タッチパネル
【課題】制御回路なしに任意の場所を振動させることができ、薄型化が可能で、加工性や透明性に優れた触感呈示型のタッチパネル用の薄膜を開発し、入力を受け付けたことを知らせることのできる操作性に優れた触感呈示型のタッチパネルの提供。
【解決手段】架橋点が可動し非イオン性の架橋ポリロタキサンと溶媒とを含有する架橋ポリロタキサンゲルと、前記架橋ポリロタキサンゲルに電圧を印加するための電圧印加用電極とを持つ振動発生部を有し、前記架橋ポリロタキサンゲルに電圧を印加して前記振動発生部を振動させることを特徴としたタッチパネル。
【解決手段】架橋点が可動し非イオン性の架橋ポリロタキサンと溶媒とを含有する架橋ポリロタキサンゲルと、前記架橋ポリロタキサンゲルに電圧を印加するための電圧印加用電極とを持つ振動発生部を有し、前記架橋ポリロタキサンゲルに電圧を印加して前記振動発生部を振動させることを特徴としたタッチパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はタッチパネルに関する。本発明は、詳細には、架橋点が可動する架橋ポリロタキサンを含有する架橋ポリロタキサンゲルの薄膜において、その薄膜に電圧（特に直流電圧）を印加することにより薄膜上の所望の場所を振動させることができることを新たに見出し、その現象をタッチパネルのディスプレイ表面部分に適用することにより、従来の問題点を解決した触感呈示型のタッチパネルを提供するものである。すなわち、架橋点が可動する架橋ポリロタキサンを含有する架橋ポリロタキサンゲルを用いた触感呈示型の本発明のタッチパネル（入力デバイス）は、操作者が情報の入力操作を行った際、操作者に入力操作に対するフィードバックを部分的な振動により与えることができる。さらに、本発明のタッチパネル（デバイス）は、振動の付与に対して複雑な制御回路を必要とせず、部品点数も大幅に削減できるため、触感呈示を必要とする小型携帯機器の薄型化に大きく貢献する材料デバイスとなり得るものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や携帯情報端末をはじめとする小型電子機器には、操作者が情報の入力操作を行うための入力装置としてタッチパネルが広く用いられるようになっている。この入力装置は、機器に組み込まれた多様な機能を利用するための操作性という観点からは優れた特長を有しているが、操作者が情報の入力操作を行う際、従来のメカニカルな入力装置と比較して入力行為の実行の有無を実感しにくいといった課題を有している。
この点を改善するため、操作者が入力操作を行った際、振動により操作者への入力操作に対するフィードバックを示すものがいくつか提案されている。しかしながら、これらの提案の原理のほとんどは振動モータ等でタッチパネル全体を振動させるものであるため入力装置全体が振動してしまい、誤入力の原因のひとつとして問題視されはじめている(たとえば、画面に複数ボタンが配置されている場合、目的のボタンあるいは目的とは異なるボタンのどちらを押したのか正確に認識できない)。この問題を解決するためたとえば、入力操作を行った場所のみを振動させることで操作者にフィードバックを与える発明が提案されている(特許文献１)。しかしながら、これらの提案は複数個の微細な振動源が必要となり、またそれらを駆動するための回路も複雑になるなど、タッチパネルの構造をより複雑なものにしてしまう問題が新たに生じてしまい、小型化や薄型化を目指す電子機器開発には適さないデバイス構成となってしまう。
一方、入力デバイスの機構部品基材には、材料の持つ柔軟性や加工性に加え、金属材料に比べて軽量であるといった特長から高分子材料が注目され、高分子ゲルの相転移による体積変化（膨張）を利用したアクチュエータ機能を利用した入力デバイスが提案されている(特許文献２)。また本願出願人はこれまでに導電性高分子薄膜を用いるタッチ式入力装置を提案した（特許文献３）。
しかしながら、高分子ゲルを用いた入力デバイスでは、高分子ゲルが、物理架橋や化学架橋により不均一な三次元網目構造のため、溶媒の保持にある程度の膜厚（通常、１ｍｍ以上）が必要となり、デバイスの薄膜化（＜１ｍｍ）と高速応答性が実現できない。また、振動運動を起こす高分子ゲルについても、いくつかの提案があるが（非特許文献１)、いずれも電圧の向きを切り替えるための回路が必要となる。
また高分子材料として、本願出願人はこれまでに、例えばポリエチレングリコールとシクロデキストリンからなるポリロタキサンを用いて、シクロデキストリン部分の架橋により架橋点が可動する架橋ポリロタキサンを含有する架橋ポリロタキサンゲルを提案した（特許文献４）。このゲルは、滑車状の構造を持つ架橋点を有することで優れた触感、耐久性、繰り返し特性を示すゲルとして多くの注目を集めている。
また本願出願人はこれまでにイオン交換能を有する官能基を有する架橋ポリロタキサンゲルを用いる薄膜アクチュエータを提案した（特許文献５）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−６５４５６号公報
【特許文献２】特開平５−３３３１７１号公報
【特許文献３】特開２００５−２８４４８２号公報
【特許文献４】国際公開第２００５／０８０４６９号
【特許文献５】特開２０１０−８６８６４号公報
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】志賀亨他，高分子論文集，４６,７０９（１９８９）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明は、制御回路なしに任意の場所を振動させることができ、薄型化が可能で、加工性や透明性に優れた触感呈示型のタッチパネル用の薄膜を開発し、入力を受け付けたことを知らせることのできる操作性に優れた触感呈示型のタッチパネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願発明者らは、架橋ポリロタキサンゲルが含有する架橋ポリロタキサンの架橋点が可逆的に動くという特徴は、化学ゲルや物理ゲルと比較して、外力による変形に対して均一な網目構造を保持しやすく、このことは振動発生部が薄膜である（＜１ｍｍ）場合においても架橋ポリロタキサンゲル中の溶媒の保持と溶媒移動の制御を容易にするのではないかと考えた。そして、架橋ポリロタキサンゲルに対して電場等の外部刺激に応じて所望の場所を振動させることができれば、上記の問題を解決する薄型のタッチパネルが提供できるものとの発想に至った。
本願発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究した結果、タッチパネルが、架橋点が可動し非イオン性の架橋ポリロタキサンと溶媒とを含有する架橋ポリロタキサンゲルと、前記架橋ポリロタキサンゲルに電圧を印加するための電圧印加用電極とを持つ振動発生部を有し、前記架橋ポリロタキサンゲルに電圧を印加して前記振動発生部を振動させることによって、制御回路なしに任意の場所を振動させることができ、薄型化が可能で、加工性や透明性に優れ、入力を受け付けたことを操作者に知らせることのできる操作性に優れた触感呈示型のタッチパネルとなりうることを見出し、本発明を完成させた。
【０００７】
すなわち、本発明は、下記１〜１６を提供する。
１． 架橋点が可動し非イオン性の架橋ポリロタキサンと溶媒とを含有する架橋ポリロタキサンゲルと、前記架橋ポリロタキサンゲルに電圧を印加するための電圧印加用電極とを持つ振動発生部を有し、前記架橋ポリロタキサンゲルに電圧を印加して前記振動発生部を振動させることを特徴としたタッチパネル。
２． 前記振動発生部の初期の弾性率がヤング率として３０ｋＰａ以下である上記１に記載のタッチパネル。
３． 前記溶媒が水である上記１または２に記載のタッチパネル。
４． 前記印加による振動発生部の振動数が０．４〜１００Ｈｚであり、前記印加による振動発生部の変位の変化量が０．０１ｍｍ以上である上記１〜３のいずれかに記載のタッチパネル。
５． 前記電圧が直流電圧である上記１〜４のいずれかに記載のタッチパネル。
６． 前記架橋ポリロタキサンが、
シクロデキストリン分子の開口部に直鎖状分子が串刺し状に包接され且つ該シクロデキストリン分子が脱離しないように前記直鎖状分子の両末端にブロック基が配置されるポリロタキサンの少なくとも２分子と、架橋剤とを反応させることによって製造され、
前記ポリロタキサンの量が前記架橋剤１質量部に対して１．５〜８質量部である上記１〜５のいずれかに記載のタッチパネル。
７． 前記溶媒と前記架橋ポリロタキサンとの質量比（溶媒：架橋ポリロタキサン）が９９：１〜７０：３０である上記１〜６のいずれかに記載のタッチパネル。
８． 前記架橋ポリロタキサンゲルに含有される架橋ポリロタキサンを製造する際に使用される架橋剤が、アルキレンジオールジグリシジルエーテルである上記１〜７のいずれかに記載のタッチパネル。
９． 前記架橋ポリロタキサンゲルに含有される架橋ポリロタキサンを構成する直鎖状分子の末端が非イオン性のブロック基で封鎖されている上記１〜８のいずれかに記載のタッチパネル。
１０． 前記架橋ポリロタキサンゲルのヤング率が３０ｋＰａ以下である上記１〜９のいずれかに記載のタッチパネル。
１１． さらに、操作時の接触を検出する接触検出部を有する上記１〜１０のいずれかに記載のタッチパネル。
１２． 前記振動発生部がシート状であり、さらに、操作時の接触を検出するシート状の接触検出部と、表示画面とを有し、
該シート状の振動発生部と前記シート状の接触検出部とを前記表示画面上に順次積層し、
前記シート状の振動発生部は前記電圧印加用電極を前記架橋ポリロタキサンゲルの表面と裏面とに有し、前記表面および前記裏面において前記電圧印加用電極はそれぞれ複数の帯状に等間隔で設けられ、前記表面における前記電圧印加用電極と前記裏面における前記電圧印加用電極とが９０度ずれるものであり、
前記電圧印加用電極は、前記接触に応じて前記振動発生部を部分的に振動させるためのコントローラに接続され、
操作時の接触を前記接触検出部で検出すると前記コントローラによって前記シート状の振動発生部に部分的に直流電流が印加され、前記シート状の振動発生部が部分的に振動することにより感触を操作者にフィードバックすることを特徴とした上記１〜１１のいずれかに記載のタッチパネル。
１３． 前記振動発生部がシート状であり、前記電圧印加用電極が１対の電圧印加用電極であり、前記シート状の振動発生部を複数有し、２つの隣り合う振動発生部の間に隔壁を有し、
該シート状の振動発生部と、隔壁とを、シート状の接触検出部の上に順次配置し、
操作時の接触を前記接触検出部で検出すると前記シート状の振動発生部に直流電流が印加され、前記シート状の振動発生部が振動することにより感触を操作者にフィードバックすることを特徴とした上記１〜１１のいずれかに記載のタッチパネル。
１４． 前記振動発生部がシート状であり、前記シート状の振動発生部を複数有し、２つの隣り合う振動発生部の間に隔壁を有し、
該シート状の振動発生部と、隔壁とを、シート状の接触検出部の上に順次配置し、
前記電圧印加用電極は1対の電圧印加用電極であり、前記1対の電圧印加用電極はそれぞれ垂直方向に平面状の部分を少なくとも有する形状であり、前記シート状の振動発生部は前記１対の電圧印加用電極が有する前記垂直方向に平面状の部分をシート状の架橋ポリロタキサンゲルに対して垂直方向に有し、前記１対の電圧印加用電極の間に前記シート状の架橋ポリロタキサンゲルの少なくとも一部または全部があり、前記１対の電圧印加用電極の間にある架橋ポリロタキサンゲルの表面に突起部を有し、前記１対の電圧印加用電極に前記電圧が印加されると前記振動発生部および前記突起部が振動する上記１〜１１のいずれかに記載のタッチパネル。
１５． 前記シート状の接触検出部の下にさらに表示画面を有する上記１３または１４に記載のタッチパネル。
１６． 前記振動発生部の上にさらに保護シートを有する上記１〜１５のいずれかに記載のタッチパネル。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のタッチパネルは、制御回路なしに任意の場所を振動させることができ、薄型化が可能で、加工性や透明性に優れ、入力を受け付けたことを知らせることのできる操作性に優れた触感呈示型のタッチパネルである。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は本発明のタッチパネルに使用される振動発生部の一実施形態の概略を模式的に表す斜視図である。
【図２】図２は振動発生部２の振動回数と変位の変化率との関係を示すグラフである。
【図３】図３は本発明のタッチパネルに使用される振動発生部の別の一実施形態の概略を模式的に表す断面図である。
【図４】図４は本発明のタッチパネルを用いて構成される入力デバイスの一実施形態を模式的に示す概略図である。
【図５】図５は図４に示す入力デバイス５００に使用されるタッチパネル４００を模式的に示す分解斜視図である。
【図６】図６は図４に示す入力デバイス５００に使用されるタッチパネル４００を模式的に表す断面図である。
【図７】図７は本発明のタッチパネルに使用される振動発生部の別の一実施形態の概略を模式的に表す断面図である。
【図８】図８は本発明のタッチパネルを用いて構成される入力デバイスの別の一実施形態を模式的に示す概略図である。
【図９】図９は図８に示すボタン７１９の一実施形態の概略を模式的に示す分解斜視図である。
【図１０】図１０は図８に示すタッチパネル８２１を模式的に表す縦方向の断面図である。
【図１１】図１１は本発明のタッチパネルに使用される振動発生部の別の一実施形態の概略を模式的に表す断面図である。
【図１２】図１２は図８に示すボタンの別の一実施形態の概略を模式的に示す分解斜視図である。
【図１３】図１３は本発明のタッチパネルの別の一実施形態を模式的に示す横方向の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明について以下詳細に説明する。
本発明のタッチパネルは、
架橋点が可動し非イオン性の架橋ポリロタキサンと溶媒とを含有する架橋ポリロタキサンゲルと、前記架橋ポリロタキサンゲルに電圧を印加するための電圧印加用電極とを持つ振動発生部を有し、前記架橋ポリロタキサンゲルに電圧を印加して前記振動発生部を振動させることを特徴としたタッチパネルである。
【００１１】
振動発生部について以下に説明する。本発明のタッチパネルが有する振動発生部は、架橋点が可動し非イオン性の架橋ポリロタキサンと溶媒とを含有する架橋ポリロタキサンゲルと、前記架橋ポリロタキサンゲルに電圧を印加するための電圧印加用電極とを持ち、前記架橋ポリロタキサンゲルに電圧を印加して前記架橋ポリロタキサンゲルを振動させる。
【００１２】
架橋ポリロタキサンゲルについて以下に説明する。振動発生部に使用される架橋ポリロタキサンゲルは、架橋点が可動し非イオン性の架橋ポリロタキサンと溶媒とを含有するゲルである。
本発明において使用された架橋ポリロタキサンは、２個以上のポリロタキサン分子を有してなり、ポリロタキサン分子が有する環状分子同士が化学結合を介して架橋する架橋ポリロタキサンである。
架橋ポリロタキサンゲルを製造する際に使用されるポリロタキサン分子は「回転子」としての２つ以上の環状分子、該環状分子の開口部を串刺し状にして包接される「軸」としての直鎖状分子、及び該串刺し状の環状分子が脱離しないように該直鎖状分子の両端に位置するブロック基を有する。
架橋ポリロタキサンが非イオン性であるとは、詳細には、架橋ポリロタキサンゲルを構成するブロック基が非イオン性である（例えば、ブロック基自体が非イオン性である、ブロック基が有する置換基が非イオン性である）ことを意味する。本発明において、架橋ポリロタキサンが有するブロック基は、イオン性の官能基（例えば、カルボキシル基、スルホ基、アミノ基、これらの塩）ではなく、イオン性の官能基を有さない。
【００１３】
架橋ポリロタキサンを製造する際に使用される直鎖状分子（架橋ポリロタキサンの主鎖を構成する。）としては、例えば、ポリビニルアルコールやポリビニルピロリドン、ポリ（メタ）アクリル酸、セルロース系樹脂（カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース等）、ポリアクリルアミド、ポリエチレンオキサイド、ポリエチレングリコール、ポリビニルアセタール系樹脂、ポリビニルメチルエーテル、ポリアミン、ポリエチレンイミン、カゼイン、ゼラチン、でんぷん等及び／またはこれらの共重合体のような親水性ポリマー；ポリエチレン、ポリプロピレン、およびその他オレフィン系単量体との共重合樹脂などのポリオレフィン系樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレンやアクリロニトリル−スチレン共重合樹脂等のポリスチレン系樹脂、ポリメチルメタクリレートや（メタ）アクリル酸エステル共重合体、アクリロニトリル−メチルアクリレート共重合樹脂などのアクリル系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合樹脂、ポリビニルブチラール樹脂のような疎水性ポリマー；及びこれらの誘導体又は変性体（例えば、末端がカルボン酸変性されたもの）を挙げることができる。
これらのうち、再現安定性（振動の発生を再現する安定性。以下同様）に優れるという観点から、ポリエチレングリコール、ポリイソプレン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン、ポリプロピレングリコール、ポリテトラヒドロフラン、ポリジメチルシロキサン、ポリエチレン、及びポリプロピレンが好ましく、特にポリエチレングリコールであるのが好ましい。
架橋ポリロタキサンを製造する際に使用される原料としての直鎖状分子の重量平均分子量は、再現安定性に優れるという観点から、１万以上であるのがよく、好ましくは２万以上、より好ましくは３．５万以上であるのがよい。直鎖状分子の重量平均分子量は２０万以下とすることができる。本発明において直鎖状分子の重量平均分子量は、ジメチルスルホキシドを溶媒とするゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）によりポリエチレンオキシド換算で表わされるものである。
【００１４】
架橋ポリロタキサンを構成するブロック基としては、例えば、２,４−ジニトロフェニル基、３,５−ジニトロフェニル基などのジニトロフェニル基類、シクロデキストリン類、アダマンタン基類、トリチル基類、フルオレセイン類及びピレン類、並びにこれらの誘導体又は変性体を挙げることができる。より具体的には、環状分子としてα−シクロデキストリン、及び直鎖状分子としてポリエチレングリコールを用いる場合、ブロック基を、シクロデキストリン類、２,４−ジニトロフェニル基、３,５−ジニトロフェニル基などのジニトロフェニル基類、アダマンタン基類、トリチル基類、フルオレセイン類及びピレン類、並びにこれらの誘導体又は変性体とすることができる。
また、架橋ポリロタキサンを構成する直鎖状分子の末端は非イオン性のブロック基で封鎖されているのが好ましい態様の１つとして挙げられる。架橋ポリロタキサンを構成する直鎖状分子はその末端において、例えば、エステル結合、アミド結合を介してブロック基と結合することができる。ブロック基は、再現安定性に優れるという観点から、非イオン性のもの、かさ高いものであるのが好ましく、アダマンタン基類がより好ましい。非イオン性のブロック基、かさ高いブロック基としては上記のブロック基と同様のものが挙げられる。
【００１５】
架橋ポリロタキサンを構成する環状分子は、ポリロタキサン分子が有する環状分子同士（少なくとも２個の環状分子）が化学結合（単結合、有機基）を介して架橋するものを含む。有機基は特に制限されない。有機基は例えば、脂肪族炭化水素基（脂肪族炭化水素基は鎖状、分岐状、環状、これらの組み合わせのいずれであってもよく、不飽和結合を有することができる。）、芳香族炭化水素基、これらの組み合わせのいずれであってもよく、酸素原子、窒素原子、硫黄原子のようなヘテロ原子を有することができる。有機基としては、例えば、下記の架橋剤と、ポリロタキサンが有する環状分子が持つ、架橋剤と反応可能な官能基との反応により形成されるものが挙げられる。
架橋ポリロタキサンを構成する環状分子は少なくともその一部が架橋剤によって架橋されていればよい。また、架橋剤はその官能基の１つだけが架橋ポリロタキサンを構成する環状分子と反応することができる。この場合架橋剤が有する残りの官能基は環状分子とは未反応なので、１つの架橋剤は１つの環状分子を修飾するのみであり、環状分子同士を架橋しない。
架橋ポリロタキサンを製造する際に使用される環状分子は、環状構造、および架橋剤と反応し得る官能基を有する化合物であれば特に制限されない。架橋剤と反応し得る官能基としては、例えば、ヒドロキシ基、カルボキシル基が挙げられる。環状分子は具体的には例えば、種々のシクロデキストリン類（例えばα−シクロデキストリン、β−シクロデキストリン、γ−シクロデキストリン、ジメチルシクロデキストリン及びグルコシルシクロデキストリン、これらの誘導体又は変性体など）、クラウンエーテル類、ベンゾクラウン類、ジベンゾクラウン類、及びジシクロヘキサノクラウン類、並びにこれらの誘導体又は変性体を挙げることができる。これらのうち、架橋反応に利用できる水酸基が豊富に存在するという点、再現安定性に優れるという観点から、シクロデキストリン類が好ましく、特に、α−シクロデキストリンであることが好ましい。
架橋ポリロタキサンを製造する際に使用されるポリロタキサンの包接率は、初期の弾性率が適切な範囲となり、電圧印加による振動がより大きく、再現安定性に優れるという観点から、０．０１〜０．６であるのが好ましく、０．０１〜０．５であるのがより好ましい。本発明において、包接率は環状分子が直鎖状分子に串刺し状に包接される際に直鎖状分子に包接される環状分子の個数について、直鎖状分子が環状分子を最大限に包接できる個数（計算値）を１（基準値）とした場合の基準値に対する値である。実際に製造されたポリロタキサン中の環状分子の数はＮＭＲによって測定することができる。
なお、架橋ポリロタキサンを構成する環状分子は非イオン性基によって修飾されていてもよい。環状分子（例えばシクロデキストリン）を修飾する非イオン性基、環状分子（例えばシクロデキストリン）を非イオン性基で修飾する方法については、例えば、国際公開第２００５／０８０４６９号に記載されたものが挙げられる。
【００１６】
架橋ポリロタキサンゲルを製造する際に使用される架橋剤は、環状分子が有する官能基と反応可能な基を２個以上有する化合物であれば特に制限されない。環状分子が有する官能基と反応可能な基としては、例えば、ハロゲン原子、エポキシ基、アルデヒド基、カルボキシル基、イソシアネート基、イミダゾール基、ビニル基が挙げられる。架橋剤としては具体的には例えば、塩化シアヌル、トリメソイルクロリド、テレフタロイルクロリド、エピクロロヒドリン、ジブロモベンゼン、グルタールアルデヒド、フェニレンジイソシアネート、ジイソシアン酸トリレン（例えば２,４−ジイソシアン酸トリレン）、１，１′-カルボニルジイミダゾール、ジグリシジルエーテル（例えば、ブタンジオールジグリシジルエーテルのようなアルキレンジオールジグリシジルエーテル）及びジビニルスルホンなどを挙げることができる。
なかでも、再現安定性に優れ、水溶性の溶媒と相溶できる点で好ましいことから、アルキレンジオールジグリシジルエーテルが好ましく、ブタンジオールジグリシジルエーテルがより好ましい。
【００１７】
原料としてのポリロタキサンの量は、初期の弾性率が適切な範囲となり、電圧印加による振動がより大きくなり、再現安定性に優れるという観点から、架橋剤１質量部に対して、１．５〜８．０質量部であるのが好ましく、２．０〜６．０質量部であるのがより好ましい。
【００１８】
架橋ポリロタキサンは、再現安定性に優れるという観点から、直鎖状分子（架橋ポリロタキサンの主鎖）が、ポリエチレングリコール、ポリイソプレン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン、ポリプロピレングリコール、ポリテトラヒドロフラン、ポリジメチルシロキサン、ポリエチレン及びポリプロピレンからなる群から選ばれる少なくとも１種であり、ブロック基がアダマンタン基類であり、直鎖状分子の末端はエステル結合および／またはアミド結合を介してブロック基と結合し、環状分子がシクロデキストリンであり、環状分子の少なくとも一部がアルキレンジオールジグリシジルエーテルによって架橋されているのが好ましい。
【００１９】
架橋ポリロタキサンゲルはその製造について特に制限されない。例えば、シクロデキストリン分子の開口部に直鎖状分子が串刺し状に包接され且つ該シクロデキストリン分子が脱離しないように前記直鎖状分子の両末端にブロック基が配置されるポリロタキサンの少なくとも２分子と、架橋剤とを反応させることによって製造する方法が好ましい態様の１つとして挙げられる。
【００２０】
また、ポリロタキサンを架橋させる架橋反応と、得られた架橋ポリロタキサンのゲル化を１つの工程で行う方法としては、例えば、原料としてのポリロタキサンと架橋剤との反応を溶媒中において行う方法が挙げられる。具体的には例えば、モールドにゲル化時の溶媒（例えば、水、水酸化ナトリウム水溶液）、ポリロタキサン、および架橋剤を入れて、室温〜５０℃の条件下において１０〜３０時間架橋反応およびゲル化を行う方法が挙げられる。架橋反応後、必要に応じて、モールドから架橋ポリロタキサンゲルを取り出し、これを水で洗浄し、２日間水置換を行うことができる。
なお、本発明において溶媒量および系内における架橋剤濃度を一定にして、ポリロタキサンの量を変更することで、架橋ポリロタキサンゲルの架橋密度を制御することができる。この架橋系において架橋剤はポリロタキサンと反応しながら、溶媒によっても失活する。つまり、速度論的に、反応できるポリロタキサンサイトが多ければ、架橋剤はポリロタキサンとより多く反応し、架橋ポリロタキサンゲルの架橋密度をより高くすることができる。本発明において、溶媒として１．５Ｎの水酸化ナトリウム水溶液３．５ｍＬを使用し、系内の架橋剤濃度を０．２１モル／Ｌ（架橋剤がブタンジオールジグリシジルエーテルである場合その使用量：１４０μＬ）とし、系内のポリロタキサンの量を０．２〜１．２ｇとすることによって架橋ポリロタキサンゲルの架橋密度を調製することができる。本発明において使用される架橋ポリロタキサンゲルは、架橋ポリロタキサンゲルの架橋密度を制御することができ、架橋密度が高く振動をより顕著にすることができるという観点から、上記の方法で架橋されたものであるのが好ましい。
【００２１】
本発明において、得られた架橋ポリロタキサンゲルの架橋密度を表す指標として、架橋ポリロタキサンゲルのヤング率を採用した。架橋ポリロタキサンゲルの製造の際、一定濃度の架橋剤に対して使用するポリロタキサンの量が多いほど、架橋ポリロタキサンゲルの架橋密度を高くすることができ、架橋ポリロタキサンゲルのヤング率を高くすることができる。架橋ポリロタキサンゲルのヤング率については後述する。
【００２２】
ポリロタキサンと架橋剤との反応もしくはゲル化に使用することができる溶媒、および／または架橋ポリロタキサンゲルを膨潤させる溶媒としてはプロトン性の極性溶媒を用いることができる。すなわち、水、エタノール、メタノール、２級および３級のアルコール類、ポリエチレングリコールなどを用いることができる。なかでも、初期の弾性率が適切な範囲となり、電圧印加による振動がより大きく、再現安定性に優れるという観点から、特に水が好ましい。ポリロタキサンと架橋剤との反応に使用することができる溶媒として水を使用する場合、水は水酸化ナトリウムのようなアルカリを含有することができる。
架橋ポリロタキサンゲルを製造する際に使用されるポリロタキサンはその製造について特に制限されない。例えば国際公開第２００５／０５２０２６号、国際公開第２００５／０８０４６９号に記載された方法によって製造することができる。
架橋ポリロタキサンゲルおよびその製造方法については例えば国際公開第２００５／０８０４６９号を本願明細書に援用しこれに記載されたものを本発明において使用することができる。
【００２３】
得られた架橋ポリロタキサンゲルにおいて、前記溶媒と前記架橋ポリロタキサンとの質量比（溶媒：架橋ポリロタキサン）は、初期の弾性率が適切な範囲となり、電圧印加による振動がより大きく、再現安定性に優れるという観点から、９９：１〜７０：３０であるのが好ましく、９５：５〜８０：２０であるのがより好ましく、９０：１０〜８５：１５であるのがさらに好ましい。
架橋ポリロタキサンは溶媒を含むことにより膨潤することができる。膨潤時又は膨潤前の架橋ポリロタキサン濃度、即ち、架橋ポリロタキサンゲルの単位体積あたりの架橋ポリロタキサンの量は、初期の弾性率が適切な範囲となり、電圧印加による振動がより大きく、再現安定性に優れるという観点から、０．０２〜０．４０ｇ／ｃｍ3、好ましくは０．０４〜０．３０ｇ／ｃｍ3、より好ましくは０．０８〜０．２０ｇ／ｃｍ3であるのがよい。
架橋ポリロタキサンゲルはそれぞれ単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。
架橋ポリロタキサンゲルの厚さは１ｍｍ以下とすることができ、１ｍｍ未満であるのが好ましい。また機械的強度を確保できるという観点から０．３ｍｍ以上であるのが好ましい。
架橋ポリロタキサンゲルの弾性率（印加なしの条件下）は、再現安定性に優れるという観点から、ヤング率として３０ｋＰａ以下であるのが好ましい。本願発明者らは、架橋ポリロタキサンゲルの弾性率が上記のような範囲である場合、電圧を印加することによって架橋ポリロタキサンゲルがより振動しやすいことを見出した。
【００２４】
振動発生部に使用される電極について以下に説明する。振動発生部に使用される電極はその材料について特に制限されない。例えば、（ｉ）活性炭、カーボンブラック、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ、気相成長炭素繊維等の炭素材料、（ｉｉ）金、白金、イリジウム、パラジウム、ルテニウム、銀、銅、ニッケルなどの金属類、（ｉｉｉ）酸化ルテニウム、酸化チタン、酸化スズ、二酸化イリジウム、酸化タンタル、酸化バナジウム、酸化モリブデンなどの金属酸化物、（ｉｖ）ポリアセチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリチオフェン及びこれらの誘導体などのπ共役系導電性高分子などを用いることができる。これらは単独で用いてもよいし、複数を組み合わせてもよい。
電極の厚さは特に制限されない。１０μｍ以下とすることができる。
本発明のタッチパネルに使用される架橋ポリロタキサンゲルの特徴のひとつとして、その高い透明性が挙げられる。前記電極材料として取り上げた酸化インジウムに少量の酸化スズを混ぜたＩＴＯやπ共役系導電性高分子を用いた電極は透明性も高いため、これらの電極を付与することで透明な触感呈示型の振動発生部を得ることができる。
電極の形成方法としては特に制限はなく、公知の方法を用いることができる。すなわち、真空蒸着法、スパッタリング法、電解メッキ法、無電解メッキ法、印刷法、適切なバインダー中に電極材料を溶解もしくは分散させたインキを架橋ポリロタキサンゲル上に塗布する方法、架橋ポリロタキサンゲルと別途作製した電極シート又は金属箔膜とを圧着または溶着により貼り合せる方法、金属板（例えばＬ字状などの形状のもの、薄膜のもの）を架橋ポリロタキサンゲルに差し込む方法などが挙げられる。特に、金を用いた無電解メッキ法は、電極形成の容易性と形成された電極の安定性の観点から、好適に用いられる。金を用いた無電解メッキ法は従来公知のものが挙げられ、例えば、電極は以下に示す（ａ）〜（ｅ）の工程を、３〜５回繰り返すことで作製することができる。
（ａ）架橋ポリロタキサンゲルの洗浄工程、（ｂ）架橋ポリロタキサンゲルの膨潤工程、（ｃ）架橋ポリロタキサンゲルへの金属イオンの吸着工程、（ｄ）金属イオンの還元工程、（ｅ）電極を有する架橋ポリロタキサンゲルの洗浄工程
振動発生部は架橋ポリロタキサンゲルと電圧印加用電極とを持つものであれば特に制限されない。電圧印加用電極は例えば、１対［１つの電極（正極）に対して１つの電極（負極）］として、または複数の電極（正極）に対して複数の電極（負極）を配置することができる。電圧印加用電極の位置は、例えば、架橋ポリロタキサンゲルの表面上の左右の端部、架橋ポリロタキサンゲルの上下面、架橋ポリロタキサンゲルの両側面、架橋ポリロタキサンゲルの内部とすることができる。
電圧印加用電極の位置が架橋ポリロタキサンゲルの上下面である場合、電圧印加用電極の間の距離は１ｍｍ以下とすることができ、１ｍｍ未満であるのが好ましい。
電圧印加用電極の位置が架橋ポリロタキサンゲルの表面上の左右の端部、架橋ポリロタキサンゲルの両側面、架橋ポリロタキサンゲルの内部である場合、電圧印加用電極の間の距離は５ｍｍ以下とすることができる。
なお正極および／または負極の電極を複数有する場合、隣り合う同じ極の電極の間の距離は特に制限されず、１．５〜１９ｍｍとすることができる。
【００２５】
本発明のタッチパネルは、架橋ポリロタキサンゲルに電圧を印加して前記架橋ポリロタキサンゲルを、つまりは振動発生部を振動させる。
本発明において、架橋ポリロタキサンゲルまたは振動発生部のヤング率は原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ；ＡＦＭ）を用いて測定された。ある架橋ポリロタキサンゲルとこの架橋ポリロタキサンゲルを持つ振動発生部とにおいて、両者の初期（印加なし）のヤング率はＡＦＭによる測定の場合同じまたはほぼ同等とすることができる。
本発明において、振動発生部（架橋ポリロタキサンゲル）に印加するための電圧は直流電圧であるのが好ましい（この場合電源は直流電源とすることができる。）。電源は−３〜＋３Ｖの電圧を電極間に印加することができる。電圧は、電圧印加による架橋ポリロタキサンゲル（振動発生部）の振動を大きくすることができるという観点から、電圧の絶対値が大きいことが好ましく、電圧の絶対値が２Ｖを超えるのがより好ましい。電圧の印加は、接触操作に関する、機器の回路からの制御信号に応じてコントローラを用いて制御することができる。
【００２６】
振動発生部の初期（電圧を印加しない状態）の弾性率は、電圧印加による振動がより大きく、再現安定性に優れるという観点から、ヤング率として３０ｋＰａ以下であるのが好ましい。
初期（電圧を印加しない状態）における振動発生部の弾性率が上記のような範囲である場合、振動発生部が電圧の印加によってより振動することができる。
【００２７】
印加による振動発生部（架橋ポリロタキサンゲル）の振動数は、操作者が振動を明確に感知できるという観点から、０．４〜１００Ｈｚであるのが好ましく、０．４０〜０．５５Ｈｚであるのがより好ましい。
印加による振動発生部（架橋ポリロタキサンゲル）の変位の変化量（電圧印加時に架橋ポリロタキサンゲルが振動で変形したときの変位と、変形していないときとの変位の差）は、操作者が振動を明確に感知できるという観点から、０．０１ｍｍ以上であるのが好ましい。
【００２８】
振動発生部（または架橋ポリロタキサンゲル）はその形状について特に制限されない。例えば、平板状（平板状）、ドーム状、円筒状、半円筒状、シート状とすることができる。架橋ポリロタキサンゲルを上記の形状に対応するモールド内で製造することによって、所望の形状を有する架橋ポリロタキサンゲルを得ることができる。
【００２９】
振動発生部における電圧印加用電極の形状として例えば、平板状（平面状）、帯状のものが挙げられる。電圧印加用電極の形状が帯状である場合、片方の電極の配置をもう片方の電極に対して９０度ずらすことができる。電極は架橋ポリロタキサンゲルの、例えば、上下、左右に配置することができる。電圧印加用電極の形状が帯状である場合、正極の電極および／または負極の電極を複数とすることができる。
【００３０】
本発明のタッチパネルはさらに、操作時の接触を検出する接触検出部および／または表示画面を有するのが好ましい態様として挙げられる。
本発明のタッチパネルにおいて、接触検出部（操作者による入力を検知するセンサー）としてはタッチパネルを用いることができる。本発明のタッチパネルにおいて、接触検出部として使用されるタッチパネルは、パネルに接触した操作者の指を検出して操作者による入力を検知する入力手段である。接触検出部として使用されるタッチパネルの具体的構成としては、接触圧力が加わった位置を検出する抵抗膜感圧方式のもの、および接触により表面を伝播する表面弾性波を検出する表面弾性波方式のものを使用しても良い。さらに、赤外線発光ダイオードとフォトトランジスタからなるセンサーを多数設けた赤外線検出方式のタッチパネルを使用することもできる。
また、本発明のタッチパネルはさらにコントローラを有するのが好ましい態様の１つとして挙げられる。コントローラは、検知した操作者の押圧に応じて所望の場所（振動発生部）を振動させるために、電極に電圧をかける場所をコントロールして瞬時(１秒以内)に振動発生部（電極システム）に電圧を印加し、架橋ポリロタキサンゲル（薄膜）を振動させる。これにより操作者はタッチパネルを押したことを知覚することができる。
【００３１】
本発明のタッチパネルは振動発生部を部分的に振動させることができる。具体的には例えば、１つのタッチパネルが１つの振動発生部を有する場合振動発生部の１部分を振動させる態様、１つのタッチパネルが複数の振動発生部を有する場合個々の振動発生部を振動させる態様が挙げられる。
【００３２】
振動発生部を添付の図面を用いて以下に説明する。なお本発明は添付の図面に制限されない。
図１は本発明のタッチパネルに使用される振動発生部の一実施形態の概略を模式的に表す斜視図である。図１において、振動発生部（電極システム）１００はシート状の架橋ポリロタキサンゲル１０１と、架橋ポリロタキサンゲル１０１の上下面の端部（図示せず）にあり架橋ポリロタキサンゲル１０１に電圧を印加するための１対の電圧印加用電極１０３、１０５と、１対の電圧印加用電極１０３、１０５に電圧を印加する電源１０７とを有する。振動発生部１００の動作は、まず、操作者の接触操作に関する機器の回路（図示せず。）からの制御信号によって電源１０７が１対の電圧印加用電極１０３、１０５を介して電圧を架橋ポリロタキサンゲル１０１に印加し、架橋ポリロタキサンゲル１０１が振動し、操作者が振動発生部１００の振動を感知することができる。
【００３３】
図３は本発明のタッチパネルに使用される振動発生部の別の一実施形態の概略を模式的に表す断面図である。図３において、振動発生部（電極システム）３００はシート状であり、シート状の架橋ポリロタキサンゲル３０１（厚さ１ｍｍ以下）と、電圧印加用電極３０３、３０５を架橋ポリロタキサンゲル３０１の表面と裏面とにそれぞれ有し、電圧印加用電極３０３、３０５はそれぞれ複数の帯状に等間隔で設けられ、電圧印加用電極３０３と電圧印加用電極３０５とはその配置が９０度ずれており、電圧印加用電極３０３、３０５に電圧を印加するための電源３０７（直流電源）とを有し、所望の場所を振動させるために電圧印加用電極３０３、３０５に電圧をかける場所をコントロールするコントローラ３０９を有する。
帯状の電極の幅（Ｌ１）は０．４〜４．８ｍｍであるのが好ましい。
隣り合う帯状の電極の間（Ｌ２）は１．５〜１９．０ｍｍであるのが好ましい。
振動発生部３００の動作は、まず、操作者の接触操作に関する機器の回路（図示せず。）からの制御信号によってコントローラ３０９が作動し所望の場所を振動させるように電源３０７から電圧印加用電極３０３のいずれかの帯と、電圧印加用電極３０５のいずれかの帯との間に選択的に電圧を印加して、架橋ポリロタキサンゲル３０１のなかの所望の部分（操作者が接触した部分）が振動して、操作者が振動発生部３００の部分的な振動を感知することができる。
【００３４】
図７は本発明のタッチパネルに使用される振動発生部の別の一実施形態の概略を模式的に表す断面図である。図７において、振動発生部７００（電極システム）は、架橋ポリロタキサンゲル７０１（厚さ１ｍｍ以下）と、架橋ポリロタキサンゲル７０１の両表面に平板状（平面状）に設けられた１対の電圧印加用電極７０３、７０５、電圧を印加する直流電源７０７から構成される。
振動発生部７００の動作は、まず、操作者の接触操作に関する機器の回路（図示せず。）からの制御信号によって電源７０７から１対の電圧印加用電極７０３、７０５を介して電圧を架橋ポリロタキサンゲル７０１に印加し、架橋ポリロタキサンゲル７０１が振動して、操作者が振動発生部７００の振動を感知することができる。
【００３５】
図１１は本発明のタッチパネルに使用される振動発生部の別の一実施形態の概略を模式的に表す断面図である。図１１において、振動発生部９１５は架橋ポリロタキサンゲル９２５（厚さ１ｍｍ以下）と、１対の電圧印加用電極９０３、９０５、電圧を印加する直流電源９０７から構成される。また１対の電圧印加用電極９０３、９０５はそれぞれ垂直方向に平面状の部分を少なくとも有する形状（図１１においてはＬ字型）であり、シート状の振動発生部９１５は１対の電圧印加用電極９０３、９０５をシート状の架橋ポリロタキサンゲル９２５に対して垂直方向に有し、１対の電圧印加用電極９０３、９０５の間にシート状の架橋ポリロタキサンゲル９２５の少なくとも一部または全部があり、１対の電圧印加用電極９０３、９０５の間にある架橋ポリロタキサンゲル９０１の表面に突起部９２９を有する。架橋ポリロタキサンゲル９０１がその表面に突起部９２９を有することによって操作者が振動を顕著に感じることができる。符号９２１、９２３の部分を架橋ポリロタキサンゲル以外の材料とすることができる。架橋ポリロタキサンゲル９２５は符号９２１、９２３の部分を有さなくてもよい。突起部９２９は架橋ポリロタキサンゲル９２５と一体的に形成することができる。突起部９２９は架橋ポリロタキサンゲル９２９と同じ材質でも異なる材質であってもよい。
振動発生部９１５の動作は、まず、操作者の接触操作に関する機器の回路（図示せず。）からの制御信号によって電源９０７から１対の電圧印加用電極９０３、９０５を介して電圧を架橋ポリロタキサンゲル９２５または９０１に印加し、１対の電圧印加用電極９０３、９０５に電圧が印加されると架橋ポリロタキサンゲル９２５および突起部９２９が振動して、操作者が振動発生部９１５および突起部９２９の振動を感知することができる。
【００３６】
本発明のタッチパネルは触感呈示型の入力デバイスを構成する素子構造として使用することができる。
本発明のタッチパネル、およびこれを用いて構成される入力デバイスについて添付の図面を用いて以下に説明する。本発明は添付の図面に制限されない。
図４は本発明のタッチパネルを用いて構成される入力デバイス（装置構成）の一実施形態を模式的に示す概略図である。図４において、入力デバイス５００はタッチパネル４００（本発明のタッチパネル）を１つ有する。
図５は図４に示す入力デバイス５００に使用されるタッチパネル４００を模式的に示す分解斜視図であり、図６は図４に示す入力デバイス５００に使用されるタッチパネル４００を模式的に表す断面図である。
【００３７】
図５（図６）において、タッチパネル４００は、振動発生部４１５がシート状であり、シート状の振動発生部４１５と、さらに、操作時の接触を検出するシート状の接触検出部４１３と、表示画面４１１とを有し、
シート状の振動発生部４１５とシート状の接触検出部４１３とを表示画面４１１上に順次積層し、
シート状の振動発生部４１５は電圧印加用電極４０３、４０５を架橋ポリロタキサンゲル４０１の表面と裏面とに有し、前記表面および前記裏面において電圧印加用電極４０３、４０５はそれぞれ複数の帯状に等間隔で設けられ、前記表面における電圧印加用電極４０３と前記裏面における電圧印加用電極４０５とが９０度ずれるものであり、
前記電圧印加用電極４０３、４０５は、前記接触に応じて振動発生部４１５を部分的に振動させるためのコントローラ４０９に接続され、
操作時の接触を接触検出部４１３で検出するとコントローラ４０９によって電源４０７からシート状の振動発生部４１５に部分的に直流電流が印加され、シート状の振動発生部４１５が部分的に振動することにより感触を操作者にフィードバックすることができる。
振動発生部４１５には図３に示す振動発生部３００を用いる。振動発生部４１５の上に必要に応じて保護シート４１７を配置することができる。
タッチパネル４００の動作は、まず、操作時の接触を接触検出部４１３で検出すると、操作者の接触操作に関する機器の回路（図示せず。）からの制御信号によってコントローラ４０９が作動し所望の場所を振動させるように電源４０７から電圧印加用電極４０３のいずれかの帯と、電圧印加用電極４０５のいずれかの帯との間に選択的に電圧を印加して、振動発生部４１５（架橋ポリロタキサンゲル４０１）のなかの所望の部分（操作者が接触した部分）が振動して、感触を操作者にフィードバックすることができる。
【００３８】
本発明において、コントローラは、検知した操作者の押圧に応じて瞬時(１秒以内)に電極システムに部分的に電圧を印加し、架橋ポリロタキサンゲル（薄膜）を部分的に振動させることができる。これにより操作者はタッチパネルを押したことを知覚することができる。
【００３９】
図８は本発明のタッチパネルを用いて構成される入力デバイス（装置構成）の別の一実施形態を模式的に示す概略図である。図８において、入力デバイス８００はボタン７１９（振動発生部７１５）を複数有し、２つの隣り合うボタン７１９（振動発生部７１５）の間に隔壁８１９を有するタッチパネル８２１を持つ。図８に示すタッチパネル８２１は複数のボタン７１９（振動発生部７１５）と隔壁８１９とを有することによって各振動発生部７１５（架橋ポリロタキサンゲル７０１）を振動させることができ、これによって部分的なタッチパネルの振動を実現することができる。
本願明細書において隔壁は少なくとも隣り合う振動発生部の間に配置されればよく、隣り合うボタンの間に配置することもできる。
【００４０】
図９は図８に示すボタン７１９の一実施形態の概略を模式的に示す分解斜視図であり、図１０は図８に示すタッチパネル８２１を模式的に表す縦方向の断面図である。
図９において、ボタン７１９は、振動発生部７１５（７００）とシート状の接触検出部７１３とを順次配置（積層）する。振動発生部７１５はシート状であり、振動発生部７１５には図７に示す振動発生部７００を用いる。振動発生部７１５の上に必要に応じて保護シート７１７を配置することができる。接触検出部７１３の下に必要に応じて表示画面（図示せず。）を配置することができる。
ボタン７１９の動作は、まず、操作時の接触を接触検出部７１３で検出すると１対の電圧印加用電極７０３、７０５を介してシート状の振動発生部７１５に直流電流が印加され、シート状の振動発生部７１５（架橋ポリロタキサンゲル７０１）が振動することにより感触を操作者にフィードバックすることができる。
図１０において、タッチパネル８２１は、振動発生部７１５がシート状であり、電圧印加用電極が１対の電圧印加用電極７０３、７０５であり、シート状の振動発生部７１５を複数有し、２つの隣り合う振動発生部７１５の間に隔壁８１９を有し、
シート状の振動発生部７１５と、隔壁８１９とを、シート状の接触検出部７１３の上に順次配置し、
操作時の接触を接触検出部７１３で検出するとシート状の振動発生部７１５に直流電流が印加され、シート状の振動発生部７１５が振動することにより感触を操作者にフィードバックすることができる。
タッチパネル８２１は２つの隣り合う振動発生部７１５（少なくとも隣り合う架橋ポリロタキサンゲル７０１）の間に隔壁８１９を有する。本発明において、保護シートはフィルム状の絶縁材から形成されている。接触検出部７１３の下に必要に応じて表示画面（図示せず。）を配置することができる。
【００４１】
図１３は本発明のタッチパネルの別の一実施形態を模式的に示す横方向の断面図である。図１３は、図８に示すボタン７１９に使用される振動発生部に、図１１に示す振動発生部を適用したケースである。
図１３において、タッチパネル８２１は、振動発生部９１５がシート状（ほぼシート状）であり、シート状の振動発生部９１５を複数有し、２つの隣り合う振動発生部９１５の間に隔壁９１９を有し、
シート状の振動発生部９１５と、隔壁９１９とを、シート状の接触検出部９１３の上に順次配置し、
電圧印加用電極は１対の電圧印加用電極９０３、９０５であり、１対の電圧印加用電極９０３、９０５はそれぞれ垂直方向に平面状の部分を少なくとも有する形状（Ｌ字型）であり、シート状の振動発生部９１５は１対の電圧印加用電極９０３、９０５が有する前記垂直方向に平面状の部分をシート状の架橋ポリロタキサンゲル９２５に対して垂直方向に有し、１対の電圧印加用電極９０３、９０５の間にシート状の架橋ポリロタキサンゲル９２５の少なくとも一部または全部があり、１対の電圧印加用電極９０３、９０５の間にある架橋ポリロタキサンゲル９２５の表面に突起部９２９を有し、１対の電圧印加用電極９０３、９０５に電圧が印加されると振動発生部９１５（架橋ポリロタキサンゲル９２５）および突起部９２９が振動することができる。
図１３において、タッチパネル８２１は振動発生部９１５を複数有し、２つの隣り合う振動発生部９１５（または少なくとも架橋ポリロタキサンゲル９２５）の間に隔壁９１９を有し、振動発生部９１５と、隔壁９１９とをシート状の接触検出部９１３の上に順次配置（積層）する。必要に応じて保護シート９１７、表示画面９１１を有することができる。タッチパネル８２１は複数の振動発生部９１５と隔壁９１９とを有することによって部分的に振動発生部９１５（架橋ポリロタキサンゲル９２５）を振動させることができる。タッチパネル８２１は個々の振動発生部９１５を１つのボタン９３５として有することができる。
【００４２】
図１２は図８に示すボタンの別の一実施形態の概略を模式的に示す分解斜視図である。
図１２において、ボタン９３５（７１９）は、振動発生部９１５と、保護シート９１７を順次シート状の接触検出部９１３の上に配置（積層）する。振動発生部９２５は、垂直方向に平面状の部分を有する1対の電圧印加用電極９０３、９０５（Ｌ字型）を有し、シート状の振動発生部９２５は１対の電圧印加用電極９０３、９０５が有する垂直方向に平面状部分をシート状の架橋ポリロタキサンゲル９２５に対して垂直方向に有し、１対の電圧印加用電極９０３、９０５の間にシート状の架橋ポリロタキサンゲルの少なくとも一部または全部があり、１対の電圧印加用電極９０３、９０５の間にある架橋ポリロタキサンゲル９０１の表面に突起部９２９を有する。振動発生部９１５は符号９２１、符号９２３の部分において架橋ポリロタキサンゲルを有さなくてもよい。この場合符号９２１の部分だけを架橋ポリロタキサンゲルとすることができる。接触検出部９１３の下に必要に応じて表示画面（図示せず。）を配置することができる。
ボタン９３５の動作は、まず、操作時の接触を接触検出部９１３で検出すると１対の電圧印加用電極９０３、９０５に電圧が印加され、振動発生部９１５および突起部９２９が振動して感触を操作者にフィードバックすることができる。
【実施例】
【００４３】
以下に、実施例を示して本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されない。
［架橋ポリロタキサンゲルの製造］
１．未架橋ポリロタキサンの合成
ポリロタキサンの合成例：
＜ポリエチレングリコールのＴＥＭＰＯ酸化によるＰＥＧ−カルボン酸の調製＞
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）（重量平均分子量：１０万）１０ｇ、ＴＥＭＰＯ（２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジニルオキシラジカル）５０ｍｇ、及び臭化ナトリウム０．２５ｇを水１１０ｍｌに溶解した。得られた溶液に市販の次亜塩素酸ナトリウム水溶液（有効塩素濃度約５％）２．５ｍｌを添加し、室温で攪拌しながら反応させた。反応が進行すると添加直後から系のｐＨは急激に減少するが、なるべくｐＨ：１０〜１１を保つように１Ｎ−ＮａＯＨを添加して調製した。ｐＨの低下は概ね３分以内に見られなくなったが、さらに１０分間攪拌した。過剰量のエタノールを添加して反応を終了させた。塩化メチレン５０ｍｌでの抽出を３回繰返して無機塩以外の成分を抽出した後、エバポレータで塩化メチレンを留去した。温エタノール２５０ｍｌに溶解させた後、−４℃の冷凍庫に一晩おいてＰＥＧ−カルボン酸、即ちＰＥＧの両末端をカルボン酸（−ＣＯＯＨ）に置換したもの、を析出させた。析出したＰＥＧ−カルボン酸を遠心分離で回収した。この温エタノール溶解−析出−遠心分離のサイクルを数回繰り返し、最後に真空乾燥で乾燥させてＰＥＧ−カルボン酸を得た。収率９５％以上。カルボキシル化率９５％以上。
＜ＰＥＧ−カルボン酸とα−シクロデキストリンを用いた包接錯体の調製＞
上記で調製したＰＥＧ−カルボン酸６ｇ及びα−シクロデキストリン（α−ＣＤ）２４ｇをそれぞれ別々に用意した７０℃の温水１００ｍｌに溶解させた後、両者を混合し、その後、冷蔵庫（４℃）中で３日間静置した。クリーム状に析出した包接錯体を凍結乾燥し回収した。
＜アダマンタンアミンとＢＯＰ試薬反応系を用いた包接錯体の封鎖＞
上記包接錯体にアダマンタンアミン０．２６ｇ、ＢＯＰ試薬（ベンゾトリアゾール−１−イル−オキシ−トリス（ジメチルアミノ）ホスホニウム・ヘキサフルオロフォスフェート）０．６０ｇ、ジイソプロピルエチルアミン０．２８ｍｌを脱水ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）１２０ｍｌに溶解した溶液を加え、よく振り混ぜた後、冷蔵庫中で一晩静置した。その後、メタノール１２０ｍｌを加え、攪拌、遠心分離、上澄みの除去、を行った。次いで、ＤＭＦ／メタノール＝１：１混合溶液２００ｍｌを加え、同様の操作を２回行った。さらにメタノール２００ｍｌを用いて同様の操作を２回行い、得られた沈澱を真空乾燥した後、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）１４０ｍｌに溶解した。この溶液を純水１４００ｍｌ中に滴下してポリロタキサンを析出させた。析出したポリロタキサンを遠心分離で回収し、真空乾燥した。さらに同様の再沈澱操作を行い、ポリロタキサン１６ｇを得た。得られたポリロタキサンをＮＭＲ測定した結果、ＣＤとＰＥＧモノマーとの比（モル比）は、ＣＤ：ＰＥＧモノマー＝１３．５：１００であった（包接率：０．２７）。なお、包接率より、理論計算上、該ポリロタキサン１ｇにつき、シクロデキストリンが０．７６ミリモル包接される。得られたポリロタキサンをポリロタキサン１とする。
【００４４】
２．ポリロタキサン１の架橋および架橋ポリロタキサンのゲル化
上記のようにして得られたポリロタキサン１：０．３５ｇ、０．４５ｇ、０．５３ｇ、０．６０ｇ、０．７０ｇをそれぞれ３．５ｍｌの１．５Ｎ−ＮａＯＨ水溶液に溶解し、１，４−ブタンジオールジグリシジルエーテルを１４０μｌ（架橋剤の濃度として０．２１ｍｏｌ／Ｌ）添加し、撹拌した。均一になった溶液を厚み０．５ｍｍのシート状のモールドに注入し、２５℃、２０時間反応させた後、モールドから取り出し、水で洗浄し、２日間水置換を行った。得られた架橋ポリロタキサンゲルを上記のポリロタキサン１の使用量の順に架橋ポリロタキサンゲル１〜５とする。なお、水で膨潤させて得られた架橋ポリロタキサンゲル１の重量を１とした場合、架橋ポリロタキサンゲル１の含水率は０．９１となる。同様に架橋ポリロタキサンゲル２〜５含水率はそれぞれ０．８８、０．８６、０．８３、０．８０になる。
【００４５】
［ハイドロゲルの製造］
(株)クラレ製、ＰＶＡ−１２４、重合度２４００、ケン化度９８〜９９ｍｏｌ％のポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を水に溶解して、濃度６％のＰＶＡ水溶液を作製した。この水溶液を厚さ０．５ｍｍ、幅４ｍｍ、長さ４ｍｍのシリコン型に流し込み、−１５℃の温度下で１０時間放置して水溶液を凍結させた後、５℃の温度下に２４時間放置して氷を融解し、ポリビニルアルコールゲル（ＰＶＡゲル）を得た。得られたＰＶＡゲルをハイドロゲルとする。
［オルガノゲルの製造］
モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン社製ＴＳＥ３０７０を厚さ０．５ｍｍ、幅４ｍｍ、長さ４ｍｍのシリコン型に流し込み、８０℃の温度下で３時間放置し、シリコーンゲルを得た。得られたシリコーンゲルをオルガノゲルとする。
［イオン性架橋ポリロタキサンゲル］
３，５−ジメルカプトメチルピリジンで架橋されたα−シクロデキストリン２量体（１ｇ）とポリエチレングリコール（重量平均分子量：１，５００、シグマアルドリッチ社製）（５ｍｇ）とを水（１０ｍｌ）に加え、超音波を照射しながら室温で混合した。２時間後沈殿物としてα−シクロデキストリン２量体による架橋ポリロタキサンを得た。
次に得られた架橋ポリロタキサン１ｇと過酸化水素水１０ｍＬとを混合し、０℃の条件下で反応させてポリエチレングリコールの末端のヒドロキシ基を酸化させてカルボキシル基とし、その後カルボキシル基と水酸化ナトリウムとを反応させることによって、カルボキシル基をナトリウム塩に変換させ、カルボン酸ナトリウム塩で変性された架橋ポリロタキサンを得た。得られた架橋ポリロタキサンをゲル化してこれをイオン性変性架橋ポリロタキサンゲルとして使用した。
【００４６】
［ヤング率の測定］
本発明において、架橋ポリロタキサンゲル、振動発生部のヤング率は、原子間力顕微鏡（日本ビーコ社製 Ｎａｎｏ ＳｃｏｐｅＩＩＩa Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ３０００）を用い、室温下で測定された。
架橋ポリロタキサンゲルのヤング率は、架橋ポリロタキサンゲルを印加なしの条件下でゲル表面のフォースボリューム測定を行い、得られたフォースディスタンスカーブより決定された。
振動発生部のヤング率は、振動発生部に、印加なしまたは＋３Ｖの直流電圧を加えながらの条件下で、振動発生部の表面（振動発生部の上面の電極）上におけるフォースボリューム測定を行い、得られたフォースディスタンスカーブより決定された。結果を第１表に示す。
架橋ポリロタキサンゲルのヤング率は、上記のようにして得られた架橋ポリロタキサンゲル１〜５をそれぞれ厚さ０．５ｍｍ、幅４ｍｍ、長さ４ｍｍの平板状とし、この高分子薄膜を純水で１日膨潤させたものをヤング率の評価サンプルとして用いた。
振動発生部のヤング率は、下記のようにして得られた振動発生部を用いて測定された。
【００４７】
［振動発生部の作製］
上記のようにして得られた架橋ポリロタキサンゲル１〜５を用いて図１に示す振動発生部を作製した。
まず、架橋ポリロタキサンゲル（高分子薄膜）１０１として上記のとおり得られた架橋ポリロタキサンゲル１〜３を厚さ０．５ｍｍ、幅４ｍｍ、長さ８ｍｍの短冊状に切り取り、純水で１日膨潤させた後、試料片の上下面において端部から２ｍｍ幅（Ｌ１）の部分を以下の方法（金を用いた無電解メッキ法による金メッキ）により電極化し、１対の電圧印加用電極１０３、１０５を架橋ポリロタキサンゲル１０１に付与した。電圧印加用電極１０３、１０５の厚さは１ミクロン（μｍ）である。
金を用いた無電解メッキ法による金メッキは、上記のようにして得られた架橋ポリロタキサンゲル１〜５を基材としこれに対し、金フェナントロリン錯体溶液（２〜１０ｇ／Ｌ）中に室温下で基材の上下表面において同じ端部から１ｍｍ幅の部分をそれぞれ６時間浸漬した。還元液として、アスコルビン酸ナトリウム水溶液（４〜６ｍＭ）を５０ｍＬ程度作製し、４０℃の金フェナントロリン錯体溶液に５ｍＬ加えた。その後３０分かけて５℃昇温した時点で還元液を５ｍＬ加えた。同様の添加を反応液が６０℃に達するまで行い、液温が６０℃に達した時点で生成したメッキ液をすべて投入し、２時間ほど還元反応を進行させた。生成したメッキ膜を蒸留水で洗浄し、再びメッキ溶液に浸透させた。この操作を３回繰り返すことにより、金メッキした架橋ポリロタキサンゲル（振動発生部）を得た。得られた振動発生部を振動発生部１〜５とする。
【００４８】
上記のようにして得られた振動発生部１〜３（電極システム）を用いて高分子薄膜の電場応答性を調べた。
［振動数、変位の測定］
得られた振動発生部１〜３に＋３Ｖの直流電圧を印加し、レーザー変位計（ＳＵＮＸ社製 ＡＮＲ１２５７）を用いて、固定端から４ｍｍの位置の変位と振動数を測定した。
図１に示す振動発生部（電極システム）として上記のとおり製造した振動発生部１〜３を用い、架橋ポリロタキサンゲルのヤング率と振動数および変位の関係を調べた。架橋ポリロタキサンゲルのヤング率、振動発生部１〜３の振動数および変位の関係を第１表に示す。
【００４９】
【表１】
なお架橋ポリロタキサン４および振動発生部４のヤング率は１４．７ｋＰａであり、架橋ポリロタキサン５および振動発生部５のヤング率は２３．８ｋＰａであった。
また第１表においてポリロタキサン使用量は各架橋ポリロタキサンゲルを製造する際に使用されたポリロタキサン１の量である。第２表〜第４表についても同様である。
【００５０】
第１表に示す結果から明らかなように、架橋ポリロタキサンゲルを使用せず架橋ポリロタキサンゲル以外の材料（一般的なハイドロゲル、オルガノゲル、イオン性架橋ポリロタキサンゲル）を用いたサンプル(比較例１〜３)ではいずれのサンプルも電圧を印加しても振動現象は認められなかった。
これに対して、実施例１〜３（ヤング率が３０ｋＰａ以下の架橋ポリロタキサンゲルを使用する振動発生部）は、電圧の印加によって振動することができる。またこれらの振動発生部は、振動数が０．４Ｈｚ以上１００Ｈｚ以下で、かつ、変位の変化量が０．０１ｍｍ以上の値を満たすことができ、タッチパネルに使用される振動発生部として特に好適である。
また第１表に示す結果から、架橋ポリロタキサンゲルのヤング率が大きくなるほど（架橋ポリロタキサンゲルの架橋密度が大きくなるほど）、（データはないが初めは振動数が上昇すると予想されその後）振動数が減少すること、電圧印加前後での変位の変化量が増大しその後減少することを見出した。
【００５１】
つづいて、振動発生部２に直流電圧（＋３Ｖ）を印加した場合の振動回数と変位の変化率(１回目の振動時の変位量に対する２回目以降の変位の変化率)の関係について調査した。結果を図２に示す。図２は振動発生部２の振動回数と変位の変化率との関係を示すグラフである。図２に示す結果から明らかなように、架橋ポリロタキサンゲルを使用する振動発生部は振動回数が増えても変位の変化率の低下が認められなかった。このことから、架橋ポリロタキサンゲルが繰り返し特性に優れていることが示された。ＰＶＡゲル、シリコーンゲルは電圧を印加しても振動現象は認められなかった。
【００５２】
［触感呈示型の入力デバイスへの適用（その１）］
図３に示す振動発生部（電極システム）を用いて図５に示すタッチパネルを作製しこれを用いて図４に示す入力デバイスを作製し、その電場応答性を調べた。
測定には、上記のとおり得られた架橋ポリロタキサンゲル１、２（高分子薄膜）を厚さ０．５ｍｍ、幅１００ｍｍ、長さ１００ｍｍの短冊状に切り取り、純水で1日膨潤させた後、幅１ｍｍの複数の電圧印加用電極を１ｍｍ間隔で高分子薄膜の表面と裏面に９０度ずれるように上述のメッキ手法により電極化し、振動発生部を製造した。得られた振動発生部を振動発生部４〜５とする。得られた振動発生部４、５を用いて入力デバイスを作製し、これに＋３Ｖの直流電圧を印加したときに実際の指に感じるフィードバックの触感の有無を調べた。結果を第２表に示す。
【００５３】
【表２】
【００５４】
第２表に示す結果から明らかなように、架橋ポリロタキサンゲルを使用せず架橋ポリロタキサンゲル以外の材料を使用する比較例４〜６はいずれのサンプルもフィードバックの触感は得られなかった。
これに対して実施例４、５は良好なフィードバックの触感が得られた。特に実施例５はその触感が顕著であった。
【００５５】
［触感呈示型の入力デバイスへの適用(その２)］
図７に示す振動発生部（電極システム）を用いて図９に示すボタンを作製しこれを用いて図８に示す、タッチパネル、入力デバイスを作製し、その電場応答性を調べた。
測定には、上記のとおり得られた架橋ポリロタキサンゲル１、２（高分子薄膜）を厚さ０．５ｍｍ、幅１０ｍｍ、長さ１０ｍｍの短冊状に切り取り、純水で1日膨潤させた後、高分子薄膜の両面を上述のメッキ手法により電極化し、振動発生部を製造した。得られた振動発生部を振動発生部６〜７とする。得られた振動発生部６、７を用いて入力デバイスを作製し、これに＋３Ｖの直流電圧を印加したときに実際の指に感じるフィードバックの触感の有無を調べた。結果を第３表に示す。
【００５６】
【表３】
【００５７】
第３表に示す結果から明らかなように、架橋ポリロタキサンゲルを使用せず架橋ポリロタキサンゲル以外の材料用いた比較例７〜９はいずれのサンプルもフィードバックの触感は得られなかった。
これに対して実施例６、７は良好なフィードバックの触感が得られた。特に実施例７はその触感が顕著であった。
【００５８】
［触感呈示型の入力デバイスへの適用(その３)］
図１１に示す振動発生部（電極システム）を用いて図１２に示すボタンを作製しこれを用いて図１３に示すタッチパネル、図８に示す入力デバイスを作製し、その電場応答性を調べた。
測定には、上記のとおり得られた架橋ポリロタキサンゲル１、２（高分子薄膜）を厚さ０．５ｍｍ、幅１０ｍｍ、長さ１０ｍｍの短冊状に切り取り、純水で１日膨潤させた後、高分子薄膜にＬ字型の１対の電圧印加用電極を差し込んで、振動発生部を製造した。本実施例において、架橋ポリロタキサンゲルは符号９２５の部分である。図１１においてＬ3（１対の電圧印加用電極９０３、９０５の間の距離）は１ｍｍである。得られた振動発生部を振動発生部８、９とする。得られた振動発生部８、９を用いて入力デバイスを作製し、これに＋３Ｖの直流電圧を印加したときに実際の指に感じるフィードバックの触感の有無を調べた。結果を第４表に示す。
【００５９】
【表４】
【００６０】
第４表に示す結果から明らかなように、架橋ポリロタキサンゲルを使用せず架橋ポリロタキサンゲル以外の材料を用いた比較例１０〜１２はいずれのサンプルもフィードバックの触感は得られなかった。
これに対して実施例８、９は良好なフィードバックの触感が得られた。特に実施例９はその触感が顕著であった。
【符号の説明】
【００６１】
１００、３００、４１５、７００、７１５、９１５ 振動発生部
１０１、３０１、７０１、９０１、９２５（９０１、９２１、９２３） 架橋ポリロタキサンゲル
１０３、１０５、７０３、７０５、９０３、９０５ １対の電圧印加用電極
３０３、３０５、４０３、４０５ 電圧印加用電極
１０７、３０７、４０７、７０７、９０７ 電源
３０９、４０９ コントローラ
４００、８２１ タッチパネル
７１９、９３５ ボタン
４１１、９１１ 表示画面
４１３、７１３、９１３ 接触検出部
４１７、７１７、９１７ 保護シート
５００、８００ 入力デバイス
８１９、９１９ 隔壁
９２９ 突起部
【技術分野】
【０００１】
本発明はタッチパネルに関する。本発明は、詳細には、架橋点が可動する架橋ポリロタキサンを含有する架橋ポリロタキサンゲルの薄膜において、その薄膜に電圧（特に直流電圧）を印加することにより薄膜上の所望の場所を振動させることができることを新たに見出し、その現象をタッチパネルのディスプレイ表面部分に適用することにより、従来の問題点を解決した触感呈示型のタッチパネルを提供するものである。すなわち、架橋点が可動する架橋ポリロタキサンを含有する架橋ポリロタキサンゲルを用いた触感呈示型の本発明のタッチパネル（入力デバイス）は、操作者が情報の入力操作を行った際、操作者に入力操作に対するフィードバックを部分的な振動により与えることができる。さらに、本発明のタッチパネル（デバイス）は、振動の付与に対して複雑な制御回路を必要とせず、部品点数も大幅に削減できるため、触感呈示を必要とする小型携帯機器の薄型化に大きく貢献する材料デバイスとなり得るものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や携帯情報端末をはじめとする小型電子機器には、操作者が情報の入力操作を行うための入力装置としてタッチパネルが広く用いられるようになっている。この入力装置は、機器に組み込まれた多様な機能を利用するための操作性という観点からは優れた特長を有しているが、操作者が情報の入力操作を行う際、従来のメカニカルな入力装置と比較して入力行為の実行の有無を実感しにくいといった課題を有している。
この点を改善するため、操作者が入力操作を行った際、振動により操作者への入力操作に対するフィードバックを示すものがいくつか提案されている。しかしながら、これらの提案の原理のほとんどは振動モータ等でタッチパネル全体を振動させるものであるため入力装置全体が振動してしまい、誤入力の原因のひとつとして問題視されはじめている(たとえば、画面に複数ボタンが配置されている場合、目的のボタンあるいは目的とは異なるボタンのどちらを押したのか正確に認識できない)。この問題を解決するためたとえば、入力操作を行った場所のみを振動させることで操作者にフィードバックを与える発明が提案されている(特許文献１)。しかしながら、これらの提案は複数個の微細な振動源が必要となり、またそれらを駆動するための回路も複雑になるなど、タッチパネルの構造をより複雑なものにしてしまう問題が新たに生じてしまい、小型化や薄型化を目指す電子機器開発には適さないデバイス構成となってしまう。
一方、入力デバイスの機構部品基材には、材料の持つ柔軟性や加工性に加え、金属材料に比べて軽量であるといった特長から高分子材料が注目され、高分子ゲルの相転移による体積変化（膨張）を利用したアクチュエータ機能を利用した入力デバイスが提案されている(特許文献２)。また本願出願人はこれまでに導電性高分子薄膜を用いるタッチ式入力装置を提案した（特許文献３）。
しかしながら、高分子ゲルを用いた入力デバイスでは、高分子ゲルが、物理架橋や化学架橋により不均一な三次元網目構造のため、溶媒の保持にある程度の膜厚（通常、１ｍｍ以上）が必要となり、デバイスの薄膜化（＜１ｍｍ）と高速応答性が実現できない。また、振動運動を起こす高分子ゲルについても、いくつかの提案があるが（非特許文献１)、いずれも電圧の向きを切り替えるための回路が必要となる。
また高分子材料として、本願出願人はこれまでに、例えばポリエチレングリコールとシクロデキストリンからなるポリロタキサンを用いて、シクロデキストリン部分の架橋により架橋点が可動する架橋ポリロタキサンを含有する架橋ポリロタキサンゲルを提案した（特許文献４）。このゲルは、滑車状の構造を持つ架橋点を有することで優れた触感、耐久性、繰り返し特性を示すゲルとして多くの注目を集めている。
また本願出願人はこれまでにイオン交換能を有する官能基を有する架橋ポリロタキサンゲルを用いる薄膜アクチュエータを提案した（特許文献５）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−６５４５６号公報
【特許文献２】特開平５−３３３１７１号公報
【特許文献３】特開２００５−２８４４８２号公報
【特許文献４】国際公開第２００５／０８０４６９号
【特許文献５】特開２０１０−８６８６４号公報
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】志賀亨他，高分子論文集，４６,７０９（１９８９）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明は、制御回路なしに任意の場所を振動させることができ、薄型化が可能で、加工性や透明性に優れた触感呈示型のタッチパネル用の薄膜を開発し、入力を受け付けたことを知らせることのできる操作性に優れた触感呈示型のタッチパネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願発明者らは、架橋ポリロタキサンゲルが含有する架橋ポリロタキサンの架橋点が可逆的に動くという特徴は、化学ゲルや物理ゲルと比較して、外力による変形に対して均一な網目構造を保持しやすく、このことは振動発生部が薄膜である（＜１ｍｍ）場合においても架橋ポリロタキサンゲル中の溶媒の保持と溶媒移動の制御を容易にするのではないかと考えた。そして、架橋ポリロタキサンゲルに対して電場等の外部刺激に応じて所望の場所を振動させることができれば、上記の問題を解決する薄型のタッチパネルが提供できるものとの発想に至った。
本願発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究した結果、タッチパネルが、架橋点が可動し非イオン性の架橋ポリロタキサンと溶媒とを含有する架橋ポリロタキサンゲルと、前記架橋ポリロタキサンゲルに電圧を印加するための電圧印加用電極とを持つ振動発生部を有し、前記架橋ポリロタキサンゲルに電圧を印加して前記振動発生部を振動させることによって、制御回路なしに任意の場所を振動させることができ、薄型化が可能で、加工性や透明性に優れ、入力を受け付けたことを操作者に知らせることのできる操作性に優れた触感呈示型のタッチパネルとなりうることを見出し、本発明を完成させた。
【０００７】
すなわち、本発明は、下記１〜１６を提供する。
１． 架橋点が可動し非イオン性の架橋ポリロタキサンと溶媒とを含有する架橋ポリロタキサンゲルと、前記架橋ポリロタキサンゲルに電圧を印加するための電圧印加用電極とを持つ振動発生部を有し、前記架橋ポリロタキサンゲルに電圧を印加して前記振動発生部を振動させることを特徴としたタッチパネル。
２． 前記振動発生部の初期の弾性率がヤング率として３０ｋＰａ以下である上記１に記載のタッチパネル。
３． 前記溶媒が水である上記１または２に記載のタッチパネル。
４． 前記印加による振動発生部の振動数が０．４〜１００Ｈｚであり、前記印加による振動発生部の変位の変化量が０．０１ｍｍ以上である上記１〜３のいずれかに記載のタッチパネル。
５． 前記電圧が直流電圧である上記１〜４のいずれかに記載のタッチパネル。
６． 前記架橋ポリロタキサンが、
シクロデキストリン分子の開口部に直鎖状分子が串刺し状に包接され且つ該シクロデキストリン分子が脱離しないように前記直鎖状分子の両末端にブロック基が配置されるポリロタキサンの少なくとも２分子と、架橋剤とを反応させることによって製造され、
前記ポリロタキサンの量が前記架橋剤１質量部に対して１．５〜８質量部である上記１〜５のいずれかに記載のタッチパネル。
７． 前記溶媒と前記架橋ポリロタキサンとの質量比（溶媒：架橋ポリロタキサン）が９９：１〜７０：３０である上記１〜６のいずれかに記載のタッチパネル。
８． 前記架橋ポリロタキサンゲルに含有される架橋ポリロタキサンを製造する際に使用される架橋剤が、アルキレンジオールジグリシジルエーテルである上記１〜７のいずれかに記載のタッチパネル。
９． 前記架橋ポリロタキサンゲルに含有される架橋ポリロタキサンを構成する直鎖状分子の末端が非イオン性のブロック基で封鎖されている上記１〜８のいずれかに記載のタッチパネル。
１０． 前記架橋ポリロタキサンゲルのヤング率が３０ｋＰａ以下である上記１〜９のいずれかに記載のタッチパネル。
１１． さらに、操作時の接触を検出する接触検出部を有する上記１〜１０のいずれかに記載のタッチパネル。
１２． 前記振動発生部がシート状であり、さらに、操作時の接触を検出するシート状の接触検出部と、表示画面とを有し、
該シート状の振動発生部と前記シート状の接触検出部とを前記表示画面上に順次積層し、
前記シート状の振動発生部は前記電圧印加用電極を前記架橋ポリロタキサンゲルの表面と裏面とに有し、前記表面および前記裏面において前記電圧印加用電極はそれぞれ複数の帯状に等間隔で設けられ、前記表面における前記電圧印加用電極と前記裏面における前記電圧印加用電極とが９０度ずれるものであり、
前記電圧印加用電極は、前記接触に応じて前記振動発生部を部分的に振動させるためのコントローラに接続され、
操作時の接触を前記接触検出部で検出すると前記コントローラによって前記シート状の振動発生部に部分的に直流電流が印加され、前記シート状の振動発生部が部分的に振動することにより感触を操作者にフィードバックすることを特徴とした上記１〜１１のいずれかに記載のタッチパネル。
１３． 前記振動発生部がシート状であり、前記電圧印加用電極が１対の電圧印加用電極であり、前記シート状の振動発生部を複数有し、２つの隣り合う振動発生部の間に隔壁を有し、
該シート状の振動発生部と、隔壁とを、シート状の接触検出部の上に順次配置し、
操作時の接触を前記接触検出部で検出すると前記シート状の振動発生部に直流電流が印加され、前記シート状の振動発生部が振動することにより感触を操作者にフィードバックすることを特徴とした上記１〜１１のいずれかに記載のタッチパネル。
１４． 前記振動発生部がシート状であり、前記シート状の振動発生部を複数有し、２つの隣り合う振動発生部の間に隔壁を有し、
該シート状の振動発生部と、隔壁とを、シート状の接触検出部の上に順次配置し、
前記電圧印加用電極は1対の電圧印加用電極であり、前記1対の電圧印加用電極はそれぞれ垂直方向に平面状の部分を少なくとも有する形状であり、前記シート状の振動発生部は前記１対の電圧印加用電極が有する前記垂直方向に平面状の部分をシート状の架橋ポリロタキサンゲルに対して垂直方向に有し、前記１対の電圧印加用電極の間に前記シート状の架橋ポリロタキサンゲルの少なくとも一部または全部があり、前記１対の電圧印加用電極の間にある架橋ポリロタキサンゲルの表面に突起部を有し、前記１対の電圧印加用電極に前記電圧が印加されると前記振動発生部および前記突起部が振動する上記１〜１１のいずれかに記載のタッチパネル。
１５． 前記シート状の接触検出部の下にさらに表示画面を有する上記１３または１４に記載のタッチパネル。
１６． 前記振動発生部の上にさらに保護シートを有する上記１〜１５のいずれかに記載のタッチパネル。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のタッチパネルは、制御回路なしに任意の場所を振動させることができ、薄型化が可能で、加工性や透明性に優れ、入力を受け付けたことを知らせることのできる操作性に優れた触感呈示型のタッチパネルである。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は本発明のタッチパネルに使用される振動発生部の一実施形態の概略を模式的に表す斜視図である。
【図２】図２は振動発生部２の振動回数と変位の変化率との関係を示すグラフである。
【図３】図３は本発明のタッチパネルに使用される振動発生部の別の一実施形態の概略を模式的に表す断面図である。
【図４】図４は本発明のタッチパネルを用いて構成される入力デバイスの一実施形態を模式的に示す概略図である。
【図５】図５は図４に示す入力デバイス５００に使用されるタッチパネル４００を模式的に示す分解斜視図である。
【図６】図６は図４に示す入力デバイス５００に使用されるタッチパネル４００を模式的に表す断面図である。
【図７】図７は本発明のタッチパネルに使用される振動発生部の別の一実施形態の概略を模式的に表す断面図である。
【図８】図８は本発明のタッチパネルを用いて構成される入力デバイスの別の一実施形態を模式的に示す概略図である。
【図９】図９は図８に示すボタン７１９の一実施形態の概略を模式的に示す分解斜視図である。
【図１０】図１０は図８に示すタッチパネル８２１を模式的に表す縦方向の断面図である。
【図１１】図１１は本発明のタッチパネルに使用される振動発生部の別の一実施形態の概略を模式的に表す断面図である。
【図１２】図１２は図８に示すボタンの別の一実施形態の概略を模式的に示す分解斜視図である。
【図１３】図１３は本発明のタッチパネルの別の一実施形態を模式的に示す横方向の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明について以下詳細に説明する。
本発明のタッチパネルは、
架橋点が可動し非イオン性の架橋ポリロタキサンと溶媒とを含有する架橋ポリロタキサンゲルと、前記架橋ポリロタキサンゲルに電圧を印加するための電圧印加用電極とを持つ振動発生部を有し、前記架橋ポリロタキサンゲルに電圧を印加して前記振動発生部を振動させることを特徴としたタッチパネルである。
【００１１】
振動発生部について以下に説明する。本発明のタッチパネルが有する振動発生部は、架橋点が可動し非イオン性の架橋ポリロタキサンと溶媒とを含有する架橋ポリロタキサンゲルと、前記架橋ポリロタキサンゲルに電圧を印加するための電圧印加用電極とを持ち、前記架橋ポリロタキサンゲルに電圧を印加して前記架橋ポリロタキサンゲルを振動させる。
【００１２】
架橋ポリロタキサンゲルについて以下に説明する。振動発生部に使用される架橋ポリロタキサンゲルは、架橋点が可動し非イオン性の架橋ポリロタキサンと溶媒とを含有するゲルである。
本発明において使用された架橋ポリロタキサンは、２個以上のポリロタキサン分子を有してなり、ポリロタキサン分子が有する環状分子同士が化学結合を介して架橋する架橋ポリロタキサンである。
架橋ポリロタキサンゲルを製造する際に使用されるポリロタキサン分子は「回転子」としての２つ以上の環状分子、該環状分子の開口部を串刺し状にして包接される「軸」としての直鎖状分子、及び該串刺し状の環状分子が脱離しないように該直鎖状分子の両端に位置するブロック基を有する。
架橋ポリロタキサンが非イオン性であるとは、詳細には、架橋ポリロタキサンゲルを構成するブロック基が非イオン性である（例えば、ブロック基自体が非イオン性である、ブロック基が有する置換基が非イオン性である）ことを意味する。本発明において、架橋ポリロタキサンが有するブロック基は、イオン性の官能基（例えば、カルボキシル基、スルホ基、アミノ基、これらの塩）ではなく、イオン性の官能基を有さない。
【００１３】
架橋ポリロタキサンを製造する際に使用される直鎖状分子（架橋ポリロタキサンの主鎖を構成する。）としては、例えば、ポリビニルアルコールやポリビニルピロリドン、ポリ（メタ）アクリル酸、セルロース系樹脂（カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース等）、ポリアクリルアミド、ポリエチレンオキサイド、ポリエチレングリコール、ポリビニルアセタール系樹脂、ポリビニルメチルエーテル、ポリアミン、ポリエチレンイミン、カゼイン、ゼラチン、でんぷん等及び／またはこれらの共重合体のような親水性ポリマー；ポリエチレン、ポリプロピレン、およびその他オレフィン系単量体との共重合樹脂などのポリオレフィン系樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレンやアクリロニトリル−スチレン共重合樹脂等のポリスチレン系樹脂、ポリメチルメタクリレートや（メタ）アクリル酸エステル共重合体、アクリロニトリル−メチルアクリレート共重合樹脂などのアクリル系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合樹脂、ポリビニルブチラール樹脂のような疎水性ポリマー；及びこれらの誘導体又は変性体（例えば、末端がカルボン酸変性されたもの）を挙げることができる。
これらのうち、再現安定性（振動の発生を再現する安定性。以下同様）に優れるという観点から、ポリエチレングリコール、ポリイソプレン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン、ポリプロピレングリコール、ポリテトラヒドロフラン、ポリジメチルシロキサン、ポリエチレン、及びポリプロピレンが好ましく、特にポリエチレングリコールであるのが好ましい。
架橋ポリロタキサンを製造する際に使用される原料としての直鎖状分子の重量平均分子量は、再現安定性に優れるという観点から、１万以上であるのがよく、好ましくは２万以上、より好ましくは３．５万以上であるのがよい。直鎖状分子の重量平均分子量は２０万以下とすることができる。本発明において直鎖状分子の重量平均分子量は、ジメチルスルホキシドを溶媒とするゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）によりポリエチレンオキシド換算で表わされるものである。
【００１４】
架橋ポリロタキサンを構成するブロック基としては、例えば、２,４−ジニトロフェニル基、３,５−ジニトロフェニル基などのジニトロフェニル基類、シクロデキストリン類、アダマンタン基類、トリチル基類、フルオレセイン類及びピレン類、並びにこれらの誘導体又は変性体を挙げることができる。より具体的には、環状分子としてα−シクロデキストリン、及び直鎖状分子としてポリエチレングリコールを用いる場合、ブロック基を、シクロデキストリン類、２,４−ジニトロフェニル基、３,５−ジニトロフェニル基などのジニトロフェニル基類、アダマンタン基類、トリチル基類、フルオレセイン類及びピレン類、並びにこれらの誘導体又は変性体とすることができる。
また、架橋ポリロタキサンを構成する直鎖状分子の末端は非イオン性のブロック基で封鎖されているのが好ましい態様の１つとして挙げられる。架橋ポリロタキサンを構成する直鎖状分子はその末端において、例えば、エステル結合、アミド結合を介してブロック基と結合することができる。ブロック基は、再現安定性に優れるという観点から、非イオン性のもの、かさ高いものであるのが好ましく、アダマンタン基類がより好ましい。非イオン性のブロック基、かさ高いブロック基としては上記のブロック基と同様のものが挙げられる。
【００１５】
架橋ポリロタキサンを構成する環状分子は、ポリロタキサン分子が有する環状分子同士（少なくとも２個の環状分子）が化学結合（単結合、有機基）を介して架橋するものを含む。有機基は特に制限されない。有機基は例えば、脂肪族炭化水素基（脂肪族炭化水素基は鎖状、分岐状、環状、これらの組み合わせのいずれであってもよく、不飽和結合を有することができる。）、芳香族炭化水素基、これらの組み合わせのいずれであってもよく、酸素原子、窒素原子、硫黄原子のようなヘテロ原子を有することができる。有機基としては、例えば、下記の架橋剤と、ポリロタキサンが有する環状分子が持つ、架橋剤と反応可能な官能基との反応により形成されるものが挙げられる。
架橋ポリロタキサンを構成する環状分子は少なくともその一部が架橋剤によって架橋されていればよい。また、架橋剤はその官能基の１つだけが架橋ポリロタキサンを構成する環状分子と反応することができる。この場合架橋剤が有する残りの官能基は環状分子とは未反応なので、１つの架橋剤は１つの環状分子を修飾するのみであり、環状分子同士を架橋しない。
架橋ポリロタキサンを製造する際に使用される環状分子は、環状構造、および架橋剤と反応し得る官能基を有する化合物であれば特に制限されない。架橋剤と反応し得る官能基としては、例えば、ヒドロキシ基、カルボキシル基が挙げられる。環状分子は具体的には例えば、種々のシクロデキストリン類（例えばα−シクロデキストリン、β−シクロデキストリン、γ−シクロデキストリン、ジメチルシクロデキストリン及びグルコシルシクロデキストリン、これらの誘導体又は変性体など）、クラウンエーテル類、ベンゾクラウン類、ジベンゾクラウン類、及びジシクロヘキサノクラウン類、並びにこれらの誘導体又は変性体を挙げることができる。これらのうち、架橋反応に利用できる水酸基が豊富に存在するという点、再現安定性に優れるという観点から、シクロデキストリン類が好ましく、特に、α−シクロデキストリンであることが好ましい。
架橋ポリロタキサンを製造する際に使用されるポリロタキサンの包接率は、初期の弾性率が適切な範囲となり、電圧印加による振動がより大きく、再現安定性に優れるという観点から、０．０１〜０．６であるのが好ましく、０．０１〜０．５であるのがより好ましい。本発明において、包接率は環状分子が直鎖状分子に串刺し状に包接される際に直鎖状分子に包接される環状分子の個数について、直鎖状分子が環状分子を最大限に包接できる個数（計算値）を１（基準値）とした場合の基準値に対する値である。実際に製造されたポリロタキサン中の環状分子の数はＮＭＲによって測定することができる。
なお、架橋ポリロタキサンを構成する環状分子は非イオン性基によって修飾されていてもよい。環状分子（例えばシクロデキストリン）を修飾する非イオン性基、環状分子（例えばシクロデキストリン）を非イオン性基で修飾する方法については、例えば、国際公開第２００５／０８０４６９号に記載されたものが挙げられる。
【００１６】
架橋ポリロタキサンゲルを製造する際に使用される架橋剤は、環状分子が有する官能基と反応可能な基を２個以上有する化合物であれば特に制限されない。環状分子が有する官能基と反応可能な基としては、例えば、ハロゲン原子、エポキシ基、アルデヒド基、カルボキシル基、イソシアネート基、イミダゾール基、ビニル基が挙げられる。架橋剤としては具体的には例えば、塩化シアヌル、トリメソイルクロリド、テレフタロイルクロリド、エピクロロヒドリン、ジブロモベンゼン、グルタールアルデヒド、フェニレンジイソシアネート、ジイソシアン酸トリレン（例えば２,４−ジイソシアン酸トリレン）、１，１′-カルボニルジイミダゾール、ジグリシジルエーテル（例えば、ブタンジオールジグリシジルエーテルのようなアルキレンジオールジグリシジルエーテル）及びジビニルスルホンなどを挙げることができる。
なかでも、再現安定性に優れ、水溶性の溶媒と相溶できる点で好ましいことから、アルキレンジオールジグリシジルエーテルが好ましく、ブタンジオールジグリシジルエーテルがより好ましい。
【００１７】
原料としてのポリロタキサンの量は、初期の弾性率が適切な範囲となり、電圧印加による振動がより大きくなり、再現安定性に優れるという観点から、架橋剤１質量部に対して、１．５〜８．０質量部であるのが好ましく、２．０〜６．０質量部であるのがより好ましい。
【００１８】
架橋ポリロタキサンは、再現安定性に優れるという観点から、直鎖状分子（架橋ポリロタキサンの主鎖）が、ポリエチレングリコール、ポリイソプレン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン、ポリプロピレングリコール、ポリテトラヒドロフラン、ポリジメチルシロキサン、ポリエチレン及びポリプロピレンからなる群から選ばれる少なくとも１種であり、ブロック基がアダマンタン基類であり、直鎖状分子の末端はエステル結合および／またはアミド結合を介してブロック基と結合し、環状分子がシクロデキストリンであり、環状分子の少なくとも一部がアルキレンジオールジグリシジルエーテルによって架橋されているのが好ましい。
【００１９】
架橋ポリロタキサンゲルはその製造について特に制限されない。例えば、シクロデキストリン分子の開口部に直鎖状分子が串刺し状に包接され且つ該シクロデキストリン分子が脱離しないように前記直鎖状分子の両末端にブロック基が配置されるポリロタキサンの少なくとも２分子と、架橋剤とを反応させることによって製造する方法が好ましい態様の１つとして挙げられる。
【００２０】
また、ポリロタキサンを架橋させる架橋反応と、得られた架橋ポリロタキサンのゲル化を１つの工程で行う方法としては、例えば、原料としてのポリロタキサンと架橋剤との反応を溶媒中において行う方法が挙げられる。具体的には例えば、モールドにゲル化時の溶媒（例えば、水、水酸化ナトリウム水溶液）、ポリロタキサン、および架橋剤を入れて、室温〜５０℃の条件下において１０〜３０時間架橋反応およびゲル化を行う方法が挙げられる。架橋反応後、必要に応じて、モールドから架橋ポリロタキサンゲルを取り出し、これを水で洗浄し、２日間水置換を行うことができる。
なお、本発明において溶媒量および系内における架橋剤濃度を一定にして、ポリロタキサンの量を変更することで、架橋ポリロタキサンゲルの架橋密度を制御することができる。この架橋系において架橋剤はポリロタキサンと反応しながら、溶媒によっても失活する。つまり、速度論的に、反応できるポリロタキサンサイトが多ければ、架橋剤はポリロタキサンとより多く反応し、架橋ポリロタキサンゲルの架橋密度をより高くすることができる。本発明において、溶媒として１．５Ｎの水酸化ナトリウム水溶液３．５ｍＬを使用し、系内の架橋剤濃度を０．２１モル／Ｌ（架橋剤がブタンジオールジグリシジルエーテルである場合その使用量：１４０μＬ）とし、系内のポリロタキサンの量を０．２〜１．２ｇとすることによって架橋ポリロタキサンゲルの架橋密度を調製することができる。本発明において使用される架橋ポリロタキサンゲルは、架橋ポリロタキサンゲルの架橋密度を制御することができ、架橋密度が高く振動をより顕著にすることができるという観点から、上記の方法で架橋されたものであるのが好ましい。
【００２１】
本発明において、得られた架橋ポリロタキサンゲルの架橋密度を表す指標として、架橋ポリロタキサンゲルのヤング率を採用した。架橋ポリロタキサンゲルの製造の際、一定濃度の架橋剤に対して使用するポリロタキサンの量が多いほど、架橋ポリロタキサンゲルの架橋密度を高くすることができ、架橋ポリロタキサンゲルのヤング率を高くすることができる。架橋ポリロタキサンゲルのヤング率については後述する。
【００２２】
ポリロタキサンと架橋剤との反応もしくはゲル化に使用することができる溶媒、および／または架橋ポリロタキサンゲルを膨潤させる溶媒としてはプロトン性の極性溶媒を用いることができる。すなわち、水、エタノール、メタノール、２級および３級のアルコール類、ポリエチレングリコールなどを用いることができる。なかでも、初期の弾性率が適切な範囲となり、電圧印加による振動がより大きく、再現安定性に優れるという観点から、特に水が好ましい。ポリロタキサンと架橋剤との反応に使用することができる溶媒として水を使用する場合、水は水酸化ナトリウムのようなアルカリを含有することができる。
架橋ポリロタキサンゲルを製造する際に使用されるポリロタキサンはその製造について特に制限されない。例えば国際公開第２００５／０５２０２６号、国際公開第２００５／０８０４６９号に記載された方法によって製造することができる。
架橋ポリロタキサンゲルおよびその製造方法については例えば国際公開第２００５／０８０４６９号を本願明細書に援用しこれに記載されたものを本発明において使用することができる。
【００２３】
得られた架橋ポリロタキサンゲルにおいて、前記溶媒と前記架橋ポリロタキサンとの質量比（溶媒：架橋ポリロタキサン）は、初期の弾性率が適切な範囲となり、電圧印加による振動がより大きく、再現安定性に優れるという観点から、９９：１〜７０：３０であるのが好ましく、９５：５〜８０：２０であるのがより好ましく、９０：１０〜８５：１５であるのがさらに好ましい。
架橋ポリロタキサンは溶媒を含むことにより膨潤することができる。膨潤時又は膨潤前の架橋ポリロタキサン濃度、即ち、架橋ポリロタキサンゲルの単位体積あたりの架橋ポリロタキサンの量は、初期の弾性率が適切な範囲となり、電圧印加による振動がより大きく、再現安定性に優れるという観点から、０．０２〜０．４０ｇ／ｃｍ3、好ましくは０．０４〜０．３０ｇ／ｃｍ3、より好ましくは０．０８〜０．２０ｇ／ｃｍ3であるのがよい。
架橋ポリロタキサンゲルはそれぞれ単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。
架橋ポリロタキサンゲルの厚さは１ｍｍ以下とすることができ、１ｍｍ未満であるのが好ましい。また機械的強度を確保できるという観点から０．３ｍｍ以上であるのが好ましい。
架橋ポリロタキサンゲルの弾性率（印加なしの条件下）は、再現安定性に優れるという観点から、ヤング率として３０ｋＰａ以下であるのが好ましい。本願発明者らは、架橋ポリロタキサンゲルの弾性率が上記のような範囲である場合、電圧を印加することによって架橋ポリロタキサンゲルがより振動しやすいことを見出した。
【００２４】
振動発生部に使用される電極について以下に説明する。振動発生部に使用される電極はその材料について特に制限されない。例えば、（ｉ）活性炭、カーボンブラック、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ、気相成長炭素繊維等の炭素材料、（ｉｉ）金、白金、イリジウム、パラジウム、ルテニウム、銀、銅、ニッケルなどの金属類、（ｉｉｉ）酸化ルテニウム、酸化チタン、酸化スズ、二酸化イリジウム、酸化タンタル、酸化バナジウム、酸化モリブデンなどの金属酸化物、（ｉｖ）ポリアセチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリチオフェン及びこれらの誘導体などのπ共役系導電性高分子などを用いることができる。これらは単独で用いてもよいし、複数を組み合わせてもよい。
電極の厚さは特に制限されない。１０μｍ以下とすることができる。
本発明のタッチパネルに使用される架橋ポリロタキサンゲルの特徴のひとつとして、その高い透明性が挙げられる。前記電極材料として取り上げた酸化インジウムに少量の酸化スズを混ぜたＩＴＯやπ共役系導電性高分子を用いた電極は透明性も高いため、これらの電極を付与することで透明な触感呈示型の振動発生部を得ることができる。
電極の形成方法としては特に制限はなく、公知の方法を用いることができる。すなわち、真空蒸着法、スパッタリング法、電解メッキ法、無電解メッキ法、印刷法、適切なバインダー中に電極材料を溶解もしくは分散させたインキを架橋ポリロタキサンゲル上に塗布する方法、架橋ポリロタキサンゲルと別途作製した電極シート又は金属箔膜とを圧着または溶着により貼り合せる方法、金属板（例えばＬ字状などの形状のもの、薄膜のもの）を架橋ポリロタキサンゲルに差し込む方法などが挙げられる。特に、金を用いた無電解メッキ法は、電極形成の容易性と形成された電極の安定性の観点から、好適に用いられる。金を用いた無電解メッキ法は従来公知のものが挙げられ、例えば、電極は以下に示す（ａ）〜（ｅ）の工程を、３〜５回繰り返すことで作製することができる。
（ａ）架橋ポリロタキサンゲルの洗浄工程、（ｂ）架橋ポリロタキサンゲルの膨潤工程、（ｃ）架橋ポリロタキサンゲルへの金属イオンの吸着工程、（ｄ）金属イオンの還元工程、（ｅ）電極を有する架橋ポリロタキサンゲルの洗浄工程
振動発生部は架橋ポリロタキサンゲルと電圧印加用電極とを持つものであれば特に制限されない。電圧印加用電極は例えば、１対［１つの電極（正極）に対して１つの電極（負極）］として、または複数の電極（正極）に対して複数の電極（負極）を配置することができる。電圧印加用電極の位置は、例えば、架橋ポリロタキサンゲルの表面上の左右の端部、架橋ポリロタキサンゲルの上下面、架橋ポリロタキサンゲルの両側面、架橋ポリロタキサンゲルの内部とすることができる。
電圧印加用電極の位置が架橋ポリロタキサンゲルの上下面である場合、電圧印加用電極の間の距離は１ｍｍ以下とすることができ、１ｍｍ未満であるのが好ましい。
電圧印加用電極の位置が架橋ポリロタキサンゲルの表面上の左右の端部、架橋ポリロタキサンゲルの両側面、架橋ポリロタキサンゲルの内部である場合、電圧印加用電極の間の距離は５ｍｍ以下とすることができる。
なお正極および／または負極の電極を複数有する場合、隣り合う同じ極の電極の間の距離は特に制限されず、１．５〜１９ｍｍとすることができる。
【００２５】
本発明のタッチパネルは、架橋ポリロタキサンゲルに電圧を印加して前記架橋ポリロタキサンゲルを、つまりは振動発生部を振動させる。
本発明において、架橋ポリロタキサンゲルまたは振動発生部のヤング率は原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ；ＡＦＭ）を用いて測定された。ある架橋ポリロタキサンゲルとこの架橋ポリロタキサンゲルを持つ振動発生部とにおいて、両者の初期（印加なし）のヤング率はＡＦＭによる測定の場合同じまたはほぼ同等とすることができる。
本発明において、振動発生部（架橋ポリロタキサンゲル）に印加するための電圧は直流電圧であるのが好ましい（この場合電源は直流電源とすることができる。）。電源は−３〜＋３Ｖの電圧を電極間に印加することができる。電圧は、電圧印加による架橋ポリロタキサンゲル（振動発生部）の振動を大きくすることができるという観点から、電圧の絶対値が大きいことが好ましく、電圧の絶対値が２Ｖを超えるのがより好ましい。電圧の印加は、接触操作に関する、機器の回路からの制御信号に応じてコントローラを用いて制御することができる。
【００２６】
振動発生部の初期（電圧を印加しない状態）の弾性率は、電圧印加による振動がより大きく、再現安定性に優れるという観点から、ヤング率として３０ｋＰａ以下であるのが好ましい。
初期（電圧を印加しない状態）における振動発生部の弾性率が上記のような範囲である場合、振動発生部が電圧の印加によってより振動することができる。
【００２７】
印加による振動発生部（架橋ポリロタキサンゲル）の振動数は、操作者が振動を明確に感知できるという観点から、０．４〜１００Ｈｚであるのが好ましく、０．４０〜０．５５Ｈｚであるのがより好ましい。
印加による振動発生部（架橋ポリロタキサンゲル）の変位の変化量（電圧印加時に架橋ポリロタキサンゲルが振動で変形したときの変位と、変形していないときとの変位の差）は、操作者が振動を明確に感知できるという観点から、０．０１ｍｍ以上であるのが好ましい。
【００２８】
振動発生部（または架橋ポリロタキサンゲル）はその形状について特に制限されない。例えば、平板状（平板状）、ドーム状、円筒状、半円筒状、シート状とすることができる。架橋ポリロタキサンゲルを上記の形状に対応するモールド内で製造することによって、所望の形状を有する架橋ポリロタキサンゲルを得ることができる。
【００２９】
振動発生部における電圧印加用電極の形状として例えば、平板状（平面状）、帯状のものが挙げられる。電圧印加用電極の形状が帯状である場合、片方の電極の配置をもう片方の電極に対して９０度ずらすことができる。電極は架橋ポリロタキサンゲルの、例えば、上下、左右に配置することができる。電圧印加用電極の形状が帯状である場合、正極の電極および／または負極の電極を複数とすることができる。
【００３０】
本発明のタッチパネルはさらに、操作時の接触を検出する接触検出部および／または表示画面を有するのが好ましい態様として挙げられる。
本発明のタッチパネルにおいて、接触検出部（操作者による入力を検知するセンサー）としてはタッチパネルを用いることができる。本発明のタッチパネルにおいて、接触検出部として使用されるタッチパネルは、パネルに接触した操作者の指を検出して操作者による入力を検知する入力手段である。接触検出部として使用されるタッチパネルの具体的構成としては、接触圧力が加わった位置を検出する抵抗膜感圧方式のもの、および接触により表面を伝播する表面弾性波を検出する表面弾性波方式のものを使用しても良い。さらに、赤外線発光ダイオードとフォトトランジスタからなるセンサーを多数設けた赤外線検出方式のタッチパネルを使用することもできる。
また、本発明のタッチパネルはさらにコントローラを有するのが好ましい態様の１つとして挙げられる。コントローラは、検知した操作者の押圧に応じて所望の場所（振動発生部）を振動させるために、電極に電圧をかける場所をコントロールして瞬時(１秒以内)に振動発生部（電極システム）に電圧を印加し、架橋ポリロタキサンゲル（薄膜）を振動させる。これにより操作者はタッチパネルを押したことを知覚することができる。
【００３１】
本発明のタッチパネルは振動発生部を部分的に振動させることができる。具体的には例えば、１つのタッチパネルが１つの振動発生部を有する場合振動発生部の１部分を振動させる態様、１つのタッチパネルが複数の振動発生部を有する場合個々の振動発生部を振動させる態様が挙げられる。
【００３２】
振動発生部を添付の図面を用いて以下に説明する。なお本発明は添付の図面に制限されない。
図１は本発明のタッチパネルに使用される振動発生部の一実施形態の概略を模式的に表す斜視図である。図１において、振動発生部（電極システム）１００はシート状の架橋ポリロタキサンゲル１０１と、架橋ポリロタキサンゲル１０１の上下面の端部（図示せず）にあり架橋ポリロタキサンゲル１０１に電圧を印加するための１対の電圧印加用電極１０３、１０５と、１対の電圧印加用電極１０３、１０５に電圧を印加する電源１０７とを有する。振動発生部１００の動作は、まず、操作者の接触操作に関する機器の回路（図示せず。）からの制御信号によって電源１０７が１対の電圧印加用電極１０３、１０５を介して電圧を架橋ポリロタキサンゲル１０１に印加し、架橋ポリロタキサンゲル１０１が振動し、操作者が振動発生部１００の振動を感知することができる。
【００３３】
図３は本発明のタッチパネルに使用される振動発生部の別の一実施形態の概略を模式的に表す断面図である。図３において、振動発生部（電極システム）３００はシート状であり、シート状の架橋ポリロタキサンゲル３０１（厚さ１ｍｍ以下）と、電圧印加用電極３０３、３０５を架橋ポリロタキサンゲル３０１の表面と裏面とにそれぞれ有し、電圧印加用電極３０３、３０５はそれぞれ複数の帯状に等間隔で設けられ、電圧印加用電極３０３と電圧印加用電極３０５とはその配置が９０度ずれており、電圧印加用電極３０３、３０５に電圧を印加するための電源３０７（直流電源）とを有し、所望の場所を振動させるために電圧印加用電極３０３、３０５に電圧をかける場所をコントロールするコントローラ３０９を有する。
帯状の電極の幅（Ｌ１）は０．４〜４．８ｍｍであるのが好ましい。
隣り合う帯状の電極の間（Ｌ２）は１．５〜１９．０ｍｍであるのが好ましい。
振動発生部３００の動作は、まず、操作者の接触操作に関する機器の回路（図示せず。）からの制御信号によってコントローラ３０９が作動し所望の場所を振動させるように電源３０７から電圧印加用電極３０３のいずれかの帯と、電圧印加用電極３０５のいずれかの帯との間に選択的に電圧を印加して、架橋ポリロタキサンゲル３０１のなかの所望の部分（操作者が接触した部分）が振動して、操作者が振動発生部３００の部分的な振動を感知することができる。
【００３４】
図７は本発明のタッチパネルに使用される振動発生部の別の一実施形態の概略を模式的に表す断面図である。図７において、振動発生部７００（電極システム）は、架橋ポリロタキサンゲル７０１（厚さ１ｍｍ以下）と、架橋ポリロタキサンゲル７０１の両表面に平板状（平面状）に設けられた１対の電圧印加用電極７０３、７０５、電圧を印加する直流電源７０７から構成される。
振動発生部７００の動作は、まず、操作者の接触操作に関する機器の回路（図示せず。）からの制御信号によって電源７０７から１対の電圧印加用電極７０３、７０５を介して電圧を架橋ポリロタキサンゲル７０１に印加し、架橋ポリロタキサンゲル７０１が振動して、操作者が振動発生部７００の振動を感知することができる。
【００３５】
図１１は本発明のタッチパネルに使用される振動発生部の別の一実施形態の概略を模式的に表す断面図である。図１１において、振動発生部９１５は架橋ポリロタキサンゲル９２５（厚さ１ｍｍ以下）と、１対の電圧印加用電極９０３、９０５、電圧を印加する直流電源９０７から構成される。また１対の電圧印加用電極９０３、９０５はそれぞれ垂直方向に平面状の部分を少なくとも有する形状（図１１においてはＬ字型）であり、シート状の振動発生部９１５は１対の電圧印加用電極９０３、９０５をシート状の架橋ポリロタキサンゲル９２５に対して垂直方向に有し、１対の電圧印加用電極９０３、９０５の間にシート状の架橋ポリロタキサンゲル９２５の少なくとも一部または全部があり、１対の電圧印加用電極９０３、９０５の間にある架橋ポリロタキサンゲル９０１の表面に突起部９２９を有する。架橋ポリロタキサンゲル９０１がその表面に突起部９２９を有することによって操作者が振動を顕著に感じることができる。符号９２１、９２３の部分を架橋ポリロタキサンゲル以外の材料とすることができる。架橋ポリロタキサンゲル９２５は符号９２１、９２３の部分を有さなくてもよい。突起部９２９は架橋ポリロタキサンゲル９２５と一体的に形成することができる。突起部９２９は架橋ポリロタキサンゲル９２９と同じ材質でも異なる材質であってもよい。
振動発生部９１５の動作は、まず、操作者の接触操作に関する機器の回路（図示せず。）からの制御信号によって電源９０７から１対の電圧印加用電極９０３、９０５を介して電圧を架橋ポリロタキサンゲル９２５または９０１に印加し、１対の電圧印加用電極９０３、９０５に電圧が印加されると架橋ポリロタキサンゲル９２５および突起部９２９が振動して、操作者が振動発生部９１５および突起部９２９の振動を感知することができる。
【００３６】
本発明のタッチパネルは触感呈示型の入力デバイスを構成する素子構造として使用することができる。
本発明のタッチパネル、およびこれを用いて構成される入力デバイスについて添付の図面を用いて以下に説明する。本発明は添付の図面に制限されない。
図４は本発明のタッチパネルを用いて構成される入力デバイス（装置構成）の一実施形態を模式的に示す概略図である。図４において、入力デバイス５００はタッチパネル４００（本発明のタッチパネル）を１つ有する。
図５は図４に示す入力デバイス５００に使用されるタッチパネル４００を模式的に示す分解斜視図であり、図６は図４に示す入力デバイス５００に使用されるタッチパネル４００を模式的に表す断面図である。
【００３７】
図５（図６）において、タッチパネル４００は、振動発生部４１５がシート状であり、シート状の振動発生部４１５と、さらに、操作時の接触を検出するシート状の接触検出部４１３と、表示画面４１１とを有し、
シート状の振動発生部４１５とシート状の接触検出部４１３とを表示画面４１１上に順次積層し、
シート状の振動発生部４１５は電圧印加用電極４０３、４０５を架橋ポリロタキサンゲル４０１の表面と裏面とに有し、前記表面および前記裏面において電圧印加用電極４０３、４０５はそれぞれ複数の帯状に等間隔で設けられ、前記表面における電圧印加用電極４０３と前記裏面における電圧印加用電極４０５とが９０度ずれるものであり、
前記電圧印加用電極４０３、４０５は、前記接触に応じて振動発生部４１５を部分的に振動させるためのコントローラ４０９に接続され、
操作時の接触を接触検出部４１３で検出するとコントローラ４０９によって電源４０７からシート状の振動発生部４１５に部分的に直流電流が印加され、シート状の振動発生部４１５が部分的に振動することにより感触を操作者にフィードバックすることができる。
振動発生部４１５には図３に示す振動発生部３００を用いる。振動発生部４１５の上に必要に応じて保護シート４１７を配置することができる。
タッチパネル４００の動作は、まず、操作時の接触を接触検出部４１３で検出すると、操作者の接触操作に関する機器の回路（図示せず。）からの制御信号によってコントローラ４０９が作動し所望の場所を振動させるように電源４０７から電圧印加用電極４０３のいずれかの帯と、電圧印加用電極４０５のいずれかの帯との間に選択的に電圧を印加して、振動発生部４１５（架橋ポリロタキサンゲル４０１）のなかの所望の部分（操作者が接触した部分）が振動して、感触を操作者にフィードバックすることができる。
【００３８】
本発明において、コントローラは、検知した操作者の押圧に応じて瞬時(１秒以内)に電極システムに部分的に電圧を印加し、架橋ポリロタキサンゲル（薄膜）を部分的に振動させることができる。これにより操作者はタッチパネルを押したことを知覚することができる。
【００３９】
図８は本発明のタッチパネルを用いて構成される入力デバイス（装置構成）の別の一実施形態を模式的に示す概略図である。図８において、入力デバイス８００はボタン７１９（振動発生部７１５）を複数有し、２つの隣り合うボタン７１９（振動発生部７１５）の間に隔壁８１９を有するタッチパネル８２１を持つ。図８に示すタッチパネル８２１は複数のボタン７１９（振動発生部７１５）と隔壁８１９とを有することによって各振動発生部７１５（架橋ポリロタキサンゲル７０１）を振動させることができ、これによって部分的なタッチパネルの振動を実現することができる。
本願明細書において隔壁は少なくとも隣り合う振動発生部の間に配置されればよく、隣り合うボタンの間に配置することもできる。
【００４０】
図９は図８に示すボタン７１９の一実施形態の概略を模式的に示す分解斜視図であり、図１０は図８に示すタッチパネル８２１を模式的に表す縦方向の断面図である。
図９において、ボタン７１９は、振動発生部７１５（７００）とシート状の接触検出部７１３とを順次配置（積層）する。振動発生部７１５はシート状であり、振動発生部７１５には図７に示す振動発生部７００を用いる。振動発生部７１５の上に必要に応じて保護シート７１７を配置することができる。接触検出部７１３の下に必要に応じて表示画面（図示せず。）を配置することができる。
ボタン７１９の動作は、まず、操作時の接触を接触検出部７１３で検出すると１対の電圧印加用電極７０３、７０５を介してシート状の振動発生部７１５に直流電流が印加され、シート状の振動発生部７１５（架橋ポリロタキサンゲル７０１）が振動することにより感触を操作者にフィードバックすることができる。
図１０において、タッチパネル８２１は、振動発生部７１５がシート状であり、電圧印加用電極が１対の電圧印加用電極７０３、７０５であり、シート状の振動発生部７１５を複数有し、２つの隣り合う振動発生部７１５の間に隔壁８１９を有し、
シート状の振動発生部７１５と、隔壁８１９とを、シート状の接触検出部７１３の上に順次配置し、
操作時の接触を接触検出部７１３で検出するとシート状の振動発生部７１５に直流電流が印加され、シート状の振動発生部７１５が振動することにより感触を操作者にフィードバックすることができる。
タッチパネル８２１は２つの隣り合う振動発生部７１５（少なくとも隣り合う架橋ポリロタキサンゲル７０１）の間に隔壁８１９を有する。本発明において、保護シートはフィルム状の絶縁材から形成されている。接触検出部７１３の下に必要に応じて表示画面（図示せず。）を配置することができる。
【００４１】
図１３は本発明のタッチパネルの別の一実施形態を模式的に示す横方向の断面図である。図１３は、図８に示すボタン７１９に使用される振動発生部に、図１１に示す振動発生部を適用したケースである。
図１３において、タッチパネル８２１は、振動発生部９１５がシート状（ほぼシート状）であり、シート状の振動発生部９１５を複数有し、２つの隣り合う振動発生部９１５の間に隔壁９１９を有し、
シート状の振動発生部９１５と、隔壁９１９とを、シート状の接触検出部９１３の上に順次配置し、
電圧印加用電極は１対の電圧印加用電極９０３、９０５であり、１対の電圧印加用電極９０３、９０５はそれぞれ垂直方向に平面状の部分を少なくとも有する形状（Ｌ字型）であり、シート状の振動発生部９１５は１対の電圧印加用電極９０３、９０５が有する前記垂直方向に平面状の部分をシート状の架橋ポリロタキサンゲル９２５に対して垂直方向に有し、１対の電圧印加用電極９０３、９０５の間にシート状の架橋ポリロタキサンゲル９２５の少なくとも一部または全部があり、１対の電圧印加用電極９０３、９０５の間にある架橋ポリロタキサンゲル９２５の表面に突起部９２９を有し、１対の電圧印加用電極９０３、９０５に電圧が印加されると振動発生部９１５（架橋ポリロタキサンゲル９２５）および突起部９２９が振動することができる。
図１３において、タッチパネル８２１は振動発生部９１５を複数有し、２つの隣り合う振動発生部９１５（または少なくとも架橋ポリロタキサンゲル９２５）の間に隔壁９１９を有し、振動発生部９１５と、隔壁９１９とをシート状の接触検出部９１３の上に順次配置（積層）する。必要に応じて保護シート９１７、表示画面９１１を有することができる。タッチパネル８２１は複数の振動発生部９１５と隔壁９１９とを有することによって部分的に振動発生部９１５（架橋ポリロタキサンゲル９２５）を振動させることができる。タッチパネル８２１は個々の振動発生部９１５を１つのボタン９３５として有することができる。
【００４２】
図１２は図８に示すボタンの別の一実施形態の概略を模式的に示す分解斜視図である。
図１２において、ボタン９３５（７１９）は、振動発生部９１５と、保護シート９１７を順次シート状の接触検出部９１３の上に配置（積層）する。振動発生部９２５は、垂直方向に平面状の部分を有する1対の電圧印加用電極９０３、９０５（Ｌ字型）を有し、シート状の振動発生部９２５は１対の電圧印加用電極９０３、９０５が有する垂直方向に平面状部分をシート状の架橋ポリロタキサンゲル９２５に対して垂直方向に有し、１対の電圧印加用電極９０３、９０５の間にシート状の架橋ポリロタキサンゲルの少なくとも一部または全部があり、１対の電圧印加用電極９０３、９０５の間にある架橋ポリロタキサンゲル９０１の表面に突起部９２９を有する。振動発生部９１５は符号９２１、符号９２３の部分において架橋ポリロタキサンゲルを有さなくてもよい。この場合符号９２１の部分だけを架橋ポリロタキサンゲルとすることができる。接触検出部９１３の下に必要に応じて表示画面（図示せず。）を配置することができる。
ボタン９３５の動作は、まず、操作時の接触を接触検出部９１３で検出すると１対の電圧印加用電極９０３、９０５に電圧が印加され、振動発生部９１５および突起部９２９が振動して感触を操作者にフィードバックすることができる。
【実施例】
【００４３】
以下に、実施例を示して本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されない。
［架橋ポリロタキサンゲルの製造］
１．未架橋ポリロタキサンの合成
ポリロタキサンの合成例：
＜ポリエチレングリコールのＴＥＭＰＯ酸化によるＰＥＧ−カルボン酸の調製＞
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）（重量平均分子量：１０万）１０ｇ、ＴＥＭＰＯ（２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジニルオキシラジカル）５０ｍｇ、及び臭化ナトリウム０．２５ｇを水１１０ｍｌに溶解した。得られた溶液に市販の次亜塩素酸ナトリウム水溶液（有効塩素濃度約５％）２．５ｍｌを添加し、室温で攪拌しながら反応させた。反応が進行すると添加直後から系のｐＨは急激に減少するが、なるべくｐＨ：１０〜１１を保つように１Ｎ−ＮａＯＨを添加して調製した。ｐＨの低下は概ね３分以内に見られなくなったが、さらに１０分間攪拌した。過剰量のエタノールを添加して反応を終了させた。塩化メチレン５０ｍｌでの抽出を３回繰返して無機塩以外の成分を抽出した後、エバポレータで塩化メチレンを留去した。温エタノール２５０ｍｌに溶解させた後、−４℃の冷凍庫に一晩おいてＰＥＧ−カルボン酸、即ちＰＥＧの両末端をカルボン酸（−ＣＯＯＨ）に置換したもの、を析出させた。析出したＰＥＧ−カルボン酸を遠心分離で回収した。この温エタノール溶解−析出−遠心分離のサイクルを数回繰り返し、最後に真空乾燥で乾燥させてＰＥＧ−カルボン酸を得た。収率９５％以上。カルボキシル化率９５％以上。
＜ＰＥＧ−カルボン酸とα−シクロデキストリンを用いた包接錯体の調製＞
上記で調製したＰＥＧ−カルボン酸６ｇ及びα−シクロデキストリン（α−ＣＤ）２４ｇをそれぞれ別々に用意した７０℃の温水１００ｍｌに溶解させた後、両者を混合し、その後、冷蔵庫（４℃）中で３日間静置した。クリーム状に析出した包接錯体を凍結乾燥し回収した。
＜アダマンタンアミンとＢＯＰ試薬反応系を用いた包接錯体の封鎖＞
上記包接錯体にアダマンタンアミン０．２６ｇ、ＢＯＰ試薬（ベンゾトリアゾール−１−イル−オキシ−トリス（ジメチルアミノ）ホスホニウム・ヘキサフルオロフォスフェート）０．６０ｇ、ジイソプロピルエチルアミン０．２８ｍｌを脱水ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）１２０ｍｌに溶解した溶液を加え、よく振り混ぜた後、冷蔵庫中で一晩静置した。その後、メタノール１２０ｍｌを加え、攪拌、遠心分離、上澄みの除去、を行った。次いで、ＤＭＦ／メタノール＝１：１混合溶液２００ｍｌを加え、同様の操作を２回行った。さらにメタノール２００ｍｌを用いて同様の操作を２回行い、得られた沈澱を真空乾燥した後、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）１４０ｍｌに溶解した。この溶液を純水１４００ｍｌ中に滴下してポリロタキサンを析出させた。析出したポリロタキサンを遠心分離で回収し、真空乾燥した。さらに同様の再沈澱操作を行い、ポリロタキサン１６ｇを得た。得られたポリロタキサンをＮＭＲ測定した結果、ＣＤとＰＥＧモノマーとの比（モル比）は、ＣＤ：ＰＥＧモノマー＝１３．５：１００であった（包接率：０．２７）。なお、包接率より、理論計算上、該ポリロタキサン１ｇにつき、シクロデキストリンが０．７６ミリモル包接される。得られたポリロタキサンをポリロタキサン１とする。
【００４４】
２．ポリロタキサン１の架橋および架橋ポリロタキサンのゲル化
上記のようにして得られたポリロタキサン１：０．３５ｇ、０．４５ｇ、０．５３ｇ、０．６０ｇ、０．７０ｇをそれぞれ３．５ｍｌの１．５Ｎ−ＮａＯＨ水溶液に溶解し、１，４−ブタンジオールジグリシジルエーテルを１４０μｌ（架橋剤の濃度として０．２１ｍｏｌ／Ｌ）添加し、撹拌した。均一になった溶液を厚み０．５ｍｍのシート状のモールドに注入し、２５℃、２０時間反応させた後、モールドから取り出し、水で洗浄し、２日間水置換を行った。得られた架橋ポリロタキサンゲルを上記のポリロタキサン１の使用量の順に架橋ポリロタキサンゲル１〜５とする。なお、水で膨潤させて得られた架橋ポリロタキサンゲル１の重量を１とした場合、架橋ポリロタキサンゲル１の含水率は０．９１となる。同様に架橋ポリロタキサンゲル２〜５含水率はそれぞれ０．８８、０．８６、０．８３、０．８０になる。
【００４５】
［ハイドロゲルの製造］
(株)クラレ製、ＰＶＡ−１２４、重合度２４００、ケン化度９８〜９９ｍｏｌ％のポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を水に溶解して、濃度６％のＰＶＡ水溶液を作製した。この水溶液を厚さ０．５ｍｍ、幅４ｍｍ、長さ４ｍｍのシリコン型に流し込み、−１５℃の温度下で１０時間放置して水溶液を凍結させた後、５℃の温度下に２４時間放置して氷を融解し、ポリビニルアルコールゲル（ＰＶＡゲル）を得た。得られたＰＶＡゲルをハイドロゲルとする。
［オルガノゲルの製造］
モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン社製ＴＳＥ３０７０を厚さ０．５ｍｍ、幅４ｍｍ、長さ４ｍｍのシリコン型に流し込み、８０℃の温度下で３時間放置し、シリコーンゲルを得た。得られたシリコーンゲルをオルガノゲルとする。
［イオン性架橋ポリロタキサンゲル］
３，５−ジメルカプトメチルピリジンで架橋されたα−シクロデキストリン２量体（１ｇ）とポリエチレングリコール（重量平均分子量：１，５００、シグマアルドリッチ社製）（５ｍｇ）とを水（１０ｍｌ）に加え、超音波を照射しながら室温で混合した。２時間後沈殿物としてα−シクロデキストリン２量体による架橋ポリロタキサンを得た。
次に得られた架橋ポリロタキサン１ｇと過酸化水素水１０ｍＬとを混合し、０℃の条件下で反応させてポリエチレングリコールの末端のヒドロキシ基を酸化させてカルボキシル基とし、その後カルボキシル基と水酸化ナトリウムとを反応させることによって、カルボキシル基をナトリウム塩に変換させ、カルボン酸ナトリウム塩で変性された架橋ポリロタキサンを得た。得られた架橋ポリロタキサンをゲル化してこれをイオン性変性架橋ポリロタキサンゲルとして使用した。
【００４６】
［ヤング率の測定］
本発明において、架橋ポリロタキサンゲル、振動発生部のヤング率は、原子間力顕微鏡（日本ビーコ社製 Ｎａｎｏ ＳｃｏｐｅＩＩＩa Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ３０００）を用い、室温下で測定された。
架橋ポリロタキサンゲルのヤング率は、架橋ポリロタキサンゲルを印加なしの条件下でゲル表面のフォースボリューム測定を行い、得られたフォースディスタンスカーブより決定された。
振動発生部のヤング率は、振動発生部に、印加なしまたは＋３Ｖの直流電圧を加えながらの条件下で、振動発生部の表面（振動発生部の上面の電極）上におけるフォースボリューム測定を行い、得られたフォースディスタンスカーブより決定された。結果を第１表に示す。
架橋ポリロタキサンゲルのヤング率は、上記のようにして得られた架橋ポリロタキサンゲル１〜５をそれぞれ厚さ０．５ｍｍ、幅４ｍｍ、長さ４ｍｍの平板状とし、この高分子薄膜を純水で１日膨潤させたものをヤング率の評価サンプルとして用いた。
振動発生部のヤング率は、下記のようにして得られた振動発生部を用いて測定された。
【００４７】
［振動発生部の作製］
上記のようにして得られた架橋ポリロタキサンゲル１〜５を用いて図１に示す振動発生部を作製した。
まず、架橋ポリロタキサンゲル（高分子薄膜）１０１として上記のとおり得られた架橋ポリロタキサンゲル１〜３を厚さ０．５ｍｍ、幅４ｍｍ、長さ８ｍｍの短冊状に切り取り、純水で１日膨潤させた後、試料片の上下面において端部から２ｍｍ幅（Ｌ１）の部分を以下の方法（金を用いた無電解メッキ法による金メッキ）により電極化し、１対の電圧印加用電極１０３、１０５を架橋ポリロタキサンゲル１０１に付与した。電圧印加用電極１０３、１０５の厚さは１ミクロン（μｍ）である。
金を用いた無電解メッキ法による金メッキは、上記のようにして得られた架橋ポリロタキサンゲル１〜５を基材としこれに対し、金フェナントロリン錯体溶液（２〜１０ｇ／Ｌ）中に室温下で基材の上下表面において同じ端部から１ｍｍ幅の部分をそれぞれ６時間浸漬した。還元液として、アスコルビン酸ナトリウム水溶液（４〜６ｍＭ）を５０ｍＬ程度作製し、４０℃の金フェナントロリン錯体溶液に５ｍＬ加えた。その後３０分かけて５℃昇温した時点で還元液を５ｍＬ加えた。同様の添加を反応液が６０℃に達するまで行い、液温が６０℃に達した時点で生成したメッキ液をすべて投入し、２時間ほど還元反応を進行させた。生成したメッキ膜を蒸留水で洗浄し、再びメッキ溶液に浸透させた。この操作を３回繰り返すことにより、金メッキした架橋ポリロタキサンゲル（振動発生部）を得た。得られた振動発生部を振動発生部１〜５とする。
【００４８】
上記のようにして得られた振動発生部１〜３（電極システム）を用いて高分子薄膜の電場応答性を調べた。
［振動数、変位の測定］
得られた振動発生部１〜３に＋３Ｖの直流電圧を印加し、レーザー変位計（ＳＵＮＸ社製 ＡＮＲ１２５７）を用いて、固定端から４ｍｍの位置の変位と振動数を測定した。
図１に示す振動発生部（電極システム）として上記のとおり製造した振動発生部１〜３を用い、架橋ポリロタキサンゲルのヤング率と振動数および変位の関係を調べた。架橋ポリロタキサンゲルのヤング率、振動発生部１〜３の振動数および変位の関係を第１表に示す。
【００４９】
【表１】
なお架橋ポリロタキサン４および振動発生部４のヤング率は１４．７ｋＰａであり、架橋ポリロタキサン５および振動発生部５のヤング率は２３．８ｋＰａであった。
また第１表においてポリロタキサン使用量は各架橋ポリロタキサンゲルを製造する際に使用されたポリロタキサン１の量である。第２表〜第４表についても同様である。
【００５０】
第１表に示す結果から明らかなように、架橋ポリロタキサンゲルを使用せず架橋ポリロタキサンゲル以外の材料（一般的なハイドロゲル、オルガノゲル、イオン性架橋ポリロタキサンゲル）を用いたサンプル(比較例１〜３)ではいずれのサンプルも電圧を印加しても振動現象は認められなかった。
これに対して、実施例１〜３（ヤング率が３０ｋＰａ以下の架橋ポリロタキサンゲルを使用する振動発生部）は、電圧の印加によって振動することができる。またこれらの振動発生部は、振動数が０．４Ｈｚ以上１００Ｈｚ以下で、かつ、変位の変化量が０．０１ｍｍ以上の値を満たすことができ、タッチパネルに使用される振動発生部として特に好適である。
また第１表に示す結果から、架橋ポリロタキサンゲルのヤング率が大きくなるほど（架橋ポリロタキサンゲルの架橋密度が大きくなるほど）、（データはないが初めは振動数が上昇すると予想されその後）振動数が減少すること、電圧印加前後での変位の変化量が増大しその後減少することを見出した。
【００５１】
つづいて、振動発生部２に直流電圧（＋３Ｖ）を印加した場合の振動回数と変位の変化率(１回目の振動時の変位量に対する２回目以降の変位の変化率)の関係について調査した。結果を図２に示す。図２は振動発生部２の振動回数と変位の変化率との関係を示すグラフである。図２に示す結果から明らかなように、架橋ポリロタキサンゲルを使用する振動発生部は振動回数が増えても変位の変化率の低下が認められなかった。このことから、架橋ポリロタキサンゲルが繰り返し特性に優れていることが示された。ＰＶＡゲル、シリコーンゲルは電圧を印加しても振動現象は認められなかった。
【００５２】
［触感呈示型の入力デバイスへの適用（その１）］
図３に示す振動発生部（電極システム）を用いて図５に示すタッチパネルを作製しこれを用いて図４に示す入力デバイスを作製し、その電場応答性を調べた。
測定には、上記のとおり得られた架橋ポリロタキサンゲル１、２（高分子薄膜）を厚さ０．５ｍｍ、幅１００ｍｍ、長さ１００ｍｍの短冊状に切り取り、純水で1日膨潤させた後、幅１ｍｍの複数の電圧印加用電極を１ｍｍ間隔で高分子薄膜の表面と裏面に９０度ずれるように上述のメッキ手法により電極化し、振動発生部を製造した。得られた振動発生部を振動発生部４〜５とする。得られた振動発生部４、５を用いて入力デバイスを作製し、これに＋３Ｖの直流電圧を印加したときに実際の指に感じるフィードバックの触感の有無を調べた。結果を第２表に示す。
【００５３】
【表２】
【００５４】
第２表に示す結果から明らかなように、架橋ポリロタキサンゲルを使用せず架橋ポリロタキサンゲル以外の材料を使用する比較例４〜６はいずれのサンプルもフィードバックの触感は得られなかった。
これに対して実施例４、５は良好なフィードバックの触感が得られた。特に実施例５はその触感が顕著であった。
【００５５】
［触感呈示型の入力デバイスへの適用(その２)］
図７に示す振動発生部（電極システム）を用いて図９に示すボタンを作製しこれを用いて図８に示す、タッチパネル、入力デバイスを作製し、その電場応答性を調べた。
測定には、上記のとおり得られた架橋ポリロタキサンゲル１、２（高分子薄膜）を厚さ０．５ｍｍ、幅１０ｍｍ、長さ１０ｍｍの短冊状に切り取り、純水で1日膨潤させた後、高分子薄膜の両面を上述のメッキ手法により電極化し、振動発生部を製造した。得られた振動発生部を振動発生部６〜７とする。得られた振動発生部６、７を用いて入力デバイスを作製し、これに＋３Ｖの直流電圧を印加したときに実際の指に感じるフィードバックの触感の有無を調べた。結果を第３表に示す。
【００５６】
【表３】
【００５７】
第３表に示す結果から明らかなように、架橋ポリロタキサンゲルを使用せず架橋ポリロタキサンゲル以外の材料用いた比較例７〜９はいずれのサンプルもフィードバックの触感は得られなかった。
これに対して実施例６、７は良好なフィードバックの触感が得られた。特に実施例７はその触感が顕著であった。
【００５８】
［触感呈示型の入力デバイスへの適用(その３)］
図１１に示す振動発生部（電極システム）を用いて図１２に示すボタンを作製しこれを用いて図１３に示すタッチパネル、図８に示す入力デバイスを作製し、その電場応答性を調べた。
測定には、上記のとおり得られた架橋ポリロタキサンゲル１、２（高分子薄膜）を厚さ０．５ｍｍ、幅１０ｍｍ、長さ１０ｍｍの短冊状に切り取り、純水で１日膨潤させた後、高分子薄膜にＬ字型の１対の電圧印加用電極を差し込んで、振動発生部を製造した。本実施例において、架橋ポリロタキサンゲルは符号９２５の部分である。図１１においてＬ3（１対の電圧印加用電極９０３、９０５の間の距離）は１ｍｍである。得られた振動発生部を振動発生部８、９とする。得られた振動発生部８、９を用いて入力デバイスを作製し、これに＋３Ｖの直流電圧を印加したときに実際の指に感じるフィードバックの触感の有無を調べた。結果を第４表に示す。
【００５９】
【表４】
【００６０】
第４表に示す結果から明らかなように、架橋ポリロタキサンゲルを使用せず架橋ポリロタキサンゲル以外の材料を用いた比較例１０〜１２はいずれのサンプルもフィードバックの触感は得られなかった。
これに対して実施例８、９は良好なフィードバックの触感が得られた。特に実施例９はその触感が顕著であった。
【符号の説明】
【００６１】
１００、３００、４１５、７００、７１５、９１５ 振動発生部
１０１、３０１、７０１、９０１、９２５（９０１、９２１、９２３） 架橋ポリロタキサンゲル
１０３、１０５、７０３、７０５、９０３、９０５ １対の電圧印加用電極
３０３、３０５、４０３、４０５ 電圧印加用電極
１０７、３０７、４０７、７０７、９０７ 電源
３０９、４０９ コントローラ
４００、８２１ タッチパネル
７１９、９３５ ボタン
４１１、９１１ 表示画面
４１３、７１３、９１３ 接触検出部
４１７、７１７、９１７ 保護シート
５００、８００ 入力デバイス
８１９、９１９ 隔壁
９２９ 突起部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
架橋点が可動し非イオン性の架橋ポリロタキサンと溶媒とを含有する架橋ポリロタキサンゲルと、前記架橋ポリロタキサンゲルに電圧を印加するための電圧印加用電極とを持つ振動発生部を有し、前記架橋ポリロタキサンゲルに電圧を印加して前記振動発生部を振動させることを特徴としたタッチパネル。
【請求項２】
前記振動発生部の初期の弾性率がヤング率として３０ｋＰａ以下である請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項３】
前記溶媒が水である請求項１または２に記載のタッチパネル。
【請求項４】
前記印加による振動発生部の振動数が０．４〜１００Ｈｚであり、前記印加による振動発生部の変位の変化量が０．０１ｍｍ以上である請求項１〜３のいずれかに記載のタッチパネル。
【請求項５】
前記電圧が直流電圧である請求項１〜４のいずれかに記載のタッチパネル。
【請求項６】
前記架橋ポリロタキサンが、
シクロデキストリン分子の開口部に直鎖状分子が串刺し状に包接され且つ該シクロデキストリン分子が脱離しないように前記直鎖状分子の両末端にブロック基が配置されるポリロタキサンの少なくとも２分子と、架橋剤とを反応させることによって製造され、
前記ポリロタキサンの量が前記架橋剤１質量部に対して１．５〜８質量部である請求項１〜５のいずれかに記載のタッチパネル。
【請求項７】
前記溶媒と前記架橋ポリロタキサンとの質量比（溶媒：架橋ポリロタキサン）が９９：１〜７０：３０である請求項１〜６のいずれかに記載のタッチパネル。
【請求項８】
前記架橋ポリロタキサンゲルに含有される架橋ポリロタキサンを製造する際に使用される架橋剤が、アルキレンジオールジグリシジルエーテルである請求項１〜７のいずれかに記載のタッチパネル。
【請求項９】
前記架橋ポリロタキサンゲルに含有される架橋ポリロタキサンを構成する直鎖状分子の末端が非イオン性のブロック基で封鎖されている請求項１〜８のいずれかに記載のタッチパネル。
【請求項１０】
前記架橋ポリロタキサンゲルのヤング率が３０ｋＰａ以下である請求項１〜９のいずれかに記載のタッチパネル。
【請求項１１】
さらに、操作時の接触を検出する接触検出部を有する請求項１〜１０のいずれかに記載のタッチパネル。
【請求項１２】
前記振動発生部がシート状であり、さらに、操作時の接触を検出するシート状の接触検出部と、表示画面とを有し、
該シート状の振動発生部と前記シート状の接触検出部とを前記表示画面上に順次積層し、
前記シート状の振動発生部は前記電圧印加用電極を前記架橋ポリロタキサンゲルの表面と裏面とに有し、前記表面および前記裏面において前記電圧印加用電極はそれぞれ複数の帯状に等間隔で設けられ、前記表面における前記電圧印加用電極と前記裏面における前記電圧印加用電極とが９０度ずれるものであり、
前記電圧印加用電極は、前記接触に応じて前記振動発生部を部分的に振動させるためのコントローラに接続され、
操作時の接触を前記接触検出部で検出すると前記コントローラによって前記シート状の振動発生部に部分的に直流電流が印加され、前記シート状の振動発生部が部分的に振動することにより感触を操作者にフィードバックすることを特徴とした請求項１〜１１のいずれかに記載のタッチパネル。
【請求項１３】
前記振動発生部がシート状であり、前記電圧印加用電極が１対の電圧印加用電極であり、前記シート状の振動発生部を複数有し、２つの隣り合う振動発生部の間に隔壁を有し、
該シート状の振動発生部と、隔壁とを、シート状の接触検出部の上に順次配置し、
操作時の接触を前記接触検出部で検出すると前記シート状の振動発生部に直流電流が印加され、前記シート状の振動発生部が振動することにより感触を操作者にフィードバックすることを特徴とした請求項１〜１１のいずれかに記載のタッチパネル。
【請求項１４】
前記振動発生部がシート状であり、前記シート状の振動発生部を複数有し、２つの隣り合う振動発生部の間に隔壁を有し、
該シート状の振動発生部と、隔壁とを、シート状の接触検出部の上に順次配置し、
前記電圧印加用電極は1対の電圧印加用電極であり、前記1対の電圧印加用電極はそれぞれ垂直方向に平面状の部分を少なくとも有する形状であり、前記シート状の振動発生部は前記１対の電圧印加用電極が有する前記垂直方向に平面状の部分をシート状の架橋ポリロタキサンゲルに対して垂直方向に有し、前記１対の電圧印加用電極の間に前記シート状の架橋ポリロタキサンゲルの少なくとも一部または全部があり、前記１対の電圧印加用電極の間にある架橋ポリロタキサンゲルの表面に突起部を有し、前記１対の電圧印加用電極に前記電圧が印加されると前記振動発生部および前記突起部が振動する請求項１〜１１のいずれかに記載のタッチパネル。
【請求項１５】
前記シート状の接触検出部の下にさらに表示画面を有する請求項１３または１４に記載のタッチパネル。
【請求項１６】
前記振動発生部の上にさらに保護シートを有する請求項１〜１５のいずれかに記載のタッチパネル。
【請求項１】
架橋点が可動し非イオン性の架橋ポリロタキサンと溶媒とを含有する架橋ポリロタキサンゲルと、前記架橋ポリロタキサンゲルに電圧を印加するための電圧印加用電極とを持つ振動発生部を有し、前記架橋ポリロタキサンゲルに電圧を印加して前記振動発生部を振動させることを特徴としたタッチパネル。
【請求項２】
前記振動発生部の初期の弾性率がヤング率として３０ｋＰａ以下である請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項３】
前記溶媒が水である請求項１または２に記載のタッチパネル。
【請求項４】
前記印加による振動発生部の振動数が０．４〜１００Ｈｚであり、前記印加による振動発生部の変位の変化量が０．０１ｍｍ以上である請求項１〜３のいずれかに記載のタッチパネル。
【請求項５】
前記電圧が直流電圧である請求項１〜４のいずれかに記載のタッチパネル。
【請求項６】
前記架橋ポリロタキサンが、
シクロデキストリン分子の開口部に直鎖状分子が串刺し状に包接され且つ該シクロデキストリン分子が脱離しないように前記直鎖状分子の両末端にブロック基が配置されるポリロタキサンの少なくとも２分子と、架橋剤とを反応させることによって製造され、
前記ポリロタキサンの量が前記架橋剤１質量部に対して１．５〜８質量部である請求項１〜５のいずれかに記載のタッチパネル。
【請求項７】
前記溶媒と前記架橋ポリロタキサンとの質量比（溶媒：架橋ポリロタキサン）が９９：１〜７０：３０である請求項１〜６のいずれかに記載のタッチパネル。
【請求項８】
前記架橋ポリロタキサンゲルに含有される架橋ポリロタキサンを製造する際に使用される架橋剤が、アルキレンジオールジグリシジルエーテルである請求項１〜７のいずれかに記載のタッチパネル。
【請求項９】
前記架橋ポリロタキサンゲルに含有される架橋ポリロタキサンを構成する直鎖状分子の末端が非イオン性のブロック基で封鎖されている請求項１〜８のいずれかに記載のタッチパネル。
【請求項１０】
前記架橋ポリロタキサンゲルのヤング率が３０ｋＰａ以下である請求項１〜９のいずれかに記載のタッチパネル。
【請求項１１】
さらに、操作時の接触を検出する接触検出部を有する請求項１〜１０のいずれかに記載のタッチパネル。
【請求項１２】
前記振動発生部がシート状であり、さらに、操作時の接触を検出するシート状の接触検出部と、表示画面とを有し、
該シート状の振動発生部と前記シート状の接触検出部とを前記表示画面上に順次積層し、
前記シート状の振動発生部は前記電圧印加用電極を前記架橋ポリロタキサンゲルの表面と裏面とに有し、前記表面および前記裏面において前記電圧印加用電極はそれぞれ複数の帯状に等間隔で設けられ、前記表面における前記電圧印加用電極と前記裏面における前記電圧印加用電極とが９０度ずれるものであり、
前記電圧印加用電極は、前記接触に応じて前記振動発生部を部分的に振動させるためのコントローラに接続され、
操作時の接触を前記接触検出部で検出すると前記コントローラによって前記シート状の振動発生部に部分的に直流電流が印加され、前記シート状の振動発生部が部分的に振動することにより感触を操作者にフィードバックすることを特徴とした請求項１〜１１のいずれかに記載のタッチパネル。
【請求項１３】
前記振動発生部がシート状であり、前記電圧印加用電極が１対の電圧印加用電極であり、前記シート状の振動発生部を複数有し、２つの隣り合う振動発生部の間に隔壁を有し、
該シート状の振動発生部と、隔壁とを、シート状の接触検出部の上に順次配置し、
操作時の接触を前記接触検出部で検出すると前記シート状の振動発生部に直流電流が印加され、前記シート状の振動発生部が振動することにより感触を操作者にフィードバックすることを特徴とした請求項１〜１１のいずれかに記載のタッチパネル。
【請求項１４】
前記振動発生部がシート状であり、前記シート状の振動発生部を複数有し、２つの隣り合う振動発生部の間に隔壁を有し、
該シート状の振動発生部と、隔壁とを、シート状の接触検出部の上に順次配置し、
前記電圧印加用電極は1対の電圧印加用電極であり、前記1対の電圧印加用電極はそれぞれ垂直方向に平面状の部分を少なくとも有する形状であり、前記シート状の振動発生部は前記１対の電圧印加用電極が有する前記垂直方向に平面状の部分をシート状の架橋ポリロタキサンゲルに対して垂直方向に有し、前記１対の電圧印加用電極の間に前記シート状の架橋ポリロタキサンゲルの少なくとも一部または全部があり、前記１対の電圧印加用電極の間にある架橋ポリロタキサンゲルの表面に突起部を有し、前記１対の電圧印加用電極に前記電圧が印加されると前記振動発生部および前記突起部が振動する請求項１〜１１のいずれかに記載のタッチパネル。
【請求項１５】
前記シート状の接触検出部の下にさらに表示画面を有する請求項１３または１４に記載のタッチパネル。
【請求項１６】
前記振動発生部の上にさらに保護シートを有する請求項１〜１５のいずれかに記載のタッチパネル。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２０１２−１５５６８３（Ｐ２０１２−１５５６８３Ａ）
【公開日】平成２４年８月１６日（２０１２．８．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１６８６５（Ｐ２０１１−１６８６５）
【出願日】平成２３年１月２８日（２０１１．１．２８）
【出願人】（０００２３１０７３）日本航空電子工業株式会社 (1,081)
【出願人】（５０５１３６９６３）アドバンスト・ソフトマテリアルズ株式会社 (19)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年８月１６日（２０１２．８．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１月２８日（２０１１．１．２８）
【出願人】（０００２３１０７３）日本航空電子工業株式会社 (1,081)
【出願人】（５０５１３６９６３）アドバンスト・ソフトマテリアルズ株式会社 (19)
【Ｆターム（参考）】
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