エアーギャップ構造を有する半導体素子のインターポーザ
【課題】エアーギャップ構造を有する半導体素子のインターポーザを提供する。
【解決手段】空き空間を含む半導体基板31と、前記半導体基板31の前記空き空間内部に位置する金属配線32と、を備え、前記半導体基板31の前記空き空間は、絶縁エアーギャップ33を形成することによって前記金属配線を絶縁させ、金属配線ライン、前記金属配線32の周囲をエアーギャップ33で絶縁させた、絶縁手段、前記金属配線ラインの一側に形成された半導体集積回路と電気的に連結される接触手段、及び前記金属配線ライン及び前記接触手段を固定させたインターポーザ30。
【解決手段】空き空間を含む半導体基板31と、前記半導体基板31の前記空き空間内部に位置する金属配線32と、を備え、前記半導体基板31の前記空き空間は、絶縁エアーギャップ33を形成することによって前記金属配線を絶縁させ、金属配線ライン、前記金属配線32の周囲をエアーギャップ33で絶縁させた、絶縁手段、前記金属配線ラインの一側に形成された半導体集積回路と電気的に連結される接触手段、及び前記金属配線ライン及び前記接触手段を固定させたインターポーザ30。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体素子インターポーザの構造に係り、具体的には、エアーギャップ構造を有する半導体素子のインターポーザの構造に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体素子において、半導体基板に複数個のトランジスタ、抵抗及びキャパシタなどの単位素子(element)を形成され、これら単位素子が電気的に連結されて半導体集積回路が構成される。前記単位素子は金属配線を通じて互いに連結される。
【0003】
一方、高速動作のために開発された半導体素子は、半導体集積回路の内部に設けられた金属配線を通じて単位素子を連結せず、インターポーザを通じて単位素子を電気的に連結させる。
【0004】
図1は、従来のインターポーザを用いた半導体素子を示す構成図である。
【0005】
図1を参照すれば、半導体素子10は、インターポーザ11及び半導体集積回路12で構成され、インターポーザ11は、半導体基板14、金属配線16及び層間絶縁膜(Inter Layer Dielectric:ILD)18を含む。半導体基板14は、インターポーザ11の金属配線16を固定させ、金属配線16と半導体集積回路12との結合に用いられる。金属配線16は、半導体集積回路12の単位素子を、接触手段19を介して電気的に連結させる。金属配線16は、層間絶縁膜18を介して半導体基板14と絶縁される。
【0006】
層間絶縁膜18は、一般的にSiO2などの絶縁物質からなる。しかし、このような絶縁物質の誘電率(dielectric constant;ε)は、空気の誘電率より大きい。これにより、層間絶縁膜18による内部寄生容量の増加によってトータルキャパシタンス(C)が大きくなって、半導体素子の信号伝達に必要な反応速度が遅くなる。すなわち、τ=R*Cにおいて、τが増加し、全体的な半導体素子の動作反応速度も遅くなるしかない。
【0007】
したがって、誘電率の小さな層間絶縁膜が必要となる。
【0008】
特に、複数の半導体チップを1つの半導体素子に連結するマルチチップパッケージの場合には、半導体チップの間を連結する金属配線のキャパシタンスローディング(capacitance loading)が問題となる。
【0009】
図2は、従来のマルチチップパッケージで各チップの例示的な連結関係を示す図面である。
【0010】
図2Aは、2つの半導体チップを並列に連結したマルチチップパッケージを示し、図2Bは、2つ以上の半導体チップが積層されたマルチチップパッケージを示し、図2Cは、2つ以上の半導体チップが並列に連結されて、積層された構造を有するマルチチップパッケージを示す。
【0011】
マルチチップパッケージで、半導体チップ間の配線が図2に図示されたように基板上または基板内の金属配線を介して連結されれば、金属配線が有する大きなキャパシタンスローディングにより、半導体素子の反応速度が遅くなる。このような金属配線によるキャパシタンスローディングの問題は、高速で動作する集積回路の製作に障害となる。
【0012】
また、図2に示されたように、基板上の金属配線を介して半導体チップを連結する場合には、マルチチップパッケージが占める面積が増加し、これにより、半導体素子の製作コストが増加する問題がある。
【0013】
マルチチップパッケージがインターポーザを用いて構成される場合にも、インターポーザ内の層間絶縁膜(ILD)の誘電率が大きいために、絶縁層によるキャパシタンスローディングが依然として問題となる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0014】
本発明が解決しようとする課題は、半導体素子のインターポーザ絶縁層の誘電率を小さくして、キャパシタンスを減らしうるインターポーザを提供することである。
【0015】
本発明が解決しようとする他の技術的課題は、インターポーザ絶縁層によるキャパシタンスを低減して動作反応速度を向上させた半導体装置を提供することである。
【0016】
本発明が解決しようとするさらに他の技術的課題は、動作反応速度が速く、設置面積が小さいマルチチップパッケージを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0017】
前記技術的課題を達成するためのインターポーザは、空き空間を含む半導体基板と、前記半導体基板の前記空き空間内部に位置する金属配線と、を備え、前記半導体基板の前記空き空間においては絶縁エアーギャップをさらに備え、該絶縁エアーギャップによって前記金属配線を前記半導体基板から絶縁させる。
【0018】
金属配線ライン、前記金属配線の周囲をエアーギャップで絶縁させた絶縁手段、前記金属配線ラインの一側に形成されて半導体集積回路と電気的に連結される接触手段、及び前記金属配線ライン及び前記接続手段を固定するための半導体基板を備える。
【0019】
前記金属配線ラインは、前記接触手段で前記エアーギャップ内に固定されうる。また、前記絶縁手段は、MEMS(Micro Electro Mechanical System)を用いて製作しうる。
【0020】
本発明の他の特徴によれば、半導体素子は、金属配線ライン、前記金属配線周囲をエアーギャップで絶縁させた絶縁手段、前記金属配線ラインの一側に形成されて半導体集積回路と電気的に連結される接触手段、及び前記金属配線ライン及び前記接続手段を固定するための半導体基板を含むインターポーザ、及びトランジスタ、キャパシタ、または抵抗などの構成要素を含む回路部、及び前記回路部と前記インターポーザの接触手段とを連結するためのパッドを含む半導体集積回路を備える。
【0021】
前記金属配線ラインは、前記接触手段で前記エアーギャップ内に固定されうる。また、前記半導体集積回路は、内部構成要素の電気的連結のための金属配線を含めないことがある。また、前記絶縁手段は、MEMSを用いて製作されうる。
【0022】
前記インターポーザの面積は、前記半導体集積回路の面積と同じであり、前記インターポーザは、PCB(Printed Circuit Board)との連結のための外部パッドをさらに含み、前記外部パッドはボンディング手段を介して前記PCBと連結される。
【0023】
前記インターポーザの面積は、前記半導体集積回路の面積より大きく、前記インターポーザは、PCBとの連結のための外部パッドをさらに含み、前記外部パッドは、前記インターポーザと前記半導体集積回路とが接合されて余る余裕面積に形成され、ボンディング手段を介して前記PCBと連結される。
【0024】
本発明のさらに他の特徴によれば、マルチチップパッケージは、金属配線ライン、前記金属配線周囲をエアーギャップで絶縁させた絶縁手段、前記金属配線ラインの一側に形成されて半導体集積回路と電気的に連結される接触手段、及び前記金属配線ライン及び前記接続手段を固定するための半導体基板を含むインターポーザ、及びトランジスタ、キャパシタ、または抵抗などの構成要素を含む回路部、及び前記回路部と前記インターポーザの接触手段とを連結するためのパッドを含む複数の半導体集積回路を備え、前記インターポーザは、前記複数の半導体集積回路と接合され、前記接触手段を介して前記各半導体集積回路の回路部と連結される。
【0025】
本発明の他の特徴によれば、半導体素子のインターポーザの製作方法は、半導体基板上にフォトレジストを形成する段階、前記半導体基板上で前記フォトレジストを用いてホールを形成する段階、前記フォトレジストを除去する段階、及び前記ホールと金属配線間にエアーギャップが存在するように前記ホール内部に前記金属配線を形成する段階を含む。
【0026】
本発明のさらに他の特徴によれば、半導体素子のインターポーザ製作方法は、第1半導体基板上にフォトレジストを形成する段階、前記第1半導体基板上で前記フォトレジストを用いてホールを形成する段階、前記フォトレジストを除去する段階、前記ホールと金属配線との間にエアーギャップが存在するように前記ホール内部に前記金属配線を形成する段階、第2半導体基板上にフォトレジストを形成する段階、前記第2半導体基板上で前記フォトレジストを用いてホールを形成する段階、前記フォトレジストを除去する段階、前記ホールと金属配線との間にエアーギャップが存在するように前記ホール内部に前記金属配線を形成する段階、及び前記第1半導体基板と前記第2半導体基板とを前記金属配線が接合されるように結合する段階を含む。
【発明の効果】
【0027】
本発明による半導体素子のインターポーザは、インターポーザ内の金属配線を取り囲む絶縁層として誘電率の非常に低いエアーギャップを備えることによって、従来の層間絶縁膜(SiO2)を用いる時より、はるかに低いキャパシタンスを有する。したがって、半導体素子の動作反応速度を向上させることができて、高速で動作する半導体素子の開発に役に立つ。
【0028】
また、電気的連結配線は、インターポーザを通じて具現され、半導体集積回路には、構成要素だけが配置されるために、半導体素子の製作が容易であり、半導体素子の製作コストを節減しうる。
【0029】
本発明によるマルチチップパッケージで、半導体チップ間の連結は、インターポーザを通じてなされる。したがって、半導体チップ間の電気的配線が基板に形成される一般的なマルチタップパッケージに比べて、マルチチップパッケージの面積を顕著に減らしうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0030】
本発明と本発明の動作性の利点及び本発明の実施によって達成される目的を十分に理解するためには、本発明の望ましい実施例を例示する添付図面及び添付図面に記載された内容を参照せねばならない。
【0031】
以下、添付された図面を参照して本発明の望ましい実施例を説明することによって、本発明を詳細に説明する。各図面に提示された同じ参照符号は同じ部材を示す。
【0032】
図3は、本発明によるインターポーザの構造を示す構成図である。
【0033】
図3に示されたインターポーザ30は、半導体基板31、金属配線32及びエアーギャップ33を備える。金属配線32と半導体基板31との間に位置するエアーギャップ33は半導体基板31と金属配線32とを絶縁させる。
【0034】
空気の誘電率εは、1である。一方、従来の層間絶縁膜の材料であるSiO2は、誘電率εが4である。したがって、空気の誘電率は、SiO2の誘電率の1/4である。したがって、本発明によるエアーギャップを備えるインターポーザを用いる場合に、従来のインターポーザを用いる場合より信号伝達のための動作反応速度は4倍程度速くなる。
【0035】
図4は、本発明によるインターポーザを製作する過程を示す図面である。
【0036】
まず、図4Aに示されたように、半導体基板41上に酸化膜42を覆ってから、図4Bに示されたように、酸化膜42上にフォトレジスト43を形成する。フォトレジスト43は、金属配線の配置箇所以外の場所に形成される。次いで、図4Cに示されたように、エッチングしてホール44を形成する。そして、フォトレジスト43を除去する(図4D)。次いで、ホール44の内部に金属配線45を形成する(図4E)。金属配線45は、MEMSを用いて形成しうる。金属配線45は、半導体基板41と半導体集積回路との電気的連結のための接触端子(図示せず)に固定しうる。
【0037】
そして、図4Fに示されたように、同じ方式で形成された半導体基板46を半導体基板41と結合する。その結果、半導体基板41、46と金属配線45との間にエアーギャップ44が形成される。
【0038】
図5は、本発明による半導体素子の一例を示す構成図である。
【0039】
図5Aは、本発明によるインターポーザ51と半導体集積回路52との結合前の状態を示し、図5Bは、インターポーザ51と半導体集積回路52とを結合した半導体素子50を示す。
【0040】
図5Aを参照すれば、インターポーザ51は、半導体基板53、エアーギャップ54、金属配線55及び接触手段56を備える。半導体集積回路52は、接触手段56との結合のためのパッド57を備える。
【0041】
インターポーザ51は、図3を参照して説明されたように、金属配線55と半導体基板53との間にエアーギャップ54を絶縁層として使用する。これにより、絶縁層により発生するキャパシタンスの問題が解決される。
【0042】
図5Bの半導体素子50は、インターポーザ51と半導体集積回路52とを結合して生成される。半導体集積回路52は、半導体集積回路52に含まれる構成要素、すなわち、トランジスタ、キャパシタンス及び抵抗の電気的連結のための内部連結配線を備えない。その代わりに、前記構成要素の電気的連結は、インターポーザ51の金属配線55を通じてなされる。
【0043】
本発明による半導体素子50は、誘電率の低いエアーギャップ54を使用して、半導体素子の動作反応速度を向上させうる。また、電気的連結配線は、インターポーザ51を通じて具現され、半導体集積回路52には構成要素のみが配置されるために、半導体素子の製作が容易であり、高速で動作する半導体素子の製作コストを節減しうる。
【0044】
図6は、本発明によるマルチチップパッケージを示す。
【0045】
図6を参照すれば、本発明によるマルチチップパッケージ60は、1つ以上の半導体チップ(図6の例では、2個の半導体チップ61、62)とインターポーザ63とを連結して構成される。半導体チップ61、62は、内部電気的連結配線構造を有さず、トランジスタ、キャパシタ、抵抗などの構成要素のみを備える。各半導体チップの構成要素間の電気的連結及び半導体チップ間の電気的連結は、インターポーザ63内の金属配線65を通じてなされる。金属配線65は、エアーギャップ64を通じて他の構成要素と絶縁され、接触手段66を介してインターポーザ63及び半導体チップ61、62に固定される。接触手段66は、インターポーザ63の金属配線65と半導体チップ61、62の構成要素とを電気的に連結させる機能だけでなく、金属配線65を固定させる役割をも行える。
【0046】
図6に示されたマルチチップパッケージ60では半導体チップ間の連結がインターポーザを通じてなされる。したがって、半導体チップ間の電気的配線が基板に形成される一般的なマルチチップパッケージに比べてマルチチップパッケージが占める面積を顕著に減らしうる。
【0047】
また、半導体チップ間の電気的配線により発生するキャパシタンス問題を発生させず、インターポーザ内の金属配線をエアーギャップを通じて絶縁させることによって、絶縁層によるキャパシタンスロードを顕著に減らせる。したがって、半導体素子の反応速度が向上して高速で動作しうる半導体素子の製作が容易になる。
【0048】
図7は、半導体素子をPCBに連結させる例を示す図面である。
【0049】
図7Aは、1つの半導体チップで構成された半導体素子をPCBに連結させる例を示し、図7Bは、マルチチップパッケージをPCBに連結させる例を示す。
【0050】
図7Aを参照すれば、インターポーザ51の接触面積は、半導体集積回路52の接触面積より大きい。インターポーザ51の接触面のうち、半導体集積回路52と接触しない接触面上に外部パッド73が備えられる。外部パッド73は、ボンディングワイヤー74を通じてPCB71上の接触パッド72と連結される。
【0051】
図7Bでも、インターポーザ63は、2つの半導体チップ61、62より大きい面積を有する。インターポーザ63上に形成される外部パッド73は、半導体チップ61、62と結合される面積以外の所に形成される。外部パッド73は、ボンディングワイヤー74を通じてPCB71上の接触パッド72と連結される。
【0052】
図8は、半導体素子をPCBに連結させる他の例を示す図面である。
【0053】
図8Aは、1つの半導体チップで構成された半導体素子をPCBに連結させる例を示し、図8Bは、マルチチップパッケージをPCBに連結させる例を示す。
【0054】
図8Aを参照すれば、インターポーザ51は、半導体集積回路52と同じ面積を有する。インターポーザ51は、インターポーザ51とPCB71との接触場所に外部パッド81を備える。外部パッド81は、PCB71上の接触パッド82と直接連結される。外部パッド81はボールグリッドアレイであり得る。
【0055】
図8Bでもインターポーザ63は、2つの半導体チップ61、62の面積と同じ面積を有する。インターポーザ63とPCB71との接触場所に外部パッド81を備える。外部パッド81はPCB71上の接触パッド82と直接連結される。外部パッド81は、ボールグリッドアレイであり得る。
【0056】
本発明は図面に示された一実施例を参考にして説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これより多様な変形及び均等な他実施例が可能であるという点を理解するであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決まるべきである。
【産業上の利用可能性】
【0057】
本発明は、半導体素子の関連技術分野に好適に適用されうる。
【図面の簡単な説明】
【0058】
【図1】従来のインターポーザを用いた半導体素子を示す構成図である。
【図2A】従来のマルチチップパッケージにおける各チップの例示的な連結関係を示す図面である。
【図2B】従来のマルチチップパッケージにおける各チップの例示的な連結関係を示す図面である。
【図2C】従来のマルチチップパッケージにおける各チップの例示的な連結関係を示す図面である。
【図3】本発明によるインターポーザの構造を示す構成図である。
【図4A】本発明によるインターポーザを製作する過程を示す図面である。
【図4B】本発明によるインターポーザを製作する過程を示す図面である。
【図4C】本発明によるインターポーザを製作する過程を示す図面である。
【図4D】本発明によるインターポーザを製作する過程を示す図面である。
【図4E】本発明によるインターポーザを製作する過程を示す図面である。
【図4F】本発明によるインターポーザを製作する過程を示す図面である。
【図5A】本発明による半導体素子の一例を示す構成図である。
【図5B】本発明による半導体素子の一例を示す構成図である。
【図6】本発明によるマルチチップパッケージを示す図面である。
【図7A】半導体素子をPCBに連結させる例を示す図面である。
【図7B】半導体素子をPCBに連結させる例を示す図面である。
【図8A】半導体素子をPCBに連結させる他の例を示す図面である。
【図8B】半導体素子をPCBに連結させる他の例を示す図面である。
【符号の説明】
【0059】
30 インターポーザ
31 半導体基板
32 金属配線
33 エアーギャップ
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体素子インターポーザの構造に係り、具体的には、エアーギャップ構造を有する半導体素子のインターポーザの構造に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体素子において、半導体基板に複数個のトランジスタ、抵抗及びキャパシタなどの単位素子(element)を形成され、これら単位素子が電気的に連結されて半導体集積回路が構成される。前記単位素子は金属配線を通じて互いに連結される。
【0003】
一方、高速動作のために開発された半導体素子は、半導体集積回路の内部に設けられた金属配線を通じて単位素子を連結せず、インターポーザを通じて単位素子を電気的に連結させる。
【0004】
図1は、従来のインターポーザを用いた半導体素子を示す構成図である。
【0005】
図1を参照すれば、半導体素子10は、インターポーザ11及び半導体集積回路12で構成され、インターポーザ11は、半導体基板14、金属配線16及び層間絶縁膜(Inter Layer Dielectric:ILD)18を含む。半導体基板14は、インターポーザ11の金属配線16を固定させ、金属配線16と半導体集積回路12との結合に用いられる。金属配線16は、半導体集積回路12の単位素子を、接触手段19を介して電気的に連結させる。金属配線16は、層間絶縁膜18を介して半導体基板14と絶縁される。
【0006】
層間絶縁膜18は、一般的にSiO2などの絶縁物質からなる。しかし、このような絶縁物質の誘電率(dielectric constant;ε)は、空気の誘電率より大きい。これにより、層間絶縁膜18による内部寄生容量の増加によってトータルキャパシタンス(C)が大きくなって、半導体素子の信号伝達に必要な反応速度が遅くなる。すなわち、τ=R*Cにおいて、τが増加し、全体的な半導体素子の動作反応速度も遅くなるしかない。
【0007】
したがって、誘電率の小さな層間絶縁膜が必要となる。
【0008】
特に、複数の半導体チップを1つの半導体素子に連結するマルチチップパッケージの場合には、半導体チップの間を連結する金属配線のキャパシタンスローディング(capacitance loading)が問題となる。
【0009】
図2は、従来のマルチチップパッケージで各チップの例示的な連結関係を示す図面である。
【0010】
図2Aは、2つの半導体チップを並列に連結したマルチチップパッケージを示し、図2Bは、2つ以上の半導体チップが積層されたマルチチップパッケージを示し、図2Cは、2つ以上の半導体チップが並列に連結されて、積層された構造を有するマルチチップパッケージを示す。
【0011】
マルチチップパッケージで、半導体チップ間の配線が図2に図示されたように基板上または基板内の金属配線を介して連結されれば、金属配線が有する大きなキャパシタンスローディングにより、半導体素子の反応速度が遅くなる。このような金属配線によるキャパシタンスローディングの問題は、高速で動作する集積回路の製作に障害となる。
【0012】
また、図2に示されたように、基板上の金属配線を介して半導体チップを連結する場合には、マルチチップパッケージが占める面積が増加し、これにより、半導体素子の製作コストが増加する問題がある。
【0013】
マルチチップパッケージがインターポーザを用いて構成される場合にも、インターポーザ内の層間絶縁膜(ILD)の誘電率が大きいために、絶縁層によるキャパシタンスローディングが依然として問題となる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0014】
本発明が解決しようとする課題は、半導体素子のインターポーザ絶縁層の誘電率を小さくして、キャパシタンスを減らしうるインターポーザを提供することである。
【0015】
本発明が解決しようとする他の技術的課題は、インターポーザ絶縁層によるキャパシタンスを低減して動作反応速度を向上させた半導体装置を提供することである。
【0016】
本発明が解決しようとするさらに他の技術的課題は、動作反応速度が速く、設置面積が小さいマルチチップパッケージを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0017】
前記技術的課題を達成するためのインターポーザは、空き空間を含む半導体基板と、前記半導体基板の前記空き空間内部に位置する金属配線と、を備え、前記半導体基板の前記空き空間においては絶縁エアーギャップをさらに備え、該絶縁エアーギャップによって前記金属配線を前記半導体基板から絶縁させる。
【0018】
金属配線ライン、前記金属配線の周囲をエアーギャップで絶縁させた絶縁手段、前記金属配線ラインの一側に形成されて半導体集積回路と電気的に連結される接触手段、及び前記金属配線ライン及び前記接続手段を固定するための半導体基板を備える。
【0019】
前記金属配線ラインは、前記接触手段で前記エアーギャップ内に固定されうる。また、前記絶縁手段は、MEMS(Micro Electro Mechanical System)を用いて製作しうる。
【0020】
本発明の他の特徴によれば、半導体素子は、金属配線ライン、前記金属配線周囲をエアーギャップで絶縁させた絶縁手段、前記金属配線ラインの一側に形成されて半導体集積回路と電気的に連結される接触手段、及び前記金属配線ライン及び前記接続手段を固定するための半導体基板を含むインターポーザ、及びトランジスタ、キャパシタ、または抵抗などの構成要素を含む回路部、及び前記回路部と前記インターポーザの接触手段とを連結するためのパッドを含む半導体集積回路を備える。
【0021】
前記金属配線ラインは、前記接触手段で前記エアーギャップ内に固定されうる。また、前記半導体集積回路は、内部構成要素の電気的連結のための金属配線を含めないことがある。また、前記絶縁手段は、MEMSを用いて製作されうる。
【0022】
前記インターポーザの面積は、前記半導体集積回路の面積と同じであり、前記インターポーザは、PCB(Printed Circuit Board)との連結のための外部パッドをさらに含み、前記外部パッドはボンディング手段を介して前記PCBと連結される。
【0023】
前記インターポーザの面積は、前記半導体集積回路の面積より大きく、前記インターポーザは、PCBとの連結のための外部パッドをさらに含み、前記外部パッドは、前記インターポーザと前記半導体集積回路とが接合されて余る余裕面積に形成され、ボンディング手段を介して前記PCBと連結される。
【0024】
本発明のさらに他の特徴によれば、マルチチップパッケージは、金属配線ライン、前記金属配線周囲をエアーギャップで絶縁させた絶縁手段、前記金属配線ラインの一側に形成されて半導体集積回路と電気的に連結される接触手段、及び前記金属配線ライン及び前記接続手段を固定するための半導体基板を含むインターポーザ、及びトランジスタ、キャパシタ、または抵抗などの構成要素を含む回路部、及び前記回路部と前記インターポーザの接触手段とを連結するためのパッドを含む複数の半導体集積回路を備え、前記インターポーザは、前記複数の半導体集積回路と接合され、前記接触手段を介して前記各半導体集積回路の回路部と連結される。
【0025】
本発明の他の特徴によれば、半導体素子のインターポーザの製作方法は、半導体基板上にフォトレジストを形成する段階、前記半導体基板上で前記フォトレジストを用いてホールを形成する段階、前記フォトレジストを除去する段階、及び前記ホールと金属配線間にエアーギャップが存在するように前記ホール内部に前記金属配線を形成する段階を含む。
【0026】
本発明のさらに他の特徴によれば、半導体素子のインターポーザ製作方法は、第1半導体基板上にフォトレジストを形成する段階、前記第1半導体基板上で前記フォトレジストを用いてホールを形成する段階、前記フォトレジストを除去する段階、前記ホールと金属配線との間にエアーギャップが存在するように前記ホール内部に前記金属配線を形成する段階、第2半導体基板上にフォトレジストを形成する段階、前記第2半導体基板上で前記フォトレジストを用いてホールを形成する段階、前記フォトレジストを除去する段階、前記ホールと金属配線との間にエアーギャップが存在するように前記ホール内部に前記金属配線を形成する段階、及び前記第1半導体基板と前記第2半導体基板とを前記金属配線が接合されるように結合する段階を含む。
【発明の効果】
【0027】
本発明による半導体素子のインターポーザは、インターポーザ内の金属配線を取り囲む絶縁層として誘電率の非常に低いエアーギャップを備えることによって、従来の層間絶縁膜(SiO2)を用いる時より、はるかに低いキャパシタンスを有する。したがって、半導体素子の動作反応速度を向上させることができて、高速で動作する半導体素子の開発に役に立つ。
【0028】
また、電気的連結配線は、インターポーザを通じて具現され、半導体集積回路には、構成要素だけが配置されるために、半導体素子の製作が容易であり、半導体素子の製作コストを節減しうる。
【0029】
本発明によるマルチチップパッケージで、半導体チップ間の連結は、インターポーザを通じてなされる。したがって、半導体チップ間の電気的配線が基板に形成される一般的なマルチタップパッケージに比べて、マルチチップパッケージの面積を顕著に減らしうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0030】
本発明と本発明の動作性の利点及び本発明の実施によって達成される目的を十分に理解するためには、本発明の望ましい実施例を例示する添付図面及び添付図面に記載された内容を参照せねばならない。
【0031】
以下、添付された図面を参照して本発明の望ましい実施例を説明することによって、本発明を詳細に説明する。各図面に提示された同じ参照符号は同じ部材を示す。
【0032】
図3は、本発明によるインターポーザの構造を示す構成図である。
【0033】
図3に示されたインターポーザ30は、半導体基板31、金属配線32及びエアーギャップ33を備える。金属配線32と半導体基板31との間に位置するエアーギャップ33は半導体基板31と金属配線32とを絶縁させる。
【0034】
空気の誘電率εは、1である。一方、従来の層間絶縁膜の材料であるSiO2は、誘電率εが4である。したがって、空気の誘電率は、SiO2の誘電率の1/4である。したがって、本発明によるエアーギャップを備えるインターポーザを用いる場合に、従来のインターポーザを用いる場合より信号伝達のための動作反応速度は4倍程度速くなる。
【0035】
図4は、本発明によるインターポーザを製作する過程を示す図面である。
【0036】
まず、図4Aに示されたように、半導体基板41上に酸化膜42を覆ってから、図4Bに示されたように、酸化膜42上にフォトレジスト43を形成する。フォトレジスト43は、金属配線の配置箇所以外の場所に形成される。次いで、図4Cに示されたように、エッチングしてホール44を形成する。そして、フォトレジスト43を除去する(図4D)。次いで、ホール44の内部に金属配線45を形成する(図4E)。金属配線45は、MEMSを用いて形成しうる。金属配線45は、半導体基板41と半導体集積回路との電気的連結のための接触端子(図示せず)に固定しうる。
【0037】
そして、図4Fに示されたように、同じ方式で形成された半導体基板46を半導体基板41と結合する。その結果、半導体基板41、46と金属配線45との間にエアーギャップ44が形成される。
【0038】
図5は、本発明による半導体素子の一例を示す構成図である。
【0039】
図5Aは、本発明によるインターポーザ51と半導体集積回路52との結合前の状態を示し、図5Bは、インターポーザ51と半導体集積回路52とを結合した半導体素子50を示す。
【0040】
図5Aを参照すれば、インターポーザ51は、半導体基板53、エアーギャップ54、金属配線55及び接触手段56を備える。半導体集積回路52は、接触手段56との結合のためのパッド57を備える。
【0041】
インターポーザ51は、図3を参照して説明されたように、金属配線55と半導体基板53との間にエアーギャップ54を絶縁層として使用する。これにより、絶縁層により発生するキャパシタンスの問題が解決される。
【0042】
図5Bの半導体素子50は、インターポーザ51と半導体集積回路52とを結合して生成される。半導体集積回路52は、半導体集積回路52に含まれる構成要素、すなわち、トランジスタ、キャパシタンス及び抵抗の電気的連結のための内部連結配線を備えない。その代わりに、前記構成要素の電気的連結は、インターポーザ51の金属配線55を通じてなされる。
【0043】
本発明による半導体素子50は、誘電率の低いエアーギャップ54を使用して、半導体素子の動作反応速度を向上させうる。また、電気的連結配線は、インターポーザ51を通じて具現され、半導体集積回路52には構成要素のみが配置されるために、半導体素子の製作が容易であり、高速で動作する半導体素子の製作コストを節減しうる。
【0044】
図6は、本発明によるマルチチップパッケージを示す。
【0045】
図6を参照すれば、本発明によるマルチチップパッケージ60は、1つ以上の半導体チップ(図6の例では、2個の半導体チップ61、62)とインターポーザ63とを連結して構成される。半導体チップ61、62は、内部電気的連結配線構造を有さず、トランジスタ、キャパシタ、抵抗などの構成要素のみを備える。各半導体チップの構成要素間の電気的連結及び半導体チップ間の電気的連結は、インターポーザ63内の金属配線65を通じてなされる。金属配線65は、エアーギャップ64を通じて他の構成要素と絶縁され、接触手段66を介してインターポーザ63及び半導体チップ61、62に固定される。接触手段66は、インターポーザ63の金属配線65と半導体チップ61、62の構成要素とを電気的に連結させる機能だけでなく、金属配線65を固定させる役割をも行える。
【0046】
図6に示されたマルチチップパッケージ60では半導体チップ間の連結がインターポーザを通じてなされる。したがって、半導体チップ間の電気的配線が基板に形成される一般的なマルチチップパッケージに比べてマルチチップパッケージが占める面積を顕著に減らしうる。
【0047】
また、半導体チップ間の電気的配線により発生するキャパシタンス問題を発生させず、インターポーザ内の金属配線をエアーギャップを通じて絶縁させることによって、絶縁層によるキャパシタンスロードを顕著に減らせる。したがって、半導体素子の反応速度が向上して高速で動作しうる半導体素子の製作が容易になる。
【0048】
図7は、半導体素子をPCBに連結させる例を示す図面である。
【0049】
図7Aは、1つの半導体チップで構成された半導体素子をPCBに連結させる例を示し、図7Bは、マルチチップパッケージをPCBに連結させる例を示す。
【0050】
図7Aを参照すれば、インターポーザ51の接触面積は、半導体集積回路52の接触面積より大きい。インターポーザ51の接触面のうち、半導体集積回路52と接触しない接触面上に外部パッド73が備えられる。外部パッド73は、ボンディングワイヤー74を通じてPCB71上の接触パッド72と連結される。
【0051】
図7Bでも、インターポーザ63は、2つの半導体チップ61、62より大きい面積を有する。インターポーザ63上に形成される外部パッド73は、半導体チップ61、62と結合される面積以外の所に形成される。外部パッド73は、ボンディングワイヤー74を通じてPCB71上の接触パッド72と連結される。
【0052】
図8は、半導体素子をPCBに連結させる他の例を示す図面である。
【0053】
図8Aは、1つの半導体チップで構成された半導体素子をPCBに連結させる例を示し、図8Bは、マルチチップパッケージをPCBに連結させる例を示す。
【0054】
図8Aを参照すれば、インターポーザ51は、半導体集積回路52と同じ面積を有する。インターポーザ51は、インターポーザ51とPCB71との接触場所に外部パッド81を備える。外部パッド81は、PCB71上の接触パッド82と直接連結される。外部パッド81はボールグリッドアレイであり得る。
【0055】
図8Bでもインターポーザ63は、2つの半導体チップ61、62の面積と同じ面積を有する。インターポーザ63とPCB71との接触場所に外部パッド81を備える。外部パッド81はPCB71上の接触パッド82と直接連結される。外部パッド81は、ボールグリッドアレイであり得る。
【0056】
本発明は図面に示された一実施例を参考にして説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これより多様な変形及び均等な他実施例が可能であるという点を理解するであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決まるべきである。
【産業上の利用可能性】
【0057】
本発明は、半導体素子の関連技術分野に好適に適用されうる。
【図面の簡単な説明】
【0058】
【図1】従来のインターポーザを用いた半導体素子を示す構成図である。
【図2A】従来のマルチチップパッケージにおける各チップの例示的な連結関係を示す図面である。
【図2B】従来のマルチチップパッケージにおける各チップの例示的な連結関係を示す図面である。
【図2C】従来のマルチチップパッケージにおける各チップの例示的な連結関係を示す図面である。
【図3】本発明によるインターポーザの構造を示す構成図である。
【図4A】本発明によるインターポーザを製作する過程を示す図面である。
【図4B】本発明によるインターポーザを製作する過程を示す図面である。
【図4C】本発明によるインターポーザを製作する過程を示す図面である。
【図4D】本発明によるインターポーザを製作する過程を示す図面である。
【図4E】本発明によるインターポーザを製作する過程を示す図面である。
【図4F】本発明によるインターポーザを製作する過程を示す図面である。
【図5A】本発明による半導体素子の一例を示す構成図である。
【図5B】本発明による半導体素子の一例を示す構成図である。
【図6】本発明によるマルチチップパッケージを示す図面である。
【図7A】半導体素子をPCBに連結させる例を示す図面である。
【図7B】半導体素子をPCBに連結させる例を示す図面である。
【図8A】半導体素子をPCBに連結させる他の例を示す図面である。
【図8B】半導体素子をPCBに連結させる他の例を示す図面である。
【符号の説明】
【0059】
30 インターポーザ
31 半導体基板
32 金属配線
33 エアーギャップ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
空き空間を含む半導体基板と、
前記半導体基板の前記空き空間内に位置する金属配線と、を備え、
前記半導体基板の前記空き空間内において絶縁エアーギャップをさらに備えて、該絶縁エアーギャップによって前記金属配線を前記半導体基板から絶縁されることを特徴とする半導体装置のインターポーザ。
【請求項2】
前記金属配線の一側に形成され、前記金属配線を半導体集積回路に電気的に連結させる少なくとも1つの接触手段をさらに備え、
前記少なくとも1つの接触手段は、前記半導体基板に付着されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置のインターポーザ。
【請求項3】
前記金属配線は、
前記接触手段によって前記エアーギャップ内に固定されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置のインターポーザ。
【請求項4】
前記金属配線は、
MEMS(Micro Electro Mechanical System)を用いて製作されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置のインターポーザ。
【請求項5】
空き空間を含む半導体基板と、前記半導体基板の前記空き空間内に位置する金属配線と、を備え、前記半導体基板の前記空き空間内において絶縁エアーギャップをさらに備えて、該絶縁エアーギャップによって前記金属配線を前記半導体基板から絶縁されるインターポーザと、
内部構成要素を備える回路部を備える半導体集積回路と、を備え、
前記インターポーザの金属配線は、前記内部構成要素に電気的に連結されることを特徴とする半導体装置。
【請求項6】
前記インターポーザは、
前記金属配線の一側に形成され、前記金属配線を半導体集積回路に電気的に連結させる少なくとも1つの接触手段をさらに備え、
前記半導体集積回路は、
前記回路部を前記少なくとも1つの接触手段に連結させるパッドを備えることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記金属配線は、
前記接触手段によって前記エアーギャップ内に固定されることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記半導体集積回路は、
前記内部構成要素を電気的に連結させるための内部金属配線を備えないことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記インターポーザの面積は、前記半導体集積回路の面積と同じであることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
【請求項10】
前記インターポーザは、
ボンディング手段を通じてPCBと連結される外部パッドをさらに備えることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。
【請求項11】
前記インターポーザの面積は、
前記半導体集積回路の面積より広いことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
【請求項12】
前記インターポーザは、PCBと連結される外部パッドをさらに含み、
前記外部パッドは、前記インターポーザと前記半導体集積回路とが接合されて余る余裕面積に形成され、ボンディング手段を通じて前記PCBと連結されることを特徴とする請求項11に記載の半導体素子。
【請求項13】
前記金属配線は、
MEMSを用いて製作されることを特徴とする請求項11に記載の半導体装置のインターポーザ。
【請求項14】
空き空間を含む半導体基板と、前記半導体基板の前記空き空間内に位置する金属配線と、を備え、前記半導体基板の前記空き空間内において絶縁エアーギャップをさらに備えて該絶縁エアーギャップによって前記金属配線を前記半導体基板から絶縁され、前記金属配線の一側に形成され、前記金属配線を半導体集積回路に電気的に連結させる少なくとも1つの接触手段をさらに備えるインターポーザと、
内部構成要素を含む回路部及び前記回路部を前記接触手段に連結させるパッドを各々備える複数個の半導体集積回路を備え、
前記インターポーザは、前記複数個の半導体集積回路にボンディングされ、前記接触手段を通じて前記それぞれの半導体集積回路の前記回路部に連結されることを特徴とするマルチチップパッケージ。
【請求項15】
前記金属配線は、
前記接触手段によって前記エアーギャップ内に固定されることを特徴とする請求項14に記載のマルチチップパッケージ。
【請求項16】
前記それぞれの半導体集積回路は、
前記内部構成要素を電気的に連結させるための内部金属配線を備えないことを特徴とする請求項14に記載のマルチチップパッケージ。
【請求項17】
前記インターポーザの面積は、前記半導体集積回路の面積の和と同じであることを特徴とする請求項14に記載のマルチチップパッケージ。
【請求項18】
前記インターポーザは、
ボンディング手段を通じてPCBと連結される外部パッドをさらに備えることを特徴とする請求項17に記載のマルチチップパッケージ。
【請求項19】
前記インターポーザの面積は、
前記半導体集積回路の面積の和より大きいことを特徴とする請求項14に記載のマルチチップパッケージ。
【請求項20】
前記インターポーザは、PCBと連結される外部パッドをさらに含み、
前記外部パッドは、前記インターポーザと前記半導体集積回路とが接合されて余る余裕面積に形成され、ボンディング手段を通じて前記PCBと連結されることを特徴とする請求項19に記載のマルチチップパッケージ。
【請求項21】
前記金属配線は、
MEMSを用いて製作されることを特徴とする請求項14に記載のマルチチップパッケージ。
【請求項22】
半導体装置のインターポーザ製作方法において、
第1半導体基板上に第1フォトレジストを形成する段階と、
前記第1半導体基板上で前記第1フォトレジストを用いて第1ホールを形成する段階と、
前記第1フォトレジストを除去する段階と、
前記第1エアーギャップが前記第1半導体基板と前記第1金属配線との間に位置するように、前記第1ホール内部に前記第1金属配線を形成する段階と、を含むことを特徴とする製作方法。
【請求項23】
前記第1金属配線を形成する段階は、
MEMSを用いて前記第1金属配線を前記第1ホール内部に形成することを特徴とする請求項22に記載の半導体装置のインターポーザ製作方法。
【請求項24】
第2半導体基板上にフォトレジストを形成する段階と、
前記第2半導体基板上で前記フォトレジストを用いてホールを形成する段階と、
前記フォトレジストを除去する段階と、
前記第2エアーギャップが前記第2半導体基板と前記第2金属配線との間に位置するように、前記第2ホール内部に前記第2金属配線を形成する段階と、
前記ホールと金属配線との間にエアーギャップが存在するように、前記ホール内部に前記金属配線を形成する段階と、
前記第1半導体基板と前記第2半導体基板とを前記金属配線が接合されるように結合させる段階と、を含むことを特徴とする請求項22に記載の半導体装置のインターポーザ製作方法。
【請求項25】
前記第1及び第2金属配線を形成する段階は、
MEMSを用いて前記第1及び第2金属配線を前記第1及び第2ホール内部に形成することを特徴とする請求項24に記載の半導体装置のインターポーザ製作方法。
【請求項1】
空き空間を含む半導体基板と、
前記半導体基板の前記空き空間内に位置する金属配線と、を備え、
前記半導体基板の前記空き空間内において絶縁エアーギャップをさらに備えて、該絶縁エアーギャップによって前記金属配線を前記半導体基板から絶縁されることを特徴とする半導体装置のインターポーザ。
【請求項2】
前記金属配線の一側に形成され、前記金属配線を半導体集積回路に電気的に連結させる少なくとも1つの接触手段をさらに備え、
前記少なくとも1つの接触手段は、前記半導体基板に付着されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置のインターポーザ。
【請求項3】
前記金属配線は、
前記接触手段によって前記エアーギャップ内に固定されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置のインターポーザ。
【請求項4】
前記金属配線は、
MEMS(Micro Electro Mechanical System)を用いて製作されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置のインターポーザ。
【請求項5】
空き空間を含む半導体基板と、前記半導体基板の前記空き空間内に位置する金属配線と、を備え、前記半導体基板の前記空き空間内において絶縁エアーギャップをさらに備えて、該絶縁エアーギャップによって前記金属配線を前記半導体基板から絶縁されるインターポーザと、
内部構成要素を備える回路部を備える半導体集積回路と、を備え、
前記インターポーザの金属配線は、前記内部構成要素に電気的に連結されることを特徴とする半導体装置。
【請求項6】
前記インターポーザは、
前記金属配線の一側に形成され、前記金属配線を半導体集積回路に電気的に連結させる少なくとも1つの接触手段をさらに備え、
前記半導体集積回路は、
前記回路部を前記少なくとも1つの接触手段に連結させるパッドを備えることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記金属配線は、
前記接触手段によって前記エアーギャップ内に固定されることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記半導体集積回路は、
前記内部構成要素を電気的に連結させるための内部金属配線を備えないことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記インターポーザの面積は、前記半導体集積回路の面積と同じであることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
【請求項10】
前記インターポーザは、
ボンディング手段を通じてPCBと連結される外部パッドをさらに備えることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。
【請求項11】
前記インターポーザの面積は、
前記半導体集積回路の面積より広いことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
【請求項12】
前記インターポーザは、PCBと連結される外部パッドをさらに含み、
前記外部パッドは、前記インターポーザと前記半導体集積回路とが接合されて余る余裕面積に形成され、ボンディング手段を通じて前記PCBと連結されることを特徴とする請求項11に記載の半導体素子。
【請求項13】
前記金属配線は、
MEMSを用いて製作されることを特徴とする請求項11に記載の半導体装置のインターポーザ。
【請求項14】
空き空間を含む半導体基板と、前記半導体基板の前記空き空間内に位置する金属配線と、を備え、前記半導体基板の前記空き空間内において絶縁エアーギャップをさらに備えて該絶縁エアーギャップによって前記金属配線を前記半導体基板から絶縁され、前記金属配線の一側に形成され、前記金属配線を半導体集積回路に電気的に連結させる少なくとも1つの接触手段をさらに備えるインターポーザと、
内部構成要素を含む回路部及び前記回路部を前記接触手段に連結させるパッドを各々備える複数個の半導体集積回路を備え、
前記インターポーザは、前記複数個の半導体集積回路にボンディングされ、前記接触手段を通じて前記それぞれの半導体集積回路の前記回路部に連結されることを特徴とするマルチチップパッケージ。
【請求項15】
前記金属配線は、
前記接触手段によって前記エアーギャップ内に固定されることを特徴とする請求項14に記載のマルチチップパッケージ。
【請求項16】
前記それぞれの半導体集積回路は、
前記内部構成要素を電気的に連結させるための内部金属配線を備えないことを特徴とする請求項14に記載のマルチチップパッケージ。
【請求項17】
前記インターポーザの面積は、前記半導体集積回路の面積の和と同じであることを特徴とする請求項14に記載のマルチチップパッケージ。
【請求項18】
前記インターポーザは、
ボンディング手段を通じてPCBと連結される外部パッドをさらに備えることを特徴とする請求項17に記載のマルチチップパッケージ。
【請求項19】
前記インターポーザの面積は、
前記半導体集積回路の面積の和より大きいことを特徴とする請求項14に記載のマルチチップパッケージ。
【請求項20】
前記インターポーザは、PCBと連結される外部パッドをさらに含み、
前記外部パッドは、前記インターポーザと前記半導体集積回路とが接合されて余る余裕面積に形成され、ボンディング手段を通じて前記PCBと連結されることを特徴とする請求項19に記載のマルチチップパッケージ。
【請求項21】
前記金属配線は、
MEMSを用いて製作されることを特徴とする請求項14に記載のマルチチップパッケージ。
【請求項22】
半導体装置のインターポーザ製作方法において、
第1半導体基板上に第1フォトレジストを形成する段階と、
前記第1半導体基板上で前記第1フォトレジストを用いて第1ホールを形成する段階と、
前記第1フォトレジストを除去する段階と、
前記第1エアーギャップが前記第1半導体基板と前記第1金属配線との間に位置するように、前記第1ホール内部に前記第1金属配線を形成する段階と、を含むことを特徴とする製作方法。
【請求項23】
前記第1金属配線を形成する段階は、
MEMSを用いて前記第1金属配線を前記第1ホール内部に形成することを特徴とする請求項22に記載の半導体装置のインターポーザ製作方法。
【請求項24】
第2半導体基板上にフォトレジストを形成する段階と、
前記第2半導体基板上で前記フォトレジストを用いてホールを形成する段階と、
前記フォトレジストを除去する段階と、
前記第2エアーギャップが前記第2半導体基板と前記第2金属配線との間に位置するように、前記第2ホール内部に前記第2金属配線を形成する段階と、
前記ホールと金属配線との間にエアーギャップが存在するように、前記ホール内部に前記金属配線を形成する段階と、
前記第1半導体基板と前記第2半導体基板とを前記金属配線が接合されるように結合させる段階と、を含むことを特徴とする請求項22に記載の半導体装置のインターポーザ製作方法。
【請求項25】
前記第1及び第2金属配線を形成する段階は、
MEMSを用いて前記第1及び第2金属配線を前記第1及び第2ホール内部に形成することを特徴とする請求項24に記載の半導体装置のインターポーザ製作方法。
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図4D】
【図4E】
【図4F】
【図5A】
【図5B】
【図6】
【図7A】
【図7B】
【図8A】
【図8B】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図4D】
【図4E】
【図4F】
【図5A】
【図5B】
【図6】
【図7A】
【図7B】
【図8A】
【図8B】
【公開番号】特開2007−27754(P2007−27754A)
【公開日】平成19年2月1日(2007.2.1)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2006−194689(P2006−194689)
【出願日】平成18年7月14日(2006.7.14)
【出願人】(390019839)三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】Samsung Electronics Co.,Ltd.
【Fターム(参考)】
【公開日】平成19年2月1日(2007.2.1)
【国際特許分類】
【出願日】平成18年7月14日(2006.7.14)
【出願人】(390019839)三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】Samsung Electronics Co.,Ltd.
【Fターム(参考)】
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