【課題】ターゲット材とバッキングプレートとを、気泡を発生させることなく確実に接合できる簡単な方法を提供する。
【解決手段】ターゲット材２及びバッキングプレート３の接合面にボンディング材の塗布層４Ａ，４Ｂを形成した状態でこれらの一方の接合面を上方に向けて配置するとともに、その接合面に他方の接合面を上方から対向させ、これらの面方向の一端部を接触させた状態で、一端部から離れた位置で両接合面の間にボンディング材により形成されたブロック材１１を配置し、ブロック材１１及び塗布層４Ａ，４Ｂを溶融することにより、両接合面どうしを密接させ、ターゲット材２とバッキングプレート３とを接合する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗であると共に耐塩化性及び耐熱性に優れた導電体膜およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】導電体膜３が、Ｍｇを、０．５〜２質量％含有し、さらにＥｕを、０．０５〜１質量％含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成の銀合金で構成されている。この導電体膜３の製造方法は、Ｍｇを、０．５〜２質量％含有し、さらにＥｕを、０．０５〜１質量％含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成の銀合金で構成されているスパッタリングターゲットを用いてスパッタにより成膜する。 （もっと読む）

【課題】インジウム−錫ロウ材からインジウムターゲットへの錫の拡散が良好に抑制された、使用効率が良好な積層構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】バッキングプレート、インジウム−錫ロウ材、及び、インジウムターゲットがこの順で積層され、インジウムターゲットのインジウム−錫ロウ材側表面から２．５〜３．０ｍｍの厚み範囲における錫濃度が、５ｗｔｐｐｍ以下である積層構造体。 （もっと読む）

【課題】磁気トンネル接合素子のＭＲ比を向上させることが可能なスパッタリングターゲット、及びそれを用いた磁気メモリの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭｇＯを主成分とし、厚さが３ｍｍ以下であるターゲット本体１０を備えることを特徴とするスパッタリングターゲット、及びそれを用いた、ＭＲ比を向上させることができる磁気メモリの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】アーキングの発生を回避しながら成膜速度のさらなる向上を図ることができるターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のターゲットは、ＺｎＯ及びＺｎ₂ＳｎＯ₄からなる。錫（Ｓｎ）及び亜鉛（Ｚｎ）の原子数比Ｚｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）が０．８１〜０．９４の範囲にある。ＺｎＯの平均粒径が２［μｍ］以上の範囲にある一方、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄の平均粒径が１４［μｍ］以下の範囲にある。ターゲットの体積抵抗率は１Ｅ−０１［Ωｃｍ］以下であり、気孔率は１．７％以下である。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ−Ｃａ系合金を用いたスパッタリングターゲットとして、スパッタリング時における異常放電の発生を抑制し得るようにしたターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃａを０．５〜１０．０原子％含有し、残部が実質的にＣｕよりなるＣｕ−Ｃａ系の銅合金からなり、かつＣｕ−Ｃａ系合金において不可避的に晶出するＣｕ−Ｃａ系晶出物の平均粒径を、１０〜５０μｍの範囲内に規制する。さらに、Ｃｕ−Ｃａ系晶出物の最大径を、１００μｍ以下に規制する。 （もっと読む）

【課題】反応性スパッタリングにより金属酸化物膜を形成する場合でも、長時間に亘って安定して放電させることができて、良好な成膜を可能とするターゲットを提供する。
【解決手段】スパッタ室で処理すべき基板と共に配置されるスパッタリング用のターゲット３_１であって、スパッタリング時に少なくとも酸素を含むガスが導入される状態でスパッタリングされるものにおいて、ターゲットのスパッタ面３ａのうちターゲットを構成する元素との酸化物が付着、堆積し得る領域に絶縁性プレート８を貼付した
。 （もっと読む）

【課題】窒化リン酸リチウム膜の成膜速度を高めつつ、該窒化リン酸リチウム膜における膜特性の安定性を高めることの可能な窒化リン酸リチウム膜の成膜方法、該方法を用いて窒化リン酸リチウム膜を成膜する装置、及び該方法によって成膜された窒化リン酸リチウム膜を提供する。
【解決手段】
窒素とアルゴンとが含まれる真空槽１１内でリン酸リチウムのターゲット１３をスパッタして窒化リン酸リチウム膜を基板Ｓに成膜する。スパッタ装置のターゲット１３には、インジウム層１４を介して銅からなるバッキングプレート１５が接合され、バッキングプレート１５には、インジウム層１４を温調する冷却水が循環される。スパッタ時には、真空槽１１内の圧力を０．２５Ｐａ以上１．０Ｐａ以下とし、ターゲット１３に３．５Ｗ／ｃｍ^２以上５．７Ｗ／ｃｍ^２以下の電力密度で高周波電力を供給し、インジウム層１４の温度を２０℃以上６０℃以下とする。 （もっと読む）

【課題】ターゲット下方空間へのスパッタ粒子の飛散やプラズマの回り込み等を防止するといった機能を損なうことなく、ターゲットの外周縁部まで効率よく侵食領域とできてターゲットの利用効率が一層向上したスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタ室１ａで基板Ｗと共に配置されるターゲット３_１〜３_４のスパッタ面３ａ側を上として、ターゲットの下側に配置されてこのターゲットの上方にトンネル状の漏洩磁場Ｍ１，Ｍ２を形成する磁石ユニット４_１〜４_４と、ターゲットの長手方向をＸ方向、このＸ方向に直交する方向をＹ方向とし、磁石ユニットをＸ方向及びＹ方向の少なくとも１方向にターゲットに対して相対移動させる移動手段６とを備える。ターゲットの外周縁部から所定の隙間を存してターゲットの周囲を囲うように配置される、電気的に絶縁されたフローティングシールド５を更に有する。 （もっと読む）

【課題】スパッタ初期のスパッタレートが高く、かつスパッタレートの経時的な低下が小さく、さらに均質な膜が形成できる太陽電池用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】インジウム製の鋳塊に物理的応力を加える加工を行って該鋳塊の厚みを元の厚みの７０％以下にすることにより得られたターゲット材とバッキングプレートとを、インジウム-スズまたはインジウム-ガリウム合金製のボンディング材により接合することにより形成されたことを特徴とする太陽電池用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 中心磁極と外周磁極の間に中間磁極を配置した磁気発生機構を備え、スパッタリングターゲットの局所的な侵食を低減させ、使用効率を大幅に向上させたマグネトロンスパッタリングカソードを提供する。
【解決手段】 ターゲット表面の磁束密度について、領域Ａ内で中心磁極１２からターゲット端部への垂直磁束密度が−５０〜＋５０ガウスの範囲で連続する長さを短辺長さの０.０７倍以上に調整する。また、領域Ａの長辺方向の中央での中心磁極１２からターゲット端部への水平磁束密度の絶対値の極小値を両端での水平磁束密度の絶対値の極小値の０.９５〜１.４倍の範囲とし、領域Ｂの短辺方向の中央での中心磁極１２の水平磁束密度の絶対値を垂直磁束密度の絶対値の０.４倍以下とする。 （もっと読む）

【課題】インジウムターゲット内における不要な不純物の含有が良好に抑制された積層構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】積層構造体は、バッキングプレート、バッキングプレート上に形成された、インジウムと金属Ｍとの合金からなるロウ材、及び、ロウ材上に形成されたインジウムターゲットを備え、金属Ｍが、亜鉛、銀、及び、ビスマスから選択された１種以上である。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ系のターゲットにおいて、より優れた耐食性を示す高いＣｒの含有量とした場合であっても、ターゲットの成形時に割れが発生することなく、また、スパッタ時においても割れが発生することがないスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】原子％で、Ｓｉ：５〜２０％、Ｃｒ：５．５〜２５％を含有し、残部：Ａｌおよび不可避不純物からなる組成の素地中に絶対最大長：０．１〜５０μｍの範囲内にあるＡｌリッチの粒子が分散していることにより、前記課題を解決したものである。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットの大型化に伴い、ターゲットに大電力が投入されてもスプラッシュを抑制することができると共に、耐食性および耐熱性に優れ、低電気抵抗の膜を形成可能な導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットが、Ｉｎ：０．１〜１．５質量％を含有し、さらにＣｕ，Ｍｇの内の１種または２種を合計で０．１〜１．０質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成され、銀合金の結晶粒の平均粒径が１２０〜２５０μｍであり、結晶粒の粒径のばらつきが、平均粒径の２０％以下である。 （もっと読む）

【課題】
高密度で割れのない低酸素含有量珪化バリウム多結晶体ならびに低酸素含有量珪化バリウムガリウムスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】
本発明によれば、バリウムとシリコン粉末を用いて、酸素含有量が１０ｍｏｌ％以下の珪化バリウム粉末を作製することで、珪化バリウム多結晶体中に存在する酸素量が１０ｍｏｌ％以下であって、密度が３．０ｇ／ｃｍ^３以上であることを特徴とする珪化バリウム多結晶体を製造する。 （もっと読む）

【課題】ターゲット材とバッキングプレートとの間の任意の厚さのボンディング層を隙間なく形成することにより、熱膨張差による剥がれや割れが生じにくいスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】バッキングプレート２０上にターゲット材３０を積層し、これらをはんだ材により接合することによりスパッタリングターゲットを製造する方法であって、前記バッキングプレートと前記ターゲット材との接合部の外周を囲む枠状部材５０を配置して、この枠状部材の内側に前記接合部に連続するはんだ溜まりを１２形成し、前記接合部および前記はんだ溜まりを溶融状態の前記はんだ材で満たし、前記はんだ材が凝固した後に、前記枠状部材と前記はんだ溜まり内の前記はんだ材とを取り除く。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットであって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能であり、特に、直流スパッタリング法で製造しても長時間安定して放電することが可能な直流放電安定性に優れた酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化スズと；Ａｌ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｉｎ、およびＴａよりなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ｍ金属）の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、面内方向および深さ方向の比抵抗をガウス分布で近似したとき、上記比抵抗の分散係数σが０．０２以下である。 （もっと読む）