２５４ｃｍ（０．１インチ）の厚さであり、保護層５０はフランジ領域２２の前面に較べて低摩擦係数を有する。 （もっと読む）

【課題】ターゲット材料をインジウムで全面接着することなく、冷却不足を解消できるバッキングプレート、ターゲット装置及びスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】バッキングプレートの基体部２１の片側表面にはリング状に蓋板部２３が密着固定され、その内側に形成された溝部２４には外部から冷却媒体が送液される。冷却媒体は蓋板部２３の裏面に接触し、蓋板部２３表面上に保持されたターゲット材料２２を冷却する。基体部２１の内部には圧縮変形された弾性部材２６が配置され、蓋板部２３の裏面に裏面側から表面側に向く膨出力を印加している。プラズマ中のイオンの衝突によりターゲット材料２２に反りが生じると、膨出力により蓋板部２３はターゲット材料２２の反りに追従して膨出するため、蓋板部２３とターゲット材料２２は広い面積で接触し続け、冷却効率は低下しない。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング用分割ターゲット装置及びそれを利用したスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】ベースプレート１１０と、ベースプレートの一面に規則的な列をなして付着した複数の小片ターゲット１２０、及びベースプレートの他面に複数の小片ターゲットとそれぞれ対になって付着した複数の磁石１３０とを備えた複数のソースユニット１４０と、を備え、ソースユニットは、列の方向である第１方向と、それに垂直である第２方向との間の角度において相互平行に配列されたスパッタリング用分割ターゲット装置１００である。これにより、製造及び取扱の容易な小片ターゲットを使用しつつも均一な蒸着品質が得られ、結果的に、ディスプレイ装置の輝度を画面全体にわたって均一にしうる。 （もっと読む）

【課題】 割れや、バッキングプレートやバッキングチューブに対する剥がれが生じ難いスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のスパッタリングターゲットの製造方法は、ＣｕＧａ合金粉末とＣｕ粉末との混合粉末を、金属基体上に溶射してスパッタリングターゲットを形成する工程を有する。これによって作製されたターゲットは、互いに不定形なＣｕＧａ合金相と純Ｃｕ相とが、相互に食い込み合った組織を有している。 （もっと読む）

【課題】 バッキングプレートからのＣｕの拡散を抑制して不純物の含有を低減可能なＩｎスパッタリングターゲットの製造方法を提供すること。
【解決手段】 ＣｕまたはＣｕ合金製のバッキングプレート１上にＮｉ膜２を成膜する工程と、加熱されたバッキングプレート１のＮｉ膜２上でＩｎ原料３を溶解し、さらに冷却して固化させることでＩｎスパッタリングターゲットを作製する工程とを有している。特に、Ｎｉ膜をイオンプレーティング法または溶射法により成膜することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ロウ材を使用することなく、円筒形スパッタリングターゲットを製造する方法を提供する。
【解決手段】円筒形ターゲット材３の内径側に、該円筒形ターゲット材３の内径よりも小さい外径を有するバッキングチューブ２を挿入し、この状態で、たとえば棒状の芯金４を挿通して、該バッキングチューブ２を拡管することにより、ロウ材を使用することなく、該円筒形ターゲット材３を該バッキングチューブ２に接合する。円筒形ターゲット材３とバッキングチューブ２の間に、溶融および凝固した後に塑性加工された低融点金属の緩衝材を介在させてもよい。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、
前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄相を主相とし、ビックスバイト型結晶構造であるＺｎ_XＳｎ_XＩｎ_YＯ_m相（Ｘ、Ｙ、ｍは任意の整数）を有すると共に、前記酸化物焼結体に含まれる金属元素の含有量（原子％）をそれぞれ、［Ｚｎ］、［Ｓｎ］、［Ｉｎ］としたとき、［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］＋［Ｉｎ］に対する［Ｉｎ］の比、［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］に対する［Ｚｎ］の比、［Ｓｎ］の比は、それぞれ下式を満足するものである。
［Ｉｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］＋［Ｉｎ］）＝０．０１〜０．２５未満
［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）＝０．５０〜０．８０
［Ｓｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）＝０．２０〜０．５０ （もっと読む）

【課題】機械加工が難しい高融点金属合金、高融点金属珪化物、高融点金属炭化物、高融点金属窒化物あるいは高融点金属ホウ化物の難焼結体からなるターゲットを比較的容易に製造できるようにすると共に、ターゲット製造時及びハイパワースパッタリング時の割れの発生を効果的に抑制し、またターゲット原料のホットプレス時におけるダイスとの反応を抑制し、さらにターゲットの反りを低減できるターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高融点金属合金、高融点金属珪化物、高融点金属炭化物、高融点金属窒化物あるいは高融点金属ホウ化物の難焼結体からなるターゲット材３とターゲット材以外の高融点金属板２，２’とが接合された構造を備えていることを特徴とする高融点金属合金、高融点金属珪化物、高融点金属炭化物、高融点金属窒化物あるいは高融点金属ホウ化物の難焼結体からなるターゲット。 （もっと読む）

【課題】溶接入熱による変形を抑制しつつ、耐熱性・高耐圧性を確保することができるバッキングプレート及びその製造方法を提供する。
【解決手段】バッキングプレート１０は、冷却媒体の循環用通路１４が形成された本体１１と、通路１４と対向する開口１２１が形成された金属板１２との接合構造を有する。金属板１２の開口１２１には蓋体１３が配置され、これにより通路１４が被覆される。バッキングプレートにおいては、本体１１よりも低硬度の金属材料で構成された金属板１２に蓋体１３が接合される。このため、例えば本体１１に耐熱性を有する高強度材料を使用する一方、金属板１２に摩擦撹拌接合（ＦＳＷ）のような溶接入熱の少ない接合法を適用することができる金属材料を使用することができる。これにより溶接入熱による変形が抑制された、耐熱性・高耐圧性を有するバッキングプレートを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜したＷ膜の膜厚面内均一性を向上させることが可能であり、さらにはパーティクルの発生を減少させることが可能なＷスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｗスパッタリングターゲットは、スパッタリングされる面のＸ線回折により求められた結晶面（１１０）及び（２００）の結晶方位比率（１１０）／（２００）が０．１〜６．５であることを特徴とする。また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜したＷ膜の膜厚面内均一性を向上させることが可能であり、さらにはパーティクルの発生を減少させることが可能なＷスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｗスパッタリングターゲットは、スパッタリングされる面のＸ線回折により得られた結晶面（１１０）のピークの半値幅が０．３５以下であることを特徴とする。また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、スパッタリングターゲットの寿命の間、スパッタリング材料の不変的に均質な層の製造を確実にするスパッタリングターゲットを提供することである。
【解決手段】この課題は、インジウム、亜鉛およびガリウムの少なくとも１つの三元系混合酸化物を含有する、インジウム、亜鉛およびガリウムの酸化物の混合物を有するスパッタリングターゲットであって、インジウム、亜鉛およびガリウムの三元系混合酸化物の割合が、混合物の総質量に対して少なくとも５０質量パーセントであり、且つ、アモルファス相の割合が、混合物の総質量に対して少なくとも２０質量パーセントである、スパッタリングターゲットによって解決される。 （もっと読む）

【課題】ターゲット材とバッキングプレートをボンディング材を介してターゲット接合体とする際の反りの発生を抑制し、さらにはスパッタリング中の温度上昇に起因するターゲット材とバッキングプレートとの剥離や破壊を効果的に防止し、且つ導電性に優れたターゲット接合体を提供する。
【解決手段】ターゲット接合体１において、ボンディング材は、室温から１５０℃までにおける粘着力Ｓ（Ｎ／ｃｍ^２）が０．４以上である耐熱性粘着材４であり、ターゲット材２とバッキングプレート３の接合面積に対する耐熱性粘着材を貼着した面積率（Ａ％）が８０％以下であると共に、当該面積率（Ａ％）と、単位面積あたりのターゲット材の自重Ｆ（Ｎ／ｃｍ^２）との関係が１．０≦［（Ｓ×Ａ／Ｆ）］を満たし、且つ耐熱性粘着材が貼着していない接合面の少なくとも一部に、耐熱性及び導電性のスペーサー５が介在している。 （もっと読む）

【課題】バリア膜としての特性や品質に優れるＴｉ−Ａｌ−Ｎ膜を再現性よく形成することを可能にしたスパッタターゲットを提供する。
【解決手段】Ａｌを1〜30原子％の範囲で含有するＴｉ−Ａｌ合金により構成されたスパッタターゲットであって、前記Ｔｉ−Ａｌ合金中のＡｌは、Ｔｉ中に固溶した状態、およびＴｉと金属間化合物を形成した状態の少なくとも一方の状態で存在しており、かつ前記Ｔｉ−Ａｌ合金の平均結晶粒径が500μm以下であると共に、ターゲット全体としての結晶粒径のバラツキが30％以内、前記Ｔｉ−Ａｌ合金の平均酸素含有量が1070ppmw以下であることを特徴とするスパッタターゲット。 （もっと読む）

【課題】ターゲットが磁性体・非磁性体であるに関わらず、ターゲット上に均一な平行磁場分布を形成し、均一なエロージョンが得られ、ターゲットの広幅化やスパッタ薄膜形成速度向上あるいはＣＶＤ成膜速度向上の効果が得られる放電電極及び放電方法を提供する。
【解決手段】平板ターゲットを有する放電電極において、前記平板ターゲットの表面側の両側縁に沿うように設けられ、前記平板ターゲットを隔てて対向する磁性体と、該磁性体を隔てて前記平板ターゲットの反対側に前記磁性体と組み合わせて設けられ前記平板ターゲットを隔てて異極性の関係であるターゲット上部磁石を有することを特徴とする放電電極。 （もっと読む）