ゴム組成物およびその用途
【課題】柔軟性があり、高い電磁波吸収性を与えることができ、かつ周辺の回路等に影響をえることが少ない架橋物が得られるゴム組成物およびその用途を提供すること。
【解決手段】ゴム組成物は、アルケニル基を有する有機重合体（Ａ）（例えば、エチレンと炭素原子数３〜２０のα−オレフィンとビニル基含有ノルボルネン化合物との共重合体であるエチレン・α−オレフィン・非共役ポリエンランダム共重合体ゴム）と、ＳｉＨ基を１分子中に少なくとも２個持つＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）と、電磁波吸収性充填剤（Ｃ）とからなる。
【解決手段】ゴム組成物は、アルケニル基を有する有機重合体（Ａ）（例えば、エチレンと炭素原子数３〜２０のα−オレフィンとビニル基含有ノルボルネン化合物との共重合体であるエチレン・α−オレフィン・非共役ポリエンランダム共重合体ゴム）と、ＳｉＨ基を１分子中に少なくとも２個持つＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）と、電磁波吸収性充填剤（Ｃ）とからなる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、柔軟性があり、高い電磁波吸収性を与えることができ、かつ周辺の回路等に影響を与えることが少ない架橋物が得られるゴム組成物およびその用途に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、パーソナルコンピューター、携帯電話等の内部に配置されたＣＰＵ，ＭＰＵ，ＬＳＩ等の電子機器要素の高密度化、高集積化が進み、電磁波ノイズの放射が技術的・社会的な問題となっている。このような電磁波障害対策として、従来は導電性材料を用いた電磁波シールドの方法で、機器内部への電磁波進入及び機器外部への電磁波放射を防止してきた。しかし、この電磁波シールドの方法では機器内部に閉じこめられた電磁波が電磁干渉を起こし誤動作を引き起こす。
【０００３】
従来、電磁干渉障害対策を行う場合にはノイズ対策の専門知識と経験が必要とされ、その対策には多くの時間が必要とされる上、対策部品の実装スペースを事前に確保することなどの難点があった。
【０００４】
こうした問題点を解決するため、電磁波を吸収することにより反射波及び透過波を低減する電磁波吸収体が注目されている。電磁波吸収体としてはソフトフェライト焼結体や軟磁性粉体を例えば樹脂のマトリクスに分散させた複合体などがある。しかし例えば単に樹脂マトリクスに分散させた場合には、樹脂の剛性が高いため、施工性の点で劣ることになる。また樹脂の代わりにシリコーンゴムを用いた、電磁波吸収性組成物も知られている（特許文献１、２）。
【０００５】
しかしながら、これらの電磁波吸収体を用いた場合、柔軟性には優れているものの、使用している際に電磁波吸収体の周囲の回路が汚染（回路の汚染の周りに埃等がたまるなど）される場合があった。回路が汚染されると、電子機器の誤作動が起こることが考えられる。
【特許文献１】特開２００２−１２９０１９号公報
【特許文献２】特開２００５−０１５６７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、柔軟性、電磁波吸収性能に優れ、しかも周辺の回路を汚染することが少ない架橋物が得られるゴム組成物およびその用途を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のゴム組成物は、
アルケニル基を有する有機重合体（Ａ）と、
ＳｉＨ基を１分子中に少なくとも２個持つＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）と、
電磁波吸収性充填剤（Ｃ）と
からなることを特徴としている。
【０００８】
上記アルケニル基を有する有機重合体（Ａ）は、下記一般式（Ｉ）または（II）で表わされる少なくとも一種の非共役ポリエンから導かれる構成単位を有するエチレン・α−オレフィン・非共役ポリエンランダム共重合体ゴム（Ａ）であることが好ましい。
【０００９】
【化１】
【００１０】
（式中、ｎは０ないし１０の整数であり、
Ｒ1 は水素原子または炭素原子数１〜１０のアルキル基であり、
Ｒ2 は水素原子または炭素原子数１〜５のアルキル基である）、
【００１１】
【化２】
【００１２】
（式中、Ｒ3 は水素原子または炭素原子数１〜１０のアルキル基である）。
前記エチレン・α−オレフィン・非共役ポリエンランダム共重合体ゴムは、
（ｉ）エチレン単位と炭素原子数３〜２０のα-オレフィン単位とのモル比（エチレン単
位／α−オレフィン単位）が４０／６０〜９５／５の範囲にあり、
（ii）ヨウ素価が０．５〜５０の範囲にあり、
（iii）１３５℃のデカリン溶液で測定した極限粘度［η］が０．０１〜１．５ｄｌ／ｇ
の範囲にある
ことが好ましい。
【００１３】
本発明に係るゴム組成物は、
有機重合体（Ａ）１００重量部に対して、
ＳｉＨ基を１分子中に少なくとも２個持つＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）を０．１〜１００重量部、
電磁波吸収材（Ｃ）を１〜５０００重量部含有する
ことが好ましい。
【００１４】
本発明に係るゴム組成物は、さらに触媒（Ｄ）および反応抑制剤（Ｅ）の少なくとも１種の成分を含んでいてもよい。
本発明に係るゴム組成物は、例えば電磁波吸収材用に好適に用いることができる
本発明に係る電磁波吸収材料は、上記ゴム組成物を架橋して得られることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のゴム組成物は、柔軟性、施工性、電磁波吸収性能に優れた架橋物が得られ、しかもこの架橋物は電磁波波吸収材料として用いた場合に、周辺の回路を汚染することが少ない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明に係るゴム組成物およびその用途について具体的に説明する。
本発明に係るゴム組成物は、アルケニル基を有する有機重合体（Ａ）と、ＳｉＨ基を１分子中に少なくとも２個持つＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）と、電磁波吸収性充填剤（Ｃ）とからなる。
【００１７】
まず、本発明に係るゴム組成物を形成する各成分について説明する。
アルケニル基を含有する有機重合体（Ａ）
本発明で用いられるアルケニル基を含有する有機重合体（Ａ）としては、分子中に少なくとも１個のアルケニル基を含有する有機重合体であれば特に制限はなく、各種主鎖骨格をもつ有機重合体を使用することができる。なお、この明細書において、有機重合体（Ａ）の「重合体」なる語は、単独重合体と共重合体の両方を含むものとする。
【００１８】
このような有機重合体（Ａ）としては、具体的には、
ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリオキシテトラメチレン、ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレン共重合体等のポリエーテル系重合体；
テレフタル酸、イソフタル酸、アジピン酸等の二塩基酸またはその酸無水物とエチレングリコール、プロピレングリコール、ネオペンチルグリコール等のグリコールとの縮合物；
ラクトン類の開環重合で得られるポリエステル系共重合体；
アルケニル基を含有するエチレン・α−オレフィン・非共役ポリエンランダム共重合体（Ａ２）、エチレン・α−オレフィンランダム共重合体ゴム、ポリイソブチレン、イソブチレンとイソプロピレン等との共重合体、ポリクロロプレン、ポリイソプレン、イソプレンとブタジエン、アクリロニトリルもしくはスチレン等との共重合体、ポリブタジエン、ブタジエンとスチレンもしくはアクリロニトリル等との共重合体、さらにはポリイソプレン、ポリブタジエン、イソプレン、ブタジエンとアクリロニトリル、スチレン等との共重合体を水素添加して得られる共重合体などの炭化水素系重合体（Ａ１）；
エチルアクリレート、ブチルアクリレート等のモノマーをラジカル重合して得られるポリアクリル酸エステル、エチルアクリレート、ブチルアクリレート等のアクリル酸エステルと酢酸ビニル、アクリロニトリル、メチルメタクリレート、スチレン等とのアクリル酸エステル系重合体；
前記有機重合体中でビニルモノマーを重合して得られるグラフト重合体；
ポリサルファイド系重合体；
ビスフェノールＡと塩化カルボニルとを縮重合して製造されたポリカーボネート系重合体などが挙げられる。
【００１９】
このなかでも、ポリエステル系重合体、ポリエーテル系重合体、アクリル酸エステル系重合体、炭化水素系重合体（Ａ１）が好ましい。なかでも、炭化水素系重合体（Ａ１）がより好ましい。炭化水素系重合体（Ａ１）のなかでも、アルケニル基を含有するエチレン・α−オレフィン・非共役ポリエンランダム共重合体（Ａ２）、エチレン・α−オレフィンランダム共重合体ゴム、ポリイソブチレンが特に好ましい。
【００２０】
アルケニル基としては、アルキリデン基、ビニル基が好ましい。
アルケニル基を導入する方法としては、重合中に導入する方法、重合後に導入する方法が考えられる。このような方法は公知である。
【００２１】
これらのアルケニル基を含有する有機重合体のうちでも特に、エチレンと、炭素原子数３〜２０のα−オレフィンと、下記一般式（Ｉ）または（II）で表される非共役ポリエンとの共重合体である、エチレン・α−オレフィン・非共役ポリエンランダム共重合体が好ましい。
【００２２】
このような炭素原子数３〜２０のα-オレフィンとしては、具体的には、プロピレン、
１−ブテン、４−メチル−１−ペンテン、１−ヘキセン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−ノネン、１−デセン、１−ウンデセン、１−ドデセン、１−トリデセン、１−テトラデセン、１−ペンタデセン、１−ヘキサデセン、１−ヘプタデセン、１−ノナデセン、１−エイコセン、９−メチル−１−デセン、１１−メチル−１−ドデセン、１２−エチル−１−テトラデセンなどが挙げられる。中でも、炭素原子数３〜１０のα−オレフィンが好ましく、特にプロピレン、１−ブテン、１−ヘキセン、１−オクテンなどが好ましく用いられる。
【００２３】
これらのα−オレフィンは、単独で、あるいは２種以上組み合わせて用いられる。
非共役ポリエンは、下記の一般式（Ｉ）または（II）で表わされるビニル基含有ノルボルネン化合物である。
【００２４】
【化３】
【００２５】
一般式（Ｉ）において、ｎは０ないし１０の整数であり、
Ｒ1は水素原子または炭素原子数１〜１０のアルキル基である。
Ｒ1が示す炭素原子数１〜１０のアルキル基としては、具体的には、メチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｔ−ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、へプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基などが挙げられる。
【００２６】
Ｒ2は水素原子または炭素原子数１〜５のアルキル基である。
Ｒ2が示す炭素原子数１〜５のアルキル基の具体例としては、上記Ｒ1の具体例のうち、炭素原子数１〜５のアルキル基が挙げられる。
【００２７】
【化４】
【００２８】
一般式（II）において、Ｒ3は水素原子または炭素原子数１〜１０のアルキル基である
。
Ｒ3が示す炭素原子数１〜１０のアルキル基の具体例としては、上記Ｒ1が示す炭素原子数１〜１０のアルキル基の具体例と同じアルキル基を挙げることができる。
【００２９】
上記一般式（Ｉ）または（II）で表わされるノルボルネン化合物としては、具体的には、５−メチレン−２−ノルボルネン、５−ビニル−２−ノルボルネン、５−（２−プロペニル）−２−ノルボルネン、５−（３−ブテニル）−２−ノルボルネン、５−（１−メチル−２−プロペニル）−２−ノルボルネン、５−（４−ペンテニル）−２−ノルボルネン、５−（１−メチル−３−ブテニル）−２−ノルボルネン、５−（５−ヘキセニル）−２
−ノルボルネン、５−（１−メチル−４−ペンテニル）−２−ノルボルネン、５−（２,
３−ジメチル−３−ブテニル）−２−ノルボルネン、５−（２−エチル−３−ブテニル）−２−ノルボルネン、５−（６−ヘプテニル）−２−ノルボルネン、５−（３−メチル−５−ヘキセニル）−２−ノルボルネン、５−（３,４−ジメチル−４−ペンテニル）−２
−ノルボルネン、５−（３−エチル−４−ペンテニル）−２−ノルボルネン、５−（７−オクテニル）−２−ノルボルネン、５−（２−メチル−６−ヘプテニル）−２−ノルボルネン、５−（１,２−ジメチル−５−ヘキセシル）−２−ノルボルネン、５−（５−エチ
ル−５−ヘキセニル）−２−ノルボルネン、５−（１,２,３−トリメチル−４−ペンテニル）−２−ノルボルネンなど挙げられる。このなかでも、５−ビニル−２−ノルボルネン、５−メチレン−２−ノルボルネン、５−（２−プロペニル）−２−ノルボルネン、５−（３−ブテニル）−２−ノルボルネン、５−（４−ペンテニル）−２−ノルボルネン、５−（５−ヘキセニル）−２−ノルボルネン、５−（６−ヘプテニル）−２−ノルボルネン、５−（７−オクテニル）−２−ノルボルネンが好ましい。これらのノルボルネン化合物は、単独で、あるいは２種以上組み合わせて用いることができる。
【００３０】
本発明では上記ノルボルネン化合物の他に、本発明の目的とする物性を損なわない範囲で、以下に示す非共役ポリエンを併用することもできる。
このような非共役ポリエンとしては、具体的には、１,４−ヘキサジエン、３−メチル
−１,４−ヘキサジエン、４−メチル−１,４−ヘキサジエン、５−メチル−１,４−ヘキ
サジエン、４,５−ジメチル−１,４−ヘキサジエン、７−メチル−１,６−オクタジエン
等の鎖状非共役ジエン；
メチルテトラヒドロインデン、５−エチリデン−２−ノルボルネン、５−メチレン−２−ノルボルネン、５−イソプロピリデン−２−ノルボルネン、５−ビニリデン−２−ノルボルネン、６−クロロメチル−５−イソプロペニル−２−ノルボルネン、ジシクロペンタジエン等の環状非共役ジエン；
２,３−ジイソプロピリデン−５−ノルボルネン、２−エチリデン−３−イソプロピリ
デン−５−ノルボルネン、２−プロペニル−２,２−ノルボルナジエン等のトリエンなど
が挙げられる。
【００３１】
上記のような諸成分からなるエチレン・α−オレフィン・非共役ポリエンランダム共重合体は、以下の（ｉ）〜（iv）のうちの少なくとも１つを満たしていることが好ましい。（ｉ）エチレン単位と炭素原子数３〜２０のα−オレフィン単位とのモル比
エチレン・α−オレフィン・非共役ポリエンランダム共重合体ゴムは、エチレンで導かれる単位と、炭素原子数３〜２０のα−オレフィン（以下、単にα−オレフィンということがある）から導かれる単位とを、４０／６０〜９５／５、好ましくは５０／５０〜９０／１０、好ましくは５５／４５〜８５／１５、好ましくは５５／４５〜８０／２０、特に好ましくは５５／４５〜７０／３０、最も好ましくは５５／４５〜６５／３５のモル比（エチレン単位／α−オレフィン単位）で含有している。
【００３２】
このモル比が上記範囲内にあると、耐熱老化性、強度特性およびゴム弾性に優れるとともに、柔軟性、耐寒性および加工性に優れた架橋ゴム成形体を提供できるゴム組成物が得られる。
（ii）ヨウ素価
エチレン・α−オレフィン・非共役ポリエンランダム共重合体ゴムのヨウ素価は、０．５〜５０（ｇ／１００ｇ）、好ましくは１〜３０（ｇ／１００ｇ）、さらに好ましくは２〜２０（ｇ／１００ｇ）、特に好ましくは２〜８、または１０〜２０（ｇ／１００ｇ）である。
【００３３】
このヨウ素価が上記範囲内にあると、架橋効率の高いゴム組成物が得られ、耐圧縮永久歪み性に優れるとともに、汚染性、柔軟性、耐環境劣化性（＝耐熱老化性）に優れた架橋
ゴム成形体を提供できるゴム組成物が得られる。
（iii）極限粘度
エチレン・α−オレフィン・非共役ポリエンランダム共重合体ゴムの１３５℃デカリン中で測定した極限粘度［η］は、特に制限はないが、通常０．０１〜１０ｄｌ／ｇである。好ましくは０．０１〜５ｄｌ／ｇ、より好ましくは０．０１〜２ｄｌ／ｇ、さらに好ましくは０．０１〜１．５ｄｌ／ｇ、特に好ましくは０．０５〜０．５ｄｌ／ｇ、または０．８〜１．３ｄｌ／ｇ、最も好ましくは０．０５〜０．２ｄｌ／ｇであることが柔軟性、強度特性、加工性のバランスの点から好ましい。
【００３４】
この極限粘度［η］が上記範囲内にあると、強度特性および耐圧縮永久歪み性に優れるとともに、柔軟性、加工性に優れた架橋ゴム成形体を提供できるゴム組成物が得られる。（iv）分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）
エチレン・α−オレフィン・非共役ポリエンランダム共重合体ゴムのＧＰＣにより測定した分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、３〜５０、好ましくは３〜４０、さらに好ましくは３〜３０、さらに好ましくは３〜２０、特に好ましくは３〜１０、最も好ましくは３〜５である。また、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、２５〜３５であることも好ましい。
【００３５】
この分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が上記範囲内にあると、加工性に優れるとともに、柔軟性、強度特性に優れた架橋ゴム成形体を提供できるゴム組成物が得られる。
上記のうちでも、特に（ｉ）、（ii）および（iii）を同時に満たすものが好ましい。
【００３６】
本発明で用いられるエチレン・α−オレフィン・非共役ポリエンランダム共重合体は、例えば下記バナジウム化合物（ａ）および有機アルミニウム化合物（ｂ）を主成分として含有する触媒の存在下に、重合温度３０〜６０℃、特に３０〜５０℃、重合圧力４〜１２ｋｇｆ／ｃｍ2、特に５〜８ｋｇｆ／ｃｍ2、非共役ポリエンとエチレンとの供給量のモル比（非共役ポリエン／エチレン）０．０１〜０．２の条件で、エチレンと、炭素原子数３〜２０のα-オレフィンと、上記一般式（Ｉ）または（II）で表わされるビニル基含有ノ
ルボルネン化合物とをランダム共重合することにより得られる。共重合は、炭化水素媒体中で行うのが好ましい。
【００３７】
バナジウム化合物（ａ）としては、例えば
ＶＯ（ＯＲ）nＸ3-n
（式中、Ｒは炭化水素基であり、Ｘはハロゲン原子であり、ｎは０または１〜３の整数である）
で表わされる可溶性バナジウム化合物、またはＶＸ4（Ｘはハロゲン原子である）で表わ
されるバナジウム化合物が挙げられる。
【００３８】
上記可溶性バナジウム化合物は、重合反応系の炭化水素媒体に可溶性の成分であり、より具体的には、
一般式 ＶＯ（ＯＲ）aＸbまたはＶ（ＯＲ）cＸd
（式中、Ｒは炭化水素基であり、０≦ａ≦３、０≦ｂ≦３、２≦ａ＋ｂ≦３、０≦ｃ≦４、０≦ｄ≦４、３≦ｃ＋ｄ≦４）
で表わされるバナジウム化合物、あるいはこれらの電子供与体付加物を代表例として挙げることができる。
【００３９】
より具体的には、ＶＯＣｌ3、ＶＯ（ＯＣ2Ｈ5）Ｃｌ2、ＶＯ（ＯＣ2Ｈ5）2Ｃｌ、ＶＯ
（Ｏ-iso-Ｃ3Ｈ7）Ｃｌ2、ＶＯ（Ｏ-ｎ-Ｃ4Ｈ9）Ｃｌ2、ＶＯ（ＯＣ2Ｈ5）3、ＶＯＢｒ3
、ＶＣｌ4、ＶＯＣｌ3、ＶＯ（Ｏ-ｎ-Ｃ4Ｈ9）3、ＶＣｌ3・２ＯＣ6Ｈ12ＯＨなどを例示
することができる。
【００４０】
有機アルミニウム化合物（ｂ）としては、
Ｒ'mＡlＸ'3-m
（Ｒ'は炭化水素基であり、Ｘ'はハロゲン原子であり、ｍは１〜３の整数である）
で表わされる有機アルミニウム化合物が挙げられる。
【００４１】
上記有機アルミニウム化合物（ｂ）としては、具体的には、
トリエチルアルミニウム、トリブチルアルミニウム、トリイソプロピルアルミニウム等のトリアルキルアルミニウム；
ジエチルアルミニウムエトキシド、ジブチルアルミニウムブトキシド等のジアルキルアルミニウムアルコキシド；
エチルアルミニウムセスキエトキシド、ブチルアルミニウムセスキブトキシド等のアルキルアルミニウムセスキアルコキシド；
Ｒ10.5Ａｌ（ＯＲ1）0.5などで表わされる平均組成を有する部分的にアルコキシ化されたアルキルアルミニウム；
ジエチルアルミニウムクロリド、ジブチルアルミニウムクロリド、ジエチルアルミニウムブロミド等のジアルキルアルミニウムハライド；
エチルアルミニウムセスキクロリド、ブチルアルミニウムセスキクロリド、エチルアルミニウムセスキブロミド等のアルキルアルミニウムセスキハライド、エチルアルミニウムジクロリド、プロピルアルミニウムジクロリド、ブチルアルミニウムジブロミド等のアルキルアルミニウムジハライドなどの部分的にハロゲン化されたアルキルアルミニウム；
ジエチルアルミニウムヒドリド、ジブチルアルミニウムヒドリド等のジアルキルアルミニウムヒドリド、エチルアルミニウムジヒドリド、プロピルアルミニウムジヒドリド等のアルキルアルミニウムジヒドリドなどの部分的に水素化されたアルキルアルミニウム；
エチルアルミニウムエトキシクロリド、ブチルアルミニウムブトキシクロリド、エチルアルミニウムエトキシブロミドなどの部分的にアルコキシ化およびハロゲン化されたアルキルアルミニウムなどを挙げることができる。
【００４２】
本発明において、上記バナジウム化合物（ａ）のうち、ＶＯＣｌ3で表わされる可溶性
バナジウム化合物と、上記有機アルミニウム化合物（ｂ）のうち、Ａｌ（ＯＣ2Ｈ5）2Ｃ
ｌ／Ａｌ2（ＯＣ2Ｈ5）3Ｃｌ3のブレンド物（ブレンド比は１／５以上）を触媒成分とし
て使用すると、ソックスレー抽出（溶媒：沸騰キシレン、抽出時間：３時間、メッシュ：３２５）後の不溶解分が１％以下であるエチレン・α−オレフィン・非共役ポリエンランダム共重合体が得られるので好ましい。
【００４３】
また、上記共重合の際に使用する触媒として、いわゆるメタロセン触媒、例えば特開平９−４０５８６号公報に記載されているメタロセン触媒を用いても差し支えない。
また、本発明で用いられるエチレン・α−オレフィン・非共役ポリエンランダム共重合体は、極性モノマー例えば不飽和カルボン酸またはその誘導体（例えば酸無水物、エステル）でグラフト変性されていてもよい。
【００４４】
このような不飽和カルボン酸としては、具体的には、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸、テトラヒドロフタル酸、ビシクロ［２.
２.１］ヘプト−２−エン−５,６−ジカルボン酸などが挙げられる。
【００４５】
不飽和カルボンの酸無水物としては、具体的には、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸、無水テトラヒドロフタル酸、ビシクロ［２.２.１］ヘプト−２−エン−５,６−ジカルボン酸無水物などが挙げられる。これらの中でも、無水マレイン酸が好
ましい。
【００４６】
不飽和カルボン酸エステルとしては、具体的には、アクリル酸メチル、メタクリル酸メ
チル、マレイン酸ジメチル、マレイン酸モノメチル、フマル酸ジメチル、イタコン酸ジメチル、シトラコン酸ジエチル、テトラヒドロフタル酸ジメチル、ビシクロ［２.２.１］ヘプト−２−エン−５,６−ジカルボン酸ジメチルなどが挙げられる。これらの中でも、ア
クリル酸メチル、アクリル酸エチルが好ましい。
【００４７】
上記の不飽和カルボン酸等のグラフト変性剤（グラフトモノマー）は、それぞれ単独または２種以上の組み合わせで使用されるが、何れの場合も前述したグラフト変性前のエチレン・α−オレフィン・非共役ポリエン共重合体１００ｇ当たり、０．１モル以下のグラフト量にするのがよい。
【００４８】
上記のようなグラフト量が上記範囲にあるエチレン・α−オレフィン・非共役ポリエンランダム共重合体を用いると、耐寒性に優れた架橋成形体を提供し得る、流動性（成形加工性）に優れたゴム組成物が得られる。
【００４９】
グラフト変性したエチレン・α−オレフィン・非共役ポリエンランダム共重合体は、前述した未変性のエチレン・α−オレフィン・非共役ポリエン共重合体と不飽和カルボン酸またはその誘導体とを、ラジカル開始剤の存在下に反応させることにより得ることができる。
【００５０】
このグラフト反応は溶液にして行うこともできるし、溶融状態で行ってもよい。溶融状態でグラフト反応を行う場合には、押出機の中で連続的に行うことが最も効率的であり、好ましい。
【００５１】
グラフト反応に使用されるラジカル開始剤としては、具体的には、ジクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキシ−３,３,５−トリメチルシクロヘキサン、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−アミルパーオキサイド、ｔ−ブチルヒドロパーオキサイド、２,５−ジメチル−２,５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３、２,５−ジメチル−２,５−ジ（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、２,
５−ジメチル−２,５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、α,α'−ビス（ｔ−ブチ
ルパーオキシ−ｍ−イソプロピル）ベンゼン等のジアルキルパーオキサイド類；
ｔ−ブチルパーオキシアセテート、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ｔ−ブチルパーオキシピバレート、ｔ−ブチルパーオキシマレイン酸、ｔ−ブチルパーオキシネオデカノエート、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ジ−ｔ−ブチルパーオキシフタレート等のパーオキシエステル類；
ジシクロヘキサノンパーオキサイド等のケトンパーオキサイド類；
およびこれらの混合物などが挙げられる。中でも半減期１分を与える温度が１３０〜２００℃の範囲にある有機過酸化物が好ましく、特に、ジクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキシ−３,３,５−トリメチルシクロヘキサン、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−アミルパーオキサイド、ｔ−ブチルヒドロパーオキサイドなどの有機過酸化物が好ましい。
【００５２】
また、不飽和カルボン酸またはその誘導体（例えば酸無水物、エステル）以外の極性モノマーとしては、水酸基含有エチレン性不飽和化合物、アミノ基含有エチレン性不飽和化合物、エポキシ基含有エチレン性不飽和化合物、芳香族ビニル化合物、ビニルエステル化合物、塩化ビニルなどが挙げられる。
【００５３】
ＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）
本発明で用いられるＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）は、有機重合体（Ａ）と反応し、架橋剤として作用する。このＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）は、その分子構造に特に制限はなく、従来製造されている例えば線状、環状、分岐状構造あるいは三次元網目状構造の樹脂状物な
どでも使用可能であるが、１分子中に少なくとも２個、好ましくは３個以上のケイ素原子に直結した水素原子、すなわちＳｉＨ基を含んでいることが必要である。
【００５４】
このようなＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）としては、通常、下記の一般組成式
Ｒ4bＨcＳｉＯ(4-b-c)/2
で表わされる化合物を使用することができる。
【００５５】
上記一般組成式において、Ｒ4は、脂肪族不飽和結合を除く、炭素原子数１〜１０、特
に炭素原子数１〜８の置換または非置換の１価炭化水素基であり、このような１価炭化水素基としては、前記Ｒ1に例示したアルキル基の他に、フェニル基、ハロゲン置換のアル
キル基たとえばトリフロロプロピル基を例示することができる。中でも、メチル基、エチル基、プロピル基、フェニル基、トリフロロプロピル基が好ましく、特にメチル基、フェニル基が好ましい。
【００５６】
また、ｂは、０≦ｂ＜３、好ましくは０．６＜ｂ＜２．２、特に好ましくは１．５≦ｂ≦２であり、ｃは、０＜ｃ≦３、好ましくは０．００２≦ｃ＜２、特に好ましくは０．０１≦ｃ≦１であり、かつ、ｂ＋ｃは、０＜ｂ＋ｃ≦３、好ましくは１．５＜ｂ＋ｃ≦２．７である。
【００５７】
このＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）は、１分子中のケイ素原子数が好ましくは２〜１００個、さらに好ましくは２〜５０個、特に好ましくは２〜２０個、最も好ましくは２〜１０個のオルガノハイドロジェンポリシロキサンであり、具体的には、
１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン、１,３,５,７−テトラメチルテトラシクロシロキサン、１,３,５,７,８−ペンタメチルペンタシクロシロキサン等のシロキサンオリゴマー；
分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、分子鎖両末端シラノール基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、分子鎖両末端シラノール基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、Ｒ42（Ｈ)ＳｉＯ1/2 単位とＳｉＯ4/2 単位とからなり、任
意にＲ43 ＳｉＯ1/2単位、Ｒ42 ＳｉＯ2/2 単位、Ｒ4(Ｈ)ＳｉＯ2/2 単位、(Ｈ)ＳｉＯ3/2またはＲ4ＳｉＯ3/2単位を含み得るシリコーンレジンなどを挙げることができる。
【００５８】
分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサンとしては、例えば下式で示される化合物、さらには下式においてメチル基の一部または全部をエチル基、プロピル基、フェニル基、トリフロロプロピル基等で置換した化合物などが挙げられる。
（ＣＨ3）3ＳｉＯ-(-ＳｉＨ(ＣＨ3)-Ｏ-)d-Ｓｉ(ＣＨ3)3
（式中のｄは２以上の整数である。）
分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体としては、下式で示される化合物、さらには下式においてメチル基の一部または全部をエチル基、プロピル基、フェニル基、トリフロロプロピル基等で置換した化合物などが挙げられる。
（ＣＨ3）3ＳｉＯ-(-Ｓｉ(ＣＨ3)2-Ｏ-)e-(-ＳｉＨ(ＣＨ3)-Ｏ-)f-Ｓｉ(ＣＨ3)3
（式中のｅは１以上の整数であり、ｆは２以上の整数である。）
分子鎖両末端シラノール基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサンとしては、例えば下式で示される化合物、さらには下式においてメチル基の一部または全部をエチル基、プ
ロピル基、フェニル基、トリフロロプロピル基等で置換した化合物などが挙げられる。
ＨＯＳｉ(ＣＨ3)2Ｏ-(-ＳｉＨ(ＣＨ3)-Ｏ-)2-Ｓｉ(ＣＨ3)2ＯＨ
分子鎖両末端シラノール基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体としては、例えば下式で示される化合物、さらには下式においてメチル基の一部または全部をエチル基、プロピル基、フェニル基、トリフロロプロピル基等で置換した化合物などが挙げられる。
【００５９】
ＨＯＳｉ(ＣＨ3)2Ｏ-(-Ｓｉ(ＣＨ3)2-Ｏ-)e-(-ＳｉＨ(ＣＨ3)-Ｏ-)f-Ｓｉ(ＣＨ3)2ＯＨ（式中のｅは１以上の整数であり、ｆは２以上の整数である。）
分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサンとしては、例えば下式で示される化合物、さらには下式においてメチル基の一部または全部をエチル基、プロピル基、フェニル基、トリフロロプロピル基等で置換した化合物などが挙げられる。
【００６０】
ＨＳｉ(ＣＨ3)2Ｏ-(-Ｓｉ(ＣＨ3)2-Ｏ-)e-Ｓｉ(ＣＨ3)2Ｈ
（式中のｅは１以上の整数である。）
分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサンとしては、例えば下式で示される化合物、さらには下式においてメチル基の一部または全部をエチル基、プロピル基、フェニル基、トリフロロプロピル基等で置換した化合物などが挙げられる。
【００６１】
ＨＳｉ(ＣＨ3)2Ｏ-(-ＳｉＨ(ＣＨ3)-Ｏ-)e-Ｓｉ(ＣＨ3)2Ｈ
（式中のｅは１以上の整数である。）
分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体としては、例えば下式で示される化合物、さらには下式においてメチル基の一部または全部をエチル基、プロピル基、フェニル基、トリフロロプロピル基等で置換した化合物などが挙げられる。
【００６２】
ＨＳｉ(ＣＨ3)2Ｏ-(-Ｓｉ(ＣＨ3)2-Ｏ-)e-(-ＳｉＨ(ＣＨ3)-Ｏ-)h-Ｓｉ(ＣＨ3)2Ｈ
（式中のｅおよびｈは、それぞれ１以上の整数である。）
このような化合物は、公知の方法により製造することができ、例えばオクタメチルシクロテトラシロキサンおよび／またはテトラメチルシクロテトラシロキサンと、末端基となり得るヘキサメチルジシロキサンあるいは１,３−ジハイドロ−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサンなどの、トリオルガノシリル基あるいはジオルガノハイドロジェンシロキシ基を含む化合物とを、硫酸、トリフルオロメタンスルホン酸、メタンスルホン酸等の触媒の存在下に、−１０℃〜＋４０℃程度の温度で平衡化させることによって容易に得ることができる。
【００６３】
これらのうちでも、１分子中にＳｉＨ結合を６個以上有している、ＳｉＨ基含有化合物を用いることが好ましい。より好ましくは、ＳｉＨ結合が２個以上、さらに好ましくは３個〜１０個含んでいることが好ましい。この範囲であれば特にゴム組成物から得られた架橋体から、成分がしみ出すことが少なく、電磁波シールド材料として用いた場合に周囲の回路を汚染することが少ないと考えられる。
【００６４】
ＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）は、有機重合体（Ａ）１００重量部に対して、０．１〜１００重量部、好ましくは０．１〜５０重量部、より好ましくは０．５〜２５重量部、さらに好ましくは０．５〜１０重量部、さらにより好ましくは０．５〜８重量部、特に好ましくは０．５〜８重量部、最も好ましくは０．５〜６重量部の割合で用いられる。上記範囲内の割合でＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）を用いると、柔軟性に優れるとともに、周囲の回路を汚染する可能性の低い架橋ゴムを形成できるゴム組成物が得られる。
【００６５】
電磁波吸収性充填剤（Ｃ）
本発明において電磁波吸収性充填剤（Ｃ）は、吸収すべき電磁波の周波数帯域に応じて、カーボンや黒鉛などの粉末状や繊維状の誘電性損失材料や、軟磁性フェライト、硬磁性フェライト、軟磁性金属などの粉末からなる磁性損失材料から任意に選択して使用することができる。この場合、電磁波吸収性充填剤（Ｃ）としては、鉄元素を１５体積％以上含む軟磁性合金、またはフェライトが好ましい。
【００６６】
軟磁性フェライトとしては、ＭｎＦｅ2Ｏ4、ＣｏＦｅ2Ｏ4、ＮｉＦｅ2Ｏ4、ＣｕＦｅ2
Ｏ4、ＺｎＦｅ2Ｏ4、ＭｇＦｅ2Ｏ4、Ｆｅ3Ｏ4、Ｃｕ−Ｚｎ−フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ−
フェライト、Ｍｎ−Ｚｎ−フェライトなどのスピネル型フェライトや、Ｂａ2Ｍｅ2Ｆｅ12Ｏ22（Ｍｅ＝Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｃｕ）、Ｂａ3Ｃｏ2Ｆｅ24Ｏ41などのフェロクスプレーナー型（Ｙ型、Ｚ型）六方晶フェライト等が例示される。
【００６７】
硬磁性フェライトとしては、ＢａＦｅ12Ｏ19、ＳｒＦｅ12Ｏ19などのマグネプランバイト（Ｍ型）六方晶フェライト等が例示される。
軟磁性金属としては、Ｆｅ−Ｃｒ系、Ｆｅ−Ｓｉ系、Ｆｅ−Ｎｉ系、Ｆｅ−Ａｌ系、Ｆｅ−Ｃｏ系、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｎｉ系等が例示される。
【００６８】
これらの電磁波吸収性充填剤（Ｃ）は１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせてもよい。粉末の電磁波吸収性充填剤（Ｃ）を用いる場合には、粉末の形状は扁平状、粒子状のどちらかを単独で用いてもよいし、両者を併用してもよい。
【００６９】
電磁波吸収性充填剤（Ｃ）の平均粒子径は特に制限はないが、０．１μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。特には１μｍ以上５０μｍ以下のものを用いるのが好ましい。
【００７０】
電磁波吸収性充填剤（Ｃ）の含有量は、特に限定はないが有機重合体（Ａ）１００重量部に対して、通常１〜５０００重量部、好ましくは１００〜２０００重量部、より好ましくは４００〜１０００重量部である。この範囲であると、電磁波吸収性能、機械物性ともに好ましい。
【００７１】
また、電磁波吸収性充填剤（Ｃ）は、本発明のゴム組成物の全量に対して好ましくは５〜８０容積％、特に好ましくは２０〜７０容積％である。この範囲であると、電磁波吸収性能、機械物性ともに好ましい。
【００７２】
触媒（Ｄ）
本発明で任意成分として用いられる触媒（Ｄ）は、付加反応触媒であり、上記有機重合体（Ａ）成分のアルケニル基と、ＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）のＳｉＨ基との付加反応（アルケンのヒドロシリル化反応）を促進するものである。具体的には、たとえば白金系触媒、パラジウム系触媒、ロジウム系触媒等の白金族元素よりなる付加反応触媒（周期律表８族金属、８族金属錯体、８族金属化合物等の８族金属系触媒）を挙げることができ、中でも、白金系触媒が好ましい。
【００７３】
白金系触媒は、通常、付加硬化型の硬化に使用される公知のものでよく、たとえば米国特許第２,９７０,１５０号明細書に記載の微粉末金属白金触媒、米国特許第２,８２３,２１８号明細書に記載の塩化白金酸触媒、米国特許第３,１５９,６０１号公報明細書および米国特許第１５９,６６２号明細書に記載の白金と炭化水素との錯化合物、米国特許第３,５１６,９４６号明細書に記載の塩化白金酸とオレフィンとの錯化合物、米国特許第３,７
７５,４５２号明細書および米国特許第３,８１４,７８０号明細書に記載の白金とビニル
シロキサンとの錯化合物などが挙げられる。より具体的には、白金の単体（白金黒）、塩化白金酸、白金−オレフィン錯体、白金−アルコール錯体、あるいはアルミナ、シリカ等の担体に白金を担持させたものなどが挙げられる。
【００７４】
上記パラジウム系触媒は、パラジウム、パラジウム化合物、塩化パラジウム酸等からなり、また、上記ロジウム系触媒は、ロジウム、ロジウム化合物、塩化ロジウム酸等からなる。
【００７５】
上記以外の触媒（Ｄ）としては、ルイス酸、コバルトカルボニルなどが挙げられる。
本発明においては特に（塩素を含まない白金）錯体が好ましく、中でも（白金−オレフィン）が好ましく用いられる。
【００７６】
触媒（Ｄ）は、金属原子として、有機重合体（Ａ）に対して、０．１〜１０００重量ｐｐｍ、通常０．１〜５００重量ｐｐｍ、好ましくは１〜２００重量ｐｐｍ、さらに好ましくは１〜１００重量ｐｐｍ、特に好ましくは５〜５０重量ｐｐｍの割合で用いられる。
【００７７】
上記範囲内の割合で触媒（Ｄ）を用いると、架橋密度が適度で強度特性および伸び特性に優れ、さらに周囲の回路等を汚染する可能性の少ない架橋ゴム成形体を形成できるゴム組成物が得られる。
【００７８】
なお、本発明においては、上記触媒（Ｄ）を含まないゴム組成物の未架橋ゴム成形体に、光、γ線、電子線等を照射して架橋ゴム成形体を得ることもできる。
反応抑制剤（Ｅ）
本発明で触媒（Ｄ）とともに任意成分として用いられる反応抑制剤（Ｅ）としては、ベンゾトリアゾール、エチニル基含有アルコール（例えばエチニルシクロヘキサノール等）、アクリロニトリル、アミド化合物（例えばＮ,Ｎ-ジアリルアセトアミド、Ｎ,Ｎ−ジア
リルベンズアミド、Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'−テトラアリル−ｏ−フタル酸ジアミド、Ｎ,Ｎ,Ｎ',
Ｎ'−テトラアリル−ｍ−フタル酸ジアミド、Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'−テトラアリル−ｐ−フタル酸ジアミド等）、イオウ、リン、窒素、アミン化合物、イオウ化合物、リン化合物、スズ、スズ化合物、テトラメチルテトラビニルシクロテトラシロキサン、ハイドロパーオキサイド等の有機過酸化物などが挙げられる。
【００７９】
反応抑制剤（Ｅ）は、有機重合体（Ａ）１００重量部に対して、０〜２０重量部、通常０．０００１〜１５重量部、好ましくは０．０００１〜１０重量部、より好ましくは０．０００１〜５重量部、さらに好ましくは０．０１〜１重量部、特に好ましくは０．１〜０．５重量部の割合で用いられる。
【００８０】
２０重量部以下の割合で反応抑制剤（Ｅ）を用いると、架橋スピードが速く、架橋ゴム成形体の生産性に優れたゴム組成物が得られる。
その他成分
本発明に係るゴム組成物中には、意図する架橋物の用途等に応じて、従来公知のゴム補強剤、無機充填剤、軟化剤、老化防止剤、加工助剤、有機過酸化物、架橋助剤、発泡剤、発泡助剤、着色剤、分散剤、難燃剤などの添加剤を、本発明の目的を損なわない範囲で配合することができる。
【００８１】
また例えば本発明においては、電子機器の高密度化、高集積化による発熱量の増加に対応し、発熱を外部に効率よく放出するために熱伝導性充填剤を添加しても良い。添加する場合には、熱伝導性充填剤は、有機重合体（Ａ）１００重量部に対して、１〜２０００重量部、好ましくは１〜１０００重量部、より好ましくは１００〜８００重量部である。
【００８２】
熱伝導性充填剤は、上記電磁波吸収性充填剤（Ｃ）を除く非磁性の銅、アルミニウム等の金属、アルミナ、シリカ、マグネシア、ベンガラ、ベリリア、チタニア、ジルコニア等の金属酸化物、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化硼素等の金属窒化物、人工ダイヤモンドあるいは炭化珪素等、一般に熱伝導性充填剤とされる物質を用いることができる。
【００８３】
これら熱伝導性充填剤は、形状には特に制限はないが、例えば平均粒径が０．１〜１００μｍ、好ましくは０．５〜５０μｍ、より好ましくは０．５〜３０μｍの紛体状のものを用いることができる。
【００８４】
ゴム組成物およびその架橋ゴム成形体の調製
上述したように、本発明に係るゴム組成物は、未架橋のままでも用いることもできるが、架橋ゴム成形体あるいは架橋ゴム発泡成形体のような架橋物として用いた場合に最もその特性を発揮することができる。
【００８５】
本発明に係るゴム組成物から架橋物を製造するには、通常一般のゴムを加硫（架橋）するときと同様に、未架橋の配合ゴムを一度調製し、次いで、この配合ゴムを意図する形状に成形した後に架橋を行なえばよい。
【００８６】
架橋方法としては、架橋剤（ＳｉＨ基含有化合物（Ｂ））を使用して加熱する方法、または光、γ線、電子線照射による方法のどちらを採用してもよい。
まず、本発明に係るゴム組成物は、通常のミラブル型ゴムや液状ゴムと同様な方法、たとえば次のような方法で調製される。
【００８７】
すなわち、本発明に係るゴム組成物は、バンバリーミキサー、プラネタリーミキサー、ニーダー、インターミックスのようなインターナルミキサー（密閉式混合機）類により、有機重合体（Ａ）および電磁波吸収性充填剤（Ｃ）、必要に応じて熱伝導性充填材、難燃材、ゴム補強剤、無機充填剤、軟化剤などの添加剤を好ましくは８０〜１７０℃の温度で１〜６０分間混練した後、３本ロール、オープンロールのようなロール類、あるいはニーダーを使用して、ＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）必要に応じて触媒（Ｄ）、反応抑制剤（Ｅ）、加硫促進剤、架橋助剤、発泡剤、発泡助剤を追加混合し、好ましくはロール温度８０℃以下で１〜３０分間混練した後、取り出すことにより調製することができる。
【００８８】
本発明においては、有機重合体（Ａ）と、電磁波吸収性充填剤（Ｃ）、熱伝導充填材、難燃剤、ゴム補強剤、無機充填剤等とは高温で混練りすることができるが、ＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）と触媒（Ｄ）とは同時に高温で混練りすると、架橋（スコーチ）してしまうことがあるため、ＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）と触媒（Ｄ）とを同時に添加する場合は、８０℃以下で混練りすることが好ましい。ＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）と触媒（Ｄ）のうち、一方の成分を添加する場合は８０℃を超える高温でも混練りすることができる。なお、混練りによる発熱に対して、冷却水を使用することも場合によっては好ましい。
【００８９】
また、プラネタリーミキサー類での混練温度が低い場合には、有機重合体（Ａ）、ＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）、ゴム補強剤、無機充填剤、軟化剤などとともに、老化防止剤、着色剤、分散剤、難燃剤、発泡剤などを同時に混練してもよい。
【００９０】
上記のようにして調製された、本発明に係るゴム組成物は、押出成形機、カレンダーロール、プレス、インジェクション成形機、トランスファー成形機などを用いる種々の成形法より、意図する形状に成形され、成形と同時にまたは成型物を加硫槽内に導入し、架橋することができる。１００〜２７０℃の温度で１〜６０分間加熱するか、あるいは光、γ線、電子線を照射することにより架橋物が得られる。この架橋の段階は金型を用いてもよ
いし、また金型を用いないで架橋を実施してもよい。金型を用いない場合は成形、架橋の工程は通常連続的に実施される。加硫槽における加熱方法としては、熱空気、ガラスビーズ流動床、ＵＨＦ（極超短波電磁波）、スチームなどの加熱槽を用いることができる。
【００９１】
意図する形状に成形してから架橋を行なういわゆる非動的架橋の場合、酸素の存在下で架橋が可能であること、特に上記熱空気等により架橋できることは、特に有益である。酸素の存在下で架橋を行なうことが可能であれば、架橋槽を密閉状態とし、かつ酸素を排除する必要が無く、装置の簡略化、工程の短縮化が可能となるからである。このような利点は、押出成形された架橋成形体を生産する場合に特に顕著となる。
【００９２】
また、分子量の低い有機重合体（Ａ）を用いる場合には、有機重合体（Ａ）が液体状態にあるため、電磁波吸収剤、液体の状態でＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）を混合し、必要に応じて触媒（Ｄ）、反応抑制剤（Ｅ）、発泡剤、発泡助剤、難燃剤を混合し、意図する形状の金型に流し室温で架橋させることができる。
【００９３】
また、この配合物を意図する形状に成形（隙間に充填したり、物体と物体の間に練りこんだり、物体にコーティングしたり、物体をポッティングしたり）した後に、室温に放置して架橋をしても、加熱して架橋しても良い。
【００９４】
電磁波吸収剤は主にはシート形状で用いられるため、プレス成形、ＬＩＭ成形、カレンダー成形にて厚さ０．１〜２０ｍｍのシートを成形後に、架橋して架橋シートを作ることが好ましい。
【００９５】
本発明の組成物は、他の材料、例えば高分子材料と積層しても良い。
本発明の電磁波吸収性ゴム組成物を硬化成形したシートを電子機器内部に設置することにより、電子機器内部の電磁波ノイズを抑制することができる。
【００９６】
本発明の組成物を硬化成形した成形体は、パーソナルコンピューター本体、ノート型パソコン本体、ＨＤＤ、基盤ＩＣ、ガスケット、ＶＤＴフィルター、ＣＰＵ、ＭＰＵ、ＬＳＩなどのパソコン向け電磁波吸収材；
携帯電話、電子レンジ、エアコン、蛍光灯、オーディオ、レコ−ドプレーヤー、デジカメ、液晶ディスプレーなどの電気製品向け電磁波吸収材；
導電性ペースト利用ＥＭＣ対策基板、コンデンサー内蔵プリント配線板、ＥＭＣ対応片面２層フレキシブルプリント配線板、コネクター、ケ−ブルなど電子部品向け電磁波吸収材；
電磁波シールドガラス、シールドビル、シールドルーム、電磁暗室などの建築向け電磁波吸収材；
高速通信ケーブル用シールド、光伝送などの通信向け電磁波吸収材；
照明、ＬＥＤなどの照明向け電磁波吸収材；
自動車向け電磁波吸収材；
医療施設、医療機器、メガネなどの医療分野向け電磁波吸収材；
パチンコ、各種外来放射ノイズ及び内部干渉ノイズ対策用筐体、高速通信ケーブル用シールド、ＥＴＣなどに用いることができる。
【００９７】
［実施例］
以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００９８】
［製造例１］
［エチレン・プロピレン・5-ビニル-2-ノルボルネンランダム共重合体（A-1）の製造］
撹拌羽根を備えた実質内容積１００リットルのステンレス製重合器（撹拌回転数＝２５０ｒｐｍ）を用いて、連続的にエチレンとプロピレンと５−ビニル−２−ノルボルネンとの三元共重合を行った。重合器側部より液相へ毎時ヘキサンを６０リットル、エチレンを３．０ｋｇ、プロピレンを９．０ｋｇ、５−ビニル−２−ノルボルネンを５５０ｇの速度で、水素を７０リットル、触媒としてＶＯＣｌ3 を９５ミリモル、Ａｌ(Ｅｔ)2Ｃｌを４
４３ミリモル、Ａｌ(Ｅｔ)1.5Ｃｌ1.5を１２７ミリモルの速度で連続的に供給した。また、重合温度は４０℃、重合圧力は７．１ｋｇｆ／ｃｍ2（０．７ＭＰａ）とした。
【００９９】
以上に述べたような条件で共重合反応を行うと、エチレン・プロピレン・５−ビニル−２−ノルボルネンランダム共重合体ゴム（A-1）が均一な溶液状態で得られた。
その後、重合器下部から連続的に抜き出した重合溶液中に少量のメタノールを添加して重合反応を停止させ、スチームストリッピング処理にて重合体を溶媒から分離した後、５５℃で４８時間真空乾燥を行った。
【０１００】
上記のようにして得られたエチレン・プロピレン・５−ビニル−２−ノルボルネンランダム共重合体（A-1）の物性を表１に示す。
【０１０１】
［製造例２］
［エチレン・プロピレン・5-ビニル-2-ノルボルネンランダム共重合体（A-2）の製造］
撹拌羽根を備えた実質内容積１００リットルのステンレス製重合器（撹拌回転数＝２５０ｒｐｍ）を用いて、連続的にエチレンとプロピレンと５−ビニル−２−ノルボルネンとの三元共重合を行った。重合器側部より液相へ毎時ヘキサンを４２リットル、エチレンを２．１ｋｇ、プロピレンを１．９ｋｇ、５−ビニル−２−ノルボルネンを４００ｇの速度で、水素を５１５リットル、触媒としてＶＯＣｌ3 を２８０ミリモル、Ａｌ(Ｅｔ)2Ｃｌ
を８４０ミリモル、Ａｌ(Ｅｔ)1.5Ｃｌ1.5を８４０ミリモルの速度で連続的に供給した。また、重合温度は４５℃、重合圧力は７．５ｋｇｆ／ｃｍ2（０．７５ＭＰａ）とした。
【０１０２】
以上に述べたような条件で共重合反応を行うと、エチレン・プロピレン・５−ビニル−２−ノルボルネンランダム共重合体ゴム（A-2）が均一な溶液状態で得られた。
その後、重合器下部から連続的に抜き出した重合溶液中に少量のメタノールを添加して重合反応を停止させ、スチームストリッピング処理にて重合体を溶媒から分離した後、５５℃で４８時間真空乾燥を行った。
【０１０３】
上記のようにして得られたエチレン・プロピレン・５−ビニル−２−ノルボルネンランダム共重合体（A-2）の物性を表１に示す。
【０１０４】
【表１】
【０１０５】
［実施例１］
共重合体（Ａ−１） １００重量分と、平均粒径１０μｍの球状のＦｅ−１２％Ｃｒ−
３％Ｓｉ軟磁性金属粉末７００重量部と、平均粒径１μｍの粒状アルミナ２５０重量部と、酸化カルシウム（商品名：ベスタ２０、井上石灰工業株製）１０重量部と、シランカップリング剤（ビニルトリメトキシシラン、商品名：ＫＢＭ１００３、信越化学工業（株）製）２重量部、Ｃ6Ｈ5Ｓｉ(−ＯＳｉ（ＣＨ3）2Ｈ)3で表されるＳｉＨ基含有化合物（Ｂ
）６重量部と、抑制剤（Ｅ）（１−エチニル−１−シクロヘキサノール、ＢＡＳＦ社製）０．４重量分を容量２リットルのプラネタリーミキサー（商品名：ＰＬＭ−２型、（株）井上製作所製）で混練し、配合物（Ｉ−１）を得た。この配合物１０６８．４重量部に、触媒（Ｄ）として、１,３,５,７−テトラビニル−１,３,５,７−テトラメチルシクロテトラシロキサン−１ｗｔ％白金錯体（エヌイ−ケムキャット社製）０．２重量部を加えて、４インチの３本ロール（商品名：３本ロールミル、小平製作所製）で８回混錬したのちに、１００トンプレス成形機を用いて１５０℃で１０分間加圧し、厚み１ｍｍの架橋ゴムシートを調整した。上記のように得られたシートを用いて、物性試験を下記（Ａ）〜（Ｄ）の方法に従って行った。
（Ａ）放射電磁波減衰量
放射電磁波減衰量を評価する方法を図１に示す。まず、電波暗室１内において、被測定シートを、周波数２ＧＨｚの電磁波を発生するダイポールアンテナ２に巻きつけ、そのダイポールアンテナ２より３ｍ離れた位置に受信アンテナ３を設置した。すなわち、これはＦＣＣ準拠の３ｍ法に合致するものである。次いで、発生した電磁波を受信アンテナ３と接続したシールドルーム４内のＥＭＩレシーバー（スペクトラムアナライザ）５により測定した。なお、図１中６はシグナルジェネレーターである。この測定結果と測定シートを設置しない場合の電磁波発生量との差を放射電磁波減衰量とした。
（Ｂ）熱伝導率
ＡＳＴＭ Ｅ１５３０に基づき測定した。
（Ｃ）揮発成分
架橋ゴムシートを裁断した試料２．０ｇを２０ｍｌバイアル瓶に入れ封をする。これを２００℃で５分間加熱した時の揮発成分について、ＧＣ−ＭＳ法による測定を行い、揮発成分を定量する。測定条件は下記の通り。
【０１０６】
装置：Hewlett-Packard社製、HP7694HS-HP6890GC／HP5973MSシステム
分離カラム：ＨＰ−５ＭＳ ３０ｍ ０．２５ｍｍφ ０．２５μｍ
カラム温度：４０℃（３ｍｉｎ）−１０℃／ｍｉｎ昇温−２５０℃
（Ｄ）汚染性
株式会社東和テック製ユニバーサル基板 ＦＧ−１６８ＷＲ−５*の７０ｍｍ×９０ｍ
ｍの上に、５０ｍｍ×５０ｍｍの架橋シートをのせ、室温で１ヶ月放置し、基板の汚れを観察し、３段階評価した。
【０１０７】
１：基板が非常に汚れた
２：基板が多少汚れた
３：基板の汚れがない
＊基材：ＦＲ４（ガラスエポキシ）
層：両面スルーホール
サイズ：７０ｍｍ×９０ｍｍ（１枚当り）
重量：２０ｇ（１枚当り）
穴径：１ｍｍ
穴ピッチ：２．５４ｍｍ
レジスト：両面（緑）
シルク：片面（白）
【０１０８】
［実施例２］
共重合体（Ａ−１）の代わりに、共重合体（Ａ−２）を用いた以外は、実施例１と同様に行った。結果を表２に示す。
【０１０９】
［比較例１］
共重合体（Ａ−１）の代わりに、共重合体（Ｂ−１）（６００ｍｍ2／Ｓの粘度を持つ
分子末端をビニル基で封止したジメチルオルガノポリシロキサン、特開２００５−１５６７９号公報の実施例１で用いられているオルガノポリシロキサン）を用いた以外は、実施例１と同様に行った。結果を表２に示す。
【０１１０】
［参考例１］
共重合体（Ｂ−１）について、実施例１と同様に各種物性を測定した。結果を表２に示す。
【０１１１】
【表２】
【図面の簡単な説明】
【０１１２】
【図１】放射電磁波減衰量測定方法を示すブロック図である。
【符号の説明】
【０１１３】
１…電波暗室
２…ダイポールアンテナ
３…受信アンテナ
４…シールドルーム
５…ＥＭＩレシーバー
６…シグナルジェネレーター
【技術分野】
【０００１】
本発明は、柔軟性があり、高い電磁波吸収性を与えることができ、かつ周辺の回路等に影響を与えることが少ない架橋物が得られるゴム組成物およびその用途に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、パーソナルコンピューター、携帯電話等の内部に配置されたＣＰＵ，ＭＰＵ，ＬＳＩ等の電子機器要素の高密度化、高集積化が進み、電磁波ノイズの放射が技術的・社会的な問題となっている。このような電磁波障害対策として、従来は導電性材料を用いた電磁波シールドの方法で、機器内部への電磁波進入及び機器外部への電磁波放射を防止してきた。しかし、この電磁波シールドの方法では機器内部に閉じこめられた電磁波が電磁干渉を起こし誤動作を引き起こす。
【０００３】
従来、電磁干渉障害対策を行う場合にはノイズ対策の専門知識と経験が必要とされ、その対策には多くの時間が必要とされる上、対策部品の実装スペースを事前に確保することなどの難点があった。
【０００４】
こうした問題点を解決するため、電磁波を吸収することにより反射波及び透過波を低減する電磁波吸収体が注目されている。電磁波吸収体としてはソフトフェライト焼結体や軟磁性粉体を例えば樹脂のマトリクスに分散させた複合体などがある。しかし例えば単に樹脂マトリクスに分散させた場合には、樹脂の剛性が高いため、施工性の点で劣ることになる。また樹脂の代わりにシリコーンゴムを用いた、電磁波吸収性組成物も知られている（特許文献１、２）。
【０００５】
しかしながら、これらの電磁波吸収体を用いた場合、柔軟性には優れているものの、使用している際に電磁波吸収体の周囲の回路が汚染（回路の汚染の周りに埃等がたまるなど）される場合があった。回路が汚染されると、電子機器の誤作動が起こることが考えられる。
【特許文献１】特開２００２−１２９０１９号公報
【特許文献２】特開２００５−０１５６７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、柔軟性、電磁波吸収性能に優れ、しかも周辺の回路を汚染することが少ない架橋物が得られるゴム組成物およびその用途を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のゴム組成物は、
アルケニル基を有する有機重合体（Ａ）と、
ＳｉＨ基を１分子中に少なくとも２個持つＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）と、
電磁波吸収性充填剤（Ｃ）と
からなることを特徴としている。
【０００８】
上記アルケニル基を有する有機重合体（Ａ）は、下記一般式（Ｉ）または（II）で表わされる少なくとも一種の非共役ポリエンから導かれる構成単位を有するエチレン・α−オレフィン・非共役ポリエンランダム共重合体ゴム（Ａ）であることが好ましい。
【０００９】
【化１】
【００１０】
（式中、ｎは０ないし１０の整数であり、
Ｒ1 は水素原子または炭素原子数１〜１０のアルキル基であり、
Ｒ2 は水素原子または炭素原子数１〜５のアルキル基である）、
【００１１】
【化２】
【００１２】
（式中、Ｒ3 は水素原子または炭素原子数１〜１０のアルキル基である）。
前記エチレン・α−オレフィン・非共役ポリエンランダム共重合体ゴムは、
（ｉ）エチレン単位と炭素原子数３〜２０のα-オレフィン単位とのモル比（エチレン単
位／α−オレフィン単位）が４０／６０〜９５／５の範囲にあり、
（ii）ヨウ素価が０．５〜５０の範囲にあり、
（iii）１３５℃のデカリン溶液で測定した極限粘度［η］が０．０１〜１．５ｄｌ／ｇ
の範囲にある
ことが好ましい。
【００１３】
本発明に係るゴム組成物は、
有機重合体（Ａ）１００重量部に対して、
ＳｉＨ基を１分子中に少なくとも２個持つＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）を０．１〜１００重量部、
電磁波吸収材（Ｃ）を１〜５０００重量部含有する
ことが好ましい。
【００１４】
本発明に係るゴム組成物は、さらに触媒（Ｄ）および反応抑制剤（Ｅ）の少なくとも１種の成分を含んでいてもよい。
本発明に係るゴム組成物は、例えば電磁波吸収材用に好適に用いることができる
本発明に係る電磁波吸収材料は、上記ゴム組成物を架橋して得られることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のゴム組成物は、柔軟性、施工性、電磁波吸収性能に優れた架橋物が得られ、しかもこの架橋物は電磁波波吸収材料として用いた場合に、周辺の回路を汚染することが少ない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明に係るゴム組成物およびその用途について具体的に説明する。
本発明に係るゴム組成物は、アルケニル基を有する有機重合体（Ａ）と、ＳｉＨ基を１分子中に少なくとも２個持つＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）と、電磁波吸収性充填剤（Ｃ）とからなる。
【００１７】
まず、本発明に係るゴム組成物を形成する各成分について説明する。
アルケニル基を含有する有機重合体（Ａ）
本発明で用いられるアルケニル基を含有する有機重合体（Ａ）としては、分子中に少なくとも１個のアルケニル基を含有する有機重合体であれば特に制限はなく、各種主鎖骨格をもつ有機重合体を使用することができる。なお、この明細書において、有機重合体（Ａ）の「重合体」なる語は、単独重合体と共重合体の両方を含むものとする。
【００１８】
このような有機重合体（Ａ）としては、具体的には、
ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリオキシテトラメチレン、ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレン共重合体等のポリエーテル系重合体；
テレフタル酸、イソフタル酸、アジピン酸等の二塩基酸またはその酸無水物とエチレングリコール、プロピレングリコール、ネオペンチルグリコール等のグリコールとの縮合物；
ラクトン類の開環重合で得られるポリエステル系共重合体；
アルケニル基を含有するエチレン・α−オレフィン・非共役ポリエンランダム共重合体（Ａ２）、エチレン・α−オレフィンランダム共重合体ゴム、ポリイソブチレン、イソブチレンとイソプロピレン等との共重合体、ポリクロロプレン、ポリイソプレン、イソプレンとブタジエン、アクリロニトリルもしくはスチレン等との共重合体、ポリブタジエン、ブタジエンとスチレンもしくはアクリロニトリル等との共重合体、さらにはポリイソプレン、ポリブタジエン、イソプレン、ブタジエンとアクリロニトリル、スチレン等との共重合体を水素添加して得られる共重合体などの炭化水素系重合体（Ａ１）；
エチルアクリレート、ブチルアクリレート等のモノマーをラジカル重合して得られるポリアクリル酸エステル、エチルアクリレート、ブチルアクリレート等のアクリル酸エステルと酢酸ビニル、アクリロニトリル、メチルメタクリレート、スチレン等とのアクリル酸エステル系重合体；
前記有機重合体中でビニルモノマーを重合して得られるグラフト重合体；
ポリサルファイド系重合体；
ビスフェノールＡと塩化カルボニルとを縮重合して製造されたポリカーボネート系重合体などが挙げられる。
【００１９】
このなかでも、ポリエステル系重合体、ポリエーテル系重合体、アクリル酸エステル系重合体、炭化水素系重合体（Ａ１）が好ましい。なかでも、炭化水素系重合体（Ａ１）がより好ましい。炭化水素系重合体（Ａ１）のなかでも、アルケニル基を含有するエチレン・α−オレフィン・非共役ポリエンランダム共重合体（Ａ２）、エチレン・α−オレフィンランダム共重合体ゴム、ポリイソブチレンが特に好ましい。
【００２０】
アルケニル基としては、アルキリデン基、ビニル基が好ましい。
アルケニル基を導入する方法としては、重合中に導入する方法、重合後に導入する方法が考えられる。このような方法は公知である。
【００２１】
これらのアルケニル基を含有する有機重合体のうちでも特に、エチレンと、炭素原子数３〜２０のα−オレフィンと、下記一般式（Ｉ）または（II）で表される非共役ポリエンとの共重合体である、エチレン・α−オレフィン・非共役ポリエンランダム共重合体が好ましい。
【００２２】
このような炭素原子数３〜２０のα-オレフィンとしては、具体的には、プロピレン、
１−ブテン、４−メチル−１−ペンテン、１−ヘキセン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−ノネン、１−デセン、１−ウンデセン、１−ドデセン、１−トリデセン、１−テトラデセン、１−ペンタデセン、１−ヘキサデセン、１−ヘプタデセン、１−ノナデセン、１−エイコセン、９−メチル−１−デセン、１１−メチル−１−ドデセン、１２−エチル−１−テトラデセンなどが挙げられる。中でも、炭素原子数３〜１０のα−オレフィンが好ましく、特にプロピレン、１−ブテン、１−ヘキセン、１−オクテンなどが好ましく用いられる。
【００２３】
これらのα−オレフィンは、単独で、あるいは２種以上組み合わせて用いられる。
非共役ポリエンは、下記の一般式（Ｉ）または（II）で表わされるビニル基含有ノルボルネン化合物である。
【００２４】
【化３】
【００２５】
一般式（Ｉ）において、ｎは０ないし１０の整数であり、
Ｒ1は水素原子または炭素原子数１〜１０のアルキル基である。
Ｒ1が示す炭素原子数１〜１０のアルキル基としては、具体的には、メチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｔ−ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、へプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基などが挙げられる。
【００２６】
Ｒ2は水素原子または炭素原子数１〜５のアルキル基である。
Ｒ2が示す炭素原子数１〜５のアルキル基の具体例としては、上記Ｒ1の具体例のうち、炭素原子数１〜５のアルキル基が挙げられる。
【００２７】
【化４】
【００２８】
一般式（II）において、Ｒ3は水素原子または炭素原子数１〜１０のアルキル基である
。
Ｒ3が示す炭素原子数１〜１０のアルキル基の具体例としては、上記Ｒ1が示す炭素原子数１〜１０のアルキル基の具体例と同じアルキル基を挙げることができる。
【００２９】
上記一般式（Ｉ）または（II）で表わされるノルボルネン化合物としては、具体的には、５−メチレン−２−ノルボルネン、５−ビニル−２−ノルボルネン、５−（２−プロペニル）−２−ノルボルネン、５−（３−ブテニル）−２−ノルボルネン、５−（１−メチル−２−プロペニル）−２−ノルボルネン、５−（４−ペンテニル）−２−ノルボルネン、５−（１−メチル−３−ブテニル）−２−ノルボルネン、５−（５−ヘキセニル）−２
−ノルボルネン、５−（１−メチル−４−ペンテニル）−２−ノルボルネン、５−（２,
３−ジメチル−３−ブテニル）−２−ノルボルネン、５−（２−エチル−３−ブテニル）−２−ノルボルネン、５−（６−ヘプテニル）−２−ノルボルネン、５−（３−メチル−５−ヘキセニル）−２−ノルボルネン、５−（３,４−ジメチル−４−ペンテニル）−２
−ノルボルネン、５−（３−エチル−４−ペンテニル）−２−ノルボルネン、５−（７−オクテニル）−２−ノルボルネン、５−（２−メチル−６−ヘプテニル）−２−ノルボルネン、５−（１,２−ジメチル−５−ヘキセシル）−２−ノルボルネン、５−（５−エチ
ル−５−ヘキセニル）−２−ノルボルネン、５−（１,２,３−トリメチル−４−ペンテニル）−２−ノルボルネンなど挙げられる。このなかでも、５−ビニル−２−ノルボルネン、５−メチレン−２−ノルボルネン、５−（２−プロペニル）−２−ノルボルネン、５−（３−ブテニル）−２−ノルボルネン、５−（４−ペンテニル）−２−ノルボルネン、５−（５−ヘキセニル）−２−ノルボルネン、５−（６−ヘプテニル）−２−ノルボルネン、５−（７−オクテニル）−２−ノルボルネンが好ましい。これらのノルボルネン化合物は、単独で、あるいは２種以上組み合わせて用いることができる。
【００３０】
本発明では上記ノルボルネン化合物の他に、本発明の目的とする物性を損なわない範囲で、以下に示す非共役ポリエンを併用することもできる。
このような非共役ポリエンとしては、具体的には、１,４−ヘキサジエン、３−メチル
−１,４−ヘキサジエン、４−メチル−１,４−ヘキサジエン、５−メチル−１,４−ヘキ
サジエン、４,５−ジメチル−１,４−ヘキサジエン、７−メチル−１,６−オクタジエン
等の鎖状非共役ジエン；
メチルテトラヒドロインデン、５−エチリデン−２−ノルボルネン、５−メチレン−２−ノルボルネン、５−イソプロピリデン−２−ノルボルネン、５−ビニリデン−２−ノルボルネン、６−クロロメチル−５−イソプロペニル−２−ノルボルネン、ジシクロペンタジエン等の環状非共役ジエン；
２,３−ジイソプロピリデン−５−ノルボルネン、２−エチリデン−３−イソプロピリ
デン−５−ノルボルネン、２−プロペニル−２,２−ノルボルナジエン等のトリエンなど
が挙げられる。
【００３１】
上記のような諸成分からなるエチレン・α−オレフィン・非共役ポリエンランダム共重合体は、以下の（ｉ）〜（iv）のうちの少なくとも１つを満たしていることが好ましい。（ｉ）エチレン単位と炭素原子数３〜２０のα−オレフィン単位とのモル比
エチレン・α−オレフィン・非共役ポリエンランダム共重合体ゴムは、エチレンで導かれる単位と、炭素原子数３〜２０のα−オレフィン（以下、単にα−オレフィンということがある）から導かれる単位とを、４０／６０〜９５／５、好ましくは５０／５０〜９０／１０、好ましくは５５／４５〜８５／１５、好ましくは５５／４５〜８０／２０、特に好ましくは５５／４５〜７０／３０、最も好ましくは５５／４５〜６５／３５のモル比（エチレン単位／α−オレフィン単位）で含有している。
【００３２】
このモル比が上記範囲内にあると、耐熱老化性、強度特性およびゴム弾性に優れるとともに、柔軟性、耐寒性および加工性に優れた架橋ゴム成形体を提供できるゴム組成物が得られる。
（ii）ヨウ素価
エチレン・α−オレフィン・非共役ポリエンランダム共重合体ゴムのヨウ素価は、０．５〜５０（ｇ／１００ｇ）、好ましくは１〜３０（ｇ／１００ｇ）、さらに好ましくは２〜２０（ｇ／１００ｇ）、特に好ましくは２〜８、または１０〜２０（ｇ／１００ｇ）である。
【００３３】
このヨウ素価が上記範囲内にあると、架橋効率の高いゴム組成物が得られ、耐圧縮永久歪み性に優れるとともに、汚染性、柔軟性、耐環境劣化性（＝耐熱老化性）に優れた架橋
ゴム成形体を提供できるゴム組成物が得られる。
（iii）極限粘度
エチレン・α−オレフィン・非共役ポリエンランダム共重合体ゴムの１３５℃デカリン中で測定した極限粘度［η］は、特に制限はないが、通常０．０１〜１０ｄｌ／ｇである。好ましくは０．０１〜５ｄｌ／ｇ、より好ましくは０．０１〜２ｄｌ／ｇ、さらに好ましくは０．０１〜１．５ｄｌ／ｇ、特に好ましくは０．０５〜０．５ｄｌ／ｇ、または０．８〜１．３ｄｌ／ｇ、最も好ましくは０．０５〜０．２ｄｌ／ｇであることが柔軟性、強度特性、加工性のバランスの点から好ましい。
【００３４】
この極限粘度［η］が上記範囲内にあると、強度特性および耐圧縮永久歪み性に優れるとともに、柔軟性、加工性に優れた架橋ゴム成形体を提供できるゴム組成物が得られる。（iv）分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）
エチレン・α−オレフィン・非共役ポリエンランダム共重合体ゴムのＧＰＣにより測定した分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、３〜５０、好ましくは３〜４０、さらに好ましくは３〜３０、さらに好ましくは３〜２０、特に好ましくは３〜１０、最も好ましくは３〜５である。また、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、２５〜３５であることも好ましい。
【００３５】
この分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が上記範囲内にあると、加工性に優れるとともに、柔軟性、強度特性に優れた架橋ゴム成形体を提供できるゴム組成物が得られる。
上記のうちでも、特に（ｉ）、（ii）および（iii）を同時に満たすものが好ましい。
【００３６】
本発明で用いられるエチレン・α−オレフィン・非共役ポリエンランダム共重合体は、例えば下記バナジウム化合物（ａ）および有機アルミニウム化合物（ｂ）を主成分として含有する触媒の存在下に、重合温度３０〜６０℃、特に３０〜５０℃、重合圧力４〜１２ｋｇｆ／ｃｍ2、特に５〜８ｋｇｆ／ｃｍ2、非共役ポリエンとエチレンとの供給量のモル比（非共役ポリエン／エチレン）０．０１〜０．２の条件で、エチレンと、炭素原子数３〜２０のα-オレフィンと、上記一般式（Ｉ）または（II）で表わされるビニル基含有ノ
ルボルネン化合物とをランダム共重合することにより得られる。共重合は、炭化水素媒体中で行うのが好ましい。
【００３７】
バナジウム化合物（ａ）としては、例えば
ＶＯ（ＯＲ）nＸ3-n
（式中、Ｒは炭化水素基であり、Ｘはハロゲン原子であり、ｎは０または１〜３の整数である）
で表わされる可溶性バナジウム化合物、またはＶＸ4（Ｘはハロゲン原子である）で表わ
されるバナジウム化合物が挙げられる。
【００３８】
上記可溶性バナジウム化合物は、重合反応系の炭化水素媒体に可溶性の成分であり、より具体的には、
一般式 ＶＯ（ＯＲ）aＸbまたはＶ（ＯＲ）cＸd
（式中、Ｒは炭化水素基であり、０≦ａ≦３、０≦ｂ≦３、２≦ａ＋ｂ≦３、０≦ｃ≦４、０≦ｄ≦４、３≦ｃ＋ｄ≦４）
で表わされるバナジウム化合物、あるいはこれらの電子供与体付加物を代表例として挙げることができる。
【００３９】
より具体的には、ＶＯＣｌ3、ＶＯ（ＯＣ2Ｈ5）Ｃｌ2、ＶＯ（ＯＣ2Ｈ5）2Ｃｌ、ＶＯ
（Ｏ-iso-Ｃ3Ｈ7）Ｃｌ2、ＶＯ（Ｏ-ｎ-Ｃ4Ｈ9）Ｃｌ2、ＶＯ（ＯＣ2Ｈ5）3、ＶＯＢｒ3
、ＶＣｌ4、ＶＯＣｌ3、ＶＯ（Ｏ-ｎ-Ｃ4Ｈ9）3、ＶＣｌ3・２ＯＣ6Ｈ12ＯＨなどを例示
することができる。
【００４０】
有機アルミニウム化合物（ｂ）としては、
Ｒ'mＡlＸ'3-m
（Ｒ'は炭化水素基であり、Ｘ'はハロゲン原子であり、ｍは１〜３の整数である）
で表わされる有機アルミニウム化合物が挙げられる。
【００４１】
上記有機アルミニウム化合物（ｂ）としては、具体的には、
トリエチルアルミニウム、トリブチルアルミニウム、トリイソプロピルアルミニウム等のトリアルキルアルミニウム；
ジエチルアルミニウムエトキシド、ジブチルアルミニウムブトキシド等のジアルキルアルミニウムアルコキシド；
エチルアルミニウムセスキエトキシド、ブチルアルミニウムセスキブトキシド等のアルキルアルミニウムセスキアルコキシド；
Ｒ10.5Ａｌ（ＯＲ1）0.5などで表わされる平均組成を有する部分的にアルコキシ化されたアルキルアルミニウム；
ジエチルアルミニウムクロリド、ジブチルアルミニウムクロリド、ジエチルアルミニウムブロミド等のジアルキルアルミニウムハライド；
エチルアルミニウムセスキクロリド、ブチルアルミニウムセスキクロリド、エチルアルミニウムセスキブロミド等のアルキルアルミニウムセスキハライド、エチルアルミニウムジクロリド、プロピルアルミニウムジクロリド、ブチルアルミニウムジブロミド等のアルキルアルミニウムジハライドなどの部分的にハロゲン化されたアルキルアルミニウム；
ジエチルアルミニウムヒドリド、ジブチルアルミニウムヒドリド等のジアルキルアルミニウムヒドリド、エチルアルミニウムジヒドリド、プロピルアルミニウムジヒドリド等のアルキルアルミニウムジヒドリドなどの部分的に水素化されたアルキルアルミニウム；
エチルアルミニウムエトキシクロリド、ブチルアルミニウムブトキシクロリド、エチルアルミニウムエトキシブロミドなどの部分的にアルコキシ化およびハロゲン化されたアルキルアルミニウムなどを挙げることができる。
【００４２】
本発明において、上記バナジウム化合物（ａ）のうち、ＶＯＣｌ3で表わされる可溶性
バナジウム化合物と、上記有機アルミニウム化合物（ｂ）のうち、Ａｌ（ＯＣ2Ｈ5）2Ｃ
ｌ／Ａｌ2（ＯＣ2Ｈ5）3Ｃｌ3のブレンド物（ブレンド比は１／５以上）を触媒成分とし
て使用すると、ソックスレー抽出（溶媒：沸騰キシレン、抽出時間：３時間、メッシュ：３２５）後の不溶解分が１％以下であるエチレン・α−オレフィン・非共役ポリエンランダム共重合体が得られるので好ましい。
【００４３】
また、上記共重合の際に使用する触媒として、いわゆるメタロセン触媒、例えば特開平９−４０５８６号公報に記載されているメタロセン触媒を用いても差し支えない。
また、本発明で用いられるエチレン・α−オレフィン・非共役ポリエンランダム共重合体は、極性モノマー例えば不飽和カルボン酸またはその誘導体（例えば酸無水物、エステル）でグラフト変性されていてもよい。
【００４４】
このような不飽和カルボン酸としては、具体的には、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸、テトラヒドロフタル酸、ビシクロ［２.
２.１］ヘプト−２−エン−５,６−ジカルボン酸などが挙げられる。
【００４５】
不飽和カルボンの酸無水物としては、具体的には、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸、無水テトラヒドロフタル酸、ビシクロ［２.２.１］ヘプト−２−エン−５,６−ジカルボン酸無水物などが挙げられる。これらの中でも、無水マレイン酸が好
ましい。
【００４６】
不飽和カルボン酸エステルとしては、具体的には、アクリル酸メチル、メタクリル酸メ
チル、マレイン酸ジメチル、マレイン酸モノメチル、フマル酸ジメチル、イタコン酸ジメチル、シトラコン酸ジエチル、テトラヒドロフタル酸ジメチル、ビシクロ［２.２.１］ヘプト−２−エン−５,６−ジカルボン酸ジメチルなどが挙げられる。これらの中でも、ア
クリル酸メチル、アクリル酸エチルが好ましい。
【００４７】
上記の不飽和カルボン酸等のグラフト変性剤（グラフトモノマー）は、それぞれ単独または２種以上の組み合わせで使用されるが、何れの場合も前述したグラフト変性前のエチレン・α−オレフィン・非共役ポリエン共重合体１００ｇ当たり、０．１モル以下のグラフト量にするのがよい。
【００４８】
上記のようなグラフト量が上記範囲にあるエチレン・α−オレフィン・非共役ポリエンランダム共重合体を用いると、耐寒性に優れた架橋成形体を提供し得る、流動性（成形加工性）に優れたゴム組成物が得られる。
【００４９】
グラフト変性したエチレン・α−オレフィン・非共役ポリエンランダム共重合体は、前述した未変性のエチレン・α−オレフィン・非共役ポリエン共重合体と不飽和カルボン酸またはその誘導体とを、ラジカル開始剤の存在下に反応させることにより得ることができる。
【００５０】
このグラフト反応は溶液にして行うこともできるし、溶融状態で行ってもよい。溶融状態でグラフト反応を行う場合には、押出機の中で連続的に行うことが最も効率的であり、好ましい。
【００５１】
グラフト反応に使用されるラジカル開始剤としては、具体的には、ジクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキシ−３,３,５−トリメチルシクロヘキサン、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−アミルパーオキサイド、ｔ−ブチルヒドロパーオキサイド、２,５−ジメチル−２,５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３、２,５−ジメチル−２,５−ジ（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、２,
５−ジメチル−２,５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、α,α'−ビス（ｔ−ブチ
ルパーオキシ−ｍ−イソプロピル）ベンゼン等のジアルキルパーオキサイド類；
ｔ−ブチルパーオキシアセテート、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ｔ−ブチルパーオキシピバレート、ｔ−ブチルパーオキシマレイン酸、ｔ−ブチルパーオキシネオデカノエート、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ジ−ｔ−ブチルパーオキシフタレート等のパーオキシエステル類；
ジシクロヘキサノンパーオキサイド等のケトンパーオキサイド類；
およびこれらの混合物などが挙げられる。中でも半減期１分を与える温度が１３０〜２００℃の範囲にある有機過酸化物が好ましく、特に、ジクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキシ−３,３,５−トリメチルシクロヘキサン、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−アミルパーオキサイド、ｔ−ブチルヒドロパーオキサイドなどの有機過酸化物が好ましい。
【００５２】
また、不飽和カルボン酸またはその誘導体（例えば酸無水物、エステル）以外の極性モノマーとしては、水酸基含有エチレン性不飽和化合物、アミノ基含有エチレン性不飽和化合物、エポキシ基含有エチレン性不飽和化合物、芳香族ビニル化合物、ビニルエステル化合物、塩化ビニルなどが挙げられる。
【００５３】
ＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）
本発明で用いられるＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）は、有機重合体（Ａ）と反応し、架橋剤として作用する。このＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）は、その分子構造に特に制限はなく、従来製造されている例えば線状、環状、分岐状構造あるいは三次元網目状構造の樹脂状物な
どでも使用可能であるが、１分子中に少なくとも２個、好ましくは３個以上のケイ素原子に直結した水素原子、すなわちＳｉＨ基を含んでいることが必要である。
【００５４】
このようなＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）としては、通常、下記の一般組成式
Ｒ4bＨcＳｉＯ(4-b-c)/2
で表わされる化合物を使用することができる。
【００５５】
上記一般組成式において、Ｒ4は、脂肪族不飽和結合を除く、炭素原子数１〜１０、特
に炭素原子数１〜８の置換または非置換の１価炭化水素基であり、このような１価炭化水素基としては、前記Ｒ1に例示したアルキル基の他に、フェニル基、ハロゲン置換のアル
キル基たとえばトリフロロプロピル基を例示することができる。中でも、メチル基、エチル基、プロピル基、フェニル基、トリフロロプロピル基が好ましく、特にメチル基、フェニル基が好ましい。
【００５６】
また、ｂは、０≦ｂ＜３、好ましくは０．６＜ｂ＜２．２、特に好ましくは１．５≦ｂ≦２であり、ｃは、０＜ｃ≦３、好ましくは０．００２≦ｃ＜２、特に好ましくは０．０１≦ｃ≦１であり、かつ、ｂ＋ｃは、０＜ｂ＋ｃ≦３、好ましくは１．５＜ｂ＋ｃ≦２．７である。
【００５７】
このＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）は、１分子中のケイ素原子数が好ましくは２〜１００個、さらに好ましくは２〜５０個、特に好ましくは２〜２０個、最も好ましくは２〜１０個のオルガノハイドロジェンポリシロキサンであり、具体的には、
１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン、１,３,５,７−テトラメチルテトラシクロシロキサン、１,３,５,７,８−ペンタメチルペンタシクロシロキサン等のシロキサンオリゴマー；
分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、分子鎖両末端シラノール基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、分子鎖両末端シラノール基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、Ｒ42（Ｈ)ＳｉＯ1/2 単位とＳｉＯ4/2 単位とからなり、任
意にＲ43 ＳｉＯ1/2単位、Ｒ42 ＳｉＯ2/2 単位、Ｒ4(Ｈ)ＳｉＯ2/2 単位、(Ｈ)ＳｉＯ3/2またはＲ4ＳｉＯ3/2単位を含み得るシリコーンレジンなどを挙げることができる。
【００５８】
分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサンとしては、例えば下式で示される化合物、さらには下式においてメチル基の一部または全部をエチル基、プロピル基、フェニル基、トリフロロプロピル基等で置換した化合物などが挙げられる。
（ＣＨ3）3ＳｉＯ-(-ＳｉＨ(ＣＨ3)-Ｏ-)d-Ｓｉ(ＣＨ3)3
（式中のｄは２以上の整数である。）
分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体としては、下式で示される化合物、さらには下式においてメチル基の一部または全部をエチル基、プロピル基、フェニル基、トリフロロプロピル基等で置換した化合物などが挙げられる。
（ＣＨ3）3ＳｉＯ-(-Ｓｉ(ＣＨ3)2-Ｏ-)e-(-ＳｉＨ(ＣＨ3)-Ｏ-)f-Ｓｉ(ＣＨ3)3
（式中のｅは１以上の整数であり、ｆは２以上の整数である。）
分子鎖両末端シラノール基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサンとしては、例えば下式で示される化合物、さらには下式においてメチル基の一部または全部をエチル基、プ
ロピル基、フェニル基、トリフロロプロピル基等で置換した化合物などが挙げられる。
ＨＯＳｉ(ＣＨ3)2Ｏ-(-ＳｉＨ(ＣＨ3)-Ｏ-)2-Ｓｉ(ＣＨ3)2ＯＨ
分子鎖両末端シラノール基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体としては、例えば下式で示される化合物、さらには下式においてメチル基の一部または全部をエチル基、プロピル基、フェニル基、トリフロロプロピル基等で置換した化合物などが挙げられる。
【００５９】
ＨＯＳｉ(ＣＨ3)2Ｏ-(-Ｓｉ(ＣＨ3)2-Ｏ-)e-(-ＳｉＨ(ＣＨ3)-Ｏ-)f-Ｓｉ(ＣＨ3)2ＯＨ（式中のｅは１以上の整数であり、ｆは２以上の整数である。）
分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサンとしては、例えば下式で示される化合物、さらには下式においてメチル基の一部または全部をエチル基、プロピル基、フェニル基、トリフロロプロピル基等で置換した化合物などが挙げられる。
【００６０】
ＨＳｉ(ＣＨ3)2Ｏ-(-Ｓｉ(ＣＨ3)2-Ｏ-)e-Ｓｉ(ＣＨ3)2Ｈ
（式中のｅは１以上の整数である。）
分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサンとしては、例えば下式で示される化合物、さらには下式においてメチル基の一部または全部をエチル基、プロピル基、フェニル基、トリフロロプロピル基等で置換した化合物などが挙げられる。
【００６１】
ＨＳｉ(ＣＨ3)2Ｏ-(-ＳｉＨ(ＣＨ3)-Ｏ-)e-Ｓｉ(ＣＨ3)2Ｈ
（式中のｅは１以上の整数である。）
分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体としては、例えば下式で示される化合物、さらには下式においてメチル基の一部または全部をエチル基、プロピル基、フェニル基、トリフロロプロピル基等で置換した化合物などが挙げられる。
【００６２】
ＨＳｉ(ＣＨ3)2Ｏ-(-Ｓｉ(ＣＨ3)2-Ｏ-)e-(-ＳｉＨ(ＣＨ3)-Ｏ-)h-Ｓｉ(ＣＨ3)2Ｈ
（式中のｅおよびｈは、それぞれ１以上の整数である。）
このような化合物は、公知の方法により製造することができ、例えばオクタメチルシクロテトラシロキサンおよび／またはテトラメチルシクロテトラシロキサンと、末端基となり得るヘキサメチルジシロキサンあるいは１,３−ジハイドロ−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサンなどの、トリオルガノシリル基あるいはジオルガノハイドロジェンシロキシ基を含む化合物とを、硫酸、トリフルオロメタンスルホン酸、メタンスルホン酸等の触媒の存在下に、−１０℃〜＋４０℃程度の温度で平衡化させることによって容易に得ることができる。
【００６３】
これらのうちでも、１分子中にＳｉＨ結合を６個以上有している、ＳｉＨ基含有化合物を用いることが好ましい。より好ましくは、ＳｉＨ結合が２個以上、さらに好ましくは３個〜１０個含んでいることが好ましい。この範囲であれば特にゴム組成物から得られた架橋体から、成分がしみ出すことが少なく、電磁波シールド材料として用いた場合に周囲の回路を汚染することが少ないと考えられる。
【００６４】
ＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）は、有機重合体（Ａ）１００重量部に対して、０．１〜１００重量部、好ましくは０．１〜５０重量部、より好ましくは０．５〜２５重量部、さらに好ましくは０．５〜１０重量部、さらにより好ましくは０．５〜８重量部、特に好ましくは０．５〜８重量部、最も好ましくは０．５〜６重量部の割合で用いられる。上記範囲内の割合でＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）を用いると、柔軟性に優れるとともに、周囲の回路を汚染する可能性の低い架橋ゴムを形成できるゴム組成物が得られる。
【００６５】
電磁波吸収性充填剤（Ｃ）
本発明において電磁波吸収性充填剤（Ｃ）は、吸収すべき電磁波の周波数帯域に応じて、カーボンや黒鉛などの粉末状や繊維状の誘電性損失材料や、軟磁性フェライト、硬磁性フェライト、軟磁性金属などの粉末からなる磁性損失材料から任意に選択して使用することができる。この場合、電磁波吸収性充填剤（Ｃ）としては、鉄元素を１５体積％以上含む軟磁性合金、またはフェライトが好ましい。
【００６６】
軟磁性フェライトとしては、ＭｎＦｅ2Ｏ4、ＣｏＦｅ2Ｏ4、ＮｉＦｅ2Ｏ4、ＣｕＦｅ2
Ｏ4、ＺｎＦｅ2Ｏ4、ＭｇＦｅ2Ｏ4、Ｆｅ3Ｏ4、Ｃｕ−Ｚｎ−フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ−
フェライト、Ｍｎ−Ｚｎ−フェライトなどのスピネル型フェライトや、Ｂａ2Ｍｅ2Ｆｅ12Ｏ22（Ｍｅ＝Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｃｕ）、Ｂａ3Ｃｏ2Ｆｅ24Ｏ41などのフェロクスプレーナー型（Ｙ型、Ｚ型）六方晶フェライト等が例示される。
【００６７】
硬磁性フェライトとしては、ＢａＦｅ12Ｏ19、ＳｒＦｅ12Ｏ19などのマグネプランバイト（Ｍ型）六方晶フェライト等が例示される。
軟磁性金属としては、Ｆｅ−Ｃｒ系、Ｆｅ−Ｓｉ系、Ｆｅ−Ｎｉ系、Ｆｅ−Ａｌ系、Ｆｅ−Ｃｏ系、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｎｉ系等が例示される。
【００６８】
これらの電磁波吸収性充填剤（Ｃ）は１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせてもよい。粉末の電磁波吸収性充填剤（Ｃ）を用いる場合には、粉末の形状は扁平状、粒子状のどちらかを単独で用いてもよいし、両者を併用してもよい。
【００６９】
電磁波吸収性充填剤（Ｃ）の平均粒子径は特に制限はないが、０．１μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。特には１μｍ以上５０μｍ以下のものを用いるのが好ましい。
【００７０】
電磁波吸収性充填剤（Ｃ）の含有量は、特に限定はないが有機重合体（Ａ）１００重量部に対して、通常１〜５０００重量部、好ましくは１００〜２０００重量部、より好ましくは４００〜１０００重量部である。この範囲であると、電磁波吸収性能、機械物性ともに好ましい。
【００７１】
また、電磁波吸収性充填剤（Ｃ）は、本発明のゴム組成物の全量に対して好ましくは５〜８０容積％、特に好ましくは２０〜７０容積％である。この範囲であると、電磁波吸収性能、機械物性ともに好ましい。
【００７２】
触媒（Ｄ）
本発明で任意成分として用いられる触媒（Ｄ）は、付加反応触媒であり、上記有機重合体（Ａ）成分のアルケニル基と、ＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）のＳｉＨ基との付加反応（アルケンのヒドロシリル化反応）を促進するものである。具体的には、たとえば白金系触媒、パラジウム系触媒、ロジウム系触媒等の白金族元素よりなる付加反応触媒（周期律表８族金属、８族金属錯体、８族金属化合物等の８族金属系触媒）を挙げることができ、中でも、白金系触媒が好ましい。
【００７３】
白金系触媒は、通常、付加硬化型の硬化に使用される公知のものでよく、たとえば米国特許第２,９７０,１５０号明細書に記載の微粉末金属白金触媒、米国特許第２,８２３,２１８号明細書に記載の塩化白金酸触媒、米国特許第３,１５９,６０１号公報明細書および米国特許第１５９,６６２号明細書に記載の白金と炭化水素との錯化合物、米国特許第３,５１６,９４６号明細書に記載の塩化白金酸とオレフィンとの錯化合物、米国特許第３,７
７５,４５２号明細書および米国特許第３,８１４,７８０号明細書に記載の白金とビニル
シロキサンとの錯化合物などが挙げられる。より具体的には、白金の単体（白金黒）、塩化白金酸、白金−オレフィン錯体、白金−アルコール錯体、あるいはアルミナ、シリカ等の担体に白金を担持させたものなどが挙げられる。
【００７４】
上記パラジウム系触媒は、パラジウム、パラジウム化合物、塩化パラジウム酸等からなり、また、上記ロジウム系触媒は、ロジウム、ロジウム化合物、塩化ロジウム酸等からなる。
【００７５】
上記以外の触媒（Ｄ）としては、ルイス酸、コバルトカルボニルなどが挙げられる。
本発明においては特に（塩素を含まない白金）錯体が好ましく、中でも（白金−オレフィン）が好ましく用いられる。
【００７６】
触媒（Ｄ）は、金属原子として、有機重合体（Ａ）に対して、０．１〜１０００重量ｐｐｍ、通常０．１〜５００重量ｐｐｍ、好ましくは１〜２００重量ｐｐｍ、さらに好ましくは１〜１００重量ｐｐｍ、特に好ましくは５〜５０重量ｐｐｍの割合で用いられる。
【００７７】
上記範囲内の割合で触媒（Ｄ）を用いると、架橋密度が適度で強度特性および伸び特性に優れ、さらに周囲の回路等を汚染する可能性の少ない架橋ゴム成形体を形成できるゴム組成物が得られる。
【００７８】
なお、本発明においては、上記触媒（Ｄ）を含まないゴム組成物の未架橋ゴム成形体に、光、γ線、電子線等を照射して架橋ゴム成形体を得ることもできる。
反応抑制剤（Ｅ）
本発明で触媒（Ｄ）とともに任意成分として用いられる反応抑制剤（Ｅ）としては、ベンゾトリアゾール、エチニル基含有アルコール（例えばエチニルシクロヘキサノール等）、アクリロニトリル、アミド化合物（例えばＮ,Ｎ-ジアリルアセトアミド、Ｎ,Ｎ−ジア
リルベンズアミド、Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'−テトラアリル−ｏ−フタル酸ジアミド、Ｎ,Ｎ,Ｎ',
Ｎ'−テトラアリル−ｍ−フタル酸ジアミド、Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'−テトラアリル−ｐ−フタル酸ジアミド等）、イオウ、リン、窒素、アミン化合物、イオウ化合物、リン化合物、スズ、スズ化合物、テトラメチルテトラビニルシクロテトラシロキサン、ハイドロパーオキサイド等の有機過酸化物などが挙げられる。
【００７９】
反応抑制剤（Ｅ）は、有機重合体（Ａ）１００重量部に対して、０〜２０重量部、通常０．０００１〜１５重量部、好ましくは０．０００１〜１０重量部、より好ましくは０．０００１〜５重量部、さらに好ましくは０．０１〜１重量部、特に好ましくは０．１〜０．５重量部の割合で用いられる。
【００８０】
２０重量部以下の割合で反応抑制剤（Ｅ）を用いると、架橋スピードが速く、架橋ゴム成形体の生産性に優れたゴム組成物が得られる。
その他成分
本発明に係るゴム組成物中には、意図する架橋物の用途等に応じて、従来公知のゴム補強剤、無機充填剤、軟化剤、老化防止剤、加工助剤、有機過酸化物、架橋助剤、発泡剤、発泡助剤、着色剤、分散剤、難燃剤などの添加剤を、本発明の目的を損なわない範囲で配合することができる。
【００８１】
また例えば本発明においては、電子機器の高密度化、高集積化による発熱量の増加に対応し、発熱を外部に効率よく放出するために熱伝導性充填剤を添加しても良い。添加する場合には、熱伝導性充填剤は、有機重合体（Ａ）１００重量部に対して、１〜２０００重量部、好ましくは１〜１０００重量部、より好ましくは１００〜８００重量部である。
【００８２】
熱伝導性充填剤は、上記電磁波吸収性充填剤（Ｃ）を除く非磁性の銅、アルミニウム等の金属、アルミナ、シリカ、マグネシア、ベンガラ、ベリリア、チタニア、ジルコニア等の金属酸化物、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化硼素等の金属窒化物、人工ダイヤモンドあるいは炭化珪素等、一般に熱伝導性充填剤とされる物質を用いることができる。
【００８３】
これら熱伝導性充填剤は、形状には特に制限はないが、例えば平均粒径が０．１〜１００μｍ、好ましくは０．５〜５０μｍ、より好ましくは０．５〜３０μｍの紛体状のものを用いることができる。
【００８４】
ゴム組成物およびその架橋ゴム成形体の調製
上述したように、本発明に係るゴム組成物は、未架橋のままでも用いることもできるが、架橋ゴム成形体あるいは架橋ゴム発泡成形体のような架橋物として用いた場合に最もその特性を発揮することができる。
【００８５】
本発明に係るゴム組成物から架橋物を製造するには、通常一般のゴムを加硫（架橋）するときと同様に、未架橋の配合ゴムを一度調製し、次いで、この配合ゴムを意図する形状に成形した後に架橋を行なえばよい。
【００８６】
架橋方法としては、架橋剤（ＳｉＨ基含有化合物（Ｂ））を使用して加熱する方法、または光、γ線、電子線照射による方法のどちらを採用してもよい。
まず、本発明に係るゴム組成物は、通常のミラブル型ゴムや液状ゴムと同様な方法、たとえば次のような方法で調製される。
【００８７】
すなわち、本発明に係るゴム組成物は、バンバリーミキサー、プラネタリーミキサー、ニーダー、インターミックスのようなインターナルミキサー（密閉式混合機）類により、有機重合体（Ａ）および電磁波吸収性充填剤（Ｃ）、必要に応じて熱伝導性充填材、難燃材、ゴム補強剤、無機充填剤、軟化剤などの添加剤を好ましくは８０〜１７０℃の温度で１〜６０分間混練した後、３本ロール、オープンロールのようなロール類、あるいはニーダーを使用して、ＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）必要に応じて触媒（Ｄ）、反応抑制剤（Ｅ）、加硫促進剤、架橋助剤、発泡剤、発泡助剤を追加混合し、好ましくはロール温度８０℃以下で１〜３０分間混練した後、取り出すことにより調製することができる。
【００８８】
本発明においては、有機重合体（Ａ）と、電磁波吸収性充填剤（Ｃ）、熱伝導充填材、難燃剤、ゴム補強剤、無機充填剤等とは高温で混練りすることができるが、ＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）と触媒（Ｄ）とは同時に高温で混練りすると、架橋（スコーチ）してしまうことがあるため、ＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）と触媒（Ｄ）とを同時に添加する場合は、８０℃以下で混練りすることが好ましい。ＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）と触媒（Ｄ）のうち、一方の成分を添加する場合は８０℃を超える高温でも混練りすることができる。なお、混練りによる発熱に対して、冷却水を使用することも場合によっては好ましい。
【００８９】
また、プラネタリーミキサー類での混練温度が低い場合には、有機重合体（Ａ）、ＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）、ゴム補強剤、無機充填剤、軟化剤などとともに、老化防止剤、着色剤、分散剤、難燃剤、発泡剤などを同時に混練してもよい。
【００９０】
上記のようにして調製された、本発明に係るゴム組成物は、押出成形機、カレンダーロール、プレス、インジェクション成形機、トランスファー成形機などを用いる種々の成形法より、意図する形状に成形され、成形と同時にまたは成型物を加硫槽内に導入し、架橋することができる。１００〜２７０℃の温度で１〜６０分間加熱するか、あるいは光、γ線、電子線を照射することにより架橋物が得られる。この架橋の段階は金型を用いてもよ
いし、また金型を用いないで架橋を実施してもよい。金型を用いない場合は成形、架橋の工程は通常連続的に実施される。加硫槽における加熱方法としては、熱空気、ガラスビーズ流動床、ＵＨＦ（極超短波電磁波）、スチームなどの加熱槽を用いることができる。
【００９１】
意図する形状に成形してから架橋を行なういわゆる非動的架橋の場合、酸素の存在下で架橋が可能であること、特に上記熱空気等により架橋できることは、特に有益である。酸素の存在下で架橋を行なうことが可能であれば、架橋槽を密閉状態とし、かつ酸素を排除する必要が無く、装置の簡略化、工程の短縮化が可能となるからである。このような利点は、押出成形された架橋成形体を生産する場合に特に顕著となる。
【００９２】
また、分子量の低い有機重合体（Ａ）を用いる場合には、有機重合体（Ａ）が液体状態にあるため、電磁波吸収剤、液体の状態でＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）を混合し、必要に応じて触媒（Ｄ）、反応抑制剤（Ｅ）、発泡剤、発泡助剤、難燃剤を混合し、意図する形状の金型に流し室温で架橋させることができる。
【００９３】
また、この配合物を意図する形状に成形（隙間に充填したり、物体と物体の間に練りこんだり、物体にコーティングしたり、物体をポッティングしたり）した後に、室温に放置して架橋をしても、加熱して架橋しても良い。
【００９４】
電磁波吸収剤は主にはシート形状で用いられるため、プレス成形、ＬＩＭ成形、カレンダー成形にて厚さ０．１〜２０ｍｍのシートを成形後に、架橋して架橋シートを作ることが好ましい。
【００９５】
本発明の組成物は、他の材料、例えば高分子材料と積層しても良い。
本発明の電磁波吸収性ゴム組成物を硬化成形したシートを電子機器内部に設置することにより、電子機器内部の電磁波ノイズを抑制することができる。
【００９６】
本発明の組成物を硬化成形した成形体は、パーソナルコンピューター本体、ノート型パソコン本体、ＨＤＤ、基盤ＩＣ、ガスケット、ＶＤＴフィルター、ＣＰＵ、ＭＰＵ、ＬＳＩなどのパソコン向け電磁波吸収材；
携帯電話、電子レンジ、エアコン、蛍光灯、オーディオ、レコ−ドプレーヤー、デジカメ、液晶ディスプレーなどの電気製品向け電磁波吸収材；
導電性ペースト利用ＥＭＣ対策基板、コンデンサー内蔵プリント配線板、ＥＭＣ対応片面２層フレキシブルプリント配線板、コネクター、ケ−ブルなど電子部品向け電磁波吸収材；
電磁波シールドガラス、シールドビル、シールドルーム、電磁暗室などの建築向け電磁波吸収材；
高速通信ケーブル用シールド、光伝送などの通信向け電磁波吸収材；
照明、ＬＥＤなどの照明向け電磁波吸収材；
自動車向け電磁波吸収材；
医療施設、医療機器、メガネなどの医療分野向け電磁波吸収材；
パチンコ、各種外来放射ノイズ及び内部干渉ノイズ対策用筐体、高速通信ケーブル用シールド、ＥＴＣなどに用いることができる。
【００９７】
［実施例］
以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００９８】
［製造例１］
［エチレン・プロピレン・5-ビニル-2-ノルボルネンランダム共重合体（A-1）の製造］
撹拌羽根を備えた実質内容積１００リットルのステンレス製重合器（撹拌回転数＝２５０ｒｐｍ）を用いて、連続的にエチレンとプロピレンと５−ビニル−２−ノルボルネンとの三元共重合を行った。重合器側部より液相へ毎時ヘキサンを６０リットル、エチレンを３．０ｋｇ、プロピレンを９．０ｋｇ、５−ビニル−２−ノルボルネンを５５０ｇの速度で、水素を７０リットル、触媒としてＶＯＣｌ3 を９５ミリモル、Ａｌ(Ｅｔ)2Ｃｌを４
４３ミリモル、Ａｌ(Ｅｔ)1.5Ｃｌ1.5を１２７ミリモルの速度で連続的に供給した。また、重合温度は４０℃、重合圧力は７．１ｋｇｆ／ｃｍ2（０．７ＭＰａ）とした。
【００９９】
以上に述べたような条件で共重合反応を行うと、エチレン・プロピレン・５−ビニル−２−ノルボルネンランダム共重合体ゴム（A-1）が均一な溶液状態で得られた。
その後、重合器下部から連続的に抜き出した重合溶液中に少量のメタノールを添加して重合反応を停止させ、スチームストリッピング処理にて重合体を溶媒から分離した後、５５℃で４８時間真空乾燥を行った。
【０１００】
上記のようにして得られたエチレン・プロピレン・５−ビニル−２−ノルボルネンランダム共重合体（A-1）の物性を表１に示す。
【０１０１】
［製造例２］
［エチレン・プロピレン・5-ビニル-2-ノルボルネンランダム共重合体（A-2）の製造］
撹拌羽根を備えた実質内容積１００リットルのステンレス製重合器（撹拌回転数＝２５０ｒｐｍ）を用いて、連続的にエチレンとプロピレンと５−ビニル−２−ノルボルネンとの三元共重合を行った。重合器側部より液相へ毎時ヘキサンを４２リットル、エチレンを２．１ｋｇ、プロピレンを１．９ｋｇ、５−ビニル−２−ノルボルネンを４００ｇの速度で、水素を５１５リットル、触媒としてＶＯＣｌ3 を２８０ミリモル、Ａｌ(Ｅｔ)2Ｃｌ
を８４０ミリモル、Ａｌ(Ｅｔ)1.5Ｃｌ1.5を８４０ミリモルの速度で連続的に供給した。また、重合温度は４５℃、重合圧力は７．５ｋｇｆ／ｃｍ2（０．７５ＭＰａ）とした。
【０１０２】
以上に述べたような条件で共重合反応を行うと、エチレン・プロピレン・５−ビニル−２−ノルボルネンランダム共重合体ゴム（A-2）が均一な溶液状態で得られた。
その後、重合器下部から連続的に抜き出した重合溶液中に少量のメタノールを添加して重合反応を停止させ、スチームストリッピング処理にて重合体を溶媒から分離した後、５５℃で４８時間真空乾燥を行った。
【０１０３】
上記のようにして得られたエチレン・プロピレン・５−ビニル−２−ノルボルネンランダム共重合体（A-2）の物性を表１に示す。
【０１０４】
【表１】
【０１０５】
［実施例１］
共重合体（Ａ−１） １００重量分と、平均粒径１０μｍの球状のＦｅ−１２％Ｃｒ−
３％Ｓｉ軟磁性金属粉末７００重量部と、平均粒径１μｍの粒状アルミナ２５０重量部と、酸化カルシウム（商品名：ベスタ２０、井上石灰工業株製）１０重量部と、シランカップリング剤（ビニルトリメトキシシラン、商品名：ＫＢＭ１００３、信越化学工業（株）製）２重量部、Ｃ6Ｈ5Ｓｉ(−ＯＳｉ（ＣＨ3）2Ｈ)3で表されるＳｉＨ基含有化合物（Ｂ
）６重量部と、抑制剤（Ｅ）（１−エチニル−１−シクロヘキサノール、ＢＡＳＦ社製）０．４重量分を容量２リットルのプラネタリーミキサー（商品名：ＰＬＭ−２型、（株）井上製作所製）で混練し、配合物（Ｉ−１）を得た。この配合物１０６８．４重量部に、触媒（Ｄ）として、１,３,５,７−テトラビニル−１,３,５,７−テトラメチルシクロテトラシロキサン−１ｗｔ％白金錯体（エヌイ−ケムキャット社製）０．２重量部を加えて、４インチの３本ロール（商品名：３本ロールミル、小平製作所製）で８回混錬したのちに、１００トンプレス成形機を用いて１５０℃で１０分間加圧し、厚み１ｍｍの架橋ゴムシートを調整した。上記のように得られたシートを用いて、物性試験を下記（Ａ）〜（Ｄ）の方法に従って行った。
（Ａ）放射電磁波減衰量
放射電磁波減衰量を評価する方法を図１に示す。まず、電波暗室１内において、被測定シートを、周波数２ＧＨｚの電磁波を発生するダイポールアンテナ２に巻きつけ、そのダイポールアンテナ２より３ｍ離れた位置に受信アンテナ３を設置した。すなわち、これはＦＣＣ準拠の３ｍ法に合致するものである。次いで、発生した電磁波を受信アンテナ３と接続したシールドルーム４内のＥＭＩレシーバー（スペクトラムアナライザ）５により測定した。なお、図１中６はシグナルジェネレーターである。この測定結果と測定シートを設置しない場合の電磁波発生量との差を放射電磁波減衰量とした。
（Ｂ）熱伝導率
ＡＳＴＭ Ｅ１５３０に基づき測定した。
（Ｃ）揮発成分
架橋ゴムシートを裁断した試料２．０ｇを２０ｍｌバイアル瓶に入れ封をする。これを２００℃で５分間加熱した時の揮発成分について、ＧＣ−ＭＳ法による測定を行い、揮発成分を定量する。測定条件は下記の通り。
【０１０６】
装置：Hewlett-Packard社製、HP7694HS-HP6890GC／HP5973MSシステム
分離カラム：ＨＰ−５ＭＳ ３０ｍ ０．２５ｍｍφ ０．２５μｍ
カラム温度：４０℃（３ｍｉｎ）−１０℃／ｍｉｎ昇温−２５０℃
（Ｄ）汚染性
株式会社東和テック製ユニバーサル基板 ＦＧ−１６８ＷＲ−５*の７０ｍｍ×９０ｍ
ｍの上に、５０ｍｍ×５０ｍｍの架橋シートをのせ、室温で１ヶ月放置し、基板の汚れを観察し、３段階評価した。
【０１０７】
１：基板が非常に汚れた
２：基板が多少汚れた
３：基板の汚れがない
＊基材：ＦＲ４（ガラスエポキシ）
層：両面スルーホール
サイズ：７０ｍｍ×９０ｍｍ（１枚当り）
重量：２０ｇ（１枚当り）
穴径：１ｍｍ
穴ピッチ：２．５４ｍｍ
レジスト：両面（緑）
シルク：片面（白）
【０１０８】
［実施例２］
共重合体（Ａ−１）の代わりに、共重合体（Ａ−２）を用いた以外は、実施例１と同様に行った。結果を表２に示す。
【０１０９】
［比較例１］
共重合体（Ａ−１）の代わりに、共重合体（Ｂ−１）（６００ｍｍ2／Ｓの粘度を持つ
分子末端をビニル基で封止したジメチルオルガノポリシロキサン、特開２００５−１５６７９号公報の実施例１で用いられているオルガノポリシロキサン）を用いた以外は、実施例１と同様に行った。結果を表２に示す。
【０１１０】
［参考例１］
共重合体（Ｂ−１）について、実施例１と同様に各種物性を測定した。結果を表２に示す。
【０１１１】
【表２】
【図面の簡単な説明】
【０１１２】
【図１】放射電磁波減衰量測定方法を示すブロック図である。
【符号の説明】
【０１１３】
１…電波暗室
２…ダイポールアンテナ
３…受信アンテナ
４…シールドルーム
５…ＥＭＩレシーバー
６…シグナルジェネレーター
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルケニル基を有する有機重合体（Ａ）と、
ＳｉＨ基を１分子中に少なくとも２個持つＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）と、
電磁波吸収性充填剤（Ｃ）と
からなることを特徴とするゴム組成物。
【請求項２】
前記有機重合体（Ａ）が、下記一般式（Ｉ）または（II）で表わされる少なくとも一種の非共役ポリエンから導かれる構成単位を有するエチレン・α−オレフィン・非共役ポリエンランダム共重合体ゴムであることを特徴とする請求項１に記載のゴム組成物；
【化１】
（式中、ｎは０ないし１０の整数であり、
Ｒ1 は水素原子または炭素原子数１〜１０のアルキル基であり、
Ｒ2 は水素原子または炭素原子数１〜５のアルキル基である）、
【化２】
（式中、Ｒ3 は水素原子または炭素原子数１〜１０のアルキル基である。）。
【請求項３】
前記エチレン・α−オレフィン・非共役ポリエンランダム共重合体ゴムが、
（ｉ）エチレン単位と炭素原子数３〜２０のα-オレフィン単位とのモル比（エチレン単
位／α−オレフィン単位）が４０／６０〜９５／５の範囲にあり、
（ii）ヨウ素価が０．５〜５０（ｇ／１００ｇ）の範囲にあり、
（iii）１３５℃のデカリン溶液で測定した極限粘度［η］が０．０１〜１．５ｄｌ／ｇ
の範囲にある
ことを特徴とする請求項２に記載のゴム組成物。
【請求項４】
有機重合体（Ａ）１００重量部に対して、
ＳｉＨ基を１分子中に少なくとも２個持つＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）を０．１〜１００重量部、
電磁波吸収材（Ｃ）を１〜５０００重量部含有する
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のゴム組成物。
【請求項５】
前記ゴム組成物が、さらに触媒（Ｄ）を含んでなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のゴム組成物。
【請求項６】
前記ゴム組成物が、さらに反応抑制剤（Ｅ）を含んでなることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のゴム組成物。
【請求項７】
電磁波吸収材用であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のゴム組成物。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載のゴム組成物を架橋して得られることを特徴とする電磁波吸収材料。
【請求項１】
アルケニル基を有する有機重合体（Ａ）と、
ＳｉＨ基を１分子中に少なくとも２個持つＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）と、
電磁波吸収性充填剤（Ｃ）と
からなることを特徴とするゴム組成物。
【請求項２】
前記有機重合体（Ａ）が、下記一般式（Ｉ）または（II）で表わされる少なくとも一種の非共役ポリエンから導かれる構成単位を有するエチレン・α−オレフィン・非共役ポリエンランダム共重合体ゴムであることを特徴とする請求項１に記載のゴム組成物；
【化１】
（式中、ｎは０ないし１０の整数であり、
Ｒ1 は水素原子または炭素原子数１〜１０のアルキル基であり、
Ｒ2 は水素原子または炭素原子数１〜５のアルキル基である）、
【化２】
（式中、Ｒ3 は水素原子または炭素原子数１〜１０のアルキル基である。）。
【請求項３】
前記エチレン・α−オレフィン・非共役ポリエンランダム共重合体ゴムが、
（ｉ）エチレン単位と炭素原子数３〜２０のα-オレフィン単位とのモル比（エチレン単
位／α−オレフィン単位）が４０／６０〜９５／５の範囲にあり、
（ii）ヨウ素価が０．５〜５０（ｇ／１００ｇ）の範囲にあり、
（iii）１３５℃のデカリン溶液で測定した極限粘度［η］が０．０１〜１．５ｄｌ／ｇ
の範囲にある
ことを特徴とする請求項２に記載のゴム組成物。
【請求項４】
有機重合体（Ａ）１００重量部に対して、
ＳｉＨ基を１分子中に少なくとも２個持つＳｉＨ基含有化合物（Ｂ）を０．１〜１００重量部、
電磁波吸収材（Ｃ）を１〜５０００重量部含有する
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のゴム組成物。
【請求項５】
前記ゴム組成物が、さらに触媒（Ｄ）を含んでなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のゴム組成物。
【請求項６】
前記ゴム組成物が、さらに反応抑制剤（Ｅ）を含んでなることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のゴム組成物。
【請求項７】
電磁波吸収材用であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のゴム組成物。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載のゴム組成物を架橋して得られることを特徴とする電磁波吸収材料。
【図１】
【公開番号】特開２００６−２９０９１６（Ｐ２００６−２９０９１６Ａ）
【公開日】平成１８年１０月２６日（２００６．１０．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−１０８９６０（Ｐ２００５−１０８９６０）
【出願日】平成１７年４月５日（２００５．４．５）
【出願人】（０００００５８８７）三井化学株式会社 (2,318)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１０月２６日（２００６．１０．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年４月５日（２００５．４．５）
【出願人】（０００００５８８７）三井化学株式会社 (2,318)
【Ｆターム（参考）】
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