サスペンション用基板、サスペンション、素子付サスペンション、ハードディスクドライブ、およびサスペンション用基板の製造方法
【課題】本発明は、接続信頼性の高い端子部を有するサスペンション用基板を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属支持基板、第一絶縁層、第一配線層、第二絶縁層、第二配線層をこの順で有するサスペンション用基板であって、平面視上、上記第二配線層の端子部の近傍に、第三配線層の端子部が形成され、上記第三配線層の端子部は、上記金属支持基板側の表面に上記第一配線層を有しない上記第二絶縁層上、または、上記第一絶縁層上に形成され、両端子部には、それぞれ、同じ材料から構成されるめっき部が形成され、両めっき部の頂部が一致していることを特徴とするサスペンション用基板を提供することにより、上記課題を解決する。
【解決手段】本発明は、金属支持基板、第一絶縁層、第一配線層、第二絶縁層、第二配線層をこの順で有するサスペンション用基板であって、平面視上、上記第二配線層の端子部の近傍に、第三配線層の端子部が形成され、上記第三配線層の端子部は、上記金属支持基板側の表面に上記第一配線層を有しない上記第二絶縁層上、または、上記第一絶縁層上に形成され、両端子部には、それぞれ、同じ材料から構成されるめっき部が形成され、両めっき部の頂部が一致していることを特徴とするサスペンション用基板を提供することにより、上記課題を解決する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接続信頼性の高い端子部を有するサスペンション用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ（ＨＤＤ）も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。
【０００３】
ＨＤＤに用いられるサスペンション用基板（フレキシャ）は、通常、一方の先端部分に形成され、磁気ヘッドスライダ等の記録再生用素子を実装する記録再生用素子実装領域と、他方の先端部分に形成され、外部回路基板との接続を行う外部回路基板接続領域と、記録再生用素子実装領域および外部回路基板接続領域を接続する配線層とを有する。
【０００４】
また、サスペンション用基板は、通常、金属支持基板（例えばステンレス鋼）、絶縁層（例えばポリイミド樹脂）、配線層（例えば銅）がこの順に積層された基本構造を有する。サスペンション用基板における配線層は、例えば特許文献１に示すように、絶縁層の同一表面上に一対で形成される（平面配列の配線層）。これに対して、特許文献２、３に示すように、配線層を、絶縁層を介して積層したもの（積層配列の配線層）が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１１３８７号公報
【特許文献２】特開平９−０２２５７０号公報
【特許文献３】特開平１０−００３６３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＨＤＤの高機能化に伴い、サスペンション用基板に必要とされる配線層の数は増加傾向にある。積層配列の配線層は、平面配列の配線層に比べて、構造上、配線層の数の増加に対応しやすいという利点がある。すなわち、積層配列の配線層は、介在する絶縁層の上下に配線層を配置できるため、平面配列の配線層に比べて、単純計算で２倍の配線層を配置できるという利点がある。
【０００７】
一方、積層配列の配線層は、配線層が立体的に配置されるため、配線層の端子部の高さが揃いにくいという問題がある。そのため、高さが不揃いの２以上の端子部と、例えば記録再生用素子の端子部とを半田等で接続する場合に、良好な接続ができない場合が想定される。
【０００８】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、接続信頼性の高い端子部を有するサスペンション用基板を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、上記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、上記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、上記第二絶縁層上に形成された第二配線層と、を有するサスペンション用基板であって、平面視上、上記第二配線層の端子部の近傍に、第三配線層の端子部が形成され、上記第二配線層の端子部は、上記金属支持基板側の表面に上記第一配線層を有する上記第二絶縁層上に形成され、上記第三配線層の端子部は、上記金属支持基板側の表面に上記第一配線層を有しない上記第二絶縁層上、または、上記第一絶縁層上に形成され、上記第二配線層の端子部および上記第三配線層の端子部には、それぞれ、同じ材料から構成されるめっき部が形成され、上記第二配線層の端子部に形成された上記めっき部の頂部、および、上記第三配線層の端子部に形成された上記めっき部の頂部が、一致していることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。
【００１０】
本発明によれば、第二配線層の端子部に形成されためっき部の頂部、および、第三配線層の端子部に形成されためっき部の頂部が一致していることから、接続信頼性の高い端子部を有するサスペンション用基板とすることができる。
【００１１】
上記発明においては、上記第二配線層および上記第三配線層が、記録再生用素子と接続される配線層であることが好ましい。
【００１２】
上記発明においては、平面視上、上記第二配線層の端子部と重複する上記第一配線層が、熱アシスト用配線層であることが好ましい。
【００１３】
また、本発明においては、上述したサスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンションを提供する。
【００１４】
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、接続信頼性の高い端子部を有するサスペンションとすることができる。
【００１５】
また、本発明においては、上述したサスペンションと、上記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンションを提供する。
【００１６】
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、例えば記録再生用素子との接続信頼性の高い素子付サスペンションとすることができる。
【００１７】
また、本発明においては、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブを提供する。
【００１８】
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。
【００１９】
また、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、上記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、上記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、上記第二絶縁層上に形成された第二配線層とを有し、平面視上、上記第二配線層の端子部の近傍に、第三配線層の端子部が形成され、上記第二配線層の端子部は、上記金属支持基板側の表面に上記第一配線層を有する上記第二絶縁層上に形成され、上記第三配線層の端子部は、上記金属支持基板側の表面に上記第一配線層を有しない上記第二絶縁層上、または、上記第一絶縁層上に形成されたサスペンション用基板の製造方法であって、上記第二配線層の端子部および上記第三配線層の端子部に、同時にめっき部を形成するめっき部形成工程を有し、上記めっき部形成工程において、上記第二配線層の端子部には第一給電端子から給電し、上記第三配線層の端子部には第二給電端子から給電し、上記第二給電端子により給電するめっき面積を、上記第一給電端子により給電するめっき面積よりも小さくすることで、上記第二配線層の端子部に形成される上記めっき部の頂部、および、上記第三配線層の端子部に形成された上記めっき部の頂部を、一致させることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。
【００２０】
本発明によれば、第二配線層の端子部および第三配線層の端子部に対して、めっき面積が異なる給電端子を用いて給電することで、第二配線層の端子部に形成されためっき部の頂部、および、第三配線層の端子部に形成されためっき部の頂部が一致したサスペンション用基板を得ることができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明のサスペンション用基板は、接続信頼性の高い端子部を有するという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】積層配列の配線層を有するサスペンション用基板の一例を示す模式図である。
【図２】本発明における記録再生用素子実装領域の一例を示す概略平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ断面図である。
【図４】本発明におけるめっき部を説明する概略断面図である。
【図５】めっき部を説明する概略断面図である。
【図６】本発明における記録再生用素子実装領域の他の例を示す概略平面図である。
【図７】図６の断面図である。
【図８】本発明におけるめっき部を説明する概略断面図である。
【図９】本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図１０】本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図１１】本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。
【図１２】本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。
【図１３】本発明における給電方法を示す模式図である。
【図１４】製造途中のサスペンション用基板を示す概略断面図である。
【図１５】本発明のサスペンション用基板の製造方法の他の例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明のサスペンション用基板、サスペンション、素子付サスペンション、ハードディスクドライブ、およびサスペンション用基板の製造方法について詳細に説明する。
【００２４】
Ａ．サスペンション用基板
本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、上記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、上記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、上記第二絶縁層上に形成された第二配線層と、を有するサスペンション用基板であって、平面視上、上記第二配線層の端子部の近傍に、第三配線層の端子部が形成され、上記第二配線層の端子部は、上記金属支持基板側の表面に上記第一配線層を有する上記第二絶縁層上に形成され、上記第三配線層の端子部は、上記金属支持基板側の表面に上記第一配線層を有しない上記第二絶縁層上、または、上記第一絶縁層上に形成され、上記第二配線層の端子部および上記第三配線層の端子部には、それぞれ、同じ材料から構成されるめっき部が形成され、上記第二配線層の端子部に形成された上記めっき部の頂部、および、上記第三配線層の端子部に形成された上記めっき部の頂部が、一致していることを特徴とするものである。
【００２５】
図１（ａ）は、積層配列の配線層を有するサスペンション用基板の一例を示す概略平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。なお、図１（ａ）では、便宜上、絶縁層およびカバー層の記載は省略している。図１（ａ）に示されるサスペンション用基板１００は、一方の先端部分に形成された記録再生用素子実装領域１０１と、他方の先端部分に形成された外部回路基板接続領域１０２と、記録再生用素子実装領域１０１および外部回路基板接続領域１０２を電気的に接続する配線層１０３とを有するものである。また、図１（ａ）における配線層１０３は、一方が書込（ライト）用配線層であり、他方が読取（リード）用配線層である。
【００２６】
また、図１（ｂ）に示すように、サスペンション用基板１００は、金属支持基板１と、金属支持基板１上に形成された第一絶縁層２ｘと、第一絶縁層２ｘ上に形成された第一配線層３ｘと、第一配線層３ｘ上に形成された第二絶縁層２ｙと、第二絶縁層２ｙ上に形成された第二配線層３ｙと、第二配線層３ｙを覆うように形成されたカバー層４とを有するものである。なお、図１（ｂ）では、第二絶縁層２ｙを介して、第一配線層３ｘおよび第二配線層３ｙが、平面視上重複するように積層されているが、本発明における第一配線層および第二配線層には、それぞれ任意のパターンを採用でき、平面視上重複していなくても良い。
【００２７】
図２は、本発明における記録再生用素子実装領域の一例を示す概略平面図であり、図３は図２のＡ−Ａ断面図である。なお、図２では、便宜上、絶縁層およびカバー層の記載は省略している。図２に示すように、平面視上、第二配線層３ｙの端子部３ｙａの近傍に第三配線層３ｚの端子部３ｚａが形成されている。上記「近傍」とは、１００μｍ以内の領域をいい、５０μｍ以内の領域であることが好ましい。また、図３に示すように、第二配線層の端子部３ｙａは、金属支持基板１側の表面に第一配線層３ｘを有する第二絶縁層２ｙ上に形成され、第三配線層の端子部３ｚａは、金属支持基板１側の表面に第一配線層３ｘを有しない第二絶縁層２ｙ上に形成されている。端子部３ｙａおよび端子部３ｚａは、ともに第二絶縁層２ｙに形成されているものの、第二絶縁層２ｙの下に第一配線層３ｘが存在するか否かによって、厚さ方向における位置が互いに異なる。
【００２８】
また、図３に示すように、第二配線層の端子部３ｙａおよび第三配線層の端子部３ｚａには、それぞれ、同じ材料から構成されるめっき部５が形成されている。このめっき部５は、第一めっき部５ａおよび第二めっき部５ｂから構成されている。本発明のサスペンション用基板は、第二配線層の端子部３ｙａに形成されためっき部５の頂部Ｔ１、および、第三配線層の端子部３ｚａに形成されためっき部５の頂部Ｔ２が、一致していることを大きな特徴とする。
【００２９】
ここで、「めっき部の頂部」とは、金属支持基板側とは反対側における端子部の表面に形成されためっき部において、最も厚い部分をいう。また、「頂部Ｔ１および頂部Ｔ２が一致している」とは、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、頂部Ｔ１および頂部Ｔ２の厚さ方向の差Ｄ１が、５μｍ以下であることをいう。なお、図４（ａ）は頂部Ｔ１が頂部Ｔ２よりも若干高い状態を示し、図４（ｂ）は頂部Ｔ２が頂部Ｔ１よりも若干高い状態を示している。Ｄ１の値は、より小さいことが好ましく、具体的には３μｍ以下であることが好ましい。
【００３０】
本発明によれば、第二配線層の端子部に形成されためっき部の頂部、および、第三配線層の端子部に形成されためっき部の頂部が一致していることから、接続信頼性の高い端子部を有するサスペンション用基板とすることができる。図２に示したように、端子部３ｙａおよび端子部３ｚａは、ともに第二絶縁層２ｙに形成されているものの、第二絶縁層２ｙの下に第一配線層３ｘが存在するか否かによって、厚さ方向における位置が互いに異なる。このように、積層配列の配線層は、配線層が立体的に配置されるため、配線層の端子部の高さが揃いにくいという問題がある。これに対して、本発明のサスペンション用基板は、めっき部の厚さを調整することで、めっき部の高さを揃えることができるため、半田やＡＣＦ（異方性導電膜）等との接触不良を抑制できるという利点がある。
【００３１】
一方、配線層の端子部の高さを揃えるために、例えば図５に示すように、端子部３ｚａの下に、ダミー配線層３αを設けることが考えられる。ダミー配線層３αを設けることで、配線層の端子部の高さを揃えることは可能になる。しかしながら、ダミー配線層３αを設けることで以下のような問題が生じる。第一の問題として、ダミー配線層３αと、端子部３ｚａとの位置精度の問題が生じる。この位置精度の問題は、第一配線層３ｘと、端子部３ｙａとの間にも生じ得るが、位置合わせが必要な対象が増加するほど不良発生率は増加する。なお、ダミー配線層３αと、端子部３ｚａとの間に位置ズレが生じると、通常、端子部３ｚａの一部または全部が第二絶縁層２ｙの形状に沿って金属支持基板側に落ち込んだ形状となる。また、位置ズレを回避するために、ダミー配線層３αの幅を太くすると、配線層の高密度化を図ることが困難になる。第二の問題として、ダミー配線層３α、第二絶縁層２ｙおよび端子部３ｚａの密着性の問題が生じる。この密着性の問題も、第一配線層３ｘ、第二絶縁層２ｙおよび端子部３ｙａの間にも生じ得るが、異相の接触面積が増加するほど不良発生率は増加する。これに対して、本発明のサスペンション用基板は、めっき部の厚さを調整することで、配線層の端子部の高さを揃えるため、これらの問題が生じないという利点がある。
以下、本発明のサスペンション用基板について、サスペンション用基板の部材と、サスペンション用基板の構成とに分けて説明する。
【００３２】
１．サスペンション用基板の部材
まず、本発明のサスペンション用基板の部材について説明する。本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板、第一絶縁層、第一配線層、第二絶縁層、第二配線層、第三配線層を少なくとも有するものである。なお、第三配線層については、後述する「２．サスペンション用基板の構成」で説明する。
【００３３】
本発明における金属支持基板は、サスペンション用基板の支持体として機能するものである。金属支持基板の材料は、ばね性を有する金属であることが好ましく、具体的にはステンレス鋼等を挙げることができる。また、金属支持基板の厚さは、その材料の種類により異なるものであるが、例えば１０μｍ〜２０μｍの範囲内である。
【００３４】
本発明における第一絶縁層は、金属支持基板上に形成されるものである。第一絶縁層の材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば樹脂を挙げることができる。上記樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂およびポリ塩化ビニル樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。絶縁性、耐熱性および耐薬品性に優れているからである。また、第一絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。第一絶縁層の厚さは、例えば５μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜１８μｍの範囲内であることがより好ましく、５μｍ〜１２μｍの範囲内であることがさらに好ましい。
【００３５】
本発明における第一配線層は、第一絶縁層上に形成されるものである。第一配線層の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、中でも銅（Ｃｕ）が好ましい。また、第一配線層の材料は、圧延銅であっても良く、電解銅であっても良い。第一配線層の厚さは、例えば５μｍ〜１８μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜１２μｍの範囲内であることがより好ましい。
【００３６】
本発明における第二絶縁層は、第一配線層上に形成されるものである。第二絶縁層の材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば、上記の第一絶縁層の材料として記載したものを用いることができる。中でも、第二絶縁層の材料は、ポリイミド樹脂であることが好ましい。また、第二絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。第一配線層および第二配線層の間の第二絶縁層の厚さ（配線間厚さ）は、特に限定されるものではないが、例えば５μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜１８μｍの範囲内であることがより好ましく、５μｍ〜１２μｍの範囲内であることがさらに好ましい。
【００３７】
本発明における第二配線層は、第二絶縁層上に形成されるものである。第二配線層の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば、上記の第一配線層の材料として記載したものを用いることができる。中でも、第二配線層の材料は、銅（Ｃｕ）であることが好ましい。また、第二配線層の寸法の好ましい範囲は、上述した第一配線層の寸法の好ましい範囲と同様であるので、ここでの記載は省略する。
【００３８】
本発明におけるカバー層は、第二配線層を覆うように形成されるものである。カバー層を設けることにより、第二配線層の劣化（腐食等）を防止できる。カバー層の材料としては、例えば、上述した第一絶縁層の材料として記載したものを挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。カバー層の厚さは、例えば２μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、２μｍ〜１０μｍの範囲内であることがより好ましい。
【００３９】
２．サスペンション用基板の構成
次に、本発明のサスペンション用基板の構成について説明する。本発明のサスペンション用基板は第三配線層を有し、その端子部は、平面視上、第二配線層の端子部の近傍に形成される。また、本発明において、第三配線層の端子部、および、第二配線層の端子部は、同一の対象（例えば記録再生用素子）に接続されるものであることが好ましい。第三配線層の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、中でも銅（Ｃｕ）が好ましい。また、第三配線層の材料は、圧延銅であっても良く、電解銅であっても良い。また、第三配線層の厚さは、例えば５μｍ〜１８μｍの範囲内であることが好ましく、９μｍ〜１２μｍの範囲内であることがより好ましい。
【００４０】
本発明における第三配線層は、第二配線層と同じ材料であっても良く、第一配線層と同じ材料であっても良く、第二配線層および第一配線層と異なる材料であっても良い。また、第三配線層は、第二配線層または第一配線層と同一の層であることが好ましい。ここで、「同一の層」とは、製造工程において同時に形成された層をいう。第三配線層は、第二配線層または第一配線層と同一の層であれば、製造工程の簡略化を図ることができる。なお、上述した図２では、第三配線層３ｚが第二配線層３ｙと同一の層であり、後述する図６では、第三配線層３ｚが第一配線層３ｘと同一の層である。
【００４１】
また、第三配線層の端子部は、（ｉ）金属支持基板側の表面に第一配線層を有しない第二絶縁層上、または、（ii）第一絶縁層上に形成される。（ｉ）の具体例としては、上述した図３に示すように、第三配線層の端子部３ｚａが、金属支持基板１側の表面に第一配線層３ｘを有しない第二絶縁層２ｙ上に形成されている態様を挙げることができる。一方、（ii）の具体例については、図６および図７を用いて説明する。図６は、本発明における記録再生用素子実装領域の他の例を示す概略平面図であり、図７（ａ）は図６のＡ−Ａ断面図であり、図７（ｂ）は図６のＢ−Ｂ断面図である。なお、図６では、便宜上、絶縁層およびカバー層の記載は省略している。図７（ａ）に示すように、第三配線層の端子部３ｚａが、第一絶縁層２ｘ上に形成されている態様を挙げることができる。
【００４２】
一方、第二配線層の端子部は、金属支持基板側の表面に第一配線層を有する第二絶縁層上に形成される。具体的には、上述した図３に示すように、第二配線層の端子部３ｙａが、金属支持基板１側の表面に第一配線層３ｘを有する第二絶縁層２ｙ上に形成されている態様を挙げることができる。なお、端子部３ｙａの下に存在する第一配線層３ｘは、端子部であっても良く、配線部（引き回し部）であっても良い。
【００４３】
また、第二配線層の端子部および第三配線層の端子部には、それぞれ、同じ材料から構成されるめっき部が形成される。めっき部を設けることにより、端子部の劣化（腐食等）を防止できる。めっき部の種類は、限定されるものではないが、例えば、Ａｕめっき、Ｎｉめっき、Ａｇめっき等を挙げることができる。めっき部の厚さは、例えば０．１μｍ以上であることが好ましい。また、めっき部は、単層構造であっても良く、複層構造であっても良い。中でも、本発明においては、上述した図３に示すように、めっき部５が、端子部上に形成された第一めっき部５ａと、第一めっき部５ａ上に形成された第二めっき部５ｂとから構成されていることが好ましい。例えば密着性が良好なめっき部とすることができるからである。特に、本発明においては、第一めっき部がＮｉめっきであり、第二めっき部がＡｕめっき部であることが好ましい。密着性および化学的安定性の高いめっき部とすることができるからである。
【００４４】
ここで、図８に示すように、第二配線層の端子部３ｙａ上に形成された第一めっき部５ａの厚さをＴｙ１とし、その第一めっき部５ａ上に形成された第二めっき部５ｂの厚さをＴｙ２とする。Ｔｙ１の値は特に限定されるものではないが、例えば０．１μｍ〜１．５μｍの範囲内であることが好ましく、０．３μｍ〜１．２μｍの範囲内であることがより好ましい。Ｔｙ１の値が小さすぎると、端子部の劣化を十分に保護できない可能性があり、Ｔｙ１の値が大きすぎると、端子部のサイズが大きくなり、端子部の高密度化が図れない可能性があるからである。Ｔｙ２の値は、特に限定されるものではないが、例えば０．１μｍ〜３．０μｍの範囲内であることが好ましく、０．５μｍ〜２．５μｍの範囲内であることがより好ましい。Ｔｙ２の値が小さすぎると、例えば化学的安定性を十分に維持できない可能性があり、Ｔｙ２の値が大きすぎると、例えばコストが増加する可能性があるからである。また、Ｔｙ２／Ｔｙ１の値は、例えば１．０〜２．０の範囲内であることが好ましく、１．６〜２．０の範囲内であることがより好ましい。
【００４５】
また、図８に示すように、第三配線層の端子部３ｚａ上に形成された第一めっき部５ａの厚さをＴｚ１とし、その第一めっき部５ａ上に形成された第二めっき部５ｂの厚さをＴｚ２とする。Ｔｚ１の値は特に限定されるものではないが、例えば０．１μｍ〜２．０μｍの範囲内であることが好ましく、０．３μｍ〜１．５μｍの範囲内であることがより好ましい。Ｔｚ２の値は、特に限定されるものではないが、例えば０．１μｍ〜５．０μｍの範囲内であることが好ましく、０．５μｍ〜４．０μｍの範囲内であることがより好ましい。また、Ｔｚ２／Ｔｚ１の値は、例えば１．０〜２．７の範囲内であることが好ましく、１．７〜２．５の範囲内であることがより好ましい。また、本発明においては、Ｔｙ２／Ｔｙ１の値と、Ｔｚ２／Ｔｚ１の値とが一致していることが好ましい。なお、「一致している」とは、両者の平均に対して、両者が平均の±１０％の範囲内にあることをいう。
【００４６】
また、本発明においては、第一配線層、第二配線層および第三配線層として、任意の機能を有する配線層を用いることができる。これらの配線層の具体例としては、ライト用配線層、リード用配線層、熱アシスト用配線層、アクチュエータ用配線層、グランド用配線層、電源用配線層、フライトハイトコントロール用配線層、センサー用配線層等を挙げることができる。
【００４７】
中でも、本発明においては、第二配線層および第三配線層が、記録再生用素子に接続される配線層であることが好ましい。具体的には、第二配線層および第三配線層が、ライト用配線層、リード用配線層、グランド用配線層のいずれかであることが好ましい。ここで、上述した図２における第二配線層３ｙおよび第三配線層３ｚは、ライト用配線層またはリード用配線層であり、一対の差動配線を構成している。また、上述した図６、図７（ｂ）における第二配線層３ｙおよび第三配線層３ｚも、ライト用配線層またはリード用配線層であり、一対の差動配線を構成している。また、本発明における記録再生用素子は、特に限定されるものではないが、磁気発生素子を有するものが好ましい。具体的には、磁気ヘッドスライダを挙げることができる。
【００４８】
一方、平面視上、第二配線層の端子部と重複する第一配線層は、特に限定されるものではないが、熱アシスト用配線層またはアクチュエータ用配線層であることが好ましい。熱アシスト用素子およびアクチュエータ素子は、サスペンション用基板の金属支持基板側に実装される場合があるからである。また、第一配線層は、熱アシスト用素子またはアクチュエータ素子のグランド用配線層として用いても良い。
【００４９】
熱アシスト用素子は、記録再生用素子の記録を熱によりアシストできるものであれば特に限定されるものではない。中でも、本発明における熱アシスト用素子は、光を利用した素子であることが好ましい。光ドミナント記録方式による熱アシスト記録を行うことができるからである。光を利用した熱アシスト用素子としては、例えば半導体レーザーダイオード素子を挙げることができる。半導体レーザーダイオード素子は、ｐｎ型の素子であっても良く、ｐｎｐ型またはｎｐｎ型の素子であっても良い。
【００５０】
アクチュエータ素子は、通常、マイクロアクチュエータ、ミリアクチュエータが該当する。アクチュエータ素子としては、例えばピエゾ素子を挙げることができる。ピエゾ素子としては、例えばＰＺＴからなるものを挙げることができる。ピエゾ素子の伸縮応答を利用することで、サブミクロン単位での位置決めを行うことができる。また、ピエゾ素子には、エネルギー効率が高い、耐荷重が大きい、応答性が速い、摩耗劣化がない、磁場が発生しないという利点がある。また、本発明においては、２極のピエゾ素子を１個用いても良い。１極のピエゾ素子を２個用いても良い。
【００５１】
Ｂ．サスペンション
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上述したサスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするものである。
【００５２】
図９は、本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。図９に示されるサスペンション３００は、上述したサスペンション用基板１００と、サスペンション用基板１００の金属支持基板側の表面に設けられたロードビーム２００とを有するものである。
【００５３】
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、接続信頼性の高い端子部を有するサスペンションとすることができる。
【００５４】
本発明のサスペンションは、少なくともサスペンション用基板およびロードビームを有する。本発明におけるサスペンション用基板については、上記「Ａ．サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。一方、本発明におけるロードビームは、サスペンション用基板の金属支持基板側の表面に設けられるものである。ロードビームの材料は、特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、ステンレス鋼であることが好ましい。
【００５５】
Ｃ．素子付サスペンション
次に、本発明の素子付サスペンションについて説明する。本発明の素子付サスペンションは、上述したサスペンションと、上記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とするものである。
【００５６】
図１０は、本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。図１０に示される素子付サスペンション４００は、上述したサスペンション３００と、サスペンション３００（サスペンション用基板１００の記録再生用素子実装領域１０１）に実装された記録再生用素子３０１とを有するものである。
【００５７】
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、例えば記録再生用素子との接続信頼性の高い素子付サスペンションとすることができる。
【００５８】
本発明の素子付サスペンションは、少なくともサスペンションおよび記録再生用素子を有する。本発明におけるサスペンションについては、上記「Ｂ．サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、本発明における記録再生用素子については、上記「Ａ．サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、本発明の素子付サスペンションは、上述した熱アシスト用素子およびアクチュエータ素子の少なくとも一方を有していても良い。
【００５９】
Ｄ．ハードディスクドライブ
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするものである。
【００６０】
図１１は、本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。図１１に示されるハードディスクドライブ５００は、上述した素子付サスペンション４００と、素子付サスペンション４００がデータの書き込みおよび読み込みを行うディスク４０１と、ディスク４０１を回転させるスピンドルモータ４０２と、素子付サスペンション４００の素子を移動させるアーム４０３およびボイスコイルモータ４０４と、上記の部材を密閉するケース４０５とを有するものである。
【００６１】
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。
【００６２】
本発明のハードディスクドライブは、少なくとも素子付サスペンションを有し、通常は、さらにディスク、スピンドルモータ、アームおよびボイスコイルモータを有する。素子付サスペンションについては、上記「Ｃ．素子付サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。
【００６３】
Ｅ．サスペンション用基板の製造方法
次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法について説明する。本発明のサスペンション用基板の製造方法は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、上記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、上記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、上記第二絶縁層上に形成された第二配線層とを有し、平面視上、上記第二配線層の端子部の近傍に、第三配線層の端子部が形成され、上記第二配線層の端子部は、上記金属支持基板側の表面に上記第一配線層を有する上記第二絶縁層上に形成され、上記第三配線層の端子部は、上記金属支持基板側の表面に上記第一配線層を有しない上記第二絶縁層上、または、上記第一絶縁層上に形成されたサスペンション用基板の製造方法であって、上記第二配線層の端子部および上記第三配線層の端子部に、同時にめっき部を形成するめっき部形成工程を有し、上記めっき部形成工程において、上記第二配線層の端子部には第一給電端子から給電し、上記第三配線層の端子部には第二給電端子から給電し、上記第二給電端子により給電するめっき面積を、上記第一給電端子により給電するめっき面積よりも小さくすることで、上記第二配線層の端子部に形成される上記めっき部の頂部、および、上記第三配線層の端子部に形成された上記めっき部の頂部を、一致させることを特徴とするものである。
【００６４】
図１２は、本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図１２においては、まず、金属支持部材１Ａ、絶縁部材２Ａおよび導体部材３Ａがこの順に積層された積層部材を準備する（図１２（ａ））。次に、導体部材３Ａに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、第一配線層３ｘを形成する（図１２（ｂ））。次に、第一配線層３ｘ上および絶縁部材２Ａ上に、第二絶縁層２ｙを形成する（図１２（ｃ））。
【００６５】
その後、第二絶縁層２ｙの表面に、スパッタリングによりシード層（図示せず）を形成し、そのシード層の上に、ドライフィルムレジストから構成されるレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出するシード層の表面に、端子部３ｙａを有する第二配線層および端子部３ｚａを有する第三配線層を形成する（図１２（ｄ））。次に、図示しないが、第二配線層および第三配線層を覆うようにカバー層を形成し、絶縁部材２Ａに対してウェットエッチングを行い第一絶縁層２ｘを形成する。
【００６６】
その後、第二配線層の端子部３ｙａおよび第三配線層の端子部３ｚａに、同時にめっき部５を形成する（図１２（ｅ））。この際、第二配線層の端子部３ｙａには第一給電端子から給電し、第三配線層の端子部３ｚａには第二給電端子から給電し、第二給電端子により給電するめっき面積を、第一給電端子により給電するめっき面積よりも小さくする。これにより、端子部３ｚａ上のめっき部５の厚さを、端子部３ｙａ上のめっき部５の厚さよりも厚くできる。次に、図示しないが、金属支持部材１Ａに対して、ウェットエッチングを行い、金属支持基板１を形成する。これにより、サスペンション用基板が得られる。
【００６７】
本発明によれば、第二配線層の端子部および第三配線層の端子部に対して、めっき面積が異なる給電端子を用いて給電することで、第二配線層の端子部に形成されためっき部の頂部、および、第三配線層の端子部に形成されためっき部の頂部が一致したサスペンション用基板を得ることができる。例えば図１３に示すように、第二配線層の端子部およびその他の部位には、第一給電端子１１から給電し、第三配線層の端子部には、第二給電端子１２から給電する。この際、第二給電端子１２により給電するめっき面積Ｓ２を、第一給電端子１１により給電するめっき面積Ｓ１よりも小さくすると、第二給電端子１２からの給電における電流密度は、第一給電端子１１からの給電における電流密度よりも大きくなる。その結果、第三配線層の端子部に形成されるめっき部は、第二配線層の端子部に形成されるめっき部よりも厚く形成される。
【００６８】
また、図１４は、製造途中のサスペンション用基板を示す概略断面図である。製造途中の複数のサスペンション用基板１００は、支持枠１１０と一体化し、シートを構成している。例えば、第一給電端子１１を支持枠１１０の導体部材に形成し、第二給電端子１２を支持枠１１０の金属支持部材に形成することで、二系統の給電が可能となる。なお、金属支持部材（例えばステンレス鋼）を給電端子とする場合には、絶縁部材を貫通するビアを介して、配線層に給電を行うことが好ましい。また、本発明のサスペンション用基板の製造方法は、サブトラクティブ法による製造方法と、アディティブ法による製造方法とに大別することができる。
【００６９】
１．サブトラクティブ法
まず、サブトラクティブ法による製造方法について説明する。サブトラクティブ法による製造方法の一例としては、金属支持部材、絶縁部材および導体部材がこの順に積層された積層部材を準備する積層部材準備工程と、上記導体部材をエッチングし、第一配線層を形成する第一配線層形成工程と、上記第一配線層上に第二絶縁層を形成する第二絶縁層形成工程と、上記第二絶縁層上に第二配線層を形成する第二配線層形成工程と、上記第二配線層を覆うようにカバー層を形成するカバー層形成工程と、上記絶縁部材をエッチングし、第一絶縁層を形成する第一絶縁層形成工程と、上記第二配線層の端子部および上記第三配線層の端子部に、同時にめっき部を形成するめっき部形成工程と、上記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程と、を有する製造方法を挙げることができる。
【００７０】
なお、上述した図１２は、サブトラクティブ法によるサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。
以下、サブトラクティブ法によるサスペンション用基板の製造方法について、工程ごとに説明する。
【００７１】
（１）積層部材準備工程
積層部材準備工程は、金属支持部材と、上記金属支持部材上に形成された絶縁部材と、上記絶縁部材上に形成された導体部材とを有する積層部材を準備する工程である。
【００７２】
サブトラクティブ法においては、積層部材の金属支持部材をエッチングすることにより金属支持基板が得られ、積層部材の絶縁部材をエッチングすることにより第一絶縁層が得られ、積層体の導体部材をエッチングすることにより第一配線層が得られる。積層部材は、市販の三層材であっても良く、金属支持部材に対して絶縁部材および導体部材を順次形成して得られたものであっても良い。
【００７３】
（２）第一配線層形成工程
第一配線層形成工程は、上記導体部材をエッチングし、第一配線層を形成する工程である。
【００７４】
第一配線層の形成方法としては、例えば、積層部材の導体部材上に、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する導体部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いられるエッチング液の種類は、導体部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば導体部材の材料がＣｕである場合には、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。
【００７５】
また、サブトラクティブ法においては、導体部材のエッチングと同時に、金属支持部材のエッチングを行っても良い。金属支持部材のエッチングは、例えば、開口部や治具孔の形成のためのエッチングを挙げることができる。また、必要であれば、後述する金属支持基板形成工程で行う加工の少なくとも一部を、導体部材のエッチングと同時に行っても良い。
【００７６】
（３）第二絶縁層形成工程
第二絶縁層形成工程は、上記第一配線層上に第二絶縁層を形成する工程である。
【００７７】
第二絶縁層の形成方法は、特に限定されるものではなく、第二絶縁層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、第二絶縁層の材料が感光性材料である場合には、全面形成した第二絶縁層に露光現像を行うことによりパターン状の第二絶縁層を得ることができる。また、第二絶縁層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成した第二絶縁層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングにより除去することによりパターン状の第二絶縁層を得ることができる。
【００７８】
（４）第二配線層形成工程
第二配線層形成工程は、上記第二絶縁層上に第二配線層を形成する工程である。
【００７９】
第二配線層の形成方法としては、例えば電解めっき法等を挙げることができる。電解めっき法を用いる場合、第二配線層の形成前に、スパッタリング法等により第二絶縁層の表面にシード層を形成することが好ましい。
【００８０】
（５）カバー層形成工程
カバー層形成工程は、上記第二配線層を覆うようにカバー層を形成する工程である。
【００８１】
カバー層の形成方法は、特に限定されるものではなく、カバー層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、カバー層の材料が感光性材料である場合には、全面形成したカバー層に露光現像を行うことによりパターン状のカバー層を得ることができる。また、カバー層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成したカバー層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングにより除去することによりパターン状のカバー層を得ることができる。
【００８２】
（６）第一絶縁層形成工程
第一絶縁層形成工程は、上記絶縁部材をエッチングし、第一絶縁層を形成する工程である。
【００８３】
第一絶縁層の形成方法としては、例えば、絶縁部材に対して、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する絶縁部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、絶縁部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば絶縁部材の材料がポリイミド樹脂である場合は、アルカリ系エッチング液等を用いることができる。
【００８４】
（７）めっき部形成工程
めっき部形成工程は、上記第二配線層の端子部および上記第三配線層の端子部に、同時にめっき部を形成する工程である。さらに、本発明においては、上記第二配線層の端子部には第一給電端子から給電し、上記第三配線層の端子部には第二給電端子から給電し、上記第二給電端子により給電するめっき面積を、上記第一給電端子により給電するめっき面積よりも小さくすることで、上記第二配線層の端子部に形成される上記めっき部の頂部、および、上記第三配線層の端子部に形成された上記めっき部の頂部を、一致させることを大きな特徴とする。
【００８５】
上述した図１３に示すように、第一給電端子１１により給電するめっき面積をＳ１とし、第二給電端子１２により給電するめっき面積をＳ２とした場合、Ｓ１／Ｓ２の値は、所望のめっき部を形成できる値であれば特に限定されるものではないが、例えば５０〜３００の範囲内であることが好ましく、５０〜２００の範囲内であることがより好ましく、１００〜１５０の範囲内であることがさらに好ましい。
【００８６】
（８）金属支持基板形成工程
金属支持基板形成工程は、上記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する工程である。本工程において、通常は、金属支持基板の外形加工を行う。
【００８７】
金属支持部材をエッチングする方法は特に限定されるものでないが、具体的には、ウェットエッチング等を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、金属支持部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば金属支持部材の材料がステンレス鋼である場合は、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。
【００８８】
２．アディティブ法
次に、アディティブ法による製造方法について説明する。アディティブ法による製造方法の一例としては、金属支持部材を準備する金属支持部材準備工程と、上記金属支持部材上に第一絶縁層を形成する第一絶縁層形成工程と、上記第一絶縁層上に第一配線層を形成する第一配線層形成工程と、上記第一配線層上に第二絶縁層を形成する第二絶縁層形成工程と、上記第二絶縁層上に第二配線層を形成する第二配線層形成工程と、上記第二配線層を覆うようにカバー層を形成するカバー層形成工程と、上記第二配線層の端子部および上記第三配線層の端子部に、同時にめっき部を形成するめっき部形成工程と、上記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程と、を有する製造方法を挙げることができる。
【００８９】
図１５は、アディティブ法によるサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図１５においては、まず、金属支持部材１Ａを準備する（図１５（ａ））。次に、金属支持部材１Ａの表面上に、パターン状の第一絶縁層２ｘを形成する（図１５（ｂ））。次に、第一絶縁層２ｘの表面に、スパッタリングによりシード層（図示せず）を形成し、そのシード層の上に、ドライフィルムレジストから構成されるレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出するシード層の表面に、第一配線層３ｘを形成する（図１５（ｃ））。その後の工程である図１５（ｄ）〜（ｆ）については、上述した図１２（ｃ）〜（ｅ）に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
以下、サブトラクティブ法によるサスペンション用基板の製造方法について、工程ごとに説明する。
【００９０】
（１）金属支持部材準備工程
金属支持部材準備工程は、金属支持部材を準備する工程である。金属支持部材には、例えば市販の金属支持部材を用いることができる。
【００９１】
（２）第一絶縁層形成工程
第一絶縁層形成工程は、上記金属支持部材上に、第一絶縁層を形成する工程である。
【００９２】
第一絶縁層の形成方法は、特に限定されるものではなく、第一絶縁層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、第一絶縁層の材料が感光性材料である場合には、全面形成した第一絶縁層に露光現像を行うことによりパターン状の第一絶縁層を得ることができる。また、第一絶縁層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成した第一絶縁層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングにより除去することによりパターン状の第一絶縁層を得ることができる。
【００９３】
（３）第一配線層形成工程
第一配線層形成工程は、上記第一絶縁層上に第一配線層を形成する工程である。
【００９４】
第一配線層の形成方法としては、例えば電解めっき法等を挙げることができる。電解めっき法を用いる場合、第一配線層の形成前に、スパッタリング法等により第一絶縁層の表面にシード層を形成することが好ましい。
【００９５】
（４）その他の工程
その他の工程については、上述したサブトラクティブ法による製造方法で記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
【００９６】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００９７】
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
【００９８】
［実施例１］
まず、厚さ１８μｍのＳＵＳ３０４（金属支持部材）、厚さ１０μｍのポリイミド樹脂層（絶縁部材）、厚さ９μｍの電解銅層（導体部材）を有する積層部材を準備した（図１２（ａ））。次に、ドライフィルムレジストを積層部材の両面にラミネートし、レジストパターンを形成した。次に、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、エッチング後レジスト剥膜を行った。これにより、導体部材から第一配線層を形成し（図１２（ｂ）、金属支持部材に治具孔を形成した。
【００９９】
その後、パターニングされた第一配線層上に、ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングし、所定のパターニングにより第二絶縁層を形成した（図１２（ｃ））。次に、第二絶縁層側の表面に、スパッタリング法によりＣｒからなるシード層を形成した。次に、シード層上に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する部分に、電解銅めっき法により、第二配線層および第三配線層を形成した（図１２（ｄ））。
【０１００】
シード層の除去後、パターニングされた第二配線層上および第三配線層上に、ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングし、所定のパターニングによりカバー層を形成した。次に、絶縁部材をパターニングするために、レジスト製版し、露出する部位のポリイミド樹脂をウェットエッチングで除去し、第一絶縁層を形成した。
【０１０１】
その後、第二配線層の端子部および第三配線層の端子部に、電解Ａｕめっきによりめっき部を形成した（図１２（ｅ））。第二配線層の端子部には第一給電端子から給電し、第三配線層の端子部には第二給電端子から給電し、第一給電端子により給電するめっき面積Ｓ１および第二給電端子により給電するめっき面積Ｓ２の割合を、Ｓ１：Ｓ２＝１５０：１とした。また、めっき条件は、電流０．８Ａ、電圧１．８Ｖ、温度６５℃、時間１８０秒とした。最後に、金属支持基板の外形加工を行った。これにより、サスペンション用基板を得た。
【０１０２】
得られたサスペンション用基板に対して、めっき部の厚さを測定した。その結果、図４（ａ）に示すＤ１は２．８μｍであった。また、第二配線層の端子部３ｙａ上に形成されためっき部５の厚さは２．８μｍであり、第三配線層の端子部３ｚａ上に形成されためっき部５の厚さは３．９μｍであった。
【０１０３】
［実施例２］
まず、厚さ１８μｍのＳＵＳ３０４（金属支持部材）を用意した（図１５（ａ））。次に、金属支持部材上に、感光性ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングし、所定のパターニングにより第一絶縁層を形成した（図１５（ｂ））。次に、第一絶縁層側の表面に、スパッタリング法によりＣｒからなるシード層を形成した。次に、シード層上に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する部分に、電解銅めっき法により、第一配線層を形成した（図１５（ｃ））。
【０１０４】
シード層の除去後、パターニングされた第一配線層上に、感光性ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングし、所定のパターニングにより第二絶縁層を形成した（図１５（ｄ））。次に、第二絶縁層側の表面に、スパッタリング法によりＣｒからなるシード層を形成した。次に、シード層上に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する部分に、電解銅めっき法により、および第三配線層を形成した（図１５（ｅ））。
【０１０５】
シード層の除去後、パターニングされた第二配線層上および第三配線層上に、ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングし、所定のパターニングによりカバー層を形成した。次に、絶縁部材をパターニングするために、レジスト製版し、露出する部位のポリイミド樹脂をウェットエッチングで除去し、第一絶縁層を形成した。
【０１０６】
その後、第二配線層の端子部および第三配線層の端子部に、電解Ａｕめっきによりめっき部を形成した（図１２（ｆ））。第二配線層の端子部には第一給電端子から給電し、第三配線層の端子部には第二給電端子から給電し、第一給電端子により給電するめっき面積Ｓ１および第二給電端子により給電するめっき面積Ｓ２の割合を、Ｓ１：Ｓ２＝１５０：１とした。また、めっき条件は、電流０．８Ａ、電圧１．８Ｖ、温度６５℃、時間１８０秒とした。最後に、金属支持基板の外形加工を行った。これにより、サスペンション用基板を得た。
【符号の説明】
【０１０７】
１…金属支持基板、 ２ｘ…第一絶縁層、 ２ｙ…第二絶縁層、 ３ｘ…第一配線層、 ３ｙ…第二配線層、 ３ｚ…第三配線層、 ３ｙａ…第二配線層の端子部、 ３ｚａ…第三配線層の端子部、 ４…カバー層、 ５…めっき部、 ５ａ…第一めっき部、 ５ｂ…第二めっき部、 １１…第一給電部、 １２…第二給電部、 １００…サスペンション用基板、 １０１…記録再生用素子実装領域、 １０２…外部回路基板接続領域、 １０３…配線層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接続信頼性の高い端子部を有するサスペンション用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ（ＨＤＤ）も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。
【０００３】
ＨＤＤに用いられるサスペンション用基板（フレキシャ）は、通常、一方の先端部分に形成され、磁気ヘッドスライダ等の記録再生用素子を実装する記録再生用素子実装領域と、他方の先端部分に形成され、外部回路基板との接続を行う外部回路基板接続領域と、記録再生用素子実装領域および外部回路基板接続領域を接続する配線層とを有する。
【０００４】
また、サスペンション用基板は、通常、金属支持基板（例えばステンレス鋼）、絶縁層（例えばポリイミド樹脂）、配線層（例えば銅）がこの順に積層された基本構造を有する。サスペンション用基板における配線層は、例えば特許文献１に示すように、絶縁層の同一表面上に一対で形成される（平面配列の配線層）。これに対して、特許文献２、３に示すように、配線層を、絶縁層を介して積層したもの（積層配列の配線層）が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１１３８７号公報
【特許文献２】特開平９−０２２５７０号公報
【特許文献３】特開平１０−００３６３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＨＤＤの高機能化に伴い、サスペンション用基板に必要とされる配線層の数は増加傾向にある。積層配列の配線層は、平面配列の配線層に比べて、構造上、配線層の数の増加に対応しやすいという利点がある。すなわち、積層配列の配線層は、介在する絶縁層の上下に配線層を配置できるため、平面配列の配線層に比べて、単純計算で２倍の配線層を配置できるという利点がある。
【０００７】
一方、積層配列の配線層は、配線層が立体的に配置されるため、配線層の端子部の高さが揃いにくいという問題がある。そのため、高さが不揃いの２以上の端子部と、例えば記録再生用素子の端子部とを半田等で接続する場合に、良好な接続ができない場合が想定される。
【０００８】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、接続信頼性の高い端子部を有するサスペンション用基板を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、上記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、上記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、上記第二絶縁層上に形成された第二配線層と、を有するサスペンション用基板であって、平面視上、上記第二配線層の端子部の近傍に、第三配線層の端子部が形成され、上記第二配線層の端子部は、上記金属支持基板側の表面に上記第一配線層を有する上記第二絶縁層上に形成され、上記第三配線層の端子部は、上記金属支持基板側の表面に上記第一配線層を有しない上記第二絶縁層上、または、上記第一絶縁層上に形成され、上記第二配線層の端子部および上記第三配線層の端子部には、それぞれ、同じ材料から構成されるめっき部が形成され、上記第二配線層の端子部に形成された上記めっき部の頂部、および、上記第三配線層の端子部に形成された上記めっき部の頂部が、一致していることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。
【００１０】
本発明によれば、第二配線層の端子部に形成されためっき部の頂部、および、第三配線層の端子部に形成されためっき部の頂部が一致していることから、接続信頼性の高い端子部を有するサスペンション用基板とすることができる。
【００１１】
上記発明においては、上記第二配線層および上記第三配線層が、記録再生用素子と接続される配線層であることが好ましい。
【００１２】
上記発明においては、平面視上、上記第二配線層の端子部と重複する上記第一配線層が、熱アシスト用配線層であることが好ましい。
【００１３】
また、本発明においては、上述したサスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンションを提供する。
【００１４】
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、接続信頼性の高い端子部を有するサスペンションとすることができる。
【００１５】
また、本発明においては、上述したサスペンションと、上記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンションを提供する。
【００１６】
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、例えば記録再生用素子との接続信頼性の高い素子付サスペンションとすることができる。
【００１７】
また、本発明においては、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブを提供する。
【００１８】
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。
【００１９】
また、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、上記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、上記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、上記第二絶縁層上に形成された第二配線層とを有し、平面視上、上記第二配線層の端子部の近傍に、第三配線層の端子部が形成され、上記第二配線層の端子部は、上記金属支持基板側の表面に上記第一配線層を有する上記第二絶縁層上に形成され、上記第三配線層の端子部は、上記金属支持基板側の表面に上記第一配線層を有しない上記第二絶縁層上、または、上記第一絶縁層上に形成されたサスペンション用基板の製造方法であって、上記第二配線層の端子部および上記第三配線層の端子部に、同時にめっき部を形成するめっき部形成工程を有し、上記めっき部形成工程において、上記第二配線層の端子部には第一給電端子から給電し、上記第三配線層の端子部には第二給電端子から給電し、上記第二給電端子により給電するめっき面積を、上記第一給電端子により給電するめっき面積よりも小さくすることで、上記第二配線層の端子部に形成される上記めっき部の頂部、および、上記第三配線層の端子部に形成された上記めっき部の頂部を、一致させることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。
【００２０】
本発明によれば、第二配線層の端子部および第三配線層の端子部に対して、めっき面積が異なる給電端子を用いて給電することで、第二配線層の端子部に形成されためっき部の頂部、および、第三配線層の端子部に形成されためっき部の頂部が一致したサスペンション用基板を得ることができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明のサスペンション用基板は、接続信頼性の高い端子部を有するという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】積層配列の配線層を有するサスペンション用基板の一例を示す模式図である。
【図２】本発明における記録再生用素子実装領域の一例を示す概略平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ断面図である。
【図４】本発明におけるめっき部を説明する概略断面図である。
【図５】めっき部を説明する概略断面図である。
【図６】本発明における記録再生用素子実装領域の他の例を示す概略平面図である。
【図７】図６の断面図である。
【図８】本発明におけるめっき部を説明する概略断面図である。
【図９】本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図１０】本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図１１】本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。
【図１２】本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。
【図１３】本発明における給電方法を示す模式図である。
【図１４】製造途中のサスペンション用基板を示す概略断面図である。
【図１５】本発明のサスペンション用基板の製造方法の他の例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明のサスペンション用基板、サスペンション、素子付サスペンション、ハードディスクドライブ、およびサスペンション用基板の製造方法について詳細に説明する。
【００２４】
Ａ．サスペンション用基板
本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、上記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、上記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、上記第二絶縁層上に形成された第二配線層と、を有するサスペンション用基板であって、平面視上、上記第二配線層の端子部の近傍に、第三配線層の端子部が形成され、上記第二配線層の端子部は、上記金属支持基板側の表面に上記第一配線層を有する上記第二絶縁層上に形成され、上記第三配線層の端子部は、上記金属支持基板側の表面に上記第一配線層を有しない上記第二絶縁層上、または、上記第一絶縁層上に形成され、上記第二配線層の端子部および上記第三配線層の端子部には、それぞれ、同じ材料から構成されるめっき部が形成され、上記第二配線層の端子部に形成された上記めっき部の頂部、および、上記第三配線層の端子部に形成された上記めっき部の頂部が、一致していることを特徴とするものである。
【００２５】
図１（ａ）は、積層配列の配線層を有するサスペンション用基板の一例を示す概略平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。なお、図１（ａ）では、便宜上、絶縁層およびカバー層の記載は省略している。図１（ａ）に示されるサスペンション用基板１００は、一方の先端部分に形成された記録再生用素子実装領域１０１と、他方の先端部分に形成された外部回路基板接続領域１０２と、記録再生用素子実装領域１０１および外部回路基板接続領域１０２を電気的に接続する配線層１０３とを有するものである。また、図１（ａ）における配線層１０３は、一方が書込（ライト）用配線層であり、他方が読取（リード）用配線層である。
【００２６】
また、図１（ｂ）に示すように、サスペンション用基板１００は、金属支持基板１と、金属支持基板１上に形成された第一絶縁層２ｘと、第一絶縁層２ｘ上に形成された第一配線層３ｘと、第一配線層３ｘ上に形成された第二絶縁層２ｙと、第二絶縁層２ｙ上に形成された第二配線層３ｙと、第二配線層３ｙを覆うように形成されたカバー層４とを有するものである。なお、図１（ｂ）では、第二絶縁層２ｙを介して、第一配線層３ｘおよび第二配線層３ｙが、平面視上重複するように積層されているが、本発明における第一配線層および第二配線層には、それぞれ任意のパターンを採用でき、平面視上重複していなくても良い。
【００２７】
図２は、本発明における記録再生用素子実装領域の一例を示す概略平面図であり、図３は図２のＡ−Ａ断面図である。なお、図２では、便宜上、絶縁層およびカバー層の記載は省略している。図２に示すように、平面視上、第二配線層３ｙの端子部３ｙａの近傍に第三配線層３ｚの端子部３ｚａが形成されている。上記「近傍」とは、１００μｍ以内の領域をいい、５０μｍ以内の領域であることが好ましい。また、図３に示すように、第二配線層の端子部３ｙａは、金属支持基板１側の表面に第一配線層３ｘを有する第二絶縁層２ｙ上に形成され、第三配線層の端子部３ｚａは、金属支持基板１側の表面に第一配線層３ｘを有しない第二絶縁層２ｙ上に形成されている。端子部３ｙａおよび端子部３ｚａは、ともに第二絶縁層２ｙに形成されているものの、第二絶縁層２ｙの下に第一配線層３ｘが存在するか否かによって、厚さ方向における位置が互いに異なる。
【００２８】
また、図３に示すように、第二配線層の端子部３ｙａおよび第三配線層の端子部３ｚａには、それぞれ、同じ材料から構成されるめっき部５が形成されている。このめっき部５は、第一めっき部５ａおよび第二めっき部５ｂから構成されている。本発明のサスペンション用基板は、第二配線層の端子部３ｙａに形成されためっき部５の頂部Ｔ１、および、第三配線層の端子部３ｚａに形成されためっき部５の頂部Ｔ２が、一致していることを大きな特徴とする。
【００２９】
ここで、「めっき部の頂部」とは、金属支持基板側とは反対側における端子部の表面に形成されためっき部において、最も厚い部分をいう。また、「頂部Ｔ１および頂部Ｔ２が一致している」とは、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、頂部Ｔ１および頂部Ｔ２の厚さ方向の差Ｄ１が、５μｍ以下であることをいう。なお、図４（ａ）は頂部Ｔ１が頂部Ｔ２よりも若干高い状態を示し、図４（ｂ）は頂部Ｔ２が頂部Ｔ１よりも若干高い状態を示している。Ｄ１の値は、より小さいことが好ましく、具体的には３μｍ以下であることが好ましい。
【００３０】
本発明によれば、第二配線層の端子部に形成されためっき部の頂部、および、第三配線層の端子部に形成されためっき部の頂部が一致していることから、接続信頼性の高い端子部を有するサスペンション用基板とすることができる。図２に示したように、端子部３ｙａおよび端子部３ｚａは、ともに第二絶縁層２ｙに形成されているものの、第二絶縁層２ｙの下に第一配線層３ｘが存在するか否かによって、厚さ方向における位置が互いに異なる。このように、積層配列の配線層は、配線層が立体的に配置されるため、配線層の端子部の高さが揃いにくいという問題がある。これに対して、本発明のサスペンション用基板は、めっき部の厚さを調整することで、めっき部の高さを揃えることができるため、半田やＡＣＦ（異方性導電膜）等との接触不良を抑制できるという利点がある。
【００３１】
一方、配線層の端子部の高さを揃えるために、例えば図５に示すように、端子部３ｚａの下に、ダミー配線層３αを設けることが考えられる。ダミー配線層３αを設けることで、配線層の端子部の高さを揃えることは可能になる。しかしながら、ダミー配線層３αを設けることで以下のような問題が生じる。第一の問題として、ダミー配線層３αと、端子部３ｚａとの位置精度の問題が生じる。この位置精度の問題は、第一配線層３ｘと、端子部３ｙａとの間にも生じ得るが、位置合わせが必要な対象が増加するほど不良発生率は増加する。なお、ダミー配線層３αと、端子部３ｚａとの間に位置ズレが生じると、通常、端子部３ｚａの一部または全部が第二絶縁層２ｙの形状に沿って金属支持基板側に落ち込んだ形状となる。また、位置ズレを回避するために、ダミー配線層３αの幅を太くすると、配線層の高密度化を図ることが困難になる。第二の問題として、ダミー配線層３α、第二絶縁層２ｙおよび端子部３ｚａの密着性の問題が生じる。この密着性の問題も、第一配線層３ｘ、第二絶縁層２ｙおよび端子部３ｙａの間にも生じ得るが、異相の接触面積が増加するほど不良発生率は増加する。これに対して、本発明のサスペンション用基板は、めっき部の厚さを調整することで、配線層の端子部の高さを揃えるため、これらの問題が生じないという利点がある。
以下、本発明のサスペンション用基板について、サスペンション用基板の部材と、サスペンション用基板の構成とに分けて説明する。
【００３２】
１．サスペンション用基板の部材
まず、本発明のサスペンション用基板の部材について説明する。本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板、第一絶縁層、第一配線層、第二絶縁層、第二配線層、第三配線層を少なくとも有するものである。なお、第三配線層については、後述する「２．サスペンション用基板の構成」で説明する。
【００３３】
本発明における金属支持基板は、サスペンション用基板の支持体として機能するものである。金属支持基板の材料は、ばね性を有する金属であることが好ましく、具体的にはステンレス鋼等を挙げることができる。また、金属支持基板の厚さは、その材料の種類により異なるものであるが、例えば１０μｍ〜２０μｍの範囲内である。
【００３４】
本発明における第一絶縁層は、金属支持基板上に形成されるものである。第一絶縁層の材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば樹脂を挙げることができる。上記樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂およびポリ塩化ビニル樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。絶縁性、耐熱性および耐薬品性に優れているからである。また、第一絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。第一絶縁層の厚さは、例えば５μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜１８μｍの範囲内であることがより好ましく、５μｍ〜１２μｍの範囲内であることがさらに好ましい。
【００３５】
本発明における第一配線層は、第一絶縁層上に形成されるものである。第一配線層の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、中でも銅（Ｃｕ）が好ましい。また、第一配線層の材料は、圧延銅であっても良く、電解銅であっても良い。第一配線層の厚さは、例えば５μｍ〜１８μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜１２μｍの範囲内であることがより好ましい。
【００３６】
本発明における第二絶縁層は、第一配線層上に形成されるものである。第二絶縁層の材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば、上記の第一絶縁層の材料として記載したものを用いることができる。中でも、第二絶縁層の材料は、ポリイミド樹脂であることが好ましい。また、第二絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。第一配線層および第二配線層の間の第二絶縁層の厚さ（配線間厚さ）は、特に限定されるものではないが、例えば５μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜１８μｍの範囲内であることがより好ましく、５μｍ〜１２μｍの範囲内であることがさらに好ましい。
【００３７】
本発明における第二配線層は、第二絶縁層上に形成されるものである。第二配線層の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば、上記の第一配線層の材料として記載したものを用いることができる。中でも、第二配線層の材料は、銅（Ｃｕ）であることが好ましい。また、第二配線層の寸法の好ましい範囲は、上述した第一配線層の寸法の好ましい範囲と同様であるので、ここでの記載は省略する。
【００３８】
本発明におけるカバー層は、第二配線層を覆うように形成されるものである。カバー層を設けることにより、第二配線層の劣化（腐食等）を防止できる。カバー層の材料としては、例えば、上述した第一絶縁層の材料として記載したものを挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。カバー層の厚さは、例えば２μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、２μｍ〜１０μｍの範囲内であることがより好ましい。
【００３９】
２．サスペンション用基板の構成
次に、本発明のサスペンション用基板の構成について説明する。本発明のサスペンション用基板は第三配線層を有し、その端子部は、平面視上、第二配線層の端子部の近傍に形成される。また、本発明において、第三配線層の端子部、および、第二配線層の端子部は、同一の対象（例えば記録再生用素子）に接続されるものであることが好ましい。第三配線層の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、中でも銅（Ｃｕ）が好ましい。また、第三配線層の材料は、圧延銅であっても良く、電解銅であっても良い。また、第三配線層の厚さは、例えば５μｍ〜１８μｍの範囲内であることが好ましく、９μｍ〜１２μｍの範囲内であることがより好ましい。
【００４０】
本発明における第三配線層は、第二配線層と同じ材料であっても良く、第一配線層と同じ材料であっても良く、第二配線層および第一配線層と異なる材料であっても良い。また、第三配線層は、第二配線層または第一配線層と同一の層であることが好ましい。ここで、「同一の層」とは、製造工程において同時に形成された層をいう。第三配線層は、第二配線層または第一配線層と同一の層であれば、製造工程の簡略化を図ることができる。なお、上述した図２では、第三配線層３ｚが第二配線層３ｙと同一の層であり、後述する図６では、第三配線層３ｚが第一配線層３ｘと同一の層である。
【００４１】
また、第三配線層の端子部は、（ｉ）金属支持基板側の表面に第一配線層を有しない第二絶縁層上、または、（ii）第一絶縁層上に形成される。（ｉ）の具体例としては、上述した図３に示すように、第三配線層の端子部３ｚａが、金属支持基板１側の表面に第一配線層３ｘを有しない第二絶縁層２ｙ上に形成されている態様を挙げることができる。一方、（ii）の具体例については、図６および図７を用いて説明する。図６は、本発明における記録再生用素子実装領域の他の例を示す概略平面図であり、図７（ａ）は図６のＡ−Ａ断面図であり、図７（ｂ）は図６のＢ−Ｂ断面図である。なお、図６では、便宜上、絶縁層およびカバー層の記載は省略している。図７（ａ）に示すように、第三配線層の端子部３ｚａが、第一絶縁層２ｘ上に形成されている態様を挙げることができる。
【００４２】
一方、第二配線層の端子部は、金属支持基板側の表面に第一配線層を有する第二絶縁層上に形成される。具体的には、上述した図３に示すように、第二配線層の端子部３ｙａが、金属支持基板１側の表面に第一配線層３ｘを有する第二絶縁層２ｙ上に形成されている態様を挙げることができる。なお、端子部３ｙａの下に存在する第一配線層３ｘは、端子部であっても良く、配線部（引き回し部）であっても良い。
【００４３】
また、第二配線層の端子部および第三配線層の端子部には、それぞれ、同じ材料から構成されるめっき部が形成される。めっき部を設けることにより、端子部の劣化（腐食等）を防止できる。めっき部の種類は、限定されるものではないが、例えば、Ａｕめっき、Ｎｉめっき、Ａｇめっき等を挙げることができる。めっき部の厚さは、例えば０．１μｍ以上であることが好ましい。また、めっき部は、単層構造であっても良く、複層構造であっても良い。中でも、本発明においては、上述した図３に示すように、めっき部５が、端子部上に形成された第一めっき部５ａと、第一めっき部５ａ上に形成された第二めっき部５ｂとから構成されていることが好ましい。例えば密着性が良好なめっき部とすることができるからである。特に、本発明においては、第一めっき部がＮｉめっきであり、第二めっき部がＡｕめっき部であることが好ましい。密着性および化学的安定性の高いめっき部とすることができるからである。
【００４４】
ここで、図８に示すように、第二配線層の端子部３ｙａ上に形成された第一めっき部５ａの厚さをＴｙ１とし、その第一めっき部５ａ上に形成された第二めっき部５ｂの厚さをＴｙ２とする。Ｔｙ１の値は特に限定されるものではないが、例えば０．１μｍ〜１．５μｍの範囲内であることが好ましく、０．３μｍ〜１．２μｍの範囲内であることがより好ましい。Ｔｙ１の値が小さすぎると、端子部の劣化を十分に保護できない可能性があり、Ｔｙ１の値が大きすぎると、端子部のサイズが大きくなり、端子部の高密度化が図れない可能性があるからである。Ｔｙ２の値は、特に限定されるものではないが、例えば０．１μｍ〜３．０μｍの範囲内であることが好ましく、０．５μｍ〜２．５μｍの範囲内であることがより好ましい。Ｔｙ２の値が小さすぎると、例えば化学的安定性を十分に維持できない可能性があり、Ｔｙ２の値が大きすぎると、例えばコストが増加する可能性があるからである。また、Ｔｙ２／Ｔｙ１の値は、例えば１．０〜２．０の範囲内であることが好ましく、１．６〜２．０の範囲内であることがより好ましい。
【００４５】
また、図８に示すように、第三配線層の端子部３ｚａ上に形成された第一めっき部５ａの厚さをＴｚ１とし、その第一めっき部５ａ上に形成された第二めっき部５ｂの厚さをＴｚ２とする。Ｔｚ１の値は特に限定されるものではないが、例えば０．１μｍ〜２．０μｍの範囲内であることが好ましく、０．３μｍ〜１．５μｍの範囲内であることがより好ましい。Ｔｚ２の値は、特に限定されるものではないが、例えば０．１μｍ〜５．０μｍの範囲内であることが好ましく、０．５μｍ〜４．０μｍの範囲内であることがより好ましい。また、Ｔｚ２／Ｔｚ１の値は、例えば１．０〜２．７の範囲内であることが好ましく、１．７〜２．５の範囲内であることがより好ましい。また、本発明においては、Ｔｙ２／Ｔｙ１の値と、Ｔｚ２／Ｔｚ１の値とが一致していることが好ましい。なお、「一致している」とは、両者の平均に対して、両者が平均の±１０％の範囲内にあることをいう。
【００４６】
また、本発明においては、第一配線層、第二配線層および第三配線層として、任意の機能を有する配線層を用いることができる。これらの配線層の具体例としては、ライト用配線層、リード用配線層、熱アシスト用配線層、アクチュエータ用配線層、グランド用配線層、電源用配線層、フライトハイトコントロール用配線層、センサー用配線層等を挙げることができる。
【００４７】
中でも、本発明においては、第二配線層および第三配線層が、記録再生用素子に接続される配線層であることが好ましい。具体的には、第二配線層および第三配線層が、ライト用配線層、リード用配線層、グランド用配線層のいずれかであることが好ましい。ここで、上述した図２における第二配線層３ｙおよび第三配線層３ｚは、ライト用配線層またはリード用配線層であり、一対の差動配線を構成している。また、上述した図６、図７（ｂ）における第二配線層３ｙおよび第三配線層３ｚも、ライト用配線層またはリード用配線層であり、一対の差動配線を構成している。また、本発明における記録再生用素子は、特に限定されるものではないが、磁気発生素子を有するものが好ましい。具体的には、磁気ヘッドスライダを挙げることができる。
【００４８】
一方、平面視上、第二配線層の端子部と重複する第一配線層は、特に限定されるものではないが、熱アシスト用配線層またはアクチュエータ用配線層であることが好ましい。熱アシスト用素子およびアクチュエータ素子は、サスペンション用基板の金属支持基板側に実装される場合があるからである。また、第一配線層は、熱アシスト用素子またはアクチュエータ素子のグランド用配線層として用いても良い。
【００４９】
熱アシスト用素子は、記録再生用素子の記録を熱によりアシストできるものであれば特に限定されるものではない。中でも、本発明における熱アシスト用素子は、光を利用した素子であることが好ましい。光ドミナント記録方式による熱アシスト記録を行うことができるからである。光を利用した熱アシスト用素子としては、例えば半導体レーザーダイオード素子を挙げることができる。半導体レーザーダイオード素子は、ｐｎ型の素子であっても良く、ｐｎｐ型またはｎｐｎ型の素子であっても良い。
【００５０】
アクチュエータ素子は、通常、マイクロアクチュエータ、ミリアクチュエータが該当する。アクチュエータ素子としては、例えばピエゾ素子を挙げることができる。ピエゾ素子としては、例えばＰＺＴからなるものを挙げることができる。ピエゾ素子の伸縮応答を利用することで、サブミクロン単位での位置決めを行うことができる。また、ピエゾ素子には、エネルギー効率が高い、耐荷重が大きい、応答性が速い、摩耗劣化がない、磁場が発生しないという利点がある。また、本発明においては、２極のピエゾ素子を１個用いても良い。１極のピエゾ素子を２個用いても良い。
【００５１】
Ｂ．サスペンション
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上述したサスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするものである。
【００５２】
図９は、本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。図９に示されるサスペンション３００は、上述したサスペンション用基板１００と、サスペンション用基板１００の金属支持基板側の表面に設けられたロードビーム２００とを有するものである。
【００５３】
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、接続信頼性の高い端子部を有するサスペンションとすることができる。
【００５４】
本発明のサスペンションは、少なくともサスペンション用基板およびロードビームを有する。本発明におけるサスペンション用基板については、上記「Ａ．サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。一方、本発明におけるロードビームは、サスペンション用基板の金属支持基板側の表面に設けられるものである。ロードビームの材料は、特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、ステンレス鋼であることが好ましい。
【００５５】
Ｃ．素子付サスペンション
次に、本発明の素子付サスペンションについて説明する。本発明の素子付サスペンションは、上述したサスペンションと、上記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とするものである。
【００５６】
図１０は、本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。図１０に示される素子付サスペンション４００は、上述したサスペンション３００と、サスペンション３００（サスペンション用基板１００の記録再生用素子実装領域１０１）に実装された記録再生用素子３０１とを有するものである。
【００５７】
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、例えば記録再生用素子との接続信頼性の高い素子付サスペンションとすることができる。
【００５８】
本発明の素子付サスペンションは、少なくともサスペンションおよび記録再生用素子を有する。本発明におけるサスペンションについては、上記「Ｂ．サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、本発明における記録再生用素子については、上記「Ａ．サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、本発明の素子付サスペンションは、上述した熱アシスト用素子およびアクチュエータ素子の少なくとも一方を有していても良い。
【００５９】
Ｄ．ハードディスクドライブ
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするものである。
【００６０】
図１１は、本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。図１１に示されるハードディスクドライブ５００は、上述した素子付サスペンション４００と、素子付サスペンション４００がデータの書き込みおよび読み込みを行うディスク４０１と、ディスク４０１を回転させるスピンドルモータ４０２と、素子付サスペンション４００の素子を移動させるアーム４０３およびボイスコイルモータ４０４と、上記の部材を密閉するケース４０５とを有するものである。
【００６１】
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。
【００６２】
本発明のハードディスクドライブは、少なくとも素子付サスペンションを有し、通常は、さらにディスク、スピンドルモータ、アームおよびボイスコイルモータを有する。素子付サスペンションについては、上記「Ｃ．素子付サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。
【００６３】
Ｅ．サスペンション用基板の製造方法
次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法について説明する。本発明のサスペンション用基板の製造方法は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、上記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、上記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、上記第二絶縁層上に形成された第二配線層とを有し、平面視上、上記第二配線層の端子部の近傍に、第三配線層の端子部が形成され、上記第二配線層の端子部は、上記金属支持基板側の表面に上記第一配線層を有する上記第二絶縁層上に形成され、上記第三配線層の端子部は、上記金属支持基板側の表面に上記第一配線層を有しない上記第二絶縁層上、または、上記第一絶縁層上に形成されたサスペンション用基板の製造方法であって、上記第二配線層の端子部および上記第三配線層の端子部に、同時にめっき部を形成するめっき部形成工程を有し、上記めっき部形成工程において、上記第二配線層の端子部には第一給電端子から給電し、上記第三配線層の端子部には第二給電端子から給電し、上記第二給電端子により給電するめっき面積を、上記第一給電端子により給電するめっき面積よりも小さくすることで、上記第二配線層の端子部に形成される上記めっき部の頂部、および、上記第三配線層の端子部に形成された上記めっき部の頂部を、一致させることを特徴とするものである。
【００６４】
図１２は、本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図１２においては、まず、金属支持部材１Ａ、絶縁部材２Ａおよび導体部材３Ａがこの順に積層された積層部材を準備する（図１２（ａ））。次に、導体部材３Ａに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、第一配線層３ｘを形成する（図１２（ｂ））。次に、第一配線層３ｘ上および絶縁部材２Ａ上に、第二絶縁層２ｙを形成する（図１２（ｃ））。
【００６５】
その後、第二絶縁層２ｙの表面に、スパッタリングによりシード層（図示せず）を形成し、そのシード層の上に、ドライフィルムレジストから構成されるレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出するシード層の表面に、端子部３ｙａを有する第二配線層および端子部３ｚａを有する第三配線層を形成する（図１２（ｄ））。次に、図示しないが、第二配線層および第三配線層を覆うようにカバー層を形成し、絶縁部材２Ａに対してウェットエッチングを行い第一絶縁層２ｘを形成する。
【００６６】
その後、第二配線層の端子部３ｙａおよび第三配線層の端子部３ｚａに、同時にめっき部５を形成する（図１２（ｅ））。この際、第二配線層の端子部３ｙａには第一給電端子から給電し、第三配線層の端子部３ｚａには第二給電端子から給電し、第二給電端子により給電するめっき面積を、第一給電端子により給電するめっき面積よりも小さくする。これにより、端子部３ｚａ上のめっき部５の厚さを、端子部３ｙａ上のめっき部５の厚さよりも厚くできる。次に、図示しないが、金属支持部材１Ａに対して、ウェットエッチングを行い、金属支持基板１を形成する。これにより、サスペンション用基板が得られる。
【００６７】
本発明によれば、第二配線層の端子部および第三配線層の端子部に対して、めっき面積が異なる給電端子を用いて給電することで、第二配線層の端子部に形成されためっき部の頂部、および、第三配線層の端子部に形成されためっき部の頂部が一致したサスペンション用基板を得ることができる。例えば図１３に示すように、第二配線層の端子部およびその他の部位には、第一給電端子１１から給電し、第三配線層の端子部には、第二給電端子１２から給電する。この際、第二給電端子１２により給電するめっき面積Ｓ２を、第一給電端子１１により給電するめっき面積Ｓ１よりも小さくすると、第二給電端子１２からの給電における電流密度は、第一給電端子１１からの給電における電流密度よりも大きくなる。その結果、第三配線層の端子部に形成されるめっき部は、第二配線層の端子部に形成されるめっき部よりも厚く形成される。
【００６８】
また、図１４は、製造途中のサスペンション用基板を示す概略断面図である。製造途中の複数のサスペンション用基板１００は、支持枠１１０と一体化し、シートを構成している。例えば、第一給電端子１１を支持枠１１０の導体部材に形成し、第二給電端子１２を支持枠１１０の金属支持部材に形成することで、二系統の給電が可能となる。なお、金属支持部材（例えばステンレス鋼）を給電端子とする場合には、絶縁部材を貫通するビアを介して、配線層に給電を行うことが好ましい。また、本発明のサスペンション用基板の製造方法は、サブトラクティブ法による製造方法と、アディティブ法による製造方法とに大別することができる。
【００６９】
１．サブトラクティブ法
まず、サブトラクティブ法による製造方法について説明する。サブトラクティブ法による製造方法の一例としては、金属支持部材、絶縁部材および導体部材がこの順に積層された積層部材を準備する積層部材準備工程と、上記導体部材をエッチングし、第一配線層を形成する第一配線層形成工程と、上記第一配線層上に第二絶縁層を形成する第二絶縁層形成工程と、上記第二絶縁層上に第二配線層を形成する第二配線層形成工程と、上記第二配線層を覆うようにカバー層を形成するカバー層形成工程と、上記絶縁部材をエッチングし、第一絶縁層を形成する第一絶縁層形成工程と、上記第二配線層の端子部および上記第三配線層の端子部に、同時にめっき部を形成するめっき部形成工程と、上記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程と、を有する製造方法を挙げることができる。
【００７０】
なお、上述した図１２は、サブトラクティブ法によるサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。
以下、サブトラクティブ法によるサスペンション用基板の製造方法について、工程ごとに説明する。
【００７１】
（１）積層部材準備工程
積層部材準備工程は、金属支持部材と、上記金属支持部材上に形成された絶縁部材と、上記絶縁部材上に形成された導体部材とを有する積層部材を準備する工程である。
【００７２】
サブトラクティブ法においては、積層部材の金属支持部材をエッチングすることにより金属支持基板が得られ、積層部材の絶縁部材をエッチングすることにより第一絶縁層が得られ、積層体の導体部材をエッチングすることにより第一配線層が得られる。積層部材は、市販の三層材であっても良く、金属支持部材に対して絶縁部材および導体部材を順次形成して得られたものであっても良い。
【００７３】
（２）第一配線層形成工程
第一配線層形成工程は、上記導体部材をエッチングし、第一配線層を形成する工程である。
【００７４】
第一配線層の形成方法としては、例えば、積層部材の導体部材上に、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する導体部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いられるエッチング液の種類は、導体部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば導体部材の材料がＣｕである場合には、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。
【００７５】
また、サブトラクティブ法においては、導体部材のエッチングと同時に、金属支持部材のエッチングを行っても良い。金属支持部材のエッチングは、例えば、開口部や治具孔の形成のためのエッチングを挙げることができる。また、必要であれば、後述する金属支持基板形成工程で行う加工の少なくとも一部を、導体部材のエッチングと同時に行っても良い。
【００７６】
（３）第二絶縁層形成工程
第二絶縁層形成工程は、上記第一配線層上に第二絶縁層を形成する工程である。
【００７７】
第二絶縁層の形成方法は、特に限定されるものではなく、第二絶縁層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、第二絶縁層の材料が感光性材料である場合には、全面形成した第二絶縁層に露光現像を行うことによりパターン状の第二絶縁層を得ることができる。また、第二絶縁層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成した第二絶縁層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングにより除去することによりパターン状の第二絶縁層を得ることができる。
【００７８】
（４）第二配線層形成工程
第二配線層形成工程は、上記第二絶縁層上に第二配線層を形成する工程である。
【００７９】
第二配線層の形成方法としては、例えば電解めっき法等を挙げることができる。電解めっき法を用いる場合、第二配線層の形成前に、スパッタリング法等により第二絶縁層の表面にシード層を形成することが好ましい。
【００８０】
（５）カバー層形成工程
カバー層形成工程は、上記第二配線層を覆うようにカバー層を形成する工程である。
【００８１】
カバー層の形成方法は、特に限定されるものではなく、カバー層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、カバー層の材料が感光性材料である場合には、全面形成したカバー層に露光現像を行うことによりパターン状のカバー層を得ることができる。また、カバー層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成したカバー層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングにより除去することによりパターン状のカバー層を得ることができる。
【００８２】
（６）第一絶縁層形成工程
第一絶縁層形成工程は、上記絶縁部材をエッチングし、第一絶縁層を形成する工程である。
【００８３】
第一絶縁層の形成方法としては、例えば、絶縁部材に対して、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する絶縁部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、絶縁部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば絶縁部材の材料がポリイミド樹脂である場合は、アルカリ系エッチング液等を用いることができる。
【００８４】
（７）めっき部形成工程
めっき部形成工程は、上記第二配線層の端子部および上記第三配線層の端子部に、同時にめっき部を形成する工程である。さらに、本発明においては、上記第二配線層の端子部には第一給電端子から給電し、上記第三配線層の端子部には第二給電端子から給電し、上記第二給電端子により給電するめっき面積を、上記第一給電端子により給電するめっき面積よりも小さくすることで、上記第二配線層の端子部に形成される上記めっき部の頂部、および、上記第三配線層の端子部に形成された上記めっき部の頂部を、一致させることを大きな特徴とする。
【００８５】
上述した図１３に示すように、第一給電端子１１により給電するめっき面積をＳ１とし、第二給電端子１２により給電するめっき面積をＳ２とした場合、Ｓ１／Ｓ２の値は、所望のめっき部を形成できる値であれば特に限定されるものではないが、例えば５０〜３００の範囲内であることが好ましく、５０〜２００の範囲内であることがより好ましく、１００〜１５０の範囲内であることがさらに好ましい。
【００８６】
（８）金属支持基板形成工程
金属支持基板形成工程は、上記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する工程である。本工程において、通常は、金属支持基板の外形加工を行う。
【００８７】
金属支持部材をエッチングする方法は特に限定されるものでないが、具体的には、ウェットエッチング等を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、金属支持部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば金属支持部材の材料がステンレス鋼である場合は、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。
【００８８】
２．アディティブ法
次に、アディティブ法による製造方法について説明する。アディティブ法による製造方法の一例としては、金属支持部材を準備する金属支持部材準備工程と、上記金属支持部材上に第一絶縁層を形成する第一絶縁層形成工程と、上記第一絶縁層上に第一配線層を形成する第一配線層形成工程と、上記第一配線層上に第二絶縁層を形成する第二絶縁層形成工程と、上記第二絶縁層上に第二配線層を形成する第二配線層形成工程と、上記第二配線層を覆うようにカバー層を形成するカバー層形成工程と、上記第二配線層の端子部および上記第三配線層の端子部に、同時にめっき部を形成するめっき部形成工程と、上記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程と、を有する製造方法を挙げることができる。
【００８９】
図１５は、アディティブ法によるサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図１５においては、まず、金属支持部材１Ａを準備する（図１５（ａ））。次に、金属支持部材１Ａの表面上に、パターン状の第一絶縁層２ｘを形成する（図１５（ｂ））。次に、第一絶縁層２ｘの表面に、スパッタリングによりシード層（図示せず）を形成し、そのシード層の上に、ドライフィルムレジストから構成されるレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出するシード層の表面に、第一配線層３ｘを形成する（図１５（ｃ））。その後の工程である図１５（ｄ）〜（ｆ）については、上述した図１２（ｃ）〜（ｅ）に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
以下、サブトラクティブ法によるサスペンション用基板の製造方法について、工程ごとに説明する。
【００９０】
（１）金属支持部材準備工程
金属支持部材準備工程は、金属支持部材を準備する工程である。金属支持部材には、例えば市販の金属支持部材を用いることができる。
【００９１】
（２）第一絶縁層形成工程
第一絶縁層形成工程は、上記金属支持部材上に、第一絶縁層を形成する工程である。
【００９２】
第一絶縁層の形成方法は、特に限定されるものではなく、第一絶縁層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、第一絶縁層の材料が感光性材料である場合には、全面形成した第一絶縁層に露光現像を行うことによりパターン状の第一絶縁層を得ることができる。また、第一絶縁層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成した第一絶縁層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングにより除去することによりパターン状の第一絶縁層を得ることができる。
【００９３】
（３）第一配線層形成工程
第一配線層形成工程は、上記第一絶縁層上に第一配線層を形成する工程である。
【００９４】
第一配線層の形成方法としては、例えば電解めっき法等を挙げることができる。電解めっき法を用いる場合、第一配線層の形成前に、スパッタリング法等により第一絶縁層の表面にシード層を形成することが好ましい。
【００９５】
（４）その他の工程
その他の工程については、上述したサブトラクティブ法による製造方法で記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
【００９６】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００９７】
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
【００９８】
［実施例１］
まず、厚さ１８μｍのＳＵＳ３０４（金属支持部材）、厚さ１０μｍのポリイミド樹脂層（絶縁部材）、厚さ９μｍの電解銅層（導体部材）を有する積層部材を準備した（図１２（ａ））。次に、ドライフィルムレジストを積層部材の両面にラミネートし、レジストパターンを形成した。次に、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、エッチング後レジスト剥膜を行った。これにより、導体部材から第一配線層を形成し（図１２（ｂ）、金属支持部材に治具孔を形成した。
【００９９】
その後、パターニングされた第一配線層上に、ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングし、所定のパターニングにより第二絶縁層を形成した（図１２（ｃ））。次に、第二絶縁層側の表面に、スパッタリング法によりＣｒからなるシード層を形成した。次に、シード層上に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する部分に、電解銅めっき法により、第二配線層および第三配線層を形成した（図１２（ｄ））。
【０１００】
シード層の除去後、パターニングされた第二配線層上および第三配線層上に、ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングし、所定のパターニングによりカバー層を形成した。次に、絶縁部材をパターニングするために、レジスト製版し、露出する部位のポリイミド樹脂をウェットエッチングで除去し、第一絶縁層を形成した。
【０１０１】
その後、第二配線層の端子部および第三配線層の端子部に、電解Ａｕめっきによりめっき部を形成した（図１２（ｅ））。第二配線層の端子部には第一給電端子から給電し、第三配線層の端子部には第二給電端子から給電し、第一給電端子により給電するめっき面積Ｓ１および第二給電端子により給電するめっき面積Ｓ２の割合を、Ｓ１：Ｓ２＝１５０：１とした。また、めっき条件は、電流０．８Ａ、電圧１．８Ｖ、温度６５℃、時間１８０秒とした。最後に、金属支持基板の外形加工を行った。これにより、サスペンション用基板を得た。
【０１０２】
得られたサスペンション用基板に対して、めっき部の厚さを測定した。その結果、図４（ａ）に示すＤ１は２．８μｍであった。また、第二配線層の端子部３ｙａ上に形成されためっき部５の厚さは２．８μｍであり、第三配線層の端子部３ｚａ上に形成されためっき部５の厚さは３．９μｍであった。
【０１０３】
［実施例２］
まず、厚さ１８μｍのＳＵＳ３０４（金属支持部材）を用意した（図１５（ａ））。次に、金属支持部材上に、感光性ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングし、所定のパターニングにより第一絶縁層を形成した（図１５（ｂ））。次に、第一絶縁層側の表面に、スパッタリング法によりＣｒからなるシード層を形成した。次に、シード層上に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する部分に、電解銅めっき法により、第一配線層を形成した（図１５（ｃ））。
【０１０４】
シード層の除去後、パターニングされた第一配線層上に、感光性ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングし、所定のパターニングにより第二絶縁層を形成した（図１５（ｄ））。次に、第二絶縁層側の表面に、スパッタリング法によりＣｒからなるシード層を形成した。次に、シード層上に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する部分に、電解銅めっき法により、および第三配線層を形成した（図１５（ｅ））。
【０１０５】
シード層の除去後、パターニングされた第二配線層上および第三配線層上に、ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングし、所定のパターニングによりカバー層を形成した。次に、絶縁部材をパターニングするために、レジスト製版し、露出する部位のポリイミド樹脂をウェットエッチングで除去し、第一絶縁層を形成した。
【０１０６】
その後、第二配線層の端子部および第三配線層の端子部に、電解Ａｕめっきによりめっき部を形成した（図１２（ｆ））。第二配線層の端子部には第一給電端子から給電し、第三配線層の端子部には第二給電端子から給電し、第一給電端子により給電するめっき面積Ｓ１および第二給電端子により給電するめっき面積Ｓ２の割合を、Ｓ１：Ｓ２＝１５０：１とした。また、めっき条件は、電流０．８Ａ、電圧１．８Ｖ、温度６５℃、時間１８０秒とした。最後に、金属支持基板の外形加工を行った。これにより、サスペンション用基板を得た。
【符号の説明】
【０１０７】
１…金属支持基板、 ２ｘ…第一絶縁層、 ２ｙ…第二絶縁層、 ３ｘ…第一配線層、 ３ｙ…第二配線層、 ３ｚ…第三配線層、 ３ｙａ…第二配線層の端子部、 ３ｚａ…第三配線層の端子部、 ４…カバー層、 ５…めっき部、 ５ａ…第一めっき部、 ５ｂ…第二めっき部、 １１…第一給電部、 １２…第二給電部、 １００…サスペンション用基板、 １０１…記録再生用素子実装領域、 １０２…外部回路基板接続領域、 １０３…配線層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、前記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、前記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、前記第二絶縁層上に形成された第二配線層と、を有するサスペンション用基板であって、
平面視上、前記第二配線層の端子部の近傍に、第三配線層の端子部が形成され、
前記第二配線層の端子部は、前記金属支持基板側の表面に前記第一配線層を有する前記第二絶縁層上に形成され、
前記第三配線層の端子部は、前記金属支持基板側の表面に前記第一配線層を有しない前記第二絶縁層上、または、前記第一絶縁層上に形成され、
前記第二配線層の端子部および前記第三配線層の端子部には、それぞれ、同じ材料から構成されるめっき部が形成され、
前記第二配線層の端子部に形成された前記めっき部の頂部、および、前記第三配線層の端子部に形成された前記めっき部の頂部が、一致していることを特徴とするサスペンション用基板。
【請求項２】
前記第二配線層および前記第三配線層が、記録再生用素子と接続される配線層であることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板。
【請求項３】
平面視上、前記第二配線層の端子部と重複する前記第一配線層が、熱アシスト用配線層であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のサスペンション用基板。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板と、前記サスペンション用基板の前記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンション。
【請求項５】
請求項４に記載のサスペンションと、前記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンション。
【請求項６】
請求項５に記載の素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブ。
【請求項７】
金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、前記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、前記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、前記第二絶縁層上に形成された第二配線層とを有し、平面視上、前記第二配線層の端子部の近傍に、第三配線層の端子部が形成され、前記第二配線層の端子部は、前記金属支持基板側の表面に前記第一配線層を有する前記第二絶縁層上に形成され、前記第三配線層の端子部は、前記金属支持基板側の表面に前記第一配線層を有しない前記第二絶縁層上、または、前記第一絶縁層上に形成されたサスペンション用基板の製造方法であって、
前記第二配線層の端子部および前記第三配線層の端子部に、同時にめっき部を形成するめっき部形成工程を有し、
前記めっき部形成工程において、前記第二配線層の端子部には第一給電端子から給電し、前記第三配線層の端子部には第二給電端子から給電し、前記第二給電端子により給電するめっき面積を、前記第一給電端子により給電するめっき面積よりも小さくすることで、前記第二配線層の端子部に形成される前記めっき部の頂部、および、前記第三配線層の端子部に形成された前記めっき部の頂部を、一致させることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１】
金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、前記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、前記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、前記第二絶縁層上に形成された第二配線層と、を有するサスペンション用基板であって、
平面視上、前記第二配線層の端子部の近傍に、第三配線層の端子部が形成され、
前記第二配線層の端子部は、前記金属支持基板側の表面に前記第一配線層を有する前記第二絶縁層上に形成され、
前記第三配線層の端子部は、前記金属支持基板側の表面に前記第一配線層を有しない前記第二絶縁層上、または、前記第一絶縁層上に形成され、
前記第二配線層の端子部および前記第三配線層の端子部には、それぞれ、同じ材料から構成されるめっき部が形成され、
前記第二配線層の端子部に形成された前記めっき部の頂部、および、前記第三配線層の端子部に形成された前記めっき部の頂部が、一致していることを特徴とするサスペンション用基板。
【請求項２】
前記第二配線層および前記第三配線層が、記録再生用素子と接続される配線層であることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板。
【請求項３】
平面視上、前記第二配線層の端子部と重複する前記第一配線層が、熱アシスト用配線層であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のサスペンション用基板。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板と、前記サスペンション用基板の前記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンション。
【請求項５】
請求項４に記載のサスペンションと、前記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンション。
【請求項６】
請求項５に記載の素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブ。
【請求項７】
金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、前記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、前記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、前記第二絶縁層上に形成された第二配線層とを有し、平面視上、前記第二配線層の端子部の近傍に、第三配線層の端子部が形成され、前記第二配線層の端子部は、前記金属支持基板側の表面に前記第一配線層を有する前記第二絶縁層上に形成され、前記第三配線層の端子部は、前記金属支持基板側の表面に前記第一配線層を有しない前記第二絶縁層上、または、前記第一絶縁層上に形成されたサスペンション用基板の製造方法であって、
前記第二配線層の端子部および前記第三配線層の端子部に、同時にめっき部を形成するめっき部形成工程を有し、
前記めっき部形成工程において、前記第二配線層の端子部には第一給電端子から給電し、前記第三配線層の端子部には第二給電端子から給電し、前記第二給電端子により給電するめっき面積を、前記第一給電端子により給電するめっき面積よりも小さくすることで、前記第二配線層の端子部に形成される前記めっき部の頂部、および、前記第三配線層の端子部に形成された前記めっき部の頂部を、一致させることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２０１３−６５３６４（Ｐ２０１３−６５３６４Ａ）
【公開日】平成２５年４月１１日（２０１３．４．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２０１９０４（Ｐ２０１１−２０１９０４）
【出願日】平成２３年９月１５日（２０１１．９．１５）
【出願人】（０００００２８９７）大日本印刷株式会社 (14,506)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年４月１１日（２０１３．４．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月１５日（２０１１．９．１５）
【出願人】（０００００２８９７）大日本印刷株式会社 (14,506)
【Ｆターム（参考）】
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