ステージ装置およびその制御方法
【課題】試料と副ステージを確実に密着させても、試料を破損する危険の少ないステージ装置の制御方法を提供する。
【解決手段】試料９を載置する主基台１と、主基台１に対向配置された副基台７と、副基台７上のアクチュエータ６と、副基台７からバネで吊り下げられるアクチュエータ６によって制御される副ステージ８と、副基台７と前記副ステージ８との間の距離を計測する距離センサとを備え、試料９の厚さ方向の公差を接触時最大位置決め誤差と定義したとき、アクチュエータ６の各出力推力制限値ＦＬ[ｐ]を、予め求めた試料が存在しない場合の各出力推力に試料９が許容する押し当て力を加えた値とするステップと、副ステージ８の位置許容偏差を副ステージ８に設定された位置許容偏差に接触時最大置決め誤差を加えた値とするステップ等の５ステップより試料９にアクチュエータ６が接触したと判断する。
【解決手段】試料９を載置する主基台１と、主基台１に対向配置された副基台７と、副基台７上のアクチュエータ６と、副基台７からバネで吊り下げられるアクチュエータ６によって制御される副ステージ８と、副基台７と前記副ステージ８との間の距離を計測する距離センサとを備え、試料９の厚さ方向の公差を接触時最大位置決め誤差と定義したとき、アクチュエータ６の各出力推力制限値ＦＬ[ｐ]を、予め求めた試料が存在しない場合の各出力推力に試料９が許容する押し当て力を加えた値とするステップと、副ステージ８の位置許容偏差を副ステージ８に設定された位置許容偏差に接触時最大置決め誤差を加えた値とするステップ等の５ステップより試料９にアクチュエータ６が接触したと判断する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平面と平面を密着させて作業を行う機能を有し、平面位置決めおよび姿勢制御をするためのステージ装置およびその制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の平面位置決めおよび姿勢制御をするためのステージ装置（以下、「平面位置決めおよび姿勢制御装置」と呼ぶ。）は、レーザ干渉計などの精密な距離計測が可能な距離センサやピエゾ素子などの精密動作が可能なアクチュエータを用いて精密に位置制御されている（例えば、特許文献１参照）。
図６において、６１は主基台であり、主基台６１上には主ステージ６２が設置され、主ステージ６２の上方には３個の距離センサ６３が配置される。この距離センサ６３がレーザ干渉計などを使用している。この距離センサ６３によって計測された距離は変換回路６４、制御回路６５を経由して電圧信号として出力され、アクチュエータであるピエゾ素子６６に印加されることによって副基台６７上の副ステージ６８の位置および姿勢を制御している。この例では、３個の距離センサ６３が計測した距離に比例した電圧がピエゾ素子６６に印加されているのであって、主基台上６１上の主ステージ２の位置および姿勢に比例した力がピエゾ素子６６に印加されているということになる。
このように、従来の平面位置決めおよび姿勢制御装置では、位置および姿勢を合わせるべき主ステージ面の位置および姿勢を計測して、副ステージ面を駆動するという手順がとられていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開昭６２−８８０１０号公報（第２−３頁、図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の平面位置決めおよび姿勢制御方法では、試料などの搭載された位置および姿勢を計測される主ステージと、位置決めおよび姿勢制御を実際に行う副ステージは個別のものであり、駆動される副ステージの位置情報はフィードバックされていなかった。
また、大きくは主ステージ上に搭載された試料等が副ステージと接触するということは想定されておらず、副ステージのみの通常の位置決めと主ステージ上に搭載された試料等の被接触平面への接触を伴う位置決めの場合には同じ手順をとっていたのである。例えば、特許文献１のような制御方法で、副ステージと主ステージ上に搭載された試料が接触する場合には、副ステージの位置および姿勢のフィードバックがないために被接触平面である試料に密着できない、あるいは接触対象である副ステージを必要以上に押し付けてしまい試料の破損の危険性が高まるという問題があった。
また、仮に副ステージの位置および姿勢のフィードバックを制御に用いるとすると、主ステージの位置および姿勢とともに、副ステージの位置および姿勢も計測する必要があり、コストが高くなったり、構造が複雑になったりするという問題もあった。
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、被接触平面を持つ試料と接触平面を持つ副ステージを確実に密着させるとともに、試料を破損する危険を減少させ、被接触平面と接触平面の接触を容易に検出する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記問題を解決するため、本発明は、次のようにしたのである。
第１発明であるステージ装置の制御方法の発明は、試料を載置するための主基台と、前記主基台の上側に対向配置された副基台と、前記副基台上に設けられた３つのアクチュエータと、前記副基台からバネを介して吊り下げられるとともに、前記３つのアクチュエータによって位置および姿勢が制御される副ステージと、前記副基台と前記副ステージとの間の距離を計測する距離センサと、を備え、前記副ステージを前記試料に接触させるステージ装置において、前記試料の厚さ方向の公差を接触時最大位置決め誤差と定義したとき、以下のステップ（１）〜（５）を含むことを特徴とするものである。
（１）前記３つのアクチュエータの各出力推力制限値ＦＬ[ｐ]を、予め求めた、前記試料が存在しない場合に位置決め処理した場合の前記各出力推力に前記試料が許容する押し当て力を加えた値とする第１のステップ。
（２）前記副ステージの位置許容偏差を、副ステージに設定された位置許容偏差に、前記接触時最大置決め誤差を加えた値とする第２のステップ。
（３）前記副ステージの位置決め目標位置を、試料が理想試料である場合の接触位置に、前記接触時最大置決め誤差を加えた値とする第３のステップ。
（４）前記３つのアクチュエータの各出力推力Ｆを、前記推力制限値ＦＬ[ｐ]以下に制限しながら、前記副ステージを降下させる第４のステップ。
（５）前記各出力推力Ｆのいずれかが、前記推力制限値ＦＬ［ｐ］を超えた場合、当該アクチュエータの位置決め目標位置を現在位置へと変更し、前記試料に該アクチュエータが接触したと判断する第５のステップ。
第２発明は、前記第１発明のステージ装置の制御方法において、前記第５のステップ（５）に代えて、以下のステップ（６）としたことを特徴とするものである。
（６）前記各出力推力Ｆのいずれもが、推力制限値ＦＬ[ｐ]を超えることなく位置決めが完了した場合、前記試料に該アクチュエータが接触したと判断する第６のステップ。
第３発明であるステージ装置の発明は、試料を載置するための主基台と、前記主基台の上側に対向配置された副基台と、前記副基台上に設けられた３つのアクチュエータと、前記副基台からバネを介して吊り下げられるとともに、前記３つのアクチュエータによって位置および姿勢が制御される副ステージと、前記副基台と前記副ステージとの間の距離を計測する距離センサと、を備え、前記副ステージを前記試料に接触させるステージ装置において、前記３つのアクチュエータの各出力推力制限値ＦＬ[ｐ]を、予め求めた、前記試料が存在しない場合に位置決め処理した場合の前記各出力推力に前記試料が許容する押し当て力を加えた値とするステップを処理する第１の処理手段と、前記副ステージの位置許容偏差を、副ステージに設定された位置許容偏差に、前記接触時最大置決め誤差を加えた値とするステップを処理する第２の処理手段と、前記副ステージの位置決め目標位置を、試料が理想試料である場合の接触位置に、前記接触時最大置決め誤差を加えた値とするステップを処理する第３の処理手段と、前記３つのアクチュエータの各出力推力Ｆを、前記推力制限値ＦＬ[ｐ]以下に制限しながら、前記副ステージを降下させるステップを処理する第４の処理手段と、前記各出力推力Ｆのいずれかが、前記推力制限値ＦＬ［ｐ］を超えた場合、当該アクチュエータの位置決め目標位置を現在位置へと変更し、前記試料に該アクチュエータが接触したと判断するステップを処理する第５の処理手段と、を備えたことを特徴とするものである。
第４発明は、前記第３発明のステージ装置において、前記第５の処理手段に代えて、前記各出力推力Ｆのいずれもが、推力制限値ＦＬ[ｐ]を超えることなく位置決めが完了した場合、前記試料に該アクチュエータが接触したと判断するステップを処理する第６の処理手段としたことを特徴とするものである。
第５発明である搬送装置の発明は、前記第３または第４発明のステージ装置を備え、前記副ステージが前記試料を吸着し、水平方向へ移動することにより、前記試料を搬送することを特徴とするものである。
第６発明である検査装置の発明は、前記第３または第４発明のステージ装置を備え、前記ステージ装置に載置された試料を検査することを特徴とするものである。
第７発明である平面加工装置の発明は、前記第３または第４発明のステージ装置を備え、前記ステージ装置に載置された試料の平面を加工することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００６】
前記第１および第３発明によると、アクチュエータ出力推力は、第１のステップ、および第３のステップにより移動するために十分な推力を確保すると同時に試料が許容する押し当て力以下に制限されるので、試料を破損する危険性を減少することができる。
また、許容押し当て力が小さい場合であっても、最低限の移動に対する推力は確保されているので、確実な位置決めを行うことができ、確実に副ステージと試料を密着させることができる。
さらには試料が最大公差分薄いとしても、第３のステップによって目標位置がこの場合の副ステージと試料の接触面の位置に設定されているため、確実に試料と副ステージを接触させることができる。
また、試料が最大公差分厚いとしても、第２のステップによって位置許容偏差がこの場合を想定して設定されているため、副ステージは異常を検出することなく確実に接触面である副ステージと被接触面である試料を接触させることができるのである。
また第５のステップによって、出力推力が制限値以上となった場合には、試料と副ステージが接触したと判断される。このため、容易に接触状態を判断することができ、出力の微分値を用いて接触を検出するような場合に比べて、レベルで判断するため耐ノイズ性を向上することができる。
以上によって、試料の厚さ方向の公差があったとしても安全、かつ確実に試料と副ステージを接触させ、その接触状態を検出することができる。
また、前記第２および第４発明によると、試料が最大公差分薄い場合には、推力が制限値以上となることなく位置決めが完了するが、この場合であっても第６のステップによって接触したと判断されるので確実に接触状態を検出することができる。
また、前記第５〜第７の用途発明によると、前記第３および第４発明の効果を得て、各用途装置の目的を確実、容易に果たすことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の方法を適用する平面位置決めおよび姿勢制御装置の構成を示す図である。
【図２】本発明の方法を適用する平面位置決めおよび姿勢制御装置の機構部を示す側面図である。
【図３】本発明における副ステージ移動時の位置と推力の関係を示すグラフである。
【図４】本発明の前処理手順を示すフローチャートである。
【図５】本発明の主要処理手順を示すフローチャートである。
【図６】従来の方法を適用した平面位置決めおよび姿勢制御装置の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の方法の具体的実施例について、図に基づいて説明する。
【実施例１】
【０００９】
図１は、本発明の方法を実施する平面位置決めおよび姿勢制御装置の構成を示す構成図である。
図において、１００は本発明の方法を実施する平面位置決めおよび姿勢制御装置である。７は副基台であり、副基台７上（図においては、「下」であるが、便宜上、以下「上」と呼ぶ。）に、アクチュエータ６を介して副ステージ８が設置されている。副ステージは、その自重をキャンセルするために、バネ（不図示）を介して吊り下げられている。
また、同様に副基台７上には距離センサ３が設置されており、副基台７と副ステージ８間の距離を計測する。距離センサ３で計測された距離は変換回路４によって、例えば光信号から電圧信号などの形態に変換され、コントローラ１０へと入力される。コントローラ１０では距離センサ３によって得られた距離情報と、上位コントローラ１１から受信した目標位置情報を基に位置制御が行われており、アクチュエータ６への出力を決定し、制御回路５へと推力情報を出力する。制御回路５は受信した推力情報を電圧へと変換し、アクチュエータ６へ電圧を印加する。電圧を印加されたアクチュエータ６はそれぞれ副基台７に対する副ステージ８の位置および姿勢を変位させ、その結果が再び、距離センサ３によりコントローラ１０にフィードバックされる仕組みとなっている。また１は主基台であり、主基台１上に、試料９が設置されている。試料９は任意のもので構わないが、例えば、半導体ウエハ、レチクル、ガラス基板等である。
なお、アクチュエータ６はピエゾ素子とは限定されず他のアクチュエータでもよく、例えばボイスコイルモータなどが用いられる。また距離センサ３はレーザ干渉計、リニアスケール、静電容量センサなどの距離センサであっても構わない。また、特許文献１とは異なり距離センサは主基台１上ではなく、副基台７上に設置されている。
【００１０】
ここで、図１に示す平面位置決めおよび姿勢制御装置１００は、試料９を搬送する搬送装置に適用することが可能であり、図示しない駆動機構、例えばリニアモータによって副基台７は水平方向に自在に移動可能である。この場合、副ステージ８には、試料９を吸着するための図示しない吸着機構、たとえば真空吸着機構が備えられている。搬送装置のように副ステージ８と試料９が接触しなければならないような装置においては、アクチュエータ６が動作して副ステージ８が変位して充分に試料９へ接近し、接触した後、図示しない吸着機構を動作させ試料９を副ステージ８へと吸着させる。
なお、図１に示す平面位置決めおよび姿勢制御装置１００は試料９を検査、または加工する装置に適用することもできるが、この場合は、アクチュエータ６が動作して副ステージ８が変位して充分に試料９へ接近、接触し所定の検査、加工を行うこととなる。
このときに、図２（ａ）に示すように試料９が副ステージ８と接触する上面の位置および姿勢が理想的である場合には、その位置および姿勢を目標値として位置決めを行えば良い。しかしながら、現実には試料９および主基台１には厚さに対する公差ΔT（図２（ｂ））や、傾きに対する公差Δθ（図２（ｃ））が存在する。このため理想位置を目標位置として副ステージ８を位置決めした場合には、公差ΔTがマイナスの値であり、試料９が理想よりも薄い場合に副ステージ８は試料９に接触せず、公差ΔTがプラスの値であり、試料９が理想よりも厚い場合には、副ステージ８は試料９を押し込み、余計な力を試料９に加えてしまう。
また、傾きの公差であるΔθが存在する場合には、副ステージ８は試料９に対して片あたりしてしまい試料９を押し込むばかりか、試料９の被接触平面である上面に密着することもできない。
【００１１】
図３は平面位置決めおよび姿勢制御装置１００（図１）における各アクチュエータ６の位置と推力の関係を示すグラフである。なお、Ｆ[p]は、推力が位置の関数であることを表すものである。
直線ｏ−ａ−ｂは、試料９がある場合の推力の位置変化を示し、直線ｏ−ａ−ｃは、試料９がない場合の推力の位置変化を示している。
この図に示すように、主基台１上に試料９がない場合と、試料９がある場合とでは、副ステージ８と試料９が接触した位置（ａ点）以降においては推力が異なる。これはコントローラ１０内において位置制御が行われているためである。すなわち、ａ点以降、直線ｏ−ａ−ｂの方が推力が大きくなるのは、試料９に副ステージ８が接触した後も目標位置pへ移動しようとして、推力Ｆを発生するためである。
なお、直線ｏ−ａ−ｃが推力一定でなく、右肩上がりであるのは、副ステージがバネ（不図示）を介して吊り下げられているためである。バネを介して吊り下げられていなければ、推力は一定となる。
【００１２】
図４および図５は本発明による平面位置決めおよび姿勢制御装置１００（図１）を制御する処理手順を示すフローチャートである。
図４は図３に示す試料９が主基台１上にない場合の推力データを取得する前処理の方法を説明したフローチャートであり、図５は本発明の位置決め方法を示す主要処理部分を示すフローチャートである。この図を用いて本発明の方法を順を追って説明する。
【００１３】
はじめに、図４について説明する。
なお、試料９があると判断すると本データ取得は行わない（ステップ４０１）。試料９が存在するかどうかは、上位コントローラ１１からの指令に基づいて判断しても構わないし、試料９に対して有無センサを設置し、そのセンサ情報に基づいて判断しても構わない。
図３において試料９に接触した場合の位置と推力、試料９がない場合の位置と推力を比較できるように副ステージ８の位置に対する各アクチュエータ３の推力を予め、前処理として取得しておく必要がある。ここで、便宜上、試料に押し当てる方向＝下方向を正方向とする。このため、目標位置は、理想試料の被接触平面の位置に接触時最大位置決め誤差である試料９の厚さ方向の公差を加えたものである必要がある（ステップ４０２）。この値は、試料９が最大公差ΔTだけ薄い場合にも、副ステージ８が試料９と接触する位置である。
位置決め動作をコントローラ１０により開始した後（ステップ４０３）、現在位置＝目標位置となるまで（ステップ４０６）、各センサ３から得られた現在位置ｐに対する各アクチュエータ６の出力推力Ｆを取得し（ステップ４０４）、移動時所要推力Ｆ［ｐ］として保存する（ステップ４０５）。なお、出力推力Ｆは、コントローラ１０内にて位置制御された結果として制御回路５へ出力される推力Ｆであり、これを取得、保存する。この前処理は装置立上げ時に一度行っておけばよく、試料９がない場合の推力に経年変化がないとすればこの前処理結果を図示しない不揮発性メモリに記録しておき繰返し使用すればよい。
【００１４】
次に、図５について説明する。
まず、上位コントローラ１１からの指令によって、位置決め動作を開始する（ステップ５００）。この位置決め動作が試料９への接触動作であるかどうかの判断は、上位コントローラ１１からの指令によるものであってもよいし、試料９に対して設置された図示しない有無センサからの情報と、位置目標値との演算によるものであっても構わない。
一方、試料９への接触動作ではない場合は、図５の右側に示すフローで処理を行うが、これは単純な位置決め動作の処理である（詳細は省略する）。
試料９への接触動作である場合は、図５の左側に示すフローで処理を行う（ステップ５０１）。
次に、各アクチュエータの推力制限値ＦＬ［ｐ］を設定する。各アクチュエータの推力制限値ＦＬ［ｐ］は、図４のフローにて取得した位置ｐに対する推力Ｆ［ｐ］に、試料９が許容する押し当て推力Ｆｐｌを加えた値とする（ステップ５０２）。これは現在位置ｐによって動的に変動する値であり、位置決め動作完了まで変動しつづける。このように推力を制限しておくことによって、各アクチュエータは試料９へ副ステージ８が接触するに充分な推力を確保しつつ、同時に試料９に対して必要以上に力を加えることを防ぐことができる。
次に、位置許容偏差を設定する。一般的な位置決め制御においては、制御系や機構の異常を検出するために、位置指令と現在位置の偏差を監視し、その値がシステムとして許容される値を超えると異常であると判断する。試料９への接触を伴わない動作において、この値はまさにシステムとして許容される値そのものを設定しておく（ステップ５１３）。
一方で、試料９への接触を伴う動作において許容される偏差は、副ステージ８に設定された許容偏差に、接触時最大位置決め誤差を加えたものである（ステップ５０３）。
このようにすることで、試料９への接触を伴わない動作の場合には、システムが求める精度を確保しつつ、接触を伴う場合には試料９の公差を加えることで、試料９に密着するために、副ステージ８の位置および姿勢が理想試料の被接触平面の位置から逸脱した場合であっても正常動作であることを保証することができる。
次に、目標位置を設定する。
ステップ４０２と同様に目標位置は理想試料の被接触平面の位置に接触時最大位置決め誤差である試料９の厚さ方向の公差を加えたものである必要がある（ステップ５０４）。
このように試料９の公差を考慮することで、確実に副ステージ８と試料９が密着する位置へ目標位置を設定することができる。
【００１５】
推力制限値、位置許容偏差、目標位置を設定した後、位置決め動作を開始すると（ステップ５０５）、出力推力Ｆとその位置を監視し（ステップ５０６）、出力推力Ｆが、ステップ５０２で設定した推力制限値ＦＬ［ｐ］を超えた場合には、該当アクチュエータ３の目標位置を現在位置へと変更する（ステップ５２７）。 その後、接触と判断する（ステップ５０９）。もしくは、出力推力Ｆが推力制限値ＦＬ[ｐ]を超えることなく正常に位置決めが完了した場合にも（ステップ５０７）、同様に接触したと判断する（ステップ５０９）。
"接触"と判断したアクチュエータ３においては、試料９を押し付ける適正な推力Ｆｃに、図３における試料がない場合の推力を加えたもの以下に出力推力Ｆを制限し（ステップ５０９）、位置決め動作を終了とする（ステップ５１０）。
この試料９を押し当てる適正な推力Ｆｃが試料押し当て許容推力Fpl以下に設定されている場合には、このように推力制限値を変更することが望ましいが、このような値が設定されていない場合には、Ｆｃは試料押し当て許容推力Fplそのものである。
この図４および図５の処理を３つの各アクチュエータ３に対してそれぞれ、または同時に行い、すべてのアクチュエータの位置決め動作が終了すると副ステージ８は試料９に完全に密着した状態となる。
【００１６】
このように、各アクチュエータの移動に必要な推力を確保しつつ、確実に試料９と副ステージ８が接触する目標値に対して位置決め動作を行うので、搬送動作や検査などの場合に重要となる試料９への確実な平面での密着動作をすることができ、なおかつ試料９への押し付け力を制限しているので試料９の破損危険性を減少させることができるのである。
また、接触動作時には最終的に試料９への適正な押し付け力にて押し付け動作を行っているため、確実な密着を保持することができる。
【符号の説明】
【００１７】
１ 主基台
２ 主ステージ
３ 距離センサ
４ 変換回路
５ 制御回路
６ アクチュエータ
７ 副基台
８ 副ステージ
９ 試料
１０ コントローラ
１１ 上位コントローラ
１００ 本発明の方法を実施する平面位置決めおよび姿勢制御装置である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平面と平面を密着させて作業を行う機能を有し、平面位置決めおよび姿勢制御をするためのステージ装置およびその制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の平面位置決めおよび姿勢制御をするためのステージ装置（以下、「平面位置決めおよび姿勢制御装置」と呼ぶ。）は、レーザ干渉計などの精密な距離計測が可能な距離センサやピエゾ素子などの精密動作が可能なアクチュエータを用いて精密に位置制御されている（例えば、特許文献１参照）。
図６において、６１は主基台であり、主基台６１上には主ステージ６２が設置され、主ステージ６２の上方には３個の距離センサ６３が配置される。この距離センサ６３がレーザ干渉計などを使用している。この距離センサ６３によって計測された距離は変換回路６４、制御回路６５を経由して電圧信号として出力され、アクチュエータであるピエゾ素子６６に印加されることによって副基台６７上の副ステージ６８の位置および姿勢を制御している。この例では、３個の距離センサ６３が計測した距離に比例した電圧がピエゾ素子６６に印加されているのであって、主基台上６１上の主ステージ２の位置および姿勢に比例した力がピエゾ素子６６に印加されているということになる。
このように、従来の平面位置決めおよび姿勢制御装置では、位置および姿勢を合わせるべき主ステージ面の位置および姿勢を計測して、副ステージ面を駆動するという手順がとられていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開昭６２−８８０１０号公報（第２−３頁、図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の平面位置決めおよび姿勢制御方法では、試料などの搭載された位置および姿勢を計測される主ステージと、位置決めおよび姿勢制御を実際に行う副ステージは個別のものであり、駆動される副ステージの位置情報はフィードバックされていなかった。
また、大きくは主ステージ上に搭載された試料等が副ステージと接触するということは想定されておらず、副ステージのみの通常の位置決めと主ステージ上に搭載された試料等の被接触平面への接触を伴う位置決めの場合には同じ手順をとっていたのである。例えば、特許文献１のような制御方法で、副ステージと主ステージ上に搭載された試料が接触する場合には、副ステージの位置および姿勢のフィードバックがないために被接触平面である試料に密着できない、あるいは接触対象である副ステージを必要以上に押し付けてしまい試料の破損の危険性が高まるという問題があった。
また、仮に副ステージの位置および姿勢のフィードバックを制御に用いるとすると、主ステージの位置および姿勢とともに、副ステージの位置および姿勢も計測する必要があり、コストが高くなったり、構造が複雑になったりするという問題もあった。
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、被接触平面を持つ試料と接触平面を持つ副ステージを確実に密着させるとともに、試料を破損する危険を減少させ、被接触平面と接触平面の接触を容易に検出する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記問題を解決するため、本発明は、次のようにしたのである。
第１発明であるステージ装置の制御方法の発明は、試料を載置するための主基台と、前記主基台の上側に対向配置された副基台と、前記副基台上に設けられた３つのアクチュエータと、前記副基台からバネを介して吊り下げられるとともに、前記３つのアクチュエータによって位置および姿勢が制御される副ステージと、前記副基台と前記副ステージとの間の距離を計測する距離センサと、を備え、前記副ステージを前記試料に接触させるステージ装置において、前記試料の厚さ方向の公差を接触時最大位置決め誤差と定義したとき、以下のステップ（１）〜（５）を含むことを特徴とするものである。
（１）前記３つのアクチュエータの各出力推力制限値ＦＬ[ｐ]を、予め求めた、前記試料が存在しない場合に位置決め処理した場合の前記各出力推力に前記試料が許容する押し当て力を加えた値とする第１のステップ。
（２）前記副ステージの位置許容偏差を、副ステージに設定された位置許容偏差に、前記接触時最大置決め誤差を加えた値とする第２のステップ。
（３）前記副ステージの位置決め目標位置を、試料が理想試料である場合の接触位置に、前記接触時最大置決め誤差を加えた値とする第３のステップ。
（４）前記３つのアクチュエータの各出力推力Ｆを、前記推力制限値ＦＬ[ｐ]以下に制限しながら、前記副ステージを降下させる第４のステップ。
（５）前記各出力推力Ｆのいずれかが、前記推力制限値ＦＬ［ｐ］を超えた場合、当該アクチュエータの位置決め目標位置を現在位置へと変更し、前記試料に該アクチュエータが接触したと判断する第５のステップ。
第２発明は、前記第１発明のステージ装置の制御方法において、前記第５のステップ（５）に代えて、以下のステップ（６）としたことを特徴とするものである。
（６）前記各出力推力Ｆのいずれもが、推力制限値ＦＬ[ｐ]を超えることなく位置決めが完了した場合、前記試料に該アクチュエータが接触したと判断する第６のステップ。
第３発明であるステージ装置の発明は、試料を載置するための主基台と、前記主基台の上側に対向配置された副基台と、前記副基台上に設けられた３つのアクチュエータと、前記副基台からバネを介して吊り下げられるとともに、前記３つのアクチュエータによって位置および姿勢が制御される副ステージと、前記副基台と前記副ステージとの間の距離を計測する距離センサと、を備え、前記副ステージを前記試料に接触させるステージ装置において、前記３つのアクチュエータの各出力推力制限値ＦＬ[ｐ]を、予め求めた、前記試料が存在しない場合に位置決め処理した場合の前記各出力推力に前記試料が許容する押し当て力を加えた値とするステップを処理する第１の処理手段と、前記副ステージの位置許容偏差を、副ステージに設定された位置許容偏差に、前記接触時最大置決め誤差を加えた値とするステップを処理する第２の処理手段と、前記副ステージの位置決め目標位置を、試料が理想試料である場合の接触位置に、前記接触時最大置決め誤差を加えた値とするステップを処理する第３の処理手段と、前記３つのアクチュエータの各出力推力Ｆを、前記推力制限値ＦＬ[ｐ]以下に制限しながら、前記副ステージを降下させるステップを処理する第４の処理手段と、前記各出力推力Ｆのいずれかが、前記推力制限値ＦＬ［ｐ］を超えた場合、当該アクチュエータの位置決め目標位置を現在位置へと変更し、前記試料に該アクチュエータが接触したと判断するステップを処理する第５の処理手段と、を備えたことを特徴とするものである。
第４発明は、前記第３発明のステージ装置において、前記第５の処理手段に代えて、前記各出力推力Ｆのいずれもが、推力制限値ＦＬ[ｐ]を超えることなく位置決めが完了した場合、前記試料に該アクチュエータが接触したと判断するステップを処理する第６の処理手段としたことを特徴とするものである。
第５発明である搬送装置の発明は、前記第３または第４発明のステージ装置を備え、前記副ステージが前記試料を吸着し、水平方向へ移動することにより、前記試料を搬送することを特徴とするものである。
第６発明である検査装置の発明は、前記第３または第４発明のステージ装置を備え、前記ステージ装置に載置された試料を検査することを特徴とするものである。
第７発明である平面加工装置の発明は、前記第３または第４発明のステージ装置を備え、前記ステージ装置に載置された試料の平面を加工することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００６】
前記第１および第３発明によると、アクチュエータ出力推力は、第１のステップ、および第３のステップにより移動するために十分な推力を確保すると同時に試料が許容する押し当て力以下に制限されるので、試料を破損する危険性を減少することができる。
また、許容押し当て力が小さい場合であっても、最低限の移動に対する推力は確保されているので、確実な位置決めを行うことができ、確実に副ステージと試料を密着させることができる。
さらには試料が最大公差分薄いとしても、第３のステップによって目標位置がこの場合の副ステージと試料の接触面の位置に設定されているため、確実に試料と副ステージを接触させることができる。
また、試料が最大公差分厚いとしても、第２のステップによって位置許容偏差がこの場合を想定して設定されているため、副ステージは異常を検出することなく確実に接触面である副ステージと被接触面である試料を接触させることができるのである。
また第５のステップによって、出力推力が制限値以上となった場合には、試料と副ステージが接触したと判断される。このため、容易に接触状態を判断することができ、出力の微分値を用いて接触を検出するような場合に比べて、レベルで判断するため耐ノイズ性を向上することができる。
以上によって、試料の厚さ方向の公差があったとしても安全、かつ確実に試料と副ステージを接触させ、その接触状態を検出することができる。
また、前記第２および第４発明によると、試料が最大公差分薄い場合には、推力が制限値以上となることなく位置決めが完了するが、この場合であっても第６のステップによって接触したと判断されるので確実に接触状態を検出することができる。
また、前記第５〜第７の用途発明によると、前記第３および第４発明の効果を得て、各用途装置の目的を確実、容易に果たすことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の方法を適用する平面位置決めおよび姿勢制御装置の構成を示す図である。
【図２】本発明の方法を適用する平面位置決めおよび姿勢制御装置の機構部を示す側面図である。
【図３】本発明における副ステージ移動時の位置と推力の関係を示すグラフである。
【図４】本発明の前処理手順を示すフローチャートである。
【図５】本発明の主要処理手順を示すフローチャートである。
【図６】従来の方法を適用した平面位置決めおよび姿勢制御装置の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の方法の具体的実施例について、図に基づいて説明する。
【実施例１】
【０００９】
図１は、本発明の方法を実施する平面位置決めおよび姿勢制御装置の構成を示す構成図である。
図において、１００は本発明の方法を実施する平面位置決めおよび姿勢制御装置である。７は副基台であり、副基台７上（図においては、「下」であるが、便宜上、以下「上」と呼ぶ。）に、アクチュエータ６を介して副ステージ８が設置されている。副ステージは、その自重をキャンセルするために、バネ（不図示）を介して吊り下げられている。
また、同様に副基台７上には距離センサ３が設置されており、副基台７と副ステージ８間の距離を計測する。距離センサ３で計測された距離は変換回路４によって、例えば光信号から電圧信号などの形態に変換され、コントローラ１０へと入力される。コントローラ１０では距離センサ３によって得られた距離情報と、上位コントローラ１１から受信した目標位置情報を基に位置制御が行われており、アクチュエータ６への出力を決定し、制御回路５へと推力情報を出力する。制御回路５は受信した推力情報を電圧へと変換し、アクチュエータ６へ電圧を印加する。電圧を印加されたアクチュエータ６はそれぞれ副基台７に対する副ステージ８の位置および姿勢を変位させ、その結果が再び、距離センサ３によりコントローラ１０にフィードバックされる仕組みとなっている。また１は主基台であり、主基台１上に、試料９が設置されている。試料９は任意のもので構わないが、例えば、半導体ウエハ、レチクル、ガラス基板等である。
なお、アクチュエータ６はピエゾ素子とは限定されず他のアクチュエータでもよく、例えばボイスコイルモータなどが用いられる。また距離センサ３はレーザ干渉計、リニアスケール、静電容量センサなどの距離センサであっても構わない。また、特許文献１とは異なり距離センサは主基台１上ではなく、副基台７上に設置されている。
【００１０】
ここで、図１に示す平面位置決めおよび姿勢制御装置１００は、試料９を搬送する搬送装置に適用することが可能であり、図示しない駆動機構、例えばリニアモータによって副基台７は水平方向に自在に移動可能である。この場合、副ステージ８には、試料９を吸着するための図示しない吸着機構、たとえば真空吸着機構が備えられている。搬送装置のように副ステージ８と試料９が接触しなければならないような装置においては、アクチュエータ６が動作して副ステージ８が変位して充分に試料９へ接近し、接触した後、図示しない吸着機構を動作させ試料９を副ステージ８へと吸着させる。
なお、図１に示す平面位置決めおよび姿勢制御装置１００は試料９を検査、または加工する装置に適用することもできるが、この場合は、アクチュエータ６が動作して副ステージ８が変位して充分に試料９へ接近、接触し所定の検査、加工を行うこととなる。
このときに、図２（ａ）に示すように試料９が副ステージ８と接触する上面の位置および姿勢が理想的である場合には、その位置および姿勢を目標値として位置決めを行えば良い。しかしながら、現実には試料９および主基台１には厚さに対する公差ΔT（図２（ｂ））や、傾きに対する公差Δθ（図２（ｃ））が存在する。このため理想位置を目標位置として副ステージ８を位置決めした場合には、公差ΔTがマイナスの値であり、試料９が理想よりも薄い場合に副ステージ８は試料９に接触せず、公差ΔTがプラスの値であり、試料９が理想よりも厚い場合には、副ステージ８は試料９を押し込み、余計な力を試料９に加えてしまう。
また、傾きの公差であるΔθが存在する場合には、副ステージ８は試料９に対して片あたりしてしまい試料９を押し込むばかりか、試料９の被接触平面である上面に密着することもできない。
【００１１】
図３は平面位置決めおよび姿勢制御装置１００（図１）における各アクチュエータ６の位置と推力の関係を示すグラフである。なお、Ｆ[p]は、推力が位置の関数であることを表すものである。
直線ｏ−ａ−ｂは、試料９がある場合の推力の位置変化を示し、直線ｏ−ａ−ｃは、試料９がない場合の推力の位置変化を示している。
この図に示すように、主基台１上に試料９がない場合と、試料９がある場合とでは、副ステージ８と試料９が接触した位置（ａ点）以降においては推力が異なる。これはコントローラ１０内において位置制御が行われているためである。すなわち、ａ点以降、直線ｏ−ａ−ｂの方が推力が大きくなるのは、試料９に副ステージ８が接触した後も目標位置pへ移動しようとして、推力Ｆを発生するためである。
なお、直線ｏ−ａ−ｃが推力一定でなく、右肩上がりであるのは、副ステージがバネ（不図示）を介して吊り下げられているためである。バネを介して吊り下げられていなければ、推力は一定となる。
【００１２】
図４および図５は本発明による平面位置決めおよび姿勢制御装置１００（図１）を制御する処理手順を示すフローチャートである。
図４は図３に示す試料９が主基台１上にない場合の推力データを取得する前処理の方法を説明したフローチャートであり、図５は本発明の位置決め方法を示す主要処理部分を示すフローチャートである。この図を用いて本発明の方法を順を追って説明する。
【００１３】
はじめに、図４について説明する。
なお、試料９があると判断すると本データ取得は行わない（ステップ４０１）。試料９が存在するかどうかは、上位コントローラ１１からの指令に基づいて判断しても構わないし、試料９に対して有無センサを設置し、そのセンサ情報に基づいて判断しても構わない。
図３において試料９に接触した場合の位置と推力、試料９がない場合の位置と推力を比較できるように副ステージ８の位置に対する各アクチュエータ３の推力を予め、前処理として取得しておく必要がある。ここで、便宜上、試料に押し当てる方向＝下方向を正方向とする。このため、目標位置は、理想試料の被接触平面の位置に接触時最大位置決め誤差である試料９の厚さ方向の公差を加えたものである必要がある（ステップ４０２）。この値は、試料９が最大公差ΔTだけ薄い場合にも、副ステージ８が試料９と接触する位置である。
位置決め動作をコントローラ１０により開始した後（ステップ４０３）、現在位置＝目標位置となるまで（ステップ４０６）、各センサ３から得られた現在位置ｐに対する各アクチュエータ６の出力推力Ｆを取得し（ステップ４０４）、移動時所要推力Ｆ［ｐ］として保存する（ステップ４０５）。なお、出力推力Ｆは、コントローラ１０内にて位置制御された結果として制御回路５へ出力される推力Ｆであり、これを取得、保存する。この前処理は装置立上げ時に一度行っておけばよく、試料９がない場合の推力に経年変化がないとすればこの前処理結果を図示しない不揮発性メモリに記録しておき繰返し使用すればよい。
【００１４】
次に、図５について説明する。
まず、上位コントローラ１１からの指令によって、位置決め動作を開始する（ステップ５００）。この位置決め動作が試料９への接触動作であるかどうかの判断は、上位コントローラ１１からの指令によるものであってもよいし、試料９に対して設置された図示しない有無センサからの情報と、位置目標値との演算によるものであっても構わない。
一方、試料９への接触動作ではない場合は、図５の右側に示すフローで処理を行うが、これは単純な位置決め動作の処理である（詳細は省略する）。
試料９への接触動作である場合は、図５の左側に示すフローで処理を行う（ステップ５０１）。
次に、各アクチュエータの推力制限値ＦＬ［ｐ］を設定する。各アクチュエータの推力制限値ＦＬ［ｐ］は、図４のフローにて取得した位置ｐに対する推力Ｆ［ｐ］に、試料９が許容する押し当て推力Ｆｐｌを加えた値とする（ステップ５０２）。これは現在位置ｐによって動的に変動する値であり、位置決め動作完了まで変動しつづける。このように推力を制限しておくことによって、各アクチュエータは試料９へ副ステージ８が接触するに充分な推力を確保しつつ、同時に試料９に対して必要以上に力を加えることを防ぐことができる。
次に、位置許容偏差を設定する。一般的な位置決め制御においては、制御系や機構の異常を検出するために、位置指令と現在位置の偏差を監視し、その値がシステムとして許容される値を超えると異常であると判断する。試料９への接触を伴わない動作において、この値はまさにシステムとして許容される値そのものを設定しておく（ステップ５１３）。
一方で、試料９への接触を伴う動作において許容される偏差は、副ステージ８に設定された許容偏差に、接触時最大位置決め誤差を加えたものである（ステップ５０３）。
このようにすることで、試料９への接触を伴わない動作の場合には、システムが求める精度を確保しつつ、接触を伴う場合には試料９の公差を加えることで、試料９に密着するために、副ステージ８の位置および姿勢が理想試料の被接触平面の位置から逸脱した場合であっても正常動作であることを保証することができる。
次に、目標位置を設定する。
ステップ４０２と同様に目標位置は理想試料の被接触平面の位置に接触時最大位置決め誤差である試料９の厚さ方向の公差を加えたものである必要がある（ステップ５０４）。
このように試料９の公差を考慮することで、確実に副ステージ８と試料９が密着する位置へ目標位置を設定することができる。
【００１５】
推力制限値、位置許容偏差、目標位置を設定した後、位置決め動作を開始すると（ステップ５０５）、出力推力Ｆとその位置を監視し（ステップ５０６）、出力推力Ｆが、ステップ５０２で設定した推力制限値ＦＬ［ｐ］を超えた場合には、該当アクチュエータ３の目標位置を現在位置へと変更する（ステップ５２７）。 その後、接触と判断する（ステップ５０９）。もしくは、出力推力Ｆが推力制限値ＦＬ[ｐ]を超えることなく正常に位置決めが完了した場合にも（ステップ５０７）、同様に接触したと判断する（ステップ５０９）。
"接触"と判断したアクチュエータ３においては、試料９を押し付ける適正な推力Ｆｃに、図３における試料がない場合の推力を加えたもの以下に出力推力Ｆを制限し（ステップ５０９）、位置決め動作を終了とする（ステップ５１０）。
この試料９を押し当てる適正な推力Ｆｃが試料押し当て許容推力Fpl以下に設定されている場合には、このように推力制限値を変更することが望ましいが、このような値が設定されていない場合には、Ｆｃは試料押し当て許容推力Fplそのものである。
この図４および図５の処理を３つの各アクチュエータ３に対してそれぞれ、または同時に行い、すべてのアクチュエータの位置決め動作が終了すると副ステージ８は試料９に完全に密着した状態となる。
【００１６】
このように、各アクチュエータの移動に必要な推力を確保しつつ、確実に試料９と副ステージ８が接触する目標値に対して位置決め動作を行うので、搬送動作や検査などの場合に重要となる試料９への確実な平面での密着動作をすることができ、なおかつ試料９への押し付け力を制限しているので試料９の破損危険性を減少させることができるのである。
また、接触動作時には最終的に試料９への適正な押し付け力にて押し付け動作を行っているため、確実な密着を保持することができる。
【符号の説明】
【００１７】
１ 主基台
２ 主ステージ
３ 距離センサ
４ 変換回路
５ 制御回路
６ アクチュエータ
７ 副基台
８ 副ステージ
９ 試料
１０ コントローラ
１１ 上位コントローラ
１００ 本発明の方法を実施する平面位置決めおよび姿勢制御装置である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料を載置するための主基台と、前記主基台の上側に対向配置された副基台と、前記副基台上に設けられた３つのアクチュエータと、前記副基台からバネを介して吊り下げられるとともに、前記３つのアクチュエータによって位置および姿勢が制御される副ステージと、前記副基台と前記副ステージとの間の距離を計測する距離センサと、を備え、前記副ステージを前記試料に接触させるステージ装置において、
前記試料の厚さ方向の公差を接触時最大位置決め誤差と定義したとき、以下のステップ（１）〜（５）を含むことを特徴とするステージ装置の制御方法：
（１）前記３つのアクチュエータの各出力推力制限値ＦＬ[ｐ]を、予め求めた、前記試料が存在しない場合に位置決め処理した場合の前記各出力推力に前記試料が許容する押し当て力を加えた値とする第１のステップ。
（２）前記副ステージの位置許容偏差を、副ステージに設定された位置許容偏差に、前記接触時最大置決め誤差を加えた値とする第２のステップ。
（３）前記副ステージの位置決め目標位置を、試料が理想試料である場合の接触位置に、前記接触時最大置決め誤差を加えた値とする第３のステップ。
（４）前記３つのアクチュエータの各出力推力Ｆを、前記推力制限値ＦＬ[ｐ]以下に制限しながら、前記副ステージを降下させる第４のステップ。
（５）前記各出力推力Ｆのいずれかが、前記推力制限値ＦＬ［ｐ］を超えた場合、当該アクチュエータの位置決め目標位置を現在位置へと変更し、前記試料に該アクチュエータが接触したと判断する第５のステップ。
【請求項２】
前記第５のステップ（５）に代えて、以下のステップ（６）としたことを特徴とする請求項１記載のステージ装置の制御方法：
（６）前記各出力推力Ｆのいずれもが、推力制限値ＦＬ[ｐ]を超えることなく位置決めが完了した場合、前記試料に該アクチュエータが接触したと判断する第６のステップ。
【請求項３】
試料を載置するための主基台と、前記主基台の上側に対向配置された副基台と、前記副基台上に設けられた３つのアクチュエータと、前記副基台からバネを介して吊り下げられるとともに、前記３つのアクチュエータによって位置および姿勢が制御される副ステージと、前記副基台と前記副ステージとの間の距離を計測する距離センサと、を備え、前記副ステージを前記試料に接触させるステージ装置において、
前記３つのアクチュエータの各出力推力制限値ＦＬ[ｐ]を、予め求めた、前記試料が存在しない場合に位置決め処理した場合の前記各出力推力に前記試料が許容する押し当て力を加えた値とするステップを処理する第１の処理手段と、
前記副ステージの位置許容偏差を、副ステージに設定された位置許容偏差に、前記接触時最大置決め誤差を加えた値とするステップを処理する第２の処理手段と、
前記副ステージの位置決め目標位置を、試料が理想試料である場合の接触位置に、前記接触時最大置決め誤差を加えた値とするステップを処理する第３の処理手段と、
前記３つのアクチュエータの各出力推力Ｆを、前記推力制限値ＦＬ[ｐ]以下に制限しながら、前記副ステージを降下させるステップを処理する第４の処理手段と、
前記各出力推力Ｆのいずれかが、前記推力制限値ＦＬ［ｐ］を超えた場合、当該アクチュエータの位置決め目標位置を現在位置へと変更し、前記試料に該アクチュエータが接触したと判断するステップを処理する第５の処理手段と、
を備えたことを特徴とするステージ装置。
【請求項４】
前記第５の処理手段に代えて、前記各出力推力Ｆのいずれもが、推力制限値ＦＬ[ｐ]を超えることなく位置決めが完了した場合、前記試料に該アクチュエータが接触したと判断するステップを処理する第６の処理手段としたことを特徴とする請求項３記載のステージ装置。
【請求項５】
請求項３または４記載のステージ装置を備えた搬送装置において、
前記副ステージが前記試料を吸着し、水平方向へ移動することにより、前記試料を搬送することを特徴とする搬送装置。
【請求項６】
請求項３または請求項４に記載のステージ装置を備えた検査装置において、
前記ステージ装置に載置された試料を検査することを特徴とする検査装置。
【請求項７】
請求項３または４記載のステージ装置を備えた平面加工装置において、
前記ステージ装置に載置された試料の平面を加工することを特徴とする平面加工装置。
【請求項１】
試料を載置するための主基台と、前記主基台の上側に対向配置された副基台と、前記副基台上に設けられた３つのアクチュエータと、前記副基台からバネを介して吊り下げられるとともに、前記３つのアクチュエータによって位置および姿勢が制御される副ステージと、前記副基台と前記副ステージとの間の距離を計測する距離センサと、を備え、前記副ステージを前記試料に接触させるステージ装置において、
前記試料の厚さ方向の公差を接触時最大位置決め誤差と定義したとき、以下のステップ（１）〜（５）を含むことを特徴とするステージ装置の制御方法：
（１）前記３つのアクチュエータの各出力推力制限値ＦＬ[ｐ]を、予め求めた、前記試料が存在しない場合に位置決め処理した場合の前記各出力推力に前記試料が許容する押し当て力を加えた値とする第１のステップ。
（２）前記副ステージの位置許容偏差を、副ステージに設定された位置許容偏差に、前記接触時最大置決め誤差を加えた値とする第２のステップ。
（３）前記副ステージの位置決め目標位置を、試料が理想試料である場合の接触位置に、前記接触時最大置決め誤差を加えた値とする第３のステップ。
（４）前記３つのアクチュエータの各出力推力Ｆを、前記推力制限値ＦＬ[ｐ]以下に制限しながら、前記副ステージを降下させる第４のステップ。
（５）前記各出力推力Ｆのいずれかが、前記推力制限値ＦＬ［ｐ］を超えた場合、当該アクチュエータの位置決め目標位置を現在位置へと変更し、前記試料に該アクチュエータが接触したと判断する第５のステップ。
【請求項２】
前記第５のステップ（５）に代えて、以下のステップ（６）としたことを特徴とする請求項１記載のステージ装置の制御方法：
（６）前記各出力推力Ｆのいずれもが、推力制限値ＦＬ[ｐ]を超えることなく位置決めが完了した場合、前記試料に該アクチュエータが接触したと判断する第６のステップ。
【請求項３】
試料を載置するための主基台と、前記主基台の上側に対向配置された副基台と、前記副基台上に設けられた３つのアクチュエータと、前記副基台からバネを介して吊り下げられるとともに、前記３つのアクチュエータによって位置および姿勢が制御される副ステージと、前記副基台と前記副ステージとの間の距離を計測する距離センサと、を備え、前記副ステージを前記試料に接触させるステージ装置において、
前記３つのアクチュエータの各出力推力制限値ＦＬ[ｐ]を、予め求めた、前記試料が存在しない場合に位置決め処理した場合の前記各出力推力に前記試料が許容する押し当て力を加えた値とするステップを処理する第１の処理手段と、
前記副ステージの位置許容偏差を、副ステージに設定された位置許容偏差に、前記接触時最大置決め誤差を加えた値とするステップを処理する第２の処理手段と、
前記副ステージの位置決め目標位置を、試料が理想試料である場合の接触位置に、前記接触時最大置決め誤差を加えた値とするステップを処理する第３の処理手段と、
前記３つのアクチュエータの各出力推力Ｆを、前記推力制限値ＦＬ[ｐ]以下に制限しながら、前記副ステージを降下させるステップを処理する第４の処理手段と、
前記各出力推力Ｆのいずれかが、前記推力制限値ＦＬ［ｐ］を超えた場合、当該アクチュエータの位置決め目標位置を現在位置へと変更し、前記試料に該アクチュエータが接触したと判断するステップを処理する第５の処理手段と、
を備えたことを特徴とするステージ装置。
【請求項４】
前記第５の処理手段に代えて、前記各出力推力Ｆのいずれもが、推力制限値ＦＬ[ｐ]を超えることなく位置決めが完了した場合、前記試料に該アクチュエータが接触したと判断するステップを処理する第６の処理手段としたことを特徴とする請求項３記載のステージ装置。
【請求項５】
請求項３または４記載のステージ装置を備えた搬送装置において、
前記副ステージが前記試料を吸着し、水平方向へ移動することにより、前記試料を搬送することを特徴とする搬送装置。
【請求項６】
請求項３または請求項４に記載のステージ装置を備えた検査装置において、
前記ステージ装置に載置された試料を検査することを特徴とする検査装置。
【請求項７】
請求項３または４記載のステージ装置を備えた平面加工装置において、
前記ステージ装置に載置された試料の平面を加工することを特徴とする平面加工装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１０−２３１５５５（Ｐ２０１０−２３１５５５Ａ）
【公開日】平成２２年１０月１４日（２０１０．１０．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−７９１０１（Ｐ２００９−７９１０１）
【出願日】平成２１年３月２７日（２００９．３．２７）
【出願人】（０００００６６２２）株式会社安川電機 (2,482)
【出願人】（０００００４１１２）株式会社ニコン (12,601)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１０月１４日（２０１０．１０．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年３月２７日（２００９．３．２７）
【出願人】（０００００６６２２）株式会社安川電機 (2,482)
【出願人】（０００００４１１２）株式会社ニコン (12,601)
【Ｆターム（参考）】
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