シラニルアミン系化合物、その製造方法及びそれを含む有機膜を備えた有機発光素子
【課題】シラニルアミン系化合物、その製造方法及びそれを含む有機膜を備えた有機発光素子を提供する。
【解決手段】シラニル化合物は下記化学式で示される。
化合物は、優れた電気的特性及び電荷輸送能力を有し、あらゆるカラーの蛍光及び燐光有機発光素子の正孔注入層、正孔輸送層及び／または発光層の形成材料として有用で、この化合物を含む有機膜を備えた有機発光素子は、高効率、低電圧、高輝度、長寿命を有する。
【解決手段】シラニル化合物は下記化学式で示される。
化合物は、優れた電気的特性及び電荷輸送能力を有し、あらゆるカラーの蛍光及び燐光有機発光素子の正孔注入層、正孔輸送層及び／または発光層の形成材料として有用で、この化合物を含む有機膜を備えた有機発光素子は、高効率、低電圧、高輝度、長寿命を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シラニルアミン系化合物、その製造方法及びそれを含む有機膜を備えた有機発光素子に係り、さらに詳細には、電気的な安定性と高い電荷輸送能力を有し、ガラス転移温度が高く、結晶化を防止できる材料であるシラニルアミン系化合物、その製造方法及びそれを含む有機膜を備えた有機発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）は、自発光型の表示素子であり、視野角が広く、コントラストに優れるだけでなく、応答時間が速いという長所を有し、非常に注目されている。また、前記有機発光素子は、駆動電圧及び応答速度特性に優れ、多色化が可能であるという点で多くの研究が行われている。
【０００３】
有機発光素子は、一般的にアノード／発光層／カソードの積層構造を有し、前記アノードと発光層との間に正孔注入層や正孔輸送層、発光層とカソードとの間に電子注入層をさらに積層して、アノード／正孔輸送層／発光層／カソード、またはアノード／正孔輸送層／発光層／電子注入層／カソードのような構造を有する。
【０００４】
前記正孔輸送層の形成材料として、例えば、フルオレン誘導体またはアントラセン誘導体が知られている（特許文献１、２）。
【０００５】
しかし、従来の正孔輸送層の形成材料からなる正孔輸送層を備えた有機発光素子は、寿命、効率及び消費電力の特性が満足できるほどのレベルには達していないため、その改善が要求されている。
【特許文献１】米国特許第６，５９６，４１５号明細書
【特許文献２】米国特許第６，４６５，１１５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前記問題点を解決するために、本発明は、電気的な安定性と高い電荷輸送能力を有し、ガラス転移温度が高く、結晶化を防止できる材料であって、赤色、緑色、青色、白色などのあらゆるカラーの蛍光及び燐光有機発光素子に適した有機膜形成材料、及びその製造方法を提供することを目的とする。また、それを含む有機膜を備える高効率、低駆動電圧、高輝度、長寿命を有する有機発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するために、本発明は、下記化学式１で示されるシラニルアミン系化合物を提供する。
【化１】
【０００８】
前記化学式１中、Ｘは、単一結合、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のアルキレン基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリーレン基、または置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリーレン基であり、ｎは、１〜５から選択される整数であり、Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立して水素、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、または置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基であり、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、互いに独立して水素、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のアルキル基、置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のアルケニル基、置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のアルキニル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のアルコキシ基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリールオキシ基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、または置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基であり、前記Ｒ１、Ｒ２及びＲ３のうち互いに隣接した２以上は、互いに連結して飽和または不飽和環を形成できる。
【０００９】
本発明の他の目的を達成するために、本発明は、下記化学式１ａで示されるアミン化合物と下記化学式１ｂで示されるシラン化合物とを反応させて、下記化学式１で示されるシラニルアミン系化合物の製造方法を提供する。
【化２】
【００１０】
前記反応式１中、Ｘ、ｎ、Ａｒ１、Ａｒ２、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、前述した通りであり、Ｙは、ハロゲン原子である。
【００１１】
前記本発明のさらに他の目的を達成するために、本発明は、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極に挟持される前記シラニルアミン系化合物を含む有機膜、を備えた有機発光素子を提供する。
【００１２】
前記化学式１で示されるシラニルアミン系化合物を含む有機膜を備えた有機発光素子は、低駆動電圧、高輝度、高効率、高電流密度、長寿命特性を有する。
【発明の効果】
【００１３】
前記化学式１で示されるシラニルアミン系化合物は、優れた電気的特性及び電荷輸送能力を有し、赤色、緑色、青色、白色などのあらゆるカラーの蛍光と燐光素子に適した正孔注入材料、正孔輸送材料及び／または発光材料として有用である。これを利用すれば、高効率、低駆動電圧、高輝度、長寿命特性を有する有機発光素子を製作できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
【００１５】
本発明におけるシラニルアミン系化合物は、下記化学式１で示される。
【化３】
【００１６】
前記化学式１で示されるシラニルアミン系化合物は、アミン誘導体とシラン誘導体とが連結基−（Ｘ）ｎ−を挟んで結合されたものである。
【００１７】
前記化学式１中、Ｘは、単一結合、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のアルキレン基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリーレン基、または置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリーレン基からなる群から選択される。前記化学式１において、Ｘが単一結合の場合、ＮとＳｉは直接結合する。
【００１８】
前記化学式１中、ｎは、１〜５から選択される整数である。
【００１９】
前記化学式１中、Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立して水素、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、または置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基からなる群から選択される。
【００２０】
前記化学式１中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、互いに独立して水素、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のアルキル基、置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のアルケニル基、置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のアルキニル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のアルコキシ基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリールオキシ基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、または置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基からなる群から選択され、前記Ｒ１、Ｒ２及びＲ３のうち互いに隣接した２以上は、互いに連結して飽和または不飽和環を形成してもよい。その例として、ナフタレン、フルオレン、アントラセン、カルバゾールなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２１】
本発明における化学式１において、Ｃ１−Ｃ３０のアルキル基の具体的な例としては、メチル、エチル、プロピル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ペンチル、ｉｓｏ−アミル、ヘキシルなどが挙げられ、前記アルキル基のうち一つ以上の水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アミジノ基、ヒドラジン、ヒドラゾン、カルボキシル基やその塩、スルホン酸基やその塩、燐酸やその塩、またはＣ１−Ｃ３０のアルキル基、Ｃ２−Ｃ３０のアルケニル基、Ｃ２−Ｃ３０のアルキニル基、Ｃ６−Ｃ３０のアリール基、Ｃ７−Ｃ２０のアリールアルキル基、Ｃ２−Ｃ２０のヘテロアリール基、Ｃ３−Ｃ３０のヘテロアリールアルキル基、Ｃ６−Ｃ３０のアリールオキシ基、または−Ｎ（Ｚ１）（Ｚ２）で示される置換基、からなる群から選択される置換基で置換されていてもよい。このとき、前記Ｚ１及びＺ２は、互いに独立して水素、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のアルキル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のハロアルキル基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のハロアリール基、及び置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基からなる群から選択される。
【００２２】
本発明における化学式１において、Ｃ１−Ｃ３０のアルキレン基は、前記アルキル基と類似した構造を有する２価の連結基であって、その具体的な例としては、メチレン基、エチレン基などが挙げられる。これらのアルキレン基のうち少なくとも一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同様の置換基で置換可能である。
【００２３】
本発明における化学式１において、Ｃ１−Ｃ３０のアルコキシ基の具体的な例として、メトキシ、エトキシ、フェニルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ナフチルオキシ、イソプロピルオキシ、ジフェニルオキシなどが挙げられ、これらのアルコキシ基のうち少なくとも一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同様の置換基で置換可能である。
【００２４】
本発明における化学式１において、Ｃ２−Ｃ３０のアルケニル基は、前記定義されたようなアルキル基の中間や終端に炭素二重結合を一つ以上含んでいることを意味する。例としては、ビニル、プロペニル、ブテニル、ヘキシニルなどがある。これらのアルケニル基のうち少なくとも一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同様の置換基で置換可能である。
【００２５】
本発明における化学式１において、Ｃ２−Ｃ３０のアルキニル基は、前記定義されたようなアルキル基の中間や終端に炭素三重結合を一つ以上含んでいることを意味する。例としては、エチニル、プロピニル、フェニルアセチニル、ナフチルアセチニル、３−メチル−１−ブチニル、３，３−ジメチル−１−ブチニルなどがある。これらのアルキニル基のうち少なくとも一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同様の置換基に置換可能である。
【００２６】
本発明の化学式１のうち、Ｃ６−Ｃ３０のアリール基は、一つ以上の芳香族環を含む炭素原子数６ないし３０個の単環、多環、縮合多環の芳香族環を意味する。前記アリール基のうち一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同様の置換基で置換可能である。
【００２７】
前記化学式１中、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基の例としては、フェニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルフェニル基（例えば、エチルフェニル基）、ハロフェニル基（例えば、ｏ−、ｍ−及びｐ−フルオロフェニル基、ジクロロフェニル基）、シアノフェニル基、ジシアノフェニル基、トリフルオロメトキシフェニル基、ビフェニル基、ハロビフェニル基、シアノビフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルビフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシビフェニル基、ｏ−、ｍ−、及びｐ−トリル基、ｏ−、ｍ−及びｐ−クメニル基、メシチル基、フェノキシフェニル基、（α，α−ジメチルベンゼン）フェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジメチル）アミノフェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）アミノフェニル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、ハロナフチル基（例えば、フルオロナフチル基）、Ｃ１−Ｃ１０アルキルナフチル基（例えば、メチルナフチル基）、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシナフチル基（例えば、メトキシナフチル基）、シアノナフチル基、アントラセニル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、アセナフチレニル基、フェナレニル基、フルオレニル基、アントラキノリル基、メチルアントリル基、フェナントリル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、エチルクリセニル基、ピセニル基、フェリレニル基、クロロフェリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、ルビセニル基、コロネリル基、トリナフチレニル基、ヘプタフェニル基、ヘプタセニル基、ピラントレニル基などが挙げられる。これらは、前記アルキル基と同様な置換基で置換されてもよいことは言うまでもない。
【００２８】
本発明における化学式１において、Ｃ６−Ｃ３０のアリーレン基は、前記アリール基と類似した構造を有する２価の連結基であって、その例としては、フェニレン基、ナフチレン基などがあるが、これに限定されるものではない。前記アリーレン基のうち一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同様の置換基で置換可能である。
【００２９】
本発明における化学式１において、Ｃ２−Ｃ３０のヘテロアリール基は、Ｎ、Ｏ、ＰまたはＳのうちから選択された１個以上のヘテロ原子を含む、単環、多環、及び縮合多環の芳香族複素環化合物を意味する。前記ヘテロアリール基のうち一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同様の置換基で置換可能である。
【００３０】
前記化学式１において、Ｃ２−Ｃ３０のヘテロアリール基の具体例には、ピラゾリル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、オキサジアゾリル基、ピリジニル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、カルバゾリル基、インドリル基、キノリニル基、イソキノリニル基などが挙げられる。これらは、前記アルキル基の場合と同様の置換基で置換されることは言うまでもない。
【００３１】
前記化学式１において、Ｃ２−Ｃ３０のヘテロアリーレン基は、前記ヘテロアリール基と類似した構造を有する２価の連結基であって、前記ヘテロアリーレン基の一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同様の置換基で置換可能である。
【００３２】
前記化学式１におて、Ｃ６−Ｃ３０のアリールオキシ基は、−ＯＡで表示される基であって、前記Ａは、前述のようなアリール基であり、その例にはフェノキシ基などがあり、前記アリールオキシ基のうち一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同様の置換基で置換可能である。
【００３３】
前記化学式１において、望ましくは、Ｘは、置換または非置換のＣ１−Ｃ１０のアルキレン基、置換または非置換のフェニレン、置換または非置換のナフチレン、置換または非置換のフルオレニレン、置換または非置換のアントラセニレン、置換または非置換のピリジニレン、置換または非置換のキノリレン、置換または非置換のイソキノリレン、置換または非置換のアントラキノリレン、及び置換または非置換のカルバゾリレンからなる群から選択された一つである。
【００３４】
さらに具体的に、前記Ｘは、下記化学式２に記載された構造のうちから選択された一つ以上であるが、これらに限定されるものではない。
【化４】
【００３５】
前記化学式２中、Ｒ４及びＲ５は、互いに独立して水素、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のアルキル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のアルコキシ基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、及び置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基からなる群から選択される。望ましくは、前記Ｒ４及びＲ５は、互いに独立してフェニル基またはハロフェニル基である。
【００３６】
前述の化学式１において、−（Ｘ）ｎ−は、下記化学式３に記載された構造のうちから選択された一つであるが、これに限定されるものではない。
【化５】
【００３７】
一方、前記化学式１中、Ａｒ１及びＡｒ２は、望ましくは、互いに独立して置換または非置換のＣ６−Ｃ１２のアリール基、または置換または非置換のＣ３−Ｃ１５のヘテロアリール基である。
【００３８】
さらに具体的に、前記Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立してフェニル基、ハロフェニル基、シアノフェニル基、Ｃ１−Ｃ５アルキルフェニル基、Ｃ１−Ｃ５アルコキシフェニル基、フェノキシフェニル基、−Ｎ（Ｚ１）（Ｚ２）に置換されたフェニル基、ビフェニル基、ハロビフェニル基、シアノビフェニル基、Ｃ１−Ｃ５アルキルビフェニル基、Ｃ１−Ｃ５アルコキシビフェニル基、−Ｎ（Ｚ１）（Ｚ２）で置換されたビフェニル基、ナフチル基、ハロナフチル基、シアノナフチル基、Ｃ１−Ｃ５アルキルナフチル基、Ｃ１−Ｃ５アルコキシナフチル基、フェノキシナフチル基、−Ｎ（Ｚ１）（Ｚ２）で置換されたナフチル基、フルオレニル基、ハロフルオレニル基、シアノフルオレニル基、Ｃ１−Ｃ５アルキルフルオレニル基、Ｃ１−Ｃ５アルコキシフルオレニル基、フェノキシフルオレニル基、カルバゾリル基、ハロカルバゾリル基、シアノカルバゾリル基、Ｃ１−Ｃ５アルキルカルバゾリル基、Ｃ１−Ｃ５アルコキシカルバゾリル基、フェノキシカルバゾリル基、−Ｎ（Ｚ１）（Ｚ２）で置換されたカルバゾリル基、Ｃ６−Ｃ１２アリールカルバゾリル基、Ｃ６−Ｃ１２ハロアリールカルバゾリル基、ピリジル基、ハロピリジル基、シアノピリジル基、Ｃ１−Ｃ５アルキルピリジル基、Ｃ１−Ｃ５アルコキシピリジル基、フェノキシピリジル基、及び−Ｎ（Ｚ１）（Ｚ２）で置換されたピリジル基からなる群から選択される。
【００３９】
このとき、前記Ｚ１及びＺ２は、前述のように、互いに独立して水素、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のアルキル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のハロアルキル基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のハロアリール基、及び置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基からなる群から選択される。望ましくは、前記Ｚ１及びＺ２は、互いに独立してＣ６−Ｃ１２のアリール基、またはＣ６−Ｃ１２のハロアリール基であるが、これらに限定されるものではない。
【００４０】
本発明の一具現例によれば、前記化学式１において、Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立して下記化学式４に記載された構造のうちから選択された一つであるが、これらに限定されるものではない。
【化６】
【００４１】
前記化学式４中、ｍは、１〜５から選択される整数である。
【００４２】
前記化学式１中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、例えば、互いに独立して置換または非置換のＣ１−Ｃ１０のアルキル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ１０のアルコキシ基、置換または非置換のＣ６−Ｃ１２のアリール基、置換または非置換のＣ６−Ｃ１２のアリールオキシ基、または置換または非置換のＣ３−Ｃ１２のヘテロアリール基である。
【００４３】
さらに具体的には、前記化学式１において、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、互いに独立してＣ１−Ｃ１０のアルキル基、フェニル基、ハロフェニル基、シアノフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシフェニル基、ビフェニル基、ハロビフェニル基、ナフチル基、ハロナフチル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルナフチル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシナフチル基などから選択されるが、これらに限定されるものではない。
【００４４】
前述のような化学式１で示されるシラニルアミン系化合物は、下記化合物１ないし１６８で例示されるが、本発明によるシラニルアミン系化合物は、これらに限定されるものではない。
【化７】
【００４５】
【００４６】
【００４７】
【００４８】
【００４９】
【００５０】
【００５１】
【００５２】
【００５３】
【００５４】
【００５５】
【００５６】
【００５７】
【００５８】
【００５９】
【００６０】
【００６１】
【００６２】
前記化学式１で示されるシラニルアミン系化合物は、多様な方法で製造できる。前記シラニルアミン系化合物の製造方法の一具現例は、下記化学式１ａで示される化合物を下記化学式１ｂで示される化合物と反応させて、下記化学式１で示されるシラニルアミン系化合物を得る段階を含む。
【化８】
【００６３】
前記反応式１中、Ｘ、ｎ、Ａｒ１、Ａｒ２、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３についての詳細な説明は、前述のとおりである。一方、前記化学式１ｂ中、Ｙは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのようなハロゲン原子である。
【００６４】
前述のように、反応式１で示される反応は、Ｐｄ２（ｄｂａ）３（ｄｂａ＝ジベンジリデンアセトン）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド及びトリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン存在下で実施され、反応温度は、５０℃〜１５０℃である。
【００６５】
本発明における有機発光素子は、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極との間に前述のような化学式１で示されるシラニルアミン系化合物を含む有機膜を備える。前記化学式１で示されるシラニルアミン系化合物を含む有機膜は、正孔注入層または正孔輸送層であってもよく、正孔注入機能及び正孔輸送機能を共に有する単一膜であってもよい。または前記化学式１で示されるシラニルアミン系化合物を含む有機膜は、発光層であってもよい。前記発光層は、燐光材料または蛍光材料を含む。一方、前記第１電極は、アノードであり、前記第２電極は、カソードであるが、これと反対の場合も可能であるというのは言うまでもない。
【００６６】
前述のような有機発光素子は、必要に応じて、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、及び電子注入層のうちの一層以上の層をさらに備えてもよい。例えば、本発明による有機発光素子は、第１電極／正孔注入層／発光層／第２電極、第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／第２電極、または第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極の構造を有してもよい。または前記有機発光素子は、第１電極／正孔注入機能及び正孔輸送機能を同時に有する単一膜／発光層／電子輸送層／第２電極、または第１電極／正孔注入機能及び正孔輸送機能を同時に有する単一膜／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極の構造を有してもよい。
【００６７】
以下、本発明における有機発光素子の製造方法を図１に示す有機発光素子を参照して説明する。図１の有機発光素子は、基板、第１電極（アノード）、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、電子注入層（ＥＩＬ）、及び第２電極（カソード）を備えている。
【００６８】
まず、基板の上部に大きい仕事関数を有する第１電極用の物質を蒸着法またはスパッタリング法などにより積層して第１電極を形成する。前記第１電極は、アノードである。ここで、基板としては、一般的な有機発光素子で使われる基板を使用するが、機械的強度、熱的安定性、透明性、表面平滑性、取扱容易性及び防水性に優れたガラス基板または透明プラスチック基板が望ましい。第１電極用の物質としては、電気伝導性に優れた酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇなどを利用でき、透明電極または反射電極として形成する。
【００６９】
次に、前記第１電極の上部に真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ラングミュアブロジェット（ＬＢ）法のような多様な方法を利用して正孔注入層（ＨＩＬ）を形成する。
【００７０】
真空蒸着法によって正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は、正孔注入層の材料として使用する化合物、目的とする正孔注入層の構造、及び熱的特性などによって異なるが、一般的に、蒸着温度１００〜５００℃、真空度１０−８〜１０−３ｔｏｒｒ、蒸着速度０．０１〜１００Å／ｓｅｃ、膜厚は、通常１０Å〜５μｍの範囲で適切に選択することが望ましい。
【００７１】
スピンコーティング法によって正孔注入層を形成する場合、そのコーティング条件は、正孔注入層の材料として使用する化合物、目的とする正孔注入層の構造及び熱的特性によって異なるが、約２０００ｒｐｍ〜５０００ｒｐｍのコーティング速度、コーティング後の溶媒除去のための熱処理温度は、約８０℃〜２００℃の温度範囲で適切に選択することが望ましい。
【００７２】
前記正孔注入層の物質としては、前述のような化学式１で示されるシラニルアミン系化合物を利用できる。または、公知の正孔注入層物質を使用することもできるが、例えば、米国特許第４，３５６，４２９号明細書に開示された銅フタロシアニンなどのフタロシアニン化合物またはＡｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ，６，ｐ．６７７（１９９４）に記載されているスターバースト型アミン誘導体類であるＴＣＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＰＢ、溶解性のある電気伝導性高分子であるＰａｎｉ／ＤＢＳＡ（ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸）またはＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホン酸））、Ｐａｎｉ／ＣＳＡ（ポリアニリン／ショウノウスルホン酸）並びにＰＡＮＩ／ＰＳＳ（ポリアニリン）／ポリ（４−スチレンスルホン酸））などを使用できる。
【化９】
【００７３】
前記正孔注入層の厚さは、約１００Å〜１００００Å、望ましくは、１００Å〜１０００Åである。前記正孔注入層の厚さが前述のような範囲を満足する場合、優れた正孔注入特性及び駆動電圧特性が得られる。
【００７４】
次に、前記正孔注入層の上部に真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法のような多様な方法を利用して、正孔輸送層（ＨＴＬ）を形成する。真空蒸着法及びスピンコーティング法によって正孔輸送層を形成する場合、その蒸着条件及びコーティング条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲を選択できる。
【００７５】
前記正孔輸送層の物質は、前述のような化学式１で示されるシラニルアミン系化合物でありうる。または、公知の正孔輸送層物質を利用することもできるが、例えば、Ｎ−フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾールなどのカルバゾール誘導体、４，４’−ビス[Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ]ビフェニル（ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−[１，１−ビフェニル]−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（α−ＮＰＤ）などの芳香族縮合環を有する一般的なアミン誘導体などが使われる。
【化１０】
【００７６】
前記正孔輸送層の厚さは、約５０Å〜１０００Å、望ましくは、１００Å〜６００Åである。前記正孔輸送層の厚さが前述のような範囲を満足する場合、優れた正孔輸送特性及び駆動電圧特性が得られる。
【００７７】
次に、前記正孔輸送層の上部に真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法のような方法を利用して、発光層（ＥＭＬ）を形成する。真空蒸着法及びスピンコーティング法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲中から選択される。
【００７８】
前記発光層は、前述のような化学式１で示されるシラニルアミン系化合物を含んでいてもよい。または、前記発光層は、公知の多様な発光物質を利用して形成できるが、公知のホスト及びドーパントを利用して形成することもできる。前記ドーパントの場合、公知の蛍光ドーパント及び燐光ドーパントのいずれも使用できる。
【００７９】
例えば、ホストとしては、Ａｌｑ３、ＣＢＰ（４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール−ビフェニル）、ＰＶＫ（ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール））またはＤＳＡ（ジスチリルアリーレン）、ＩＤＥ２１５（出光社製）などを使用できるが、これらに限定されるものではない。
【００８０】
ドーパントの場合、蛍光ドーパントとしては、出光社から購入可能なＩＤＥ１０２、ＩＤＥ１０５、ＩＤＥ１１８を使用でき、燐光ドーパントとしては、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（ｐｐｙはフェニルピリジンの略語である）（緑色）、（４，６−Ｆ２ｐｐｙ）２ｒｐｉｃ（参照文献：Ｃｈｉｈａｙａ Ａｄａｃｈｉ ｅｔｃ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７９，２０８２−２０８４、２００１）、Ｃｏｖｉｏｎ社のＴＥＢ００２、ＰｔＯＥＰ（白金（ＩＩ）オクタエチルポルフィリン）、下記化学式５で示される化合物（大韓民国特許公開第２００５−００７８４７２号公報参照）、Ｆｉｒｐｒｉｃ，ＵＤＣ社の赤色燐光ドーパントであるＲＤ６１などを使用できるが、これらに限定されるものではない。
【化１１】
【００８１】
前記ドーパントの含有量は、発光層の形成材料１００重量部（すなわち、ホストとドーパントとの総重量を１００重量部とする）を基準として、０．１〜２０重量部、特に、０．５〜１２重量部であることが望ましい。ドーパントの含有量が０．１重量部以上であれば、ドーパントの付加による発光効果が十分であり、２０重量部以下であれば、燐光や蛍光でいずれも発生しうる濃度クエンチング（ｑｕｅｎｃｈｉｎｇ）のような濃度消光が実質的に防止できる。
【００８２】
前記発光層の厚さは、約１００Å〜１０００Åであり、望ましくは、２００Å〜６００Åである。前記発光層の厚さが前述のような範囲を満足する場合、優れた発光特性及び駆動電圧特性を有する。
【００８３】
発光層が燐光ドーパントを含む場合、三重項励起子または正孔が電子輸送層に拡散する現象を防止するために、正孔阻止層（ＨＢＬ）を発光層の上部に形成してもよい（図１には図示せず）。このとき、使用できる正孔阻止層物質は、特に制限されず、公知の正孔阻止層物質から任意に選択して利用できる。例えば、オキサジアゾール誘導体やトリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、または特開平１１−３２９７３４（Ａ１）号公報に記載されている正孔阻止材料、ＢＡｌｑ、ＢＣＰなどを利用できる。
【００８４】
前記正孔阻止層の厚さは、約５０Å〜１０００Åであり、望ましくは、１００Å〜３００Åである。前記正孔阻止層の厚さが前述のような範囲を満足する場合、優れた正孔阻止特性及び駆動電圧特性が得られる。
【００８５】
次に、電子輸送層（ＥＴＬ）を真空蒸着法、またはスピンコーティング法、キャスト法などの多様な方法を利用して形成する。真空蒸着法及びスピンコーティング法により電子輸送層を形成する場合、その条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲を選択できる。
【００８６】
前記電子輸送層物質は、特に限定されず、公知の電子輸送層の形成材料から任意に選択されうる。例えば、キノリン誘導体、特に、トリス（８−キノリノレーチ）アルミニウム（Ａｌｑ３）、ＴＡＺのような公知の材料を利用できる。
【００８７】
前記電子輸送層の厚さは、約１００Å〜１０００Åであり、望ましくは、１００Å〜５００Åでありうる。前記電子輸送層の厚さが前述のような範囲を満足する場合、優れた電子輸送特性及び駆動電圧特性が得られる。
【００８８】
また、電子輸送層の上部にカソードから電子の注入を容易にするために電子注入層（ＥＩＬ）を積層してもよい。
【００８９】
電子注入層としては、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯのような電子注入層形成材料として公知の任意の物質を利用できる。前記電子注入層の蒸着条件及びコーティング条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲を選択できる。
【００９０】
前記電子注入層の厚さは、約１Å〜１００Åであり、望ましくは、５Å〜９０Åである。前記電子注入層の厚さが前述のような範囲を満足する場合、優れた電子注入特性及び駆動電圧特性が得られる。
【００９１】
最後に、電子注入層の上部に真空蒸着法やスパッタリング法などの方法を利用して第２電極を形成する。前記第２電極は、カソードとして使われる。前記第２電極形成用の金属としては、小さい仕事関数を有する金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物を使用できる。具体的な例としては、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−リチウム（Ａｌ−Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム−インジウム（Ｍｇ−Ｉｎ）、マグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）などが挙げられる。また、前面発光素子を得るために、ＩＴＯ、ＩＺＯを使用した透明カソードを使用することもできる。
【００９２】
以下に、本発明を化合物９、化合物４３、化合物４４、化合物４５、化合物１３７の望ましい合成例及び実施例を具体的に例示するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
【実施例】
【００９３】
合成例１：化合物９の製造
下記化学反応式２の反応経路を経て、化合物９を合成した。
【化１２】
【００９４】
中間体Ａの合成
ジブロモビフェニル（３．１２ｇ、１０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ３０ｍＬに溶解した後、−７８℃でｎ−ブチルリチウム（４ｍＬ、２．５Ｍ ｉｎ Ｈｅｘａｎｅ）を添加した。１時間後、同じ温度でクロロトリフェニルシラン（２．９５ｇ、１０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ５ｍＬに溶解して、徐々に添加した。室温で５時間攪拌した後、水を添加し、ジエチルエーテル（３０ｍＬ）で３回洗浄した。洗浄したジエチルエーテル層をＭｇＳＯ４で乾燥させた後、減圧下溶媒を除去して生成物を得、シリカゲルカラムクロマトグラフィで分離精製して中間体Ａを白色固体として２．９ｇ（収率６０％）得た。
【００９５】
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）７．６５−７．５３（ｍ，１２Ｈ），７．４７−７．３６（ｍ，１１Ｈ）。
【００９６】
化合物９の合成
中間体Ａ ４．９ｇ（１０ｍｍｏｌ）、Ｎ−フェニル−２−ナフチルアミン２．６ｇ（１２ｍｍｏｌ）、ｔ−ＢｕＯＮａ２．９ｍｇ（３０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３１８３ｍｇ（０．２ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔ−Ｂｕ）３４０ｍｇ（０．２ｍｍｏｌ）をトルエン４０ｍＬに溶解した後、９０℃で３時間攪拌した。
【００９７】
前記反応が完了した後、常温に冷却し、これに蒸溜水を加えた後、ジエチルエーテル４０ｍＬで３回抽出した。回収した有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を蒸発させて得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィで分離精製して、化合物９を黄色固体として５．６７ｇ（収率９０％）得た。
【００９８】
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）７．７５（ｔ，２Ｈ），７．６３−７．５６（ｍ，１２Ｈ），７．５３（ｄ，２Ｈ），７．４６−７．３４（ｍ，１２Ｈ），７．３０−７．２６（ｍ，３Ｈ），７．１６（ｄ，４Ｈ），７．０６（ｔ，１Ｈ）；１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）１４７．６、１４７．５，１４５．３，１４１．７，１３６．９，１３６．３，１３４．８，１３４．５，１３４．２，１３２．４，１３０．２，１２９．７，１２９．４，１２８．９，１２７．９，１２７．８，１２７．５，１２６．９，１２６．３，１２６．０，１２４．８，１２４．６，１２４．５，１２４．０，１２３．３，１２０．５。
【００９９】
前記過程によって得た化合物９を、ＣＨ２Ｃｌ２で０．２ｍＭの濃度に希釈してＵＶスペクトルを測定し、最大吸収波長３４０ｎｍを観察した。
【０１００】
また、化合物９に対するＴＧＡ（Ｔｈｅｒｍｏ Ｇｒａｖｉｍｅｔｒｉｃ Ａｎａｌｙｓｉｓ）及びＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）を利用した熱分析（Ｎ２雰囲気、温度区間：常温〜６００℃（１０℃／ｍｉｎ）−ＴＧＡ、常温から４００℃まで−ＤＳＣ、パンタイプ：一回用のＡｌ Ｐａｎ（ＴＧＡ）中のＰｔパン、一回用のＡｌ Ｐａｎ（ＤＳＣ））によって、Ｔｄ３３０℃、Ｔｇ９７℃を得た。
【０１０１】
ＵＶ吸収スペクトル及びイオン化ポテンシャル測定器であるＡＣ−２を用いて、ＨＯＭＯ（Ｈｉｇｈｅｓｔ Ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）エネルギー準位５．４ｅＶおよびＬＵＭＯ（Ｌｏｗｅｓｔ Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）エネルギー準位２．３３ｅＶを得た。
【０１０２】
合成例２：化合物４３の製造
下記化学反応式３の反応経路を経て、化合物４３を合成した。
【化１３】
【０１０３】
中間体Ｂの合成
３−ヨード−９−フェニルカルバゾール（３．６９ｇ、１０．０ｍｍｏｌ）、アニリン（１．１１ｇ、１２．０ｍｍｏｌ）、ｔ−ＢｕＯＮａ（２．８８ｇ、３０．０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３（１８３ｍｇ、０．２ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔ−Ｂｕ）３（４０ｍｇ、０．２ｍｍｏｌ）をトルエン４０ｍＬに溶解した後、９０℃で３時間攪拌した。
【０１０４】
反応が完了した後、常温に冷却し、蒸溜水を加えた後、ジエチルエーテル４０ｍＬで３回抽出した。回収した有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を蒸発させて得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィで分離精製して、中間体Ｂを白色固体として２．１７ｇ（収率６５％）を得た。
【０１０５】
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）８．０１（ｍ，１Ｈ），７．６６（ｍ，１Ｈ），７．５１−７．３３（ｍ，７Ｈ），７．２１−６．９４（ｍ，５Ｈ），６．７３（ｍ，１Ｈ），５．６８（ｂｓ，１Ｈ）；１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）１４４．６，１３９．８，１３７．４，１３５．７，１２９．８，１２９．３，１２８．０，１２７．４，１２７．１，１２６．５，１１９．１，１１９．０，１１８．６，１１８．４，１１６．７，１１３．１，１１１．１，１０９．４，１０２．４。
【０１０６】
化合物４３の合成
前記合成例１の化合物９の合成中、Ｎ−フェニル−２−ナフチルアミンの代わりに前記重合体Ｂを使用した点を除いては、化合物９の合成と同じ方法を利用して化合物４３を合成した（収率８２％）。
【０１０７】
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）７．９８（ｄ，１Ｈ），７．６９（ｂｄ，１Ｈ），７．６７−７．５４（ｍ，１４Ｈ），７．５０−７．３３（ｍ，１４Ｈ），７．２８−７．１３（ｍ，９Ｈ），６．９７（ｔ，１Ｈ）；ＤＥＰＴ １３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）１３６．９，１３６．５，１３０．０，１２９．６，１２９．２，１２７．９，１２７．７，１２７．５，１２７．１，１２６．２，１２６．０，１２５．８，１２３．３，１２２．３，１２２．１，１２０．６，１２０．０，１１８．８，１１０．８，１１０．０。
【０１０８】
前記化合物４３をＣＨ２Ｃｌ２で０．２ｍＭの濃度に希釈してＵＶスペクトルを測定し、最大吸収波長３４５、３１０ｎｍを観察した。
【０１０９】
また、化合物４３に対するＴＧＡ（Ｔｈｅｒｍｏ Ｇｒａｖｉｍｅｔｒｉｃ Ａｎａｌｙｓｉｓ）及びＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）を利用した熱分析（Ｎ２雰囲気 、温度区間：常温〜６００℃（１０℃／ｍｉｎ）−ＴＧＡ、常温から４００℃まで−ＤＳＣ、パンタイプ：一回用のＡｌ Ｐａｎ（ＴＧＡ）中のＰｔパン、一回用のＡｌ Ｐａｎ（ＤＳＣ））によって、Ｔｄ３８０℃、Ｔｇ１２７℃を得た。
【０１１０】
ＵＶ吸収スペクトル及びイオン化ポテンシャル測定器であるＡＣ−２を用いて、ＨＯＭＯ（Ｈｉｇｈｅｓｔ Ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）エネルギー準位５．３０ｅＶ及びＬＵＭＯ（Ｌｏｗｅｓｔ Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）エネルギー準位２．２４ｅＶを得た。
【０１１１】
合成例３：化合物４４の製造
下記化学反応式４の反応経路を経て、化合物４４を合成した。
【化１４】
【０１１２】
中間体Ｃの合成
前記合成例１の中間体Ｂの合成中、アニリンの代わりにｐ−トルイジンを使用した点を除いては、中間体Ｂの合成と同じ方法を利用して中間体Ｃを合成した。
【０１１３】
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）８．０２（ｍ，１Ｈ），７．６７（ｍ，１Ｈ），７．５２−７．３１（ｍ，７Ｈ），７．０２−６．８６（ｍ，５Ｈ），６．１０（ｂｓ，１Ｈ），２．２５（ｓ，３Ｈ）；１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）１４０．１，１３８．８，１３６．４，１３４．７，１２８．８，１２７．３，１２７．０，１２６．４，１２６．１，１２５．５，１１８．１，１１８．０，１１７．６，１１７．４，１１６．７，１１２．１，１１０．１，１０８．４、１０１．４、２０．３。
【０１１４】
化合物４４の合成
前記合成例１の化合物９の合成中、Ｎ−フェニル−２−ナフチルアミンの代わりに中間体Ｃを使用した点を除いては、化合物９の合成と同じ方法を利用して化合物４４を合成した（収率８７％）。
【０１１５】
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）８．０９（ｄ，１Ｈ），８．０１（ｄ，１Ｈ），７．７０−７．５２（ｍ，１７Ｈ），７．４９−７．３５（ｍ，１２Ｈ），７．２４−７．１８（ｍ，２Ｈ），７．１１（ｄ，２Ｈ），７．０４（ｔ，４Ｈ），２．２８（ｔ，３Ｈ）；１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）１４９．５、１４６．４、１４２．６、１４２．２，１４１．３，１３８．９，１３８．３，１３７．５，１３７．０，１３５．０，１３３．２，１３３．１，１３２．６，１３０．９，１３０．７，１３０．５，１２８．８，１２８．５，１２８．３，１２７．７，１２７．１，１２６．５，１２５．２，１２５．０，１２３．８，１２１．９，１２１．４，１２０．８，１１９．３，１１１．５，１１０．６，２０．７。
【０１１６】
前記化合物４４を、ＣＨ２Ｃｌ２で０．２ｍＭの濃度に希釈してＵＶスペクトルを測定し、最大吸収波長３４３、３１３、２４５ｎｍを観察した。
【０１１７】
また、化合物４４に対するＴＧＡ（Ｔｈｅｒｍｏ Ｇｒａｖｉｍｅｔｒｉｃ Ａｎａｌｙｓｉｓ）及びＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）を利用した熱分析（Ｎ２雰囲気 、温度区間：常温〜６００℃（１０℃／ｍｉｎ）−ＴＧＡ、常温から４００℃まで−ＤＳＣ、パンタイプ：一回用のＡｌ Ｐａｎ（ＴＧＡ）中のＰｔパン、一回用のＡｌ Ｐａｎ（ＤＳＣ））によって、Ｔｄ４１４℃、Ｔｇ１２９℃を得た。
【０１１８】
ＵＶ吸収スペクトル及びイオン化ポテンシャル測定器であるＡＣ−２を用いて、ＨＯＭＯ（Ｈｉｇｈｅｓｔ Ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）エネルギー準位５．２０ｅＶ及びＬＵＭＯ（Ｌｏｗｅｓｔ Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）エネルギー準位２．２１ｅＶを得た。
【０１１９】
合成例４．化合物４５の製造
下記化学反応式５の反応経路を経て、化合物４５を合成した。
【化１５】
【０１２０】
中間体Ｄの合成
前記合成例１の中間体Ｂの合成中、アニリンの代わりにｐ−フルオロアニリンを使用した点を除いては、中間体Ｂの合成と同じ方法を利用して中間体Ｄを合成した。
【０１２１】
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）８．０２（ｍ，１Ｈ），７．９７−７．９２（ｍ，２Ｈ），７．６６（ｍ，１Ｈ），７．４８−７．１８（ｍ，９Ｈ），６．９４（ｍ，１Ｈ），６．５０（ｂｓ，１Ｈ）；１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）１５７．８（ｄ），１４０．７（ｄ），１３７．８，１３５．４，１３３．７，１２７．８，１２６．３，１２６．０，１２５．４，１２５．１，１２４．５，１１７．１，１１７．０，１１６．６，１１６．４，１１５．７，１１１．１，１０９．１，１０７．４，１００．４。
【０１２２】
化合物４５の合成
前記合成例１の化合物９の合成中、Ｎ−フェニル−２−ナフチルアミンの代わりに中間体Ｄを使用した点を除いては、化合物９の合成と同じ方法を利用して化合物４５を合成した（収率８０％）。
【０１２３】
１Ｈ ＮＭＲ（Ａｃｅｔｏｎｅ−ｄ６，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）８．０６（ｄ，１Ｈ），８．０２（ｄ，１Ｈ），７．６８−７．５０（ｍ，１６Ｈ），７．４７−７．３４（ｍ，１３Ｈ），７．２１−７．１３（ｍ，４Ｈ），７．０７−７．００（ｍ，４Ｈ）；１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）１５９．８，１５７．４，１４８．７，１４４．５，１４１．８，１４１．４，１４０．３，１３８．２，１３７．５，１３６．８，１３６．２，１３４．２，１３２．８，１３１．９，１３０．１，１２９．８，１２８．０，１２７．７，１２７．６，１２６．９，１２６．４，１２５．９，１２５．８，１２５．６，１２４．５，１２３．０，１２１．２，１２０．６，１２０．１，１１８．５，１１６．１，１１５．８，１１０．９，１０９．８。
【０１２４】
前記過程によって得た化合物４５を、ＣＨ２Ｃｌ２で０．２ｍＭの濃度に希釈してＵＶスペクトルを測定し、最大吸収波長３３８、３０９、２４３ｎｍを観察した。
【０１２５】
また、化合物４５に対するＴＧＡ（Ｔｈｅｒｍｏ Ｇｒａｖｉｍｅｔｒｉｃ Ａｎａｌｙｓｉｓ）及びＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）を利用した熱分析（Ｎ２雰囲気 、温度区間：常温〜６００℃（１０℃／ｍｉｎ）−ＴＧＡ、常温から４００℃まで−ＤＳＣ、パンタイプ：一回用のＡｌ Ｐａｎ（ＴＧＡ）中のＰｔパン、一回用のＡｌ Ｐａｎ（ＤＳＣ））によって、Ｔｄ４０５℃、Ｔｇ１２６℃を得た。
【０１２６】
ＵＶ吸収スペクトル及びイオン化ポテンシャル測定器であるＡＣ−２を用いて、ＨＯＭＯ（Ｈｉｇｈｅｓｔ Ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）エネルギー準位５．２０ｅＶ及びＬＵＭＯ（Ｌｏｗｅｓｔ Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）エネルギー準位２．２２ｅＶを得た。
【０１２７】
合成例５：化合物１３７の製造
下記化学反応式６の反応経路を経て、化合物１３７を合成した。
【化１６】
【０１２８】
中間体Ｅの合成
３，６−ジブロモ−９−フェニルカルバゾール（３．２５ｇ、１０．０ｍｍｏｌe）、ヨードベンゼン（１０．２ｇ，５０．０ｍｍｏｌｅ）、ＣｕＩ（１９０ｍｇ，１．０ｍｍｏｌｅ）、１８−Ｃｒｏｗｎ−６（１３２ｍｇ，０．５ｍｍｏｌｅ）、Ｋ２ＣＯ３（２．７６ｇ，２０．０ｍｍｏｌｅ）をＤＭＰＵ ５０ｍＬに溶解した後、１７０℃で２０時間攪拌した。反応物を室温に冷却し、ジエチルエーテル（５０ｍＬ）を加えた後、多量の水と水酸化アンモニウム溶液で洗浄した。回収した有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を蒸発させて得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィで分離精製して、中間体Ｅを白色固体として３．４０ｇ（収率８５％）を得た。
【０１２９】
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）７．９２（ｍ，２Ｈ），７．５５−７．４７（ｍ，６Ｈ），７．３６−７．１６（ｍ，３Ｈ）；１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）１４２．６，１３７．６，１３０．２，１２９．８，１２７．４，１２７．０，１２２．８，１２２．５，１１５．３，１１１．３。
【０１３０】
中間体Ｆの合成
前記中間体Ｅ（４．０１ｇ、１０．０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ ２０ｍＬに溶解した後、２．６Ｍ ｎ−ブチルリチウム（４．６ｍＬ ｉｎ ｈｅｘａｎｅ、１２．０ｍｍｏｌ）を−７８℃で１０分間かけて添加した。クロロトリフェニルシラン（３．８３ｇ、１３．０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ ２０ｍＬに溶解した後、上述の溶液に−７８℃で２０分間かけて添加し、室温で１７時間攪拌した。反応混合物に水５０ｍＬを加えた後にジエチルエーテル（５０ｍＬ）で２回抽出した。回収した有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を蒸発させて得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィで分離精製して、中間体Ｆを白色固体として３．１９g（収率５５％）を得た。
【０１３１】
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）８．２８−８．２１（ｍ，３Ｈ），８．１４（ｄ，２Ｈ），７．８６−７．１４（ｍ，２１Ｈ）；１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）１４３．１，１３７．９，１３６．４，１３４．４，１３３．９，１３３．７，１２９．８，１２９．５，１２９．０，１２８．０，１２７．９，１２７．５，１２６．９，１２４．９，１２３．９，１２３．１，１１８．３，１１１．２，１０９．７，１０７．６。
【０１３２】
化合物１３７の合成
前記合成例２の化合物４３の合成中、中間体Ａの代わりに前記中間体Ｆを使用した点を除いては、化合物４３の合成と同じ方法を利用して化合物１３７を得た（収率８０％）。
【０１３３】
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）８．２５（s，１Ｈ），７．９４（ｄ，３Ｈ），７．６４−７．５２（ｍ，１５Ｈ），７．４３−７．２４（ｍ，１８Ｈ），７．２０−７．１４（ｍ，３Ｈ），７．０２（ｄ，２Ｈ），６．８３（ｔ，１Ｈ）。
【０１３４】
前記化合物１３７を、ＣＨ２Ｃｌ２で０．２ｍＭの濃度に希釈してＵＶスペクトルを測定し、最大吸収波長３１７ｎｍを観察した。
【０１３５】
また、化合物１３７に対するＴＧＡ（Ｔｈｅｒｍｏ Ｇｒａｖｉｍｅｔｒｉｃ Ａｎａｌｙｓｉｓ）及びＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）を利用した熱分析（Ｎ２雰囲気 、温度区間：常温〜６００℃（１０℃／ｍｉｎ）−ＴＧＡ、常温から４００℃まで−ＤＳＣ、パンタイプ：一回用のＡｌ Ｐａｎ（ＴＧＡ）中のＰｔパン、一回用のＡｌ Ｐａｎ（ＤＳＣ））によって、Ｔｄ３９０℃、Ｔｇ１４８℃を得た。ＵＶ吸収スペクトル及びイオン化ポテンシャル測定器であるＡＣ−２を用いて、ＨＯＭＯ（Ｈｉｇｈｅｓｔ Ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）エネルギー準位５．１ｅＶ及びＬＵＭＯ（Ｌｏｗｅｓｔ Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）エネルギー準位２．１５ｅＶを得た。
【０１３６】
実施例１
アノードは、コーニング社の１５Ω／ｃｍ２（１２００Å）ＩＴＯガラス基板を５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．７ｍｍサイズに切って、イソプロピルアルコール及び純水を用いて各５分間超音波洗浄した後に使用した。前記ＩＴＯガラス基板に３０分間紫外線を照射してオゾンに曝露させて洗浄した後、真空蒸着装置に前記ガラス基板を設置した。
【０１３７】
前記基板の上部に化合物９を真空蒸着して、６００Å厚の正孔注入層を形成した。次いで、正孔輸送化合物として４，４’−ビス[Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ]ビフェニル（以下、ＮＰＢ）を３００Åの厚さに真空蒸着して、正孔輸送層を形成した。
【０１３８】
前記正孔輸送層の上部に公知の青色蛍光ホストであるＩＤＥ２１５（出光社製）と公知の青色蛍光ドーパントであるＩＤＥ１１８（出光社製）とを重量比９８：２で同時に蒸着して、３００Å厚の発光層を形成した。
【０１３９】
次いで、前記発光層の上部にＡｌｑ３を真空蒸着して３００Å厚の電子輸送層を形成した後、前記電子輸送層の上部にＬｉＦを真空蒸着して、１０Å厚の電子注入層を形成し、Ａｌを３０００Å（カソード電極）の厚さに真空蒸着してＬｉＦ／Ａｌ電極を形成することによって、有機発光素子を製作した。
【０１４０】
実施例２
正孔注入層の形成時に、前記化合物９の代わりに化合物４３を利用した点を除いては、前記実施例１と同じ方法を利用して有機発光素子を製作した。
【０１４１】
実施例３
正孔注入層形成時に、前記化合物９の代わりに化合物４４を利用した点を除いては、前記実施例１と同じ方法を利用して有機発光素子を製作した。
【０１４２】
実施例４
正孔注入層形成時に、前記化合物９の代わりに化合物４５を利用した点を除いては、前記実施例１と同じ方法を利用して有機発光素子を製作した。
【０１４３】
実施例５
正孔注入層形成時に、前記化合物９の代わりに化合物１３７を利用した点を除いては、前記実施例１と同じ方法を利用して有機発光素子を製作した。
【０１４４】
比較例１
正孔注入層形成時に、前記化合物９の代わりに公知の化合物であるＩＤＥ４０６（出光社製）を利用した点を除いては、前記実施例１と同じ方法を利用して有機発光素子を製作した。
【０１４５】
評価例
前記実施例１ないし５の有機発光素子及び比較例１の有機発光素子の駆動電圧、電流密度、輝度、電流効率及び色座標をＰＲ６５０（Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃａｎ ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ、Ｐｈｏｔｏ Ｒｅｓｅａｒｃｈ ｉｎｃ．製）を利用して評価し、その結果を下記表１に示した。また、実施例１及び２の有機発光素子の駆動電圧と輝度の関係は、図２及び３にそれぞれ示した。実施例３の有機発光素子の時間と輝度（１００ｍＡ／ｃｍ２での輝度）との関係は、図４に表した。
【表１】
【０１４６】
前記表１によれば、実施例１ないし５の有機発光素子は、比較例１の有機発光素子に比べて優れたＩ−Ｖ−Ｌ特性を示した。特に、化合物９を含む有機膜を正孔注入層として備えた実施例１の有機発光素子、及び化合物４３を含む有機膜を正孔注入層として備えた実施例２の有機発光素子の場合、比較例１の有機発光素子に比べて、向上した輝度を示した（図２及び３参照）。また、実施例１ないし５の有機発光素子の場合、比較例１の有機発光素子とほぼ同じ色座標特性を示した。さらに、実施例３の有機発光素子は、比較例１の有機発光素子に比べて優れた寿命特性を示した（図４）。
【０１４７】
本発明を、前記合成例及び実施例を参考にして説明したが、これらは例示的なものに過ぎず、当業者であれば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的な保護範囲は、特許請求の範囲により決定されなければならない。
【産業上の利用可能性】
【０１４８】
本発明は、有機発光素子関連の技術分野に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【０１４９】
【図１】本発明による有機発光素子の一具現例の構造を概略的に示す断面図である。
【図２】実施例１の有機発光素子及び比較例１の有機発光素子の駆動電圧による輝度変化を示すグラフである。
【図３】実施例２の有機発光素子及び比較例１の有機発光素子の駆動電圧による輝度変化を示すグラフである。
【図４】実施例３の有機発光素子及び比較例１の有機発光素子の経時的な輝度変化を示すグラフである。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シラニルアミン系化合物、その製造方法及びそれを含む有機膜を備えた有機発光素子に係り、さらに詳細には、電気的な安定性と高い電荷輸送能力を有し、ガラス転移温度が高く、結晶化を防止できる材料であるシラニルアミン系化合物、その製造方法及びそれを含む有機膜を備えた有機発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）は、自発光型の表示素子であり、視野角が広く、コントラストに優れるだけでなく、応答時間が速いという長所を有し、非常に注目されている。また、前記有機発光素子は、駆動電圧及び応答速度特性に優れ、多色化が可能であるという点で多くの研究が行われている。
【０００３】
有機発光素子は、一般的にアノード／発光層／カソードの積層構造を有し、前記アノードと発光層との間に正孔注入層や正孔輸送層、発光層とカソードとの間に電子注入層をさらに積層して、アノード／正孔輸送層／発光層／カソード、またはアノード／正孔輸送層／発光層／電子注入層／カソードのような構造を有する。
【０００４】
前記正孔輸送層の形成材料として、例えば、フルオレン誘導体またはアントラセン誘導体が知られている（特許文献１、２）。
【０００５】
しかし、従来の正孔輸送層の形成材料からなる正孔輸送層を備えた有機発光素子は、寿命、効率及び消費電力の特性が満足できるほどのレベルには達していないため、その改善が要求されている。
【特許文献１】米国特許第６，５９６，４１５号明細書
【特許文献２】米国特許第６，４６５，１１５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前記問題点を解決するために、本発明は、電気的な安定性と高い電荷輸送能力を有し、ガラス転移温度が高く、結晶化を防止できる材料であって、赤色、緑色、青色、白色などのあらゆるカラーの蛍光及び燐光有機発光素子に適した有機膜形成材料、及びその製造方法を提供することを目的とする。また、それを含む有機膜を備える高効率、低駆動電圧、高輝度、長寿命を有する有機発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するために、本発明は、下記化学式１で示されるシラニルアミン系化合物を提供する。
【化１】
【０００８】
前記化学式１中、Ｘは、単一結合、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のアルキレン基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリーレン基、または置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリーレン基であり、ｎは、１〜５から選択される整数であり、Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立して水素、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、または置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基であり、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、互いに独立して水素、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のアルキル基、置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のアルケニル基、置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のアルキニル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のアルコキシ基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリールオキシ基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、または置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基であり、前記Ｒ１、Ｒ２及びＲ３のうち互いに隣接した２以上は、互いに連結して飽和または不飽和環を形成できる。
【０００９】
本発明の他の目的を達成するために、本発明は、下記化学式１ａで示されるアミン化合物と下記化学式１ｂで示されるシラン化合物とを反応させて、下記化学式１で示されるシラニルアミン系化合物の製造方法を提供する。
【化２】
【００１０】
前記反応式１中、Ｘ、ｎ、Ａｒ１、Ａｒ２、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、前述した通りであり、Ｙは、ハロゲン原子である。
【００１１】
前記本発明のさらに他の目的を達成するために、本発明は、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極に挟持される前記シラニルアミン系化合物を含む有機膜、を備えた有機発光素子を提供する。
【００１２】
前記化学式１で示されるシラニルアミン系化合物を含む有機膜を備えた有機発光素子は、低駆動電圧、高輝度、高効率、高電流密度、長寿命特性を有する。
【発明の効果】
【００１３】
前記化学式１で示されるシラニルアミン系化合物は、優れた電気的特性及び電荷輸送能力を有し、赤色、緑色、青色、白色などのあらゆるカラーの蛍光と燐光素子に適した正孔注入材料、正孔輸送材料及び／または発光材料として有用である。これを利用すれば、高効率、低駆動電圧、高輝度、長寿命特性を有する有機発光素子を製作できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
【００１５】
本発明におけるシラニルアミン系化合物は、下記化学式１で示される。
【化３】
【００１６】
前記化学式１で示されるシラニルアミン系化合物は、アミン誘導体とシラン誘導体とが連結基−（Ｘ）ｎ−を挟んで結合されたものである。
【００１７】
前記化学式１中、Ｘは、単一結合、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のアルキレン基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリーレン基、または置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリーレン基からなる群から選択される。前記化学式１において、Ｘが単一結合の場合、ＮとＳｉは直接結合する。
【００１８】
前記化学式１中、ｎは、１〜５から選択される整数である。
【００１９】
前記化学式１中、Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立して水素、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、または置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基からなる群から選択される。
【００２０】
前記化学式１中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、互いに独立して水素、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のアルキル基、置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のアルケニル基、置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のアルキニル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のアルコキシ基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリールオキシ基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、または置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基からなる群から選択され、前記Ｒ１、Ｒ２及びＲ３のうち互いに隣接した２以上は、互いに連結して飽和または不飽和環を形成してもよい。その例として、ナフタレン、フルオレン、アントラセン、カルバゾールなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２１】
本発明における化学式１において、Ｃ１−Ｃ３０のアルキル基の具体的な例としては、メチル、エチル、プロピル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ペンチル、ｉｓｏ−アミル、ヘキシルなどが挙げられ、前記アルキル基のうち一つ以上の水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アミジノ基、ヒドラジン、ヒドラゾン、カルボキシル基やその塩、スルホン酸基やその塩、燐酸やその塩、またはＣ１−Ｃ３０のアルキル基、Ｃ２−Ｃ３０のアルケニル基、Ｃ２−Ｃ３０のアルキニル基、Ｃ６−Ｃ３０のアリール基、Ｃ７−Ｃ２０のアリールアルキル基、Ｃ２−Ｃ２０のヘテロアリール基、Ｃ３−Ｃ３０のヘテロアリールアルキル基、Ｃ６−Ｃ３０のアリールオキシ基、または−Ｎ（Ｚ１）（Ｚ２）で示される置換基、からなる群から選択される置換基で置換されていてもよい。このとき、前記Ｚ１及びＺ２は、互いに独立して水素、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のアルキル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のハロアルキル基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のハロアリール基、及び置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基からなる群から選択される。
【００２２】
本発明における化学式１において、Ｃ１−Ｃ３０のアルキレン基は、前記アルキル基と類似した構造を有する２価の連結基であって、その具体的な例としては、メチレン基、エチレン基などが挙げられる。これらのアルキレン基のうち少なくとも一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同様の置換基で置換可能である。
【００２３】
本発明における化学式１において、Ｃ１−Ｃ３０のアルコキシ基の具体的な例として、メトキシ、エトキシ、フェニルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ナフチルオキシ、イソプロピルオキシ、ジフェニルオキシなどが挙げられ、これらのアルコキシ基のうち少なくとも一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同様の置換基で置換可能である。
【００２４】
本発明における化学式１において、Ｃ２−Ｃ３０のアルケニル基は、前記定義されたようなアルキル基の中間や終端に炭素二重結合を一つ以上含んでいることを意味する。例としては、ビニル、プロペニル、ブテニル、ヘキシニルなどがある。これらのアルケニル基のうち少なくとも一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同様の置換基で置換可能である。
【００２５】
本発明における化学式１において、Ｃ２−Ｃ３０のアルキニル基は、前記定義されたようなアルキル基の中間や終端に炭素三重結合を一つ以上含んでいることを意味する。例としては、エチニル、プロピニル、フェニルアセチニル、ナフチルアセチニル、３−メチル−１−ブチニル、３，３−ジメチル−１−ブチニルなどがある。これらのアルキニル基のうち少なくとも一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同様の置換基に置換可能である。
【００２６】
本発明の化学式１のうち、Ｃ６−Ｃ３０のアリール基は、一つ以上の芳香族環を含む炭素原子数６ないし３０個の単環、多環、縮合多環の芳香族環を意味する。前記アリール基のうち一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同様の置換基で置換可能である。
【００２７】
前記化学式１中、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基の例としては、フェニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルフェニル基（例えば、エチルフェニル基）、ハロフェニル基（例えば、ｏ−、ｍ−及びｐ−フルオロフェニル基、ジクロロフェニル基）、シアノフェニル基、ジシアノフェニル基、トリフルオロメトキシフェニル基、ビフェニル基、ハロビフェニル基、シアノビフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルビフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシビフェニル基、ｏ−、ｍ−、及びｐ−トリル基、ｏ−、ｍ−及びｐ−クメニル基、メシチル基、フェノキシフェニル基、（α，α−ジメチルベンゼン）フェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジメチル）アミノフェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）アミノフェニル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、ハロナフチル基（例えば、フルオロナフチル基）、Ｃ１−Ｃ１０アルキルナフチル基（例えば、メチルナフチル基）、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシナフチル基（例えば、メトキシナフチル基）、シアノナフチル基、アントラセニル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、アセナフチレニル基、フェナレニル基、フルオレニル基、アントラキノリル基、メチルアントリル基、フェナントリル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、エチルクリセニル基、ピセニル基、フェリレニル基、クロロフェリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、ルビセニル基、コロネリル基、トリナフチレニル基、ヘプタフェニル基、ヘプタセニル基、ピラントレニル基などが挙げられる。これらは、前記アルキル基と同様な置換基で置換されてもよいことは言うまでもない。
【００２８】
本発明における化学式１において、Ｃ６−Ｃ３０のアリーレン基は、前記アリール基と類似した構造を有する２価の連結基であって、その例としては、フェニレン基、ナフチレン基などがあるが、これに限定されるものではない。前記アリーレン基のうち一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同様の置換基で置換可能である。
【００２９】
本発明における化学式１において、Ｃ２−Ｃ３０のヘテロアリール基は、Ｎ、Ｏ、ＰまたはＳのうちから選択された１個以上のヘテロ原子を含む、単環、多環、及び縮合多環の芳香族複素環化合物を意味する。前記ヘテロアリール基のうち一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同様の置換基で置換可能である。
【００３０】
前記化学式１において、Ｃ２−Ｃ３０のヘテロアリール基の具体例には、ピラゾリル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、オキサジアゾリル基、ピリジニル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、カルバゾリル基、インドリル基、キノリニル基、イソキノリニル基などが挙げられる。これらは、前記アルキル基の場合と同様の置換基で置換されることは言うまでもない。
【００３１】
前記化学式１において、Ｃ２−Ｃ３０のヘテロアリーレン基は、前記ヘテロアリール基と類似した構造を有する２価の連結基であって、前記ヘテロアリーレン基の一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同様の置換基で置換可能である。
【００３２】
前記化学式１におて、Ｃ６−Ｃ３０のアリールオキシ基は、−ＯＡで表示される基であって、前記Ａは、前述のようなアリール基であり、その例にはフェノキシ基などがあり、前記アリールオキシ基のうち一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同様の置換基で置換可能である。
【００３３】
前記化学式１において、望ましくは、Ｘは、置換または非置換のＣ１−Ｃ１０のアルキレン基、置換または非置換のフェニレン、置換または非置換のナフチレン、置換または非置換のフルオレニレン、置換または非置換のアントラセニレン、置換または非置換のピリジニレン、置換または非置換のキノリレン、置換または非置換のイソキノリレン、置換または非置換のアントラキノリレン、及び置換または非置換のカルバゾリレンからなる群から選択された一つである。
【００３４】
さらに具体的に、前記Ｘは、下記化学式２に記載された構造のうちから選択された一つ以上であるが、これらに限定されるものではない。
【化４】
【００３５】
前記化学式２中、Ｒ４及びＲ５は、互いに独立して水素、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のアルキル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のアルコキシ基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、及び置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基からなる群から選択される。望ましくは、前記Ｒ４及びＲ５は、互いに独立してフェニル基またはハロフェニル基である。
【００３６】
前述の化学式１において、−（Ｘ）ｎ−は、下記化学式３に記載された構造のうちから選択された一つであるが、これに限定されるものではない。
【化５】
【００３７】
一方、前記化学式１中、Ａｒ１及びＡｒ２は、望ましくは、互いに独立して置換または非置換のＣ６−Ｃ１２のアリール基、または置換または非置換のＣ３−Ｃ１５のヘテロアリール基である。
【００３８】
さらに具体的に、前記Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立してフェニル基、ハロフェニル基、シアノフェニル基、Ｃ１−Ｃ５アルキルフェニル基、Ｃ１−Ｃ５アルコキシフェニル基、フェノキシフェニル基、−Ｎ（Ｚ１）（Ｚ２）に置換されたフェニル基、ビフェニル基、ハロビフェニル基、シアノビフェニル基、Ｃ１−Ｃ５アルキルビフェニル基、Ｃ１−Ｃ５アルコキシビフェニル基、−Ｎ（Ｚ１）（Ｚ２）で置換されたビフェニル基、ナフチル基、ハロナフチル基、シアノナフチル基、Ｃ１−Ｃ５アルキルナフチル基、Ｃ１−Ｃ５アルコキシナフチル基、フェノキシナフチル基、−Ｎ（Ｚ１）（Ｚ２）で置換されたナフチル基、フルオレニル基、ハロフルオレニル基、シアノフルオレニル基、Ｃ１−Ｃ５アルキルフルオレニル基、Ｃ１−Ｃ５アルコキシフルオレニル基、フェノキシフルオレニル基、カルバゾリル基、ハロカルバゾリル基、シアノカルバゾリル基、Ｃ１−Ｃ５アルキルカルバゾリル基、Ｃ１−Ｃ５アルコキシカルバゾリル基、フェノキシカルバゾリル基、−Ｎ（Ｚ１）（Ｚ２）で置換されたカルバゾリル基、Ｃ６−Ｃ１２アリールカルバゾリル基、Ｃ６−Ｃ１２ハロアリールカルバゾリル基、ピリジル基、ハロピリジル基、シアノピリジル基、Ｃ１−Ｃ５アルキルピリジル基、Ｃ１−Ｃ５アルコキシピリジル基、フェノキシピリジル基、及び−Ｎ（Ｚ１）（Ｚ２）で置換されたピリジル基からなる群から選択される。
【００３９】
このとき、前記Ｚ１及びＺ２は、前述のように、互いに独立して水素、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のアルキル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のハロアルキル基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のハロアリール基、及び置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基からなる群から選択される。望ましくは、前記Ｚ１及びＺ２は、互いに独立してＣ６−Ｃ１２のアリール基、またはＣ６−Ｃ１２のハロアリール基であるが、これらに限定されるものではない。
【００４０】
本発明の一具現例によれば、前記化学式１において、Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立して下記化学式４に記載された構造のうちから選択された一つであるが、これらに限定されるものではない。
【化６】
【００４１】
前記化学式４中、ｍは、１〜５から選択される整数である。
【００４２】
前記化学式１中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、例えば、互いに独立して置換または非置換のＣ１−Ｃ１０のアルキル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ１０のアルコキシ基、置換または非置換のＣ６−Ｃ１２のアリール基、置換または非置換のＣ６−Ｃ１２のアリールオキシ基、または置換または非置換のＣ３−Ｃ１２のヘテロアリール基である。
【００４３】
さらに具体的には、前記化学式１において、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、互いに独立してＣ１−Ｃ１０のアルキル基、フェニル基、ハロフェニル基、シアノフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシフェニル基、ビフェニル基、ハロビフェニル基、ナフチル基、ハロナフチル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルナフチル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシナフチル基などから選択されるが、これらに限定されるものではない。
【００４４】
前述のような化学式１で示されるシラニルアミン系化合物は、下記化合物１ないし１６８で例示されるが、本発明によるシラニルアミン系化合物は、これらに限定されるものではない。
【化７】
【００４５】
【００４６】
【００４７】
【００４８】
【００４９】
【００５０】
【００５１】
【００５２】
【００５３】
【００５４】
【００５５】
【００５６】
【００５７】
【００５８】
【００５９】
【００６０】
【００６１】
【００６２】
前記化学式１で示されるシラニルアミン系化合物は、多様な方法で製造できる。前記シラニルアミン系化合物の製造方法の一具現例は、下記化学式１ａで示される化合物を下記化学式１ｂで示される化合物と反応させて、下記化学式１で示されるシラニルアミン系化合物を得る段階を含む。
【化８】
【００６３】
前記反応式１中、Ｘ、ｎ、Ａｒ１、Ａｒ２、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３についての詳細な説明は、前述のとおりである。一方、前記化学式１ｂ中、Ｙは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのようなハロゲン原子である。
【００６４】
前述のように、反応式１で示される反応は、Ｐｄ２（ｄｂａ）３（ｄｂａ＝ジベンジリデンアセトン）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド及びトリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン存在下で実施され、反応温度は、５０℃〜１５０℃である。
【００６５】
本発明における有機発光素子は、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極との間に前述のような化学式１で示されるシラニルアミン系化合物を含む有機膜を備える。前記化学式１で示されるシラニルアミン系化合物を含む有機膜は、正孔注入層または正孔輸送層であってもよく、正孔注入機能及び正孔輸送機能を共に有する単一膜であってもよい。または前記化学式１で示されるシラニルアミン系化合物を含む有機膜は、発光層であってもよい。前記発光層は、燐光材料または蛍光材料を含む。一方、前記第１電極は、アノードであり、前記第２電極は、カソードであるが、これと反対の場合も可能であるというのは言うまでもない。
【００６６】
前述のような有機発光素子は、必要に応じて、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、及び電子注入層のうちの一層以上の層をさらに備えてもよい。例えば、本発明による有機発光素子は、第１電極／正孔注入層／発光層／第２電極、第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／第２電極、または第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極の構造を有してもよい。または前記有機発光素子は、第１電極／正孔注入機能及び正孔輸送機能を同時に有する単一膜／発光層／電子輸送層／第２電極、または第１電極／正孔注入機能及び正孔輸送機能を同時に有する単一膜／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極の構造を有してもよい。
【００６７】
以下、本発明における有機発光素子の製造方法を図１に示す有機発光素子を参照して説明する。図１の有機発光素子は、基板、第１電極（アノード）、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、電子注入層（ＥＩＬ）、及び第２電極（カソード）を備えている。
【００６８】
まず、基板の上部に大きい仕事関数を有する第１電極用の物質を蒸着法またはスパッタリング法などにより積層して第１電極を形成する。前記第１電極は、アノードである。ここで、基板としては、一般的な有機発光素子で使われる基板を使用するが、機械的強度、熱的安定性、透明性、表面平滑性、取扱容易性及び防水性に優れたガラス基板または透明プラスチック基板が望ましい。第１電極用の物質としては、電気伝導性に優れた酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇなどを利用でき、透明電極または反射電極として形成する。
【００６９】
次に、前記第１電極の上部に真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ラングミュアブロジェット（ＬＢ）法のような多様な方法を利用して正孔注入層（ＨＩＬ）を形成する。
【００７０】
真空蒸着法によって正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は、正孔注入層の材料として使用する化合物、目的とする正孔注入層の構造、及び熱的特性などによって異なるが、一般的に、蒸着温度１００〜５００℃、真空度１０−８〜１０−３ｔｏｒｒ、蒸着速度０．０１〜１００Å／ｓｅｃ、膜厚は、通常１０Å〜５μｍの範囲で適切に選択することが望ましい。
【００７１】
スピンコーティング法によって正孔注入層を形成する場合、そのコーティング条件は、正孔注入層の材料として使用する化合物、目的とする正孔注入層の構造及び熱的特性によって異なるが、約２０００ｒｐｍ〜５０００ｒｐｍのコーティング速度、コーティング後の溶媒除去のための熱処理温度は、約８０℃〜２００℃の温度範囲で適切に選択することが望ましい。
【００７２】
前記正孔注入層の物質としては、前述のような化学式１で示されるシラニルアミン系化合物を利用できる。または、公知の正孔注入層物質を使用することもできるが、例えば、米国特許第４，３５６，４２９号明細書に開示された銅フタロシアニンなどのフタロシアニン化合物またはＡｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ，６，ｐ．６７７（１９９４）に記載されているスターバースト型アミン誘導体類であるＴＣＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＰＢ、溶解性のある電気伝導性高分子であるＰａｎｉ／ＤＢＳＡ（ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸）またはＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホン酸））、Ｐａｎｉ／ＣＳＡ（ポリアニリン／ショウノウスルホン酸）並びにＰＡＮＩ／ＰＳＳ（ポリアニリン）／ポリ（４−スチレンスルホン酸））などを使用できる。
【化９】
【００７３】
前記正孔注入層の厚さは、約１００Å〜１００００Å、望ましくは、１００Å〜１０００Åである。前記正孔注入層の厚さが前述のような範囲を満足する場合、優れた正孔注入特性及び駆動電圧特性が得られる。
【００７４】
次に、前記正孔注入層の上部に真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法のような多様な方法を利用して、正孔輸送層（ＨＴＬ）を形成する。真空蒸着法及びスピンコーティング法によって正孔輸送層を形成する場合、その蒸着条件及びコーティング条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲を選択できる。
【００７５】
前記正孔輸送層の物質は、前述のような化学式１で示されるシラニルアミン系化合物でありうる。または、公知の正孔輸送層物質を利用することもできるが、例えば、Ｎ−フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾールなどのカルバゾール誘導体、４，４’−ビス[Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ]ビフェニル（ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−[１，１−ビフェニル]−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（α−ＮＰＤ）などの芳香族縮合環を有する一般的なアミン誘導体などが使われる。
【化１０】
【００７６】
前記正孔輸送層の厚さは、約５０Å〜１０００Å、望ましくは、１００Å〜６００Åである。前記正孔輸送層の厚さが前述のような範囲を満足する場合、優れた正孔輸送特性及び駆動電圧特性が得られる。
【００７７】
次に、前記正孔輸送層の上部に真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法のような方法を利用して、発光層（ＥＭＬ）を形成する。真空蒸着法及びスピンコーティング法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲中から選択される。
【００７８】
前記発光層は、前述のような化学式１で示されるシラニルアミン系化合物を含んでいてもよい。または、前記発光層は、公知の多様な発光物質を利用して形成できるが、公知のホスト及びドーパントを利用して形成することもできる。前記ドーパントの場合、公知の蛍光ドーパント及び燐光ドーパントのいずれも使用できる。
【００７９】
例えば、ホストとしては、Ａｌｑ３、ＣＢＰ（４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール−ビフェニル）、ＰＶＫ（ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール））またはＤＳＡ（ジスチリルアリーレン）、ＩＤＥ２１５（出光社製）などを使用できるが、これらに限定されるものではない。
【００８０】
ドーパントの場合、蛍光ドーパントとしては、出光社から購入可能なＩＤＥ１０２、ＩＤＥ１０５、ＩＤＥ１１８を使用でき、燐光ドーパントとしては、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（ｐｐｙはフェニルピリジンの略語である）（緑色）、（４，６−Ｆ２ｐｐｙ）２ｒｐｉｃ（参照文献：Ｃｈｉｈａｙａ Ａｄａｃｈｉ ｅｔｃ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７９，２０８２−２０８４、２００１）、Ｃｏｖｉｏｎ社のＴＥＢ００２、ＰｔＯＥＰ（白金（ＩＩ）オクタエチルポルフィリン）、下記化学式５で示される化合物（大韓民国特許公開第２００５−００７８４７２号公報参照）、Ｆｉｒｐｒｉｃ，ＵＤＣ社の赤色燐光ドーパントであるＲＤ６１などを使用できるが、これらに限定されるものではない。
【化１１】
【００８１】
前記ドーパントの含有量は、発光層の形成材料１００重量部（すなわち、ホストとドーパントとの総重量を１００重量部とする）を基準として、０．１〜２０重量部、特に、０．５〜１２重量部であることが望ましい。ドーパントの含有量が０．１重量部以上であれば、ドーパントの付加による発光効果が十分であり、２０重量部以下であれば、燐光や蛍光でいずれも発生しうる濃度クエンチング（ｑｕｅｎｃｈｉｎｇ）のような濃度消光が実質的に防止できる。
【００８２】
前記発光層の厚さは、約１００Å〜１０００Åであり、望ましくは、２００Å〜６００Åである。前記発光層の厚さが前述のような範囲を満足する場合、優れた発光特性及び駆動電圧特性を有する。
【００８３】
発光層が燐光ドーパントを含む場合、三重項励起子または正孔が電子輸送層に拡散する現象を防止するために、正孔阻止層（ＨＢＬ）を発光層の上部に形成してもよい（図１には図示せず）。このとき、使用できる正孔阻止層物質は、特に制限されず、公知の正孔阻止層物質から任意に選択して利用できる。例えば、オキサジアゾール誘導体やトリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、または特開平１１−３２９７３４（Ａ１）号公報に記載されている正孔阻止材料、ＢＡｌｑ、ＢＣＰなどを利用できる。
【００８４】
前記正孔阻止層の厚さは、約５０Å〜１０００Åであり、望ましくは、１００Å〜３００Åである。前記正孔阻止層の厚さが前述のような範囲を満足する場合、優れた正孔阻止特性及び駆動電圧特性が得られる。
【００８５】
次に、電子輸送層（ＥＴＬ）を真空蒸着法、またはスピンコーティング法、キャスト法などの多様な方法を利用して形成する。真空蒸着法及びスピンコーティング法により電子輸送層を形成する場合、その条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲を選択できる。
【００８６】
前記電子輸送層物質は、特に限定されず、公知の電子輸送層の形成材料から任意に選択されうる。例えば、キノリン誘導体、特に、トリス（８−キノリノレーチ）アルミニウム（Ａｌｑ３）、ＴＡＺのような公知の材料を利用できる。
【００８７】
前記電子輸送層の厚さは、約１００Å〜１０００Åであり、望ましくは、１００Å〜５００Åでありうる。前記電子輸送層の厚さが前述のような範囲を満足する場合、優れた電子輸送特性及び駆動電圧特性が得られる。
【００８８】
また、電子輸送層の上部にカソードから電子の注入を容易にするために電子注入層（ＥＩＬ）を積層してもよい。
【００８９】
電子注入層としては、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯのような電子注入層形成材料として公知の任意の物質を利用できる。前記電子注入層の蒸着条件及びコーティング条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲を選択できる。
【００９０】
前記電子注入層の厚さは、約１Å〜１００Åであり、望ましくは、５Å〜９０Åである。前記電子注入層の厚さが前述のような範囲を満足する場合、優れた電子注入特性及び駆動電圧特性が得られる。
【００９１】
最後に、電子注入層の上部に真空蒸着法やスパッタリング法などの方法を利用して第２電極を形成する。前記第２電極は、カソードとして使われる。前記第２電極形成用の金属としては、小さい仕事関数を有する金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物を使用できる。具体的な例としては、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−リチウム（Ａｌ−Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム−インジウム（Ｍｇ−Ｉｎ）、マグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）などが挙げられる。また、前面発光素子を得るために、ＩＴＯ、ＩＺＯを使用した透明カソードを使用することもできる。
【００９２】
以下に、本発明を化合物９、化合物４３、化合物４４、化合物４５、化合物１３７の望ましい合成例及び実施例を具体的に例示するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
【実施例】
【００９３】
合成例１：化合物９の製造
下記化学反応式２の反応経路を経て、化合物９を合成した。
【化１２】
【００９４】
中間体Ａの合成
ジブロモビフェニル（３．１２ｇ、１０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ３０ｍＬに溶解した後、−７８℃でｎ−ブチルリチウム（４ｍＬ、２．５Ｍ ｉｎ Ｈｅｘａｎｅ）を添加した。１時間後、同じ温度でクロロトリフェニルシラン（２．９５ｇ、１０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ５ｍＬに溶解して、徐々に添加した。室温で５時間攪拌した後、水を添加し、ジエチルエーテル（３０ｍＬ）で３回洗浄した。洗浄したジエチルエーテル層をＭｇＳＯ４で乾燥させた後、減圧下溶媒を除去して生成物を得、シリカゲルカラムクロマトグラフィで分離精製して中間体Ａを白色固体として２．９ｇ（収率６０％）得た。
【００９５】
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）７．６５−７．５３（ｍ，１２Ｈ），７．４７−７．３６（ｍ，１１Ｈ）。
【００９６】
化合物９の合成
中間体Ａ ４．９ｇ（１０ｍｍｏｌ）、Ｎ−フェニル−２−ナフチルアミン２．６ｇ（１２ｍｍｏｌ）、ｔ−ＢｕＯＮａ２．９ｍｇ（３０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３１８３ｍｇ（０．２ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔ−Ｂｕ）３４０ｍｇ（０．２ｍｍｏｌ）をトルエン４０ｍＬに溶解した後、９０℃で３時間攪拌した。
【００９７】
前記反応が完了した後、常温に冷却し、これに蒸溜水を加えた後、ジエチルエーテル４０ｍＬで３回抽出した。回収した有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を蒸発させて得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィで分離精製して、化合物９を黄色固体として５．６７ｇ（収率９０％）得た。
【００９８】
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）７．７５（ｔ，２Ｈ），７．６３−７．５６（ｍ，１２Ｈ），７．５３（ｄ，２Ｈ），７．４６−７．３４（ｍ，１２Ｈ），７．３０−７．２６（ｍ，３Ｈ），７．１６（ｄ，４Ｈ），７．０６（ｔ，１Ｈ）；１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）１４７．６、１４７．５，１４５．３，１４１．７，１３６．９，１３６．３，１３４．８，１３４．５，１３４．２，１３２．４，１３０．２，１２９．７，１２９．４，１２８．９，１２７．９，１２７．８，１２７．５，１２６．９，１２６．３，１２６．０，１２４．８，１２４．６，１２４．５，１２４．０，１２３．３，１２０．５。
【００９９】
前記過程によって得た化合物９を、ＣＨ２Ｃｌ２で０．２ｍＭの濃度に希釈してＵＶスペクトルを測定し、最大吸収波長３４０ｎｍを観察した。
【０１００】
また、化合物９に対するＴＧＡ（Ｔｈｅｒｍｏ Ｇｒａｖｉｍｅｔｒｉｃ Ａｎａｌｙｓｉｓ）及びＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）を利用した熱分析（Ｎ２雰囲気、温度区間：常温〜６００℃（１０℃／ｍｉｎ）−ＴＧＡ、常温から４００℃まで−ＤＳＣ、パンタイプ：一回用のＡｌ Ｐａｎ（ＴＧＡ）中のＰｔパン、一回用のＡｌ Ｐａｎ（ＤＳＣ））によって、Ｔｄ３３０℃、Ｔｇ９７℃を得た。
【０１０１】
ＵＶ吸収スペクトル及びイオン化ポテンシャル測定器であるＡＣ−２を用いて、ＨＯＭＯ（Ｈｉｇｈｅｓｔ Ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）エネルギー準位５．４ｅＶおよびＬＵＭＯ（Ｌｏｗｅｓｔ Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）エネルギー準位２．３３ｅＶを得た。
【０１０２】
合成例２：化合物４３の製造
下記化学反応式３の反応経路を経て、化合物４３を合成した。
【化１３】
【０１０３】
中間体Ｂの合成
３−ヨード−９−フェニルカルバゾール（３．６９ｇ、１０．０ｍｍｏｌ）、アニリン（１．１１ｇ、１２．０ｍｍｏｌ）、ｔ−ＢｕＯＮａ（２．８８ｇ、３０．０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３（１８３ｍｇ、０．２ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔ−Ｂｕ）３（４０ｍｇ、０．２ｍｍｏｌ）をトルエン４０ｍＬに溶解した後、９０℃で３時間攪拌した。
【０１０４】
反応が完了した後、常温に冷却し、蒸溜水を加えた後、ジエチルエーテル４０ｍＬで３回抽出した。回収した有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を蒸発させて得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィで分離精製して、中間体Ｂを白色固体として２．１７ｇ（収率６５％）を得た。
【０１０５】
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）８．０１（ｍ，１Ｈ），７．６６（ｍ，１Ｈ），７．５１−７．３３（ｍ，７Ｈ），７．２１−６．９４（ｍ，５Ｈ），６．７３（ｍ，１Ｈ），５．６８（ｂｓ，１Ｈ）；１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）１４４．６，１３９．８，１３７．４，１３５．７，１２９．８，１２９．３，１２８．０，１２７．４，１２７．１，１２６．５，１１９．１，１１９．０，１１８．６，１１８．４，１１６．７，１１３．１，１１１．１，１０９．４，１０２．４。
【０１０６】
化合物４３の合成
前記合成例１の化合物９の合成中、Ｎ−フェニル−２−ナフチルアミンの代わりに前記重合体Ｂを使用した点を除いては、化合物９の合成と同じ方法を利用して化合物４３を合成した（収率８２％）。
【０１０７】
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）７．９８（ｄ，１Ｈ），７．６９（ｂｄ，１Ｈ），７．６７−７．５４（ｍ，１４Ｈ），７．５０−７．３３（ｍ，１４Ｈ），７．２８−７．１３（ｍ，９Ｈ），６．９７（ｔ，１Ｈ）；ＤＥＰＴ １３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）１３６．９，１３６．５，１３０．０，１２９．６，１２９．２，１２７．９，１２７．７，１２７．５，１２７．１，１２６．２，１２６．０，１２５．８，１２３．３，１２２．３，１２２．１，１２０．６，１２０．０，１１８．８，１１０．８，１１０．０。
【０１０８】
前記化合物４３をＣＨ２Ｃｌ２で０．２ｍＭの濃度に希釈してＵＶスペクトルを測定し、最大吸収波長３４５、３１０ｎｍを観察した。
【０１０９】
また、化合物４３に対するＴＧＡ（Ｔｈｅｒｍｏ Ｇｒａｖｉｍｅｔｒｉｃ Ａｎａｌｙｓｉｓ）及びＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）を利用した熱分析（Ｎ２雰囲気 、温度区間：常温〜６００℃（１０℃／ｍｉｎ）−ＴＧＡ、常温から４００℃まで−ＤＳＣ、パンタイプ：一回用のＡｌ Ｐａｎ（ＴＧＡ）中のＰｔパン、一回用のＡｌ Ｐａｎ（ＤＳＣ））によって、Ｔｄ３８０℃、Ｔｇ１２７℃を得た。
【０１１０】
ＵＶ吸収スペクトル及びイオン化ポテンシャル測定器であるＡＣ−２を用いて、ＨＯＭＯ（Ｈｉｇｈｅｓｔ Ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）エネルギー準位５．３０ｅＶ及びＬＵＭＯ（Ｌｏｗｅｓｔ Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）エネルギー準位２．２４ｅＶを得た。
【０１１１】
合成例３：化合物４４の製造
下記化学反応式４の反応経路を経て、化合物４４を合成した。
【化１４】
【０１１２】
中間体Ｃの合成
前記合成例１の中間体Ｂの合成中、アニリンの代わりにｐ−トルイジンを使用した点を除いては、中間体Ｂの合成と同じ方法を利用して中間体Ｃを合成した。
【０１１３】
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）８．０２（ｍ，１Ｈ），７．６７（ｍ，１Ｈ），７．５２−７．３１（ｍ，７Ｈ），７．０２−６．８６（ｍ，５Ｈ），６．１０（ｂｓ，１Ｈ），２．２５（ｓ，３Ｈ）；１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）１４０．１，１３８．８，１３６．４，１３４．７，１２８．８，１２７．３，１２７．０，１２６．４，１２６．１，１２５．５，１１８．１，１１８．０，１１７．６，１１７．４，１１６．７，１１２．１，１１０．１，１０８．４、１０１．４、２０．３。
【０１１４】
化合物４４の合成
前記合成例１の化合物９の合成中、Ｎ−フェニル−２−ナフチルアミンの代わりに中間体Ｃを使用した点を除いては、化合物９の合成と同じ方法を利用して化合物４４を合成した（収率８７％）。
【０１１５】
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）８．０９（ｄ，１Ｈ），８．０１（ｄ，１Ｈ），７．７０−７．５２（ｍ，１７Ｈ），７．４９−７．３５（ｍ，１２Ｈ），７．２４−７．１８（ｍ，２Ｈ），７．１１（ｄ，２Ｈ），７．０４（ｔ，４Ｈ），２．２８（ｔ，３Ｈ）；１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）１４９．５、１４６．４、１４２．６、１４２．２，１４１．３，１３８．９，１３８．３，１３７．５，１３７．０，１３５．０，１３３．２，１３３．１，１３２．６，１３０．９，１３０．７，１３０．５，１２８．８，１２８．５，１２８．３，１２７．７，１２７．１，１２６．５，１２５．２，１２５．０，１２３．８，１２１．９，１２１．４，１２０．８，１１９．３，１１１．５，１１０．６，２０．７。
【０１１６】
前記化合物４４を、ＣＨ２Ｃｌ２で０．２ｍＭの濃度に希釈してＵＶスペクトルを測定し、最大吸収波長３４３、３１３、２４５ｎｍを観察した。
【０１１７】
また、化合物４４に対するＴＧＡ（Ｔｈｅｒｍｏ Ｇｒａｖｉｍｅｔｒｉｃ Ａｎａｌｙｓｉｓ）及びＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）を利用した熱分析（Ｎ２雰囲気 、温度区間：常温〜６００℃（１０℃／ｍｉｎ）−ＴＧＡ、常温から４００℃まで−ＤＳＣ、パンタイプ：一回用のＡｌ Ｐａｎ（ＴＧＡ）中のＰｔパン、一回用のＡｌ Ｐａｎ（ＤＳＣ））によって、Ｔｄ４１４℃、Ｔｇ１２９℃を得た。
【０１１８】
ＵＶ吸収スペクトル及びイオン化ポテンシャル測定器であるＡＣ−２を用いて、ＨＯＭＯ（Ｈｉｇｈｅｓｔ Ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）エネルギー準位５．２０ｅＶ及びＬＵＭＯ（Ｌｏｗｅｓｔ Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）エネルギー準位２．２１ｅＶを得た。
【０１１９】
合成例４．化合物４５の製造
下記化学反応式５の反応経路を経て、化合物４５を合成した。
【化１５】
【０１２０】
中間体Ｄの合成
前記合成例１の中間体Ｂの合成中、アニリンの代わりにｐ−フルオロアニリンを使用した点を除いては、中間体Ｂの合成と同じ方法を利用して中間体Ｄを合成した。
【０１２１】
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）８．０２（ｍ，１Ｈ），７．９７−７．９２（ｍ，２Ｈ），７．６６（ｍ，１Ｈ），７．４８−７．１８（ｍ，９Ｈ），６．９４（ｍ，１Ｈ），６．５０（ｂｓ，１Ｈ）；１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）１５７．８（ｄ），１４０．７（ｄ），１３７．８，１３５．４，１３３．７，１２７．８，１２６．３，１２６．０，１２５．４，１２５．１，１２４．５，１１７．１，１１７．０，１１６．６，１１６．４，１１５．７，１１１．１，１０９．１，１０７．４，１００．４。
【０１２２】
化合物４５の合成
前記合成例１の化合物９の合成中、Ｎ−フェニル−２−ナフチルアミンの代わりに中間体Ｄを使用した点を除いては、化合物９の合成と同じ方法を利用して化合物４５を合成した（収率８０％）。
【０１２３】
１Ｈ ＮＭＲ（Ａｃｅｔｏｎｅ−ｄ６，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）８．０６（ｄ，１Ｈ），８．０２（ｄ，１Ｈ），７．６８−７．５０（ｍ，１６Ｈ），７．４７−７．３４（ｍ，１３Ｈ），７．２１−７．１３（ｍ，４Ｈ），７．０７−７．００（ｍ，４Ｈ）；１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）１５９．８，１５７．４，１４８．７，１４４．５，１４１．８，１４１．４，１４０．３，１３８．２，１３７．５，１３６．８，１３６．２，１３４．２，１３２．８，１３１．９，１３０．１，１２９．８，１２８．０，１２７．７，１２７．６，１２６．９，１２６．４，１２５．９，１２５．８，１２５．６，１２４．５，１２３．０，１２１．２，１２０．６，１２０．１，１１８．５，１１６．１，１１５．８，１１０．９，１０９．８。
【０１２４】
前記過程によって得た化合物４５を、ＣＨ２Ｃｌ２で０．２ｍＭの濃度に希釈してＵＶスペクトルを測定し、最大吸収波長３３８、３０９、２４３ｎｍを観察した。
【０１２５】
また、化合物４５に対するＴＧＡ（Ｔｈｅｒｍｏ Ｇｒａｖｉｍｅｔｒｉｃ Ａｎａｌｙｓｉｓ）及びＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）を利用した熱分析（Ｎ２雰囲気 、温度区間：常温〜６００℃（１０℃／ｍｉｎ）−ＴＧＡ、常温から４００℃まで−ＤＳＣ、パンタイプ：一回用のＡｌ Ｐａｎ（ＴＧＡ）中のＰｔパン、一回用のＡｌ Ｐａｎ（ＤＳＣ））によって、Ｔｄ４０５℃、Ｔｇ１２６℃を得た。
【０１２６】
ＵＶ吸収スペクトル及びイオン化ポテンシャル測定器であるＡＣ−２を用いて、ＨＯＭＯ（Ｈｉｇｈｅｓｔ Ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）エネルギー準位５．２０ｅＶ及びＬＵＭＯ（Ｌｏｗｅｓｔ Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）エネルギー準位２．２２ｅＶを得た。
【０１２７】
合成例５：化合物１３７の製造
下記化学反応式６の反応経路を経て、化合物１３７を合成した。
【化１６】
【０１２８】
中間体Ｅの合成
３，６−ジブロモ−９−フェニルカルバゾール（３．２５ｇ、１０．０ｍｍｏｌe）、ヨードベンゼン（１０．２ｇ，５０．０ｍｍｏｌｅ）、ＣｕＩ（１９０ｍｇ，１．０ｍｍｏｌｅ）、１８−Ｃｒｏｗｎ−６（１３２ｍｇ，０．５ｍｍｏｌｅ）、Ｋ２ＣＯ３（２．７６ｇ，２０．０ｍｍｏｌｅ）をＤＭＰＵ ５０ｍＬに溶解した後、１７０℃で２０時間攪拌した。反応物を室温に冷却し、ジエチルエーテル（５０ｍＬ）を加えた後、多量の水と水酸化アンモニウム溶液で洗浄した。回収した有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を蒸発させて得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィで分離精製して、中間体Ｅを白色固体として３．４０ｇ（収率８５％）を得た。
【０１２９】
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）７．９２（ｍ，２Ｈ），７．５５−７．４７（ｍ，６Ｈ），７．３６−７．１６（ｍ，３Ｈ）；１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）１４２．６，１３７．６，１３０．２，１２９．８，１２７．４，１２７．０，１２２．８，１２２．５，１１５．３，１１１．３。
【０１３０】
中間体Ｆの合成
前記中間体Ｅ（４．０１ｇ、１０．０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ ２０ｍＬに溶解した後、２．６Ｍ ｎ−ブチルリチウム（４．６ｍＬ ｉｎ ｈｅｘａｎｅ、１２．０ｍｍｏｌ）を−７８℃で１０分間かけて添加した。クロロトリフェニルシラン（３．８３ｇ、１３．０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ ２０ｍＬに溶解した後、上述の溶液に−７８℃で２０分間かけて添加し、室温で１７時間攪拌した。反応混合物に水５０ｍＬを加えた後にジエチルエーテル（５０ｍＬ）で２回抽出した。回収した有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を蒸発させて得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィで分離精製して、中間体Ｆを白色固体として３．１９g（収率５５％）を得た。
【０１３１】
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）８．２８−８．２１（ｍ，３Ｈ），８．１４（ｄ，２Ｈ），７．８６−７．１４（ｍ，２１Ｈ）；１３Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）１４３．１，１３７．９，１３６．４，１３４．４，１３３．９，１３３．７，１２９．８，１２９．５，１２９．０，１２８．０，１２７．９，１２７．５，１２６．９，１２４．９，１２３．９，１２３．１，１１８．３，１１１．２，１０９．７，１０７．６。
【０１３２】
化合物１３７の合成
前記合成例２の化合物４３の合成中、中間体Ａの代わりに前記中間体Ｆを使用した点を除いては、化合物４３の合成と同じ方法を利用して化合物１３７を得た（収率８０％）。
【０１３３】
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）８．２５（s，１Ｈ），７．９４（ｄ，３Ｈ），７．６４−７．５２（ｍ，１５Ｈ），７．４３−７．２４（ｍ，１８Ｈ），７．２０−７．１４（ｍ，３Ｈ），７．０２（ｄ，２Ｈ），６．８３（ｔ，１Ｈ）。
【０１３４】
前記化合物１３７を、ＣＨ２Ｃｌ２で０．２ｍＭの濃度に希釈してＵＶスペクトルを測定し、最大吸収波長３１７ｎｍを観察した。
【０１３５】
また、化合物１３７に対するＴＧＡ（Ｔｈｅｒｍｏ Ｇｒａｖｉｍｅｔｒｉｃ Ａｎａｌｙｓｉｓ）及びＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）を利用した熱分析（Ｎ２雰囲気 、温度区間：常温〜６００℃（１０℃／ｍｉｎ）−ＴＧＡ、常温から４００℃まで−ＤＳＣ、パンタイプ：一回用のＡｌ Ｐａｎ（ＴＧＡ）中のＰｔパン、一回用のＡｌ Ｐａｎ（ＤＳＣ））によって、Ｔｄ３９０℃、Ｔｇ１４８℃を得た。ＵＶ吸収スペクトル及びイオン化ポテンシャル測定器であるＡＣ−２を用いて、ＨＯＭＯ（Ｈｉｇｈｅｓｔ Ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）エネルギー準位５．１ｅＶ及びＬＵＭＯ（Ｌｏｗｅｓｔ Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）エネルギー準位２．１５ｅＶを得た。
【０１３６】
実施例１
アノードは、コーニング社の１５Ω／ｃｍ２（１２００Å）ＩＴＯガラス基板を５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．７ｍｍサイズに切って、イソプロピルアルコール及び純水を用いて各５分間超音波洗浄した後に使用した。前記ＩＴＯガラス基板に３０分間紫外線を照射してオゾンに曝露させて洗浄した後、真空蒸着装置に前記ガラス基板を設置した。
【０１３７】
前記基板の上部に化合物９を真空蒸着して、６００Å厚の正孔注入層を形成した。次いで、正孔輸送化合物として４，４’−ビス[Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ]ビフェニル（以下、ＮＰＢ）を３００Åの厚さに真空蒸着して、正孔輸送層を形成した。
【０１３８】
前記正孔輸送層の上部に公知の青色蛍光ホストであるＩＤＥ２１５（出光社製）と公知の青色蛍光ドーパントであるＩＤＥ１１８（出光社製）とを重量比９８：２で同時に蒸着して、３００Å厚の発光層を形成した。
【０１３９】
次いで、前記発光層の上部にＡｌｑ３を真空蒸着して３００Å厚の電子輸送層を形成した後、前記電子輸送層の上部にＬｉＦを真空蒸着して、１０Å厚の電子注入層を形成し、Ａｌを３０００Å（カソード電極）の厚さに真空蒸着してＬｉＦ／Ａｌ電極を形成することによって、有機発光素子を製作した。
【０１４０】
実施例２
正孔注入層の形成時に、前記化合物９の代わりに化合物４３を利用した点を除いては、前記実施例１と同じ方法を利用して有機発光素子を製作した。
【０１４１】
実施例３
正孔注入層形成時に、前記化合物９の代わりに化合物４４を利用した点を除いては、前記実施例１と同じ方法を利用して有機発光素子を製作した。
【０１４２】
実施例４
正孔注入層形成時に、前記化合物９の代わりに化合物４５を利用した点を除いては、前記実施例１と同じ方法を利用して有機発光素子を製作した。
【０１４３】
実施例５
正孔注入層形成時に、前記化合物９の代わりに化合物１３７を利用した点を除いては、前記実施例１と同じ方法を利用して有機発光素子を製作した。
【０１４４】
比較例１
正孔注入層形成時に、前記化合物９の代わりに公知の化合物であるＩＤＥ４０６（出光社製）を利用した点を除いては、前記実施例１と同じ方法を利用して有機発光素子を製作した。
【０１４５】
評価例
前記実施例１ないし５の有機発光素子及び比較例１の有機発光素子の駆動電圧、電流密度、輝度、電流効率及び色座標をＰＲ６５０（Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃａｎ ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ、Ｐｈｏｔｏ Ｒｅｓｅａｒｃｈ ｉｎｃ．製）を利用して評価し、その結果を下記表１に示した。また、実施例１及び２の有機発光素子の駆動電圧と輝度の関係は、図２及び３にそれぞれ示した。実施例３の有機発光素子の時間と輝度（１００ｍＡ／ｃｍ２での輝度）との関係は、図４に表した。
【表１】
【０１４６】
前記表１によれば、実施例１ないし５の有機発光素子は、比較例１の有機発光素子に比べて優れたＩ−Ｖ−Ｌ特性を示した。特に、化合物９を含む有機膜を正孔注入層として備えた実施例１の有機発光素子、及び化合物４３を含む有機膜を正孔注入層として備えた実施例２の有機発光素子の場合、比較例１の有機発光素子に比べて、向上した輝度を示した（図２及び３参照）。また、実施例１ないし５の有機発光素子の場合、比較例１の有機発光素子とほぼ同じ色座標特性を示した。さらに、実施例３の有機発光素子は、比較例１の有機発光素子に比べて優れた寿命特性を示した（図４）。
【０１４７】
本発明を、前記合成例及び実施例を参考にして説明したが、これらは例示的なものに過ぎず、当業者であれば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的な保護範囲は、特許請求の範囲により決定されなければならない。
【産業上の利用可能性】
【０１４８】
本発明は、有機発光素子関連の技術分野に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【０１４９】
【図１】本発明による有機発光素子の一具現例の構造を概略的に示す断面図である。
【図２】実施例１の有機発光素子及び比較例１の有機発光素子の駆動電圧による輝度変化を示すグラフである。
【図３】実施例２の有機発光素子及び比較例１の有機発光素子の駆動電圧による輝度変化を示すグラフである。
【図４】実施例３の有機発光素子及び比較例１の有機発光素子の経時的な輝度変化を示すグラフである。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記化学式１で表示されるシラニルアミン系化合物。
【化１】
前記化学式１中、
Ｘは、単一結合、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のアルキレン基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリーレン基、または置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリーレン基であり、
ｎは、１〜５から選択される整数であり、
Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立して水素、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、または置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基であり、
Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、互いに独立して水素、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のアルキル基、置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のアルケニル基、置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のアルキニル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のアルコキシ基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリールオキシ基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、または置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基であり、前記Ｒ１、Ｒ２及びＲ３のうち互いに隣接した２以上は、互いに連結して飽和または不飽和環を形成してもよい。
【請求項２】
前記Ｘが、置換または非置換のＣ１−Ｃ１０のアルキレン基、置換または非置換のフェニレン、置換または非置換のナフチレン、置換または非置換のフルオレニレン、置換または非置換のアントラセニレン、置換または非置換のピリジニレン、置換または非置換のキノリレン、置換または非置換のイソキノリレン、置換または非置換のアントラキノリレン、及び置換または非置換のカルバゾリレンからなる群から選択された一つであることを特徴とする請求項１記載のシラニルアミン系化合物。
【請求項３】
前記Ｘが、下記化学式２に記載された構造のうちから選択された一つであることを特徴とする請求項１に記載のシラニルアミン系化合物。
【化２】
前記化学式２中、Ｒ４及びＲ５は、互いに独立して水素、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のアルキル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のアルコキシ基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、及び置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基からなる群から選択される。
【請求項４】
前記Ｒ４及びＲ５が、互いに独立してフェニル基またはハロフェニル基から選択されることを特徴とする請求項３に記載のシラニルアミン系化合物。
【請求項５】
−（Ｘ）ｎ−が、下記化学式３に記載された構造のうちから選択された一つであることを特徴とする請求項１に記載のシラニルアミン系化合物。
【化３】
【請求項６】
前記Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立して置換または非置換のＣ６−Ｃ１２のアリール基、または置換または非置換のＣ３−Ｃ１５のヘテロアリール基であることを特徴とする請求項１に記載のシラニルアミン系化合物。
【請求項７】
前記Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立してフェニル基、ハロフェニル基、シアノフェニル基、Ｃ１−Ｃ５アルキルフェニル基、Ｃ１−Ｃ５アルコキシフェニル基、フェノキシフェニル基、−Ｎ（Ｚ１）（Ｚ２）で置換されたフェニル基、ビフェニル基、ハロビフェニル基、シアノビフェニル基、Ｃ１−Ｃ５アルキルビフェニル基、Ｃ１−Ｃ５アルコキシビフェニル基、−Ｎ（Ｚ１）（Ｚ２）で置換されたビフェニル基、ナフチル基、ハロナフチル基、シアノナフチル基、Ｃ１−Ｃ５アルキルナフチル基、Ｃ１−Ｃ５アルコキシナフチル基、フェノキシナフチル基、−Ｎ（Ｚ１）（Ｚ２）で置換されたナフチル基、フルオレニル基、ハロフルオレニル基、シアノフルオレニル基、Ｃ１−Ｃ５アルキルフルオレニル基、Ｃ１−Ｃ５アルコキシフルオレニル基、フェノキシフルオレニル基、カルバゾリル基、ハロカルバゾリル基、シアノカルバゾリル基、Ｃ１−Ｃ５アルキルカルバゾリル基、Ｃ１−Ｃ５アルコキシカルバゾリル基、フェノキシカルバゾリル基、−Ｎ（Ｚ１）（Ｚ２）で置換されたカルバゾリル基、Ｃ６−Ｃ１２アリールカルバゾリル基、Ｃ６−Ｃ１２ハロアリールカルバゾリル基、ピリジル基、ハロピリジル基、シアノピリジル基、Ｃ１−Ｃ５アルキルピリジル基、Ｃ１−Ｃ５アルコキシピリジル基、フェノキシピリジル基、及び−Ｎ（Ｚ１）（Ｚ２）で置換されたピリジル基からなる群から選択され、前記Ｚ１及びＺ２は、互いに独立して水素、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のアルキル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のハロアルキル基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のハロアリール基、及び置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基からなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載のシラニルアミン系化合物。
【請求項８】
前記Ｚ１及びＺ２が、互いに独立してＣ６−Ｃ１２のアリール基、またはＣ６−Ｃ１２のハロアリール基であることを特徴とする請求項７に記載のシラニルアミン系化合物。
【請求項９】
前記Ａｒ１及びＡｒ２が、互いに独立して下記化学式４に記載された構造のうちから選択された一つであることを特徴とする請求項１に記載のシラニルアミン系化合物。
【化４】
前記化学式４中、ｍは、１〜５から選択される整数である。
【請求項１０】
前記化学式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、互いに独立して置換または非置換のＣ１−Ｃ１０のアルキル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ１０のアルコキシ基、置換または非置換のＣ６−Ｃ１２のアリール基、置換または非置換のＣ６−Ｃ１２のアリールオキシ基またはＣ３−Ｃ１２のヘテロアリール基であることを特徴とする請求項１に記載のシラニルアミン系化合物。
【請求項１１】
前記Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、互いに独立してＣ１−Ｃ１０のアルキル基、フェニル基、ハロフェニル基、シアノフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシフェニル基、ビフェニル基、ハロビフェニル基、ナフチル基、ハロナフチル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルナフチル基またはＣ１−Ｃ１０アルコキシナフチル基からなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載のシラニルアミン系化合物。
【請求項１２】
シラニルアミン系化合物が、下記化合物９、４３、４４、４５または１３７からなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載のシラニルアミン系化合物。
【化５】
【請求項１３】
下記化学式１ａで示される化合物と下記化学式１ｂで示される化合物とを反応させて、下記化学式１で示されるシラニルアミン系化合物を製造する方法。
【化６】
前記化学式中、
Ｘは、単一結合、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のアルキレン基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリーレン基、または置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリーレン基であり、
ｎは、１〜５から選択される整数であり、
Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立して水素、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、または置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基であり、
Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、互いに独立して水素、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のアルキル基、置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のアルケニル基、置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のアルキニル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のアルコキシ基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリールオキシ基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、または置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基であり、前記Ｒ１、Ｒ２及びＲ３のうち互いに隣接した２以上は、互いに連結して飽和または不飽和環を形成してもよく、
Ｙは、ハロゲン原子である。
【請求項１４】
第１電極、第２電極、及び前記第１電極と第２電極との間に挟持された有機膜を備えた有機発光素子であって、前記有機膜が、請求項１ないし請求項１２のうちいずれか一項に記載のシラニルアミン系化合物を含むことを特徴とする有機発光素子。
【請求項１５】
前記有機膜が正孔注入層または正孔輸送層であることを特徴とする請求項１４に記載の有機発光素子。
【請求項１６】
前記有機膜が、正孔注入機能及び正孔輸送機能を同時に有する単一膜であることを特徴とする請求項１４に記載の有機発光素子。
【請求項１７】
前記素子が、第１電極／正孔注入層／発光層／第２電極、第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／第２電極、または第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極の構造を有することを特徴とする請求項１５に記載の有機発光素子。
【請求項１８】
正孔阻止層及び電子阻止層のうちの一層以上の層をさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の有機発光素子。
【請求項１９】
第１電極／正孔注入機能及び正孔輸送機能を同時に有する単一膜／発光層／電子輸送層／第２電極、または第１電極／正孔注入機能及び正孔輸送機能を同時に有する単一膜／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極の構造を有することを特徴とする請求項１６に記載の有機発光素子。
【請求項２０】
正孔阻止層及び電子阻止層のうちの一層以上の層をさらに含むことを特徴とする請求項１９に記載の有機発光素子。
【請求項２１】
前記有機膜が、発光層であることを特徴とする請求項１４に記載の有機発光素子。
【請求項２２】
前記発光層が、燐光または蛍光材料を含むことを特徴とする請求項２１に記載の有機発光素子。
【請求項１】
下記化学式１で表示されるシラニルアミン系化合物。
【化１】
前記化学式１中、
Ｘは、単一結合、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のアルキレン基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリーレン基、または置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリーレン基であり、
ｎは、１〜５から選択される整数であり、
Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立して水素、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、または置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基であり、
Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、互いに独立して水素、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のアルキル基、置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のアルケニル基、置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のアルキニル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のアルコキシ基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリールオキシ基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、または置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基であり、前記Ｒ１、Ｒ２及びＲ３のうち互いに隣接した２以上は、互いに連結して飽和または不飽和環を形成してもよい。
【請求項２】
前記Ｘが、置換または非置換のＣ１−Ｃ１０のアルキレン基、置換または非置換のフェニレン、置換または非置換のナフチレン、置換または非置換のフルオレニレン、置換または非置換のアントラセニレン、置換または非置換のピリジニレン、置換または非置換のキノリレン、置換または非置換のイソキノリレン、置換または非置換のアントラキノリレン、及び置換または非置換のカルバゾリレンからなる群から選択された一つであることを特徴とする請求項１記載のシラニルアミン系化合物。
【請求項３】
前記Ｘが、下記化学式２に記載された構造のうちから選択された一つであることを特徴とする請求項１に記載のシラニルアミン系化合物。
【化２】
前記化学式２中、Ｒ４及びＲ５は、互いに独立して水素、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のアルキル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のアルコキシ基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、及び置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基からなる群から選択される。
【請求項４】
前記Ｒ４及びＲ５が、互いに独立してフェニル基またはハロフェニル基から選択されることを特徴とする請求項３に記載のシラニルアミン系化合物。
【請求項５】
−（Ｘ）ｎ−が、下記化学式３に記載された構造のうちから選択された一つであることを特徴とする請求項１に記載のシラニルアミン系化合物。
【化３】
【請求項６】
前記Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立して置換または非置換のＣ６−Ｃ１２のアリール基、または置換または非置換のＣ３−Ｃ１５のヘテロアリール基であることを特徴とする請求項１に記載のシラニルアミン系化合物。
【請求項７】
前記Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立してフェニル基、ハロフェニル基、シアノフェニル基、Ｃ１−Ｃ５アルキルフェニル基、Ｃ１−Ｃ５アルコキシフェニル基、フェノキシフェニル基、−Ｎ（Ｚ１）（Ｚ２）で置換されたフェニル基、ビフェニル基、ハロビフェニル基、シアノビフェニル基、Ｃ１−Ｃ５アルキルビフェニル基、Ｃ１−Ｃ５アルコキシビフェニル基、−Ｎ（Ｚ１）（Ｚ２）で置換されたビフェニル基、ナフチル基、ハロナフチル基、シアノナフチル基、Ｃ１−Ｃ５アルキルナフチル基、Ｃ１−Ｃ５アルコキシナフチル基、フェノキシナフチル基、−Ｎ（Ｚ１）（Ｚ２）で置換されたナフチル基、フルオレニル基、ハロフルオレニル基、シアノフルオレニル基、Ｃ１−Ｃ５アルキルフルオレニル基、Ｃ１−Ｃ５アルコキシフルオレニル基、フェノキシフルオレニル基、カルバゾリル基、ハロカルバゾリル基、シアノカルバゾリル基、Ｃ１−Ｃ５アルキルカルバゾリル基、Ｃ１−Ｃ５アルコキシカルバゾリル基、フェノキシカルバゾリル基、−Ｎ（Ｚ１）（Ｚ２）で置換されたカルバゾリル基、Ｃ６−Ｃ１２アリールカルバゾリル基、Ｃ６−Ｃ１２ハロアリールカルバゾリル基、ピリジル基、ハロピリジル基、シアノピリジル基、Ｃ１−Ｃ５アルキルピリジル基、Ｃ１−Ｃ５アルコキシピリジル基、フェノキシピリジル基、及び−Ｎ（Ｚ１）（Ｚ２）で置換されたピリジル基からなる群から選択され、前記Ｚ１及びＺ２は、互いに独立して水素、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のアルキル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のハロアルキル基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のハロアリール基、及び置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基からなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載のシラニルアミン系化合物。
【請求項８】
前記Ｚ１及びＺ２が、互いに独立してＣ６−Ｃ１２のアリール基、またはＣ６−Ｃ１２のハロアリール基であることを特徴とする請求項７に記載のシラニルアミン系化合物。
【請求項９】
前記Ａｒ１及びＡｒ２が、互いに独立して下記化学式４に記載された構造のうちから選択された一つであることを特徴とする請求項１に記載のシラニルアミン系化合物。
【化４】
前記化学式４中、ｍは、１〜５から選択される整数である。
【請求項１０】
前記化学式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、互いに独立して置換または非置換のＣ１−Ｃ１０のアルキル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ１０のアルコキシ基、置換または非置換のＣ６−Ｃ１２のアリール基、置換または非置換のＣ６−Ｃ１２のアリールオキシ基またはＣ３−Ｃ１２のヘテロアリール基であることを特徴とする請求項１に記載のシラニルアミン系化合物。
【請求項１１】
前記Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、互いに独立してＣ１−Ｃ１０のアルキル基、フェニル基、ハロフェニル基、シアノフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシフェニル基、ビフェニル基、ハロビフェニル基、ナフチル基、ハロナフチル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルナフチル基またはＣ１−Ｃ１０アルコキシナフチル基からなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載のシラニルアミン系化合物。
【請求項１２】
シラニルアミン系化合物が、下記化合物９、４３、４４、４５または１３７からなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載のシラニルアミン系化合物。
【化５】
【請求項１３】
下記化学式１ａで示される化合物と下記化学式１ｂで示される化合物とを反応させて、下記化学式１で示されるシラニルアミン系化合物を製造する方法。
【化６】
前記化学式中、
Ｘは、単一結合、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のアルキレン基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリーレン基、または置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリーレン基であり、
ｎは、１〜５から選択される整数であり、
Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立して水素、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、または置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基であり、
Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、互いに独立して水素、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のアルキル基、置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のアルケニル基、置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のアルキニル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ３０のアルコキシ基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリールオキシ基、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０のアリール基、または置換または非置換のＣ２−Ｃ３０のヘテロアリール基であり、前記Ｒ１、Ｒ２及びＲ３のうち互いに隣接した２以上は、互いに連結して飽和または不飽和環を形成してもよく、
Ｙは、ハロゲン原子である。
【請求項１４】
第１電極、第２電極、及び前記第１電極と第２電極との間に挟持された有機膜を備えた有機発光素子であって、前記有機膜が、請求項１ないし請求項１２のうちいずれか一項に記載のシラニルアミン系化合物を含むことを特徴とする有機発光素子。
【請求項１５】
前記有機膜が正孔注入層または正孔輸送層であることを特徴とする請求項１４に記載の有機発光素子。
【請求項１６】
前記有機膜が、正孔注入機能及び正孔輸送機能を同時に有する単一膜であることを特徴とする請求項１４に記載の有機発光素子。
【請求項１７】
前記素子が、第１電極／正孔注入層／発光層／第２電極、第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／第２電極、または第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極の構造を有することを特徴とする請求項１５に記載の有機発光素子。
【請求項１８】
正孔阻止層及び電子阻止層のうちの一層以上の層をさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の有機発光素子。
【請求項１９】
第１電極／正孔注入機能及び正孔輸送機能を同時に有する単一膜／発光層／電子輸送層／第２電極、または第１電極／正孔注入機能及び正孔輸送機能を同時に有する単一膜／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極の構造を有することを特徴とする請求項１６に記載の有機発光素子。
【請求項２０】
正孔阻止層及び電子阻止層のうちの一層以上の層をさらに含むことを特徴とする請求項１９に記載の有機発光素子。
【請求項２１】
前記有機膜が、発光層であることを特徴とする請求項１４に記載の有機発光素子。
【請求項２２】
前記発光層が、燐光または蛍光材料を含むことを特徴とする請求項２１に記載の有機発光素子。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２００８−１２０７８６（Ｐ２００８−１２０７８６Ａ）
【公開日】平成２０年５月２９日（２００８．５．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１３５４２８（Ｐ２００７−１３５４２８）
【出願日】平成１９年５月２２日（２００７．５．２２）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年５月２９日（２００８．５．２９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年５月２２日（２００７．５．２２）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Ｆターム（参考）】
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