ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置
【課題】ターゲット物質の帯電ターゲットを供給するターゲット供給装置の絶縁破壊を抑制する。
【解決手段】このターゲット供給装置は、ターゲット物質を内部に貯蔵するターゲット貯蔵部と、ターゲット貯蔵部に貯蔵されたターゲット物質を出力するための貫通孔が形成されたターゲット出力部と、ターゲット出力部に対向して配置され、ターゲット物質が通過する貫通孔が形成された電極であって、ターゲット出力部に対向する面の一部に電気絶縁材料がコートされた電極と、ターゲット物質と電極との間に電圧を印加する電圧生成器とを備えてもよい。
【解決手段】このターゲット供給装置は、ターゲット物質を内部に貯蔵するターゲット貯蔵部と、ターゲット貯蔵部に貯蔵されたターゲット物質を出力するための貫通孔が形成されたターゲット出力部と、ターゲット出力部に対向して配置され、ターゲット物質が通過する貫通孔が形成された電極であって、ターゲット出力部に対向する面の一部に電気絶縁材料がコートされた電極と、ターゲット物質と電極との間に電圧を印加する電圧生成器とを備えてもよい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するために、レーザ光が照射されるターゲットを供給する装置に関する。さらに、本開示は、そのようなターゲット供給装置を用いてＥＵＶ光を生成するための装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を生成する極端紫外光生成装置と縮小投影反射光学系（reduced projection reflective optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
極端紫外光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ励起プラズマ）式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第７０６７８３２号明細書
【概要】
【０００５】
本開示の第１の観点に係るターゲット供給装置は、ターゲット物質を供給するターゲット供給装置であって、少なくともターゲット物質を内部に貯蔵するターゲット貯蔵部と、ターゲット貯蔵部に貯蔵されたターゲット物質を出力するための貫通孔が形成されたターゲット出力部と、ターゲット出力部に対向して配置され、ターゲット出力部から出力されるターゲット物質が通過する貫通孔が形成された電極であって、少なくともターゲット出力部に対向する面の一部に電気絶縁材料がコートされた電極と、少なくともターゲット物質と電極との間に電圧を印加する電圧生成器とを備えてもよい。
【０００６】
本開示の第２の観点に係るターゲット供給装置は、ターゲット物質を供給するターゲット供給装置であって、少なくともターゲット物質を内部に貯蔵するターゲット貯蔵部と、ターゲット貯蔵部に貯蔵されたターゲット物質を出力するための貫通孔が形成されたターゲット出力部と、ターゲット出力部に対向して配置され、ターゲット出力部から出力されるターゲット物質が通過する貫通孔が形成された電極であって、セレン（Ｓｅ）、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、炭素（Ｃ）、及び、コバルト（Ｃｏ）の内の少なくとも１つを含む電極と、少なくともターゲット物質と電極との間に電圧を印加する電圧生成器とを備えてもよい。
【０００７】
また、本開示の第１の観点に係る極端紫外光生成装置は、レーザ装置から出力されるレーザ光をターゲット物質に照射してターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置であって、少なくともターゲット物質を内部に貯蔵するターゲット貯蔵部と、ターゲット貯蔵部に貯蔵されたターゲット物質を出力するための貫通孔が形成されたターゲット出力部と、ターゲット出力部に対向して配置され、ターゲット出力部から出力されるターゲット物質が通過する貫通孔が形成された電極であって、少なくともターゲット出力部に対向する面の一部に電気絶縁材料がコートされた電極と、少なくともターゲット物質と電極との間に電圧を印加する電圧生成器と、電極の貫通孔を通過したターゲット物質に照射されるレーザ光を導入する貫通孔が形成されたチャンバとを備えてもよい。
【０００８】
本開示の第２の観点に係る極端紫外光生成装置は、レーザ装置から出力されるレーザ光をターゲット物質に照射してターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置であって、少なくともターゲット物質を内部に貯蔵するターゲット貯蔵部と、ターゲット貯蔵部に貯蔵されたターゲット物質を出力するための貫通孔が形成されたターゲット出力部と、ターゲット出力部に対向して配置され、ターゲット出力部から出力されるターゲット物質が通過する貫通孔が形成された電極であって、セレン（Ｓｅ）、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、炭素（Ｃ）、及び、コバルト（Ｃｏ）の内の少なくとも１つを含む電極と、少なくともターゲット物質と電極との間に電圧を印加する電圧生成器と、電極の貫通孔を通過したターゲット物質に照射されるレーザ光を導入する貫通孔が形成されたチャンバとを備えてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置の概略構成を示す図である。
【図２】図２は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を示す一部断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、図２に示すターゲット生成器及びその周辺部を示す一部断面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、図３Ａに示すターゲット生成器の一部を拡大して示す拡大断面図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、図３Ａに示すターゲット生成器の変形例の一部を拡大して示す拡大断面図である。
【図４】図４は、放電が起こる電圧に関するパッシェンの法則を説明するための図である。
【図５】図５は、各種の材料の仕事関数を示す図である。
【図６Ａ】図６Ａは、第２の実施形態におけるターゲット生成器の一部を拡大して示す拡大断面図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、第２の実施形態におけるターゲット生成器の変形例の一部を拡大して示す拡大断面図である。
【図７】図７は、第３の実施形態におけるターゲット生成器の一部を拡大して示す拡大断面図である。
【図８Ａ】図８Ａは、第４の実施形態におけるターゲット生成器及びその周辺部を示す一部断面図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、図８Ａに示すターゲット生成器の一部を拡大して示す拡大断面図である。
【図９】図９は、図８Ａに示すターゲット生成器の第１の動作例を説明するためのタイミングチャートである。
【図１０】図１０は、図８Ａに示すターゲット生成器の第２の動作例を説明するためのタイミングチャートである。
【図１１Ａ】図１１Ａは、碍子構造を有する電気絶縁部材を用いるターゲット生成器の一部を拡大して示す拡大断面図である。
【図１１Ｂ】図１１Ｂは、図１１Ａに示すターゲット生成器の一部の底面図である。
【図１１Ｃ】図１１Ｃは、図１１Ａに示す電気絶縁部材の碍子構造のバリエーションを示す断面図である。
【図１２Ａ】図１２Ａは、第５の実施形態におけるターゲット生成器及びその周辺部を示す一部断面図である。
【図１２Ｂ】図１２Ｂは、図１２Ａに示すターゲット生成器の一部を拡大して示す拡大断面図である。
【図１３】図１３は、第６の実施形態におけるターゲット生成器及びその周辺部を示す一部断面図である。
【図１４】図１４は、偏向電極によるターゲットの方向制御を説明するための図である。
【実施形態】
【００１０】
＜内容＞
１．概要
２．用語の説明
３．極端紫外光生成装置の全体説明
３．１ 構成
３．２ 動作
４．静電引出し型のターゲット生成器が搭載されたチャンバ
４．１ 構成
４．２ 動作
５．静電引出し型のターゲット生成器
５．１ 構成
５．２ 動作
５．３ 作用
６．ターゲット生成器の高耐圧化（ノズルが電気伝導性を有する場合）
７．ターゲット生成器の高耐圧化（ノズルが電気絶縁性を有する場合）
８．加速電極を有するターゲット生成器
８．１ 構成
８．２ 動作
９．電気絶縁部材の構造
１０．加速電極及び偏向電極を有するターゲット生成器
１０．１ 構成
１０．２ 動作
１０．３ 作用
１１．コンティニュアスジェット方式のターゲット生成器
１１．１ 構成
１１．２ 動作
１１．３ 作用
１２．偏向電極によるターゲットの方向制御
【００１１】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示の一例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【００１２】
１．概要
ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置においては、ターゲット供給装置が、ターゲットをチャンバ内のプラズマ生成領域に供給する。ターゲットがプラズマ生成領域に到達した時にレーザ光がターゲットに照射され、ターゲット物質がプラズマ化することによって、ＥＵＶ光が生成される。ターゲットをプラズマ生成領域に安定して供給するためには、ターゲット物質とターゲット供給装置に設けられた電極との間に高電圧を印加することにより帯電ターゲットを生成して、帯電ターゲットの軌道を制御する必要がある。
【００１３】
しかしながら、チャンバ内にガスが存在する場合に、ターゲット物質と電極との間に耐電圧を超える高い電圧が印加されると、絶縁破壊（火花放電）が発生する。絶縁破壊が発生すると、チャンバ内の絶縁が破壊されてリーク電流が流れるようになり、ターゲット物質と電極との間の電圧が安定しなくなる。その結果、ターゲットに与えられる電荷が変動して、帯電ターゲットをプラズマ生成領域に安定して供給できなくなる。
【００１４】
本開示の１つの観点によれば、ターゲットを供給するターゲット供給装置において、ガス圧とターゲット物質〜電極間距離との積が絶縁破壊電圧に及ぼす影響を考慮しながら、ターゲットを引き出すために必要な電位勾配を形成するように、例えば、ターゲット物質を出力するノズルと電極との間の距離等が所定の範囲に設定される。本開示の別の観点によれば、ターゲットの軌道の周囲に配置される電極の少なくとも表面の材料として、セレン（Ｓｅ）又は白金（Ｐｔ）等の貴金属が用いられる。本開示のさらに別の観点によれば、ターゲットの軌道の周囲に配置される電極の表面の少なくとも一部に電気絶縁材料がコートされる。これにより、電極からの電子の放出が抑制されるので、絶縁破壊電圧を高くすることができる。その結果、絶縁破壊を抑制することができる。
【００１５】
２．用語の説明
本願において使用される幾つかの用語を以下に説明する。「チャンバ」は、ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置において、プラズマの生成が行われる空間を外部から隔絶するための容器である。「ターゲット供給装置」は、ＥＵＶ光を生成するために用いられる溶融スズ等のターゲット物質をターゲットとしてチャンバ内に供給する装置である。ターゲットは、ドロップレットの形態であってもよい。「ＥＵＶ集光ミラー」は、プラズマから放射されるＥＵＶ光を反射してチャンバ外に出力するためのミラーである。「デブリ」は、チャンバ内に供給されたターゲット物質のうちプラズマ化されなかった中性粒子及びプラズマから放出される荷電粒子を含み、ＥＵＶ集光ミラー等の光学素子を汚染又は損傷する原因となる物質である。
【００１６】
３．極端紫外光生成装置の全体説明
３．１ 構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置（極端紫外光生成装置）１の概略構成を示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザシステム３と共に用いてもよい。以下においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザシステム３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム（極端紫外光生成システム）１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。また、ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲット供給装置（例えば、ターゲット生成器２６）をさらに含んでもよい。ターゲット供給装置は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられていてもよい。ターゲット供給装置から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
【００１７】
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられていてもよく、ウインドウ２１をレーザシステム３から出力され進行方向制御装置３４を経たレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１の焦点及び第２の焦点を有する。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点が、プラズマ発生位置又はその近傍（プラズマ生成領域２５）に位置し、その第２の焦点が、外部装置（例えば、露光装置６）の仕様によって規定される所定の集光位置（中間集光点（ＩＦ）２９２）に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には、レーザ光３３が通過することができる貫通孔２４が設けられていてもよい。
【００１８】
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御システム５を含んでもよい。また、ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲットセンサ４を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、ターゲットの存在、軌道、位置の内の少なくとも１つを検出してもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有していてもよい。
【００１９】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通する接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ（aperture）が形成された壁２９１を設けてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
【００２０】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御装置３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するターゲット回収器２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御装置３４は、レーザ光の進行方向を制御するために、レーザ光の進行方向を規定する光学素子と、この光学素子の位置又は姿勢を調整するための振動子とを備えてもよい。
【００２１】
３．２ 動作
図１を参照すると、レーザシステム３から出力されたレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御装置３４を経て、レーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。レーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、レーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。レーザ光集光ミラー２２は、レーザ光の集光位置を規定する光学素子と、この光学素子の位置または姿勢を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
【００２２】
ターゲット生成器２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力してもよい。ターゲット２７には、レーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。レーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１が放射されてもよい。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射され集光されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２を通って露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、レーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
【００２３】
ＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理してもよい。また、ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、ターゲット２７を出力するタイミングの制御及びターゲット２７の出力方向の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。さらに、ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、レーザシステム３によるレーザ発振タイミングの制御、進行方向制御装置３４によるレーザ光３２の進行方向の制御、及び、レーザ光集光ミラー２２によるレーザ光３３の集光位置の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御を追加することもできる。
【００２４】
４．静電引出し型のターゲット生成器が搭載されたチャンバ
４．１ 構成
図２は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を示す一部断面図である。図２に示すように、チャンバ２の内部には、レーザ光集光光学系２２ａと、ＥＵＶ集光ミラー２３と、ターゲット回収器２８と、ＥＵＶ集光ミラーホルダ４１と、プレート４２及び４３と、レーザダンパ４４と、レーザダンパ支持部材４５とが設けられてもよい。
【００２５】
チャンバ２は、電気伝導率が高い材料（例えば、金属材料）からなり電気伝導性を有する構造部材（導電性構造部材）を含んでいてもよい。さらに、チャンバ２は、電気絶縁性を有する構造部材を含んでもよい。その場合には、例えば、チャンバ２の外壁が導電性構造部材で構成され、外壁の内側に電気絶縁性を有する構造部材が配置されるようにしてもよい。チャンバ２には、プレート４２が固定され、プレート４２には、プレート４３が固定されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、ＥＵＶ集光ミラーホルダ４１を介してプレート４２に固定されてもよい。
【００２６】
レーザ光集光光学系２２ａは、軸外放物面ミラー２２１と、平面ミラー２２２と、それらのミラーのホルダとを含んでもよい。軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２は、レーザ光がプラズマ生成領域２５に集光するように、それぞれのホルダを介してプレート４３に固定されてもよい。軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２の設置位置及び角度は、レーザ光がプラズマ生成領域２５に集光するように調節されてもよい。レーザダンパ４４は、レーザダンパ支持部材４５を介してチャンバ２に固定され、レーザ光の光路上に設置されてもよい。ターゲット回収器２８は、プラズマ生成領域２５のターゲット進行方向下流側（図中下側）において、ターゲットの軌道上に設置されてもよい。
【００２７】
チャンバ２には、ウインドウ２１と、静電引出し型のターゲット生成器２６とが取り付けられてもよい。ターゲット生成器２６の詳細については後で説明する。ターゲット物質としては、導電性を有する液体金属等が用いられてもよいが、各実施形態においては、融点が２３２℃であるスズ（Ｓｎ）が用いられる場合を一例として説明する。また、チャンバ２には、ガス供給装置４６と、排気装置４７と、圧力センサ４８とが接続されてもよい。
【００２８】
チャンバ２の外部には、ビームデリバリーシステム３４ａと、ＥＵＶ光生成制御システム５とが設けられてもよい。ビームデリバリーシステム３４ａは、高反射ミラー３４１及び３４２と、それらのミラーのホルダ（図示せず）と、ホルダが配置される筐体（図示せず）とを含んでもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光生成制御装置５１と、ターゲット制御装置５２と、圧力調節器５３と、不活性ガスボンベ５４と、パルス電圧生成器５５と、チャンバ圧力制御部５６とを含んでもよい。なお、パルス電圧生成器５５は、ターゲット生成器２６の構成要素としてもよい。また、チャンバ圧力制御部５６は、ガス供給装置４６と、排気装置４７と、圧力センサ４８とに、信号ラインを介して接続されてもよい。
【００２９】
４．２ 動作
チャンバ２内には、ターゲット物質にレーザ光を照射した際に生成するデブリがＥＵＶ集光ミラー２３に付着する量を減らすためのバッファガスや、ＥＵＶ集光ミラー２３等に付着したデブリをエッチングするためのエッチングガスが導入されてもよい。バッファガスとしては、例えば、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、ヘリウム（Ｈｅ）等が用いられる。また、エッチングガスとしては、例えば、水素（Ｈ２）、臭化水素（ＨＢｒ）、塩化水素（ＨＣｌ）等が用いられる。なお、エッチングガスは、バッファガスとして機能する場合もある。
【００３０】
ガス供給装置４６は、例えば、水素ガスをＥＵＶ集光ミラー２３の反射面に沿って流してもよい。その場合には、次式の反応によって、ＥＵＶ集光ミラー２３の表面に付着したスズ（Ｓｎ）をエッチングすることができる。
Ｓｎ（固体）＋２Ｈ２（気体）→ＳｎＨ４（気体）
【００３１】
一方、排気装置４７は、水素（Ｈ２）及び水素化スズ（ＳｎＨ４）を排気してもよい。チャンバ圧力制御部５６は、圧力センサ４８から出力される検出信号に基づいてガス供給装置４６及び排気装置４７を制御することにより、バッファガス及び／又はエッチングガスのガス圧を所定の値に保つ。
【００３２】
ターゲット生成器２６は、ターゲット物質からなる帯電したドロップレットをターゲットとして生成し、生成されたターゲットをチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に供給してもよい。また、レーザシステム３から出力されるレーザ光は、ビームデリバリーシステム３４ａの高反射ミラー３４１及び３４２によって反射されて、ウインドウ２１を介してレーザ光集光光学系２２ａに入射してもよい。レーザ光集光光学系２２ａに入射したレーザ光は、軸外放物面ミラー２２１によって集光され、平面ミラー２２２によって集光ビームとして反射されてもよい。
【００３３】
ＥＵＶ光生成制御装置５１は、ターゲット制御装置５２にターゲット出力信号を出力し、レーザシステム３にレーザ光出力信号を出力してもよい。これにより、ターゲット生成器２６から出力されたターゲットがプラズマ生成領域２５に到達すると、レーザ光の集光ビームがターゲットに照射され、ターゲット物質がプラズマ化して、ＥＵＶ光が生成される。生成されたＥＵＶ光は、ＥＵＶ集光ミラー２３によってＩＦ（中間集光点）２９２に集光され、露光装置に入射されてもよい。
【００３４】
５．静電引出し型のターゲット生成器
５．１ 構成
図３Ａは、図２に示すターゲット生成器及びその周辺部を示す一部断面図である。図３Ｂは、図３Ａに示すターゲット生成器の一部を拡大して示す拡大断面図である。図３Ｃは、図３Ａに示すターゲット生成器の変形例の一部を拡大して示す拡大断面図である。
【００３５】
図３Ａに示すように、ターゲット生成器２６は、リザーバ（ターゲット貯蔵部）６１と、ノズル（ターゲット出力部）６２と、リザーバ内電極６３と、ヒータ６４と、電気絶縁部材６５と、引出電極６６とを含んでもよい。リザーバ６１及びノズル６２は、一体的に形成されてもよいし、別個に形成されてもよい。
【００３６】
リザーバ６１は、合成石英又はアルミナ等の電気絶縁体であってもよい。リザーバ６１は、ターゲット物質である溶融したスズを内部に貯蔵してノズル６２に供給してもよい。ヒータ６４は、リザーバ６１の周りに取り付けられて、スズが溶融状態を維持するようにリザーバ６１を加熱してもよい。このように、リザーバ６１に貯蔵されるターゲット物質は、液体であってもよい。また、ヒータ６４は、リザーバ６１の温度を検出するための図示しない温度センサ、ヒータ６４に加熱用の電流を供給するヒータ電源、及び、温度センサによって検出された温度に基づいてヒータ電源を制御する温度制御器と共に用いられてもよい。
【００３７】
ノズル６２は、チャンバ内のプラズマ生成領域に向けてターゲット物質をターゲットとして出力してもよい。図３Ｂに示すように、ノズル６２には、リザーバ６１に貯蔵されたターゲット物質を出力するための貫通孔（オリフィス）が形成されていてもよい。また、ノズル６２は、ターゲット物質に電界を集中させるために、出力側の面から突き出た先端部を有してもよい。
【００３８】
ノズル６２には、引出電極６６を保持する電気絶縁部材６５が固定されてもよい。電気絶縁部材６５は、ノズル６２と引出電極６６との間を電気的に絶縁してもよい。引出電極６６は、ノズル６２のオリフィスからターゲット物質を引き出すために、ノズル６２の出口側の面に対向して配置されてもよい。電気絶縁部材６５及び引出電極６６の各々には、ターゲット２７を通過させるために一部に貫通孔が形成されていてもよい。
【００３９】
再び図３Ａを参照すると、圧力調節器５３は、必要に応じて、不活性ガスボンベ５４から供給される不活性ガスの圧力を調整して、ターゲット物質を加圧してもよい。ターゲット制御装置５２は、ＥＵＶ光生成制御装置５１（図２）から与えられるタイミングでターゲット２７が生成されるように、圧力調節器５３及びパルス電圧生成器５５を制御してもよい。
【００４０】
パルス電圧生成器５５の一方の出力端子に接続された配線は、リザーバ６１に設けられた気密端子（フィードスルー）を介して、ターゲット物質に接触しているリザーバ内電極６３に接続されていてもよい。また、パルス電圧生成器５５の他方の出力端子に接続された配線は、例えば、チャンバ２に設けられたフィードスルーを介して、引出電極６６に接続されていてもよい。パルス電圧生成器５５は、ターゲット制御装置５２の制御の下で、ターゲット物質に静電気力を作用させるための電圧信号を生成してもよい。これにより、ターゲット物質と基準電位との間に与える電圧信号Ｖ１、及び／又は、引出電極６６と基準電位との間に与える電圧信号Ｖ２が生成されてもよい。
【００４１】
例えば、パルス電圧生成器５５は、基準電位（０Ｖ）よりも高い電位Ｐ１を生成し、基準電位と電位Ｐ１との間でパルス状に変化する電圧信号を生成してもよい。その場合には、生成された電圧信号がリザーバ内電極６３を介してターゲット物質と基準電位との間に印加されると共に、基準電位が引出電極６６に与えられてもよい。
【００４２】
あるいは、パルス電圧生成器５５は、基準電位（０Ｖ）よりも高い電位Ｐ１と、電位Ｐ１よりも高い電位Ｐ２とを生成し、電位Ｐ１と電位Ｐ２との間でパルス状に変化する電圧信号を生成してもよい。その場合には、生成された電圧信号がリザーバ内電極６３を介してターゲット物質と基準電位との間に印加されると共に、電位Ｐ１が引出電極６６に与えられてもよい。
【００４３】
これにより、ターゲット物質の電位が電圧信号Ｖ１に従って変化し、引出電極６６の電位が電圧信号Ｖ２に従って一定電位に維持されてもよい。このため、ターゲット物質と引出電極６６との間に、電圧（Ｖ２−Ｖ１）が印加されてもよい。あるいは、リザーバ６１又はノズル６２が電気伝導性を有する材料で形成されている場合には、パルス電圧生成器５５は、リザーバ６１又はノズル６２と引出電極６６と間に電圧（Ｖ２−Ｖ１）が印加されてもよい。
【００４４】
一般に、ターゲットの直径、出力タイミング、帯電量を安定させて生成するためには、電極間に印加される電圧が安定していることが好ましい。ところが、チャンバ内にバッファガスやエッチングガスが存在すると、電極間の耐電圧（絶縁耐圧）が低くなり、絶縁破壊が発生し易くなる場合がある。絶縁破壊が発生すると、電極間に印加される所定の電圧を維持し難くなる場合がある。その結果、ターゲットの直径、出力タイミング、帯電量の内の少なくとも１つのパラメータが不安定となることがある。あるいは、ターゲットそのものが出力されなくなることもある。
【００４５】
図４は、放電が起こる電圧に関するパッシェンの法則を説明するための図である。一例として、電圧が印加される電極間に水素ガスが存在する場合について説明する。図４において、横軸は、水素ガスの圧力ｐ（Ｔｏｒｒ）と電極間の距離ｄ（ｃｍ）との積ｐｄ（Ｔｏｒｒ・ｃｍ）を表しており、縦軸は、放電が起こる電圧（絶縁破壊電圧）Ｖｂ（Ｖ）を表している。積ｐｄと絶縁破壊電圧Ｖｂとの関係は、電極の形状、材料やガスの種類によって異なるが、積ｐｄが１００（Ｔｏｒｒ・ｃｍ）となる周辺において、絶縁破壊電圧Ｖｂが最低値Ｖｂｍｉｎをとる。
【００４６】
火花放電は、電界によって放出されて加速された電子が、気体分子と衝突して気体を電離させることによって起こる。従って、気体が少なくなると衝突が起こり難くなり、逆に、気体が多くなると電子が衝突するまでに充分加速され難くなるので、絶縁破壊電圧Ｖｂが最低値Ｖｂｍｉｎとなる積（ｐｄ）ｍｉｎが存在する。
【００４７】
図４に示すパッシェン曲線（実線）において、図３Ａに示すリザーバ内電極６３と引出電極６６との間に印加される電圧の最大値を１０ｋＶとすると、ｐｄ＜０.１５、又は、ｐｄ＞４００の条件を満足させることによって、絶縁破壊（火花放電）を抑制することができると考えられる。例えば、ガス圧ｐが０．０７５Ｔｏｒｒ（１０Ｐａ）の場合に、上記条件を満たす距離ｄの範囲は、ｄ＜２ｃｍ、又は、ｄ＞５３３３ｃｍとなる。ここで、ｄ＞５３３３ｃｍである場合には、電位勾配が小さくなるので、ターゲットを引き出すことが難しい。一方、ｄ＜２ｃｍである場合には、ターゲットを引き出すことが可能であり、絶縁破壊（火花放電）も発生し難いと考えられる。
【００４８】
そこで、絶縁破壊を抑制しながら、ターゲットを引き出すために必要な電位勾配を形成するように、図３Ｂに示すノズル６２と引出電極６６との間の距離ｄを小さく設定するとよい。加えて、距離ｄは、ターゲットの直径Ｄｐよりも大きい方が望ましい。なお、パッシェン曲線は、電極の条件（平板と平板、球と球、陰極の材料）及びガスの条件（種類等）によって異なるので、ターゲット生成器２６におけるノズル６２及び引出電極６６の形状及び材料と、ガスの種類及び圧力とに従って、計測により距離ｄを決定してもよい。
【００４９】
距離ｄは、必ずしも図示する部位の寸法でなくともよく、例えば、ノズル６２の先端外縁部と引出電極６６の貫通孔縁部との間の最短距離であってもよい。ノズル６２や引出電極６６の形状によって電界が集中する部位が存在する場合には、電界シミュレーション等により最も絶縁耐圧が低い部位についての距離を距離ｄとしてもよい。なお、ガスの種類としては、例えば、溶融スズをターゲット物質とする場合には、スズをエッチングする性質を有する水素ガス（Ｈ２）を用いてもよい。
【００５０】
一方、例えば、引出電極６６を陰極とする場合に、引出電極６６の少なくとも表面を、電子を放出し難い材料で作製してもよい。これにより、図４に示すパッシェン曲線を、実線の特性から破線の特性にすることが可能であってもよい。仕事関数が高い材料は、電子を放出し難い性質を有するので、引出電極６６の材料として好ましい。なお、仕事関数とは、物質の表面から１個の電子を無限遠まで取り出すのに必要な最小エネルギーのことである。
【００５１】
図５は、各種の材料の仕事関数を示す図である。図５において、仕事関数の単位はエレクトロンボルト（ｅＶ）である。図５に示すように、セレン（Ｓｅ）、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、炭素（Ｃ）、コバルト（Ｃｏ）等は、仕事関数が比較的高い材料であり、引出電極６６及び／又は引出電極６６表面の材料として好ましい。従って、引出電極６６そのものを、仕事関数が高い材料で作製してもよい。あるいは、引出電極６６の表面に、仕事関数が高い材料をコートしてもよい。例えば、少なくともノズル６２に対向する引出電極６６の面の一部に、仕事関数が高い材料をコートしてもよい。
【００５２】
それに替えて、又は、それに加えて、図３Ｃに示すように、引出電極６６の表面に電気絶縁材料６６ａをコートしてもよい。電気絶縁材料６６ａは、引出電極６６とノズル６２の先端との間で絶縁破壊（火花放電）が発生する可能性のある部分、例えば、引出電極６６の少なくともノズル６２に対向する面の一部にコートしてもよい。引出電極６６の表面に電気絶縁材料６６ａをコートすることによって、引出電極６６の表面から電子を出力し難くすることができてもよい。その結果、電気絶縁材料６６ａをコートしない場合と比較して、絶縁破壊電圧Ｖｂを高くし、絶縁破壊を抑制することができてもよい。電気絶縁材料６６ａとしては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（Ｓｉ２Ｎ３）等の電気絶縁性の高いセラミック材料又はガラスを用いてもよい。
【００５３】
５．２ 動作
ターゲット生成器２６は、オンデマンドでターゲットを生成する装置であってもよい。ヒータ６４によって、スズ（Ｓｎ）が溶融する温度２３２℃以上の温度にリザーバ６１が加熱されてもよい。これにより、リザーバ６１の中にターゲット物質として溶融スズが貯蔵されるようにしてもよい。
【００５４】
また、図２に示すターゲット制御装置５２が、パルス電圧生成器５５にターゲット生成信号を出力してもよい。パルス電圧生成器５５は、ターゲット生成信号に従って、パルス状の電圧をターゲット物質と引出電極６６との間に印加してもよい。これによって、ターゲット物質と引出電極６６との間に静電気力が発生してもよい。静電気力により、ターゲット物質がノズル６２の先端部から引き出されて分断され、ドロップレットが生成されてもよい。生成されたドロップレットは帯電していてもよく、これをターゲットとしてもよい。ターゲットは静電気力により、引出電極６６の貫通孔を通過してもよい。引出電極６６を通過したターゲットは、ターゲット生成器２６から出力されてもよい。引出電極６６の貫通孔を通過したターゲットがプラズマ生成領域２５に到達すると、レーザ光の集光ビームがターゲットに照射されてもよい。これにより、ターゲット物質がプラズマ化してＥＵＶ光が生成されてもよい。
【００５５】
５．３ 作用
本実施形態によれば、引出電極６６の絶縁耐圧を高くすることにより、引出電極６６からの電子の放出を抑制して、絶縁破壊を抑制することができてもよい。その結果、引出電極６６に印加される電圧が安定し、ターゲットを安定して供給することが可能となってもよい。また、図２に示すチャンバ圧力制御部５６が、圧力センサ４８の検出値に基づいて、チャンバ２内のガスの圧力が所定の値となるようにガス供給装置４６及び排気装置４７を制御してもよい。その結果、ガスの圧力変動による絶縁破壊が抑制されて、ターゲット生成器２６から安定してターゲットが出力されてもよい。
【００５６】
６．ターゲット生成器の高耐圧化（ノズルが電気伝導性を有する場合）
図６Ａは、第２の実施形態におけるターゲット生成器の一部を拡大して示す拡大断面図である。図６Ｂは、第２の実施形態におけるターゲット生成器の変形例の一部を拡大して示す拡大断面図である。第２の実施形態においては、ノズル６２が電気伝導性を有してもよく、引出電極６７の中央部を周辺部よりもノズル６２に近接させるようにしてもよい。
【００５７】
ノズル６２は、モリブデン（Ｍｏ）等の金属材料で作製されてもよい。また、引出電極６７は、貫通孔の周囲の部分が周辺部よりもターゲットの進行方向上流側（図中上側）に位置するように、凸状の形状を有していてもよい。ターゲット径をＤｐとして、例えば、ガス圧ｐを１０Ｐａとした場合に、引出電極６７とノズル６２の先端との間の最小距離ｄが、Ｄｐ＜ｄ＜２ｃｍを満たすようにしてもよい。これにより、図４に示すパッシェン曲線（実線）において、絶縁破壊電圧Ｖｂを１０ｋＶ以上にすることができてもよい。また、引出電極６７の中央部を周辺部よりもノズル６２に近接させているので、引出電極６７とノズル６２との間の電界強度を保ったまま、引出電極６７とノズル６２との間に印加する電圧を低くすることが可能となってもよい。
【００５８】
なお、引出電極６７の一部に電界が集中することを防ぐために、引出電極６７のノズル６２に対向する開口周辺部分は、曲面形状を有することが望ましい。また、電気絶縁部材６５ａにおいて、ノズル６２と引出電極６７との間の空間に面する領域に複数の溝が形成されていてもよい。これにより、ノズル６２と引出電極６７との間に高電圧が印加される際に、電気絶縁部材６５ａの表面に沿った放電経路の長さが増加するので、沿面放電を抑制することができてもよい。
【００５９】
さらに、引出電極６７そのものを仕事関数が高い材料で作製してもよく、引出電極６７の表面に仕事関数が高い材料をコートしてもよい。これにより、引出電極６７の絶縁耐圧を高くすることができる。
【００６０】
それに替えて、又は、それに加えて、図６Ｂに示すように、引出電極６７の表面に電気絶縁材料６７ａをコートしてもよい。引出電極６７の表面に電気絶縁材料６７ａをコートすることによって、引出電極６７の表面から電子を出力し難くすることができてもよい。その結果、電気絶縁材料６７ａをコートしない場合と比較して、引出電極６７の絶縁耐圧を高くすることができてもよい。なお、図６Ａと同様に、ノズル６２と引出電極６７との間の空間に面する領域に複数の溝が形成されていてもよい。
【００６１】
電気絶縁材料６７ａは、引出電極６７とノズル６２の先端との間で絶縁破壊が発生する可能性のある部分、例えば、少なくとも引出電極６７のノズル６２に対向する面の一部にコートしてもよい。電気絶縁材料６７ａとしては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（Ｓｉ２Ｎ３）等の電気絶縁性の高いセラミック材料又はガラスを用いてもよい。その他の点に関しては、第１の実施形態と同様であってもよい。
【００６２】
７．ターゲット生成器の高耐圧化（ノズルが電気絶縁性を有する場合）
図７は、第３の実施形態におけるターゲット生成器の一部を拡大して示す拡大断面図である。第３の実施形態においては、ノズル６２ａが電気絶縁性を有しており、引出電極６６が、スペーサ６８を介してノズル６２ａに取り付けられていてもよい。なお、後述する図８Ａ、図８Ｂ、図１２Ａ、図１２Ｂ、及び、図１３においても、ノズルを絶縁体としてもよい。
【００６３】
ノズル６２ａは、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）又は合成石英（ＳｉＯ２）等の電気絶縁材料で作製されてもよい。また、スペーサ６８は、電気絶縁材料で作製されてもよい。スペーサ６８は、所定の厚みを有し、引出電極６６とノズル６２ａの先端との間の距離ｄを所定の値に調節するために用いられてもよい。ターゲット径をＤｐとして、例えば、ガス圧ｐを１０Ｐａとした場合に、引出電極６６と、ノズル６２ａの先端部に導かれたターゲット物質の表面との間の距離ｄが、Ｄｐ＜ｄ＜２ｃｍを満たすようにしてもよい。これにより、図４に示すパッシェン曲線（実線）において、ターゲット物質の表面と引出電極６６との間の絶縁破壊電圧Ｖｂを１０ｋＶ以上にすることができてもよい。
【００６４】
さらに、引出電極６６そのものを仕事関数が高い材料で作製するか、引出電極６６の表面に仕事関数が高い材料をコートすることにより、絶縁耐圧を高くすることができてもよい。それに替えて、又は、それに加えて、引出電極６６の表面に電気絶縁材料をコートすることにより、絶縁耐圧を高くすることができてもよい。その結果、絶縁破壊を抑制することができてもよい。
【００６５】
ノズル６２ａが電気絶縁材料で作製されている場合には、ターゲット物質と引出電極６６との間の沿面距離にノズル６２ａの出力側の面の一部を含めることができてもよい。これにより、沿面放電を抑制することができる。その他の点に関しては、第１の実施形態と同様であってもよい。
【００６６】
８．加速電極を有するターゲット生成器
８．１ 構成
図８Ａは、第４の実施形態におけるターゲット生成器及びその周辺部を示す一部断面図である。図８Ｂは、図８Ａに示すターゲット生成器の一部を拡大して示す拡大断面図である。第４の実施形態においては、図３Ａ及び図３Ｂに示すターゲット生成器に対して、加速電極６９が追加されていてもよい。
【００６７】
また、ターゲット物質にＤＣ（直流）電圧が印加され、引出電極６６に電圧信号が印加されてもよい。そのために、ターゲット物質にＤＣ電圧を印加するＤＣ高圧電源９５と、引出電極６６に電圧信号を印加するパルス電圧生成器９６とが設けられてもよい。
【００６８】
加速電極６９は、引出電極６６のターゲット進行方向下流側（図中下側）に配置されていてもよい。加速電極６９には、ターゲットが通過する貫通孔が形成されていてもよい。加速電極６９は、ノズル６２から出力されて引出電極６６の貫通孔を通過したターゲット２７に電界を作用させて加速するための電極であってもよい。加速電極６９は、ワイヤ等の導電性接続部材によって、基準電位（０Ｖ）に接続されてもよい。
【００６９】
リザーバ６１は、導電性を有するモリブデン（Ｍｏ）等の金属材料で作製され、電気絶縁性を有するフランジ８４を介してチャンバ２に設置されてもよい。また、ＤＣ高圧電源９５は、リザーバ６１を介してターゲット物質にＤＣ電圧を印加してもよい。その他の点に関しては、第１〜第３の実施形態と同様であってもよい。
【００７０】
図８Ｂは、ノズル６２に固定された電気絶縁部材６５によって保持された引出電極６６及び加速電極６９を示す。ここで、ノズル６２、引出電極６６、及び、加速電極６９の内の１つと他の１つとの間に絶縁破壊が発生しないようにするとよい。
【００７１】
そのためには、パッシェンの法則に従って、絶縁破壊が発生しない条件となるように、ガスの種類及び圧力、距離ｄ及び距離ｄ１〜ｄ２を設定してもよい。例えば、印加電圧が１０ｋＶであり、ガス圧が１０Ｐａである場合に、ターゲットの直径をＤｐとして、Ｄｐ＜ｄ＜２ｃｍ、及び、Ｄｐ＜ｄ１〜ｄ２＜２ｃｍの条件を満足するように、ノズル６２、引出電極６６、及び、加速電極６９を配置するようにしてもよい。なお、距離ｄ及び距離ｄ１〜ｄ２は、電界シミュレーション等により最も絶縁耐圧が低い部位間の距離としてもよい。
【００７２】
さらに、引出電極６６及び／又は加速電極６９そのものを、仕事関数が高い材料で作製してもよい。あるいは、引出電極６６及び／又は加速電極６９の表面に、仕事関数が高い材料をコートしてもよい。例えば、引出電極６６の少なくとも加速電極６９に対向する面の一部、及び、加速電極６９の少なくとも引出電極６６に対向する面の一部に、仕事関数が高い材料をコートしてもよい。好ましくは、引出電極６６又は加速電極６９の電界集中部表面に、仕事関数が高い材料をコートしてもよい。電界集中部は、電界シミュレーション等により特定しておくとよい。
【００７３】
それに替えて、又は、それに加えて、図８Ｂに示すように、引出電極６６又は加速電極６９の表面に、電気絶縁材料７１をコートしてもよい。例えば、引出電極６６の少なくとも加速電極６９に対向する面の一部、及び、加速電極６９の少なくとも引出電極６６に対向する面の一部に、電気絶縁材料７１をコートしてもよい。好ましくは、引出電極６６又は加速電極６９の電界集中部表面に、電気絶縁材料７１をコートしてもよい。電気絶縁材料７１としては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（Ｓｉ２Ｎ３）等の電気絶縁性の高いセラミック材料又はガラスを用いてもよい。
【００７４】
８．２ 動作
図９は、図８Ａに示すターゲット生成器の第１の動作例を説明するためのタイミングチャートである。図８Ａに示すＤＣ高圧電源９５及びパルス電圧生成器９６は、ターゲット物質と基準電位との間に与える電圧信号Ｖ１、引出電極６６と基準電位との間に与える電圧信号Ｖ２、及び、加速電極６９と基準電位との間に与える電圧信号を、例えば、以下のように制御してもよい。
【００７５】
ＤＣ高圧電源９５は、電圧信号Ｖ１を、基準電位（０Ｖ）に対して、基準電位（０Ｖ）よりも高い電位Ｐ２（例えば、１０ｋＶ）に維持し、電圧（Ｐ２−０Ｖ）としてもよい。また、パルス電圧生成器９６は、初期状態において、電圧信号Ｖ２を、基準電位（０Ｖ）に対して、基準電位（０Ｖ）よりも高く電位Ｐ２以下である電位Ｐ１に保持して、電圧（Ｐ１−０Ｖ）としてもよい。ターゲット物質を引き出す際に、パルス電圧生成器９６は、電圧信号Ｖ２を、基準電位（０Ｖ）に低下させてもよい。このとき、電圧（Ｐ２−Ｐ１）は、ターゲット物質を引き出すための閾値電圧よりも小さく、電圧（Ｐ２−０Ｖ）は、ターゲット物質を引き出すための閾値電圧以上であるとよい。これによって、ターゲット物質と引出電極６６との間の電圧（Ｖ１−Ｖ２）が、電圧（Ｐ２−Ｐ１）から電圧（Ｐ２−０Ｖ）となり、正に帯電したドロップレットがノズル６２から引き出されてターゲットが生成されてもよい。
【００７６】
ターゲットが引出電極６６の貫通孔を通過した後は、パルス電圧生成器９６は、引出電極６６の電圧信号Ｖ２を、再び、基準電位（０Ｖ）に対して電位Ｐ１だけ高い電圧（Ｐ１−０Ｖ）に戻してもよい。さらに、加速電極６９と基準電位との間に与える電圧信号を、チャンバ２の電位と同一の基準電位（０Ｖ）に維持してもよい。その結果、ターゲットが加速されてもよい。
【００７７】
図１０は、図８Ａに示すターゲット生成器の第２の動作例を説明するためのタイミングチャートである。図８Ａに示すＤＣ高圧電源９５及びパルス電圧生成器９６は、ターゲット物質と基準電位との間に与える電圧信号Ｖ１、引出電極６６と基準電位との間に与える電圧信号Ｖ２、及び、加速電極６９と基準電位との間に与える電圧信号を、例えば、以下のように制御してもよい。
【００７８】
ＤＣ高圧電源９５は、電圧信号Ｖ１を、基準電位（０Ｖ）に対して、基準電位（０Ｖ）よりも高い電位Ｐ２（例えば、１０ｋＶ）に維持して、電圧（Ｐ２−０Ｖ）としてもよい。また、パルス電圧生成器９６は、初期状態において、電圧信号Ｖ２を、基準電位（０Ｖ）に対して電位Ｐ２に保持し、電圧（Ｐ２−０Ｖ）としてもよい。ターゲット物資を引き出す際に、パルス電圧生成器９６は、電圧信号Ｖ２を、基準電位（０Ｖ）に対して、基準電位（０Ｖ）以上で電位Ｐ２よりも低い電位Ｐ１に低下させ、電圧（Ｐ１−０Ｖ）としてもよい。ただし、電圧（Ｐ２−Ｐ１）は、ターゲット物質を引き出すための閾値以上であるものとしてもよい。これによって、ターゲット物質と引出電極６６との間の電圧（Ｖ１−Ｖ２）が電圧（Ｐ２−Ｐ２）から（Ｐ２−Ｐ１）となり、正に帯電したドロップレットがノズル６２から引き出されてターゲットが生成されてもよい。
【００７９】
ターゲットが引出電極６６の貫通孔を通過した後は、パルス電圧生成器９６は、電圧信号Ｖ２を、再び、電位Ｐ２に戻してもよい。さらに、加速電極６９と基準電位との間に与える電圧信号を、チャンバ２の電位と同一の基準電位（０Ｖ）に維持してもよい。その結果、ターゲットが加速されてもよい。
【００８０】
９．電気絶縁部材の構造
以上の実施形態及び他の実施形態において、電気絶縁部材の構造として碍子構造を採用してもよい。
図１１Ａは、碍子構造を有する電気絶縁部材を用いるターゲット生成器の一部を拡大して示す拡大断面図である。図１１Ｂは、図１１Ａに示すターゲット生成器の一部の底面図である。図１１Ａに示すように、ノズル６２には、電気絶縁部材９８を介して引出電極６６が取り付けられ、さらに、電気絶縁部材９９を介して加速電極６９が取り付けられてもよい。
【００８１】
電気絶縁部材９８及び９９は、アルミナセラミックス等の電気絶縁材料で作製され、側面に複数の襞が設けられた円筒形状を有してもよい。これにより、ノズル６２と引出電極６６との間の絶縁耐圧、及び、引出電極６６と加速電極６９との間の絶縁耐圧を高めることができてもよい。電気絶縁部材９８及び９９における襞の数は、図１１Ｃに示すように２つ又は３つでもよいし、それ以外でもよい。また、引出電極６６及び加速電極６９に接続される配線は、絶縁耐圧を高めるために、テフロン被覆線９７としてもよい（「テフロン」は登録商標）。
【００８２】
図１１Ｂに示すように、加速電極６９は、ターゲットが通過する貫通孔が形成された円盤状の電極本体６９ａと、電極本体６９ａを支持する複数の支柱（ポール）６９ｂとを含んでもよい。電極本体６９ａ及び支柱６９ｂは、モリブデン（Ｍｏ）等の金属材料で作製されてもよい。引出電極６６の構造は、加速電極６９の構造と同様でもよい。
【００８３】
１０．加速電極及び偏向電極を有するターゲット生成器
１０．１ 構成
図１２Ａは、第５の実施形態におけるターゲット生成器及びその周辺部を示す一部断面図である。図１２Ｂは、図１２Ａに示すターゲット生成器の一部を拡大して示す拡大断面図である。第５の実施形態においては、図３Ａ及び図３Ｂに示すターゲット生成器に対して、加速電極６９及び複数の偏向電極７０が追加されている。
【００８４】
図１２Ａに示すように、ターゲット生成器２６の主要な構成要素は、遮蔽カバー８５と、遮蔽カバー８５に取り付けられた蓋８６とによって構成される遮蔽容器に封入されてもよい。遮蔽カバー８５は、少なくとも電気絶縁部材６５とプラズマ生成領域２５との間に配置され、ターゲット２７が通過する貫通孔が形成された遮蔽部材であってもよい。遮蔽カバー８５は、プラズマ生成領域２５において生成されるプラズマから放出される荷電粒子から電気絶縁部材６５等の電気的な絶縁物を遮蔽してもよい。
【００８５】
遮蔽カバー８５は、電気伝導性を有する材料（例えば、金属材料）を含むことにより電気伝導性を有し、ワイヤ等の導電性接続部材によって、又は、直接的に、チャンバ２の導電性構造部材（例えば、外壁）に電気的に接続されていてもよい。チャンバ２の導電性構造部材は、パルス電圧生成器５５の基準電位（０Ｖ）に電気的に接続されており、さらに、接地されるようにしてもよい。また、蓋８６の材料としては、例えば、ムライト等の電気絶縁材料を用いることができる。
【００８６】
ターゲット生成器２６において、引出電極６６のターゲット進行方向下流側（図中下側）に、加速電極６９が配置されていてもよい。また、引出電極６６のターゲット進行方向下流側に、複数の偏向電極７０が配置されていてもよい。複数の偏向電極７０は、加速電極６９の貫通孔を通過したターゲット２７に電界を作用させてその移動方向を偏向させてもよい。
【００８７】
パルス電圧生成器５５は、引出電極６６と基準電位との間に与える電圧信号Ｖ２を、基準電位（０Ｖ）に対して所定の電位Ｐ１（例えば、１０ｋＶ）に維持し、電圧（Ｐ１−０Ｖ）としてもよい。また、パルス電圧生成器５５は、初期状態において、ターゲット物質と基準電位との間に与える電圧信号Ｖ１を、基準電位（０Ｖ）に対して電位Ｐ１に保持し、電圧（Ｐ１−０Ｖ）としてもよい。ターゲット物質を引き出す際に、パルス電圧生成器５５は、電圧信号Ｖ１を、電位Ｐ１よりも高い電位Ｐ２（例えば、２０ｋＶ）に上昇させて、電圧（Ｐ２−０Ｖ）としてもよい。このとき、電圧（Ｐ２−Ｐ１）は、帯電ターゲットを引き出すための閾値以上であるとよい。これによって、ターゲット物質と引出電極６６との間の電圧（Ｖ１−Ｖ２）が閾値以上の正の電圧（Ｐ２−Ｐ１）となり、正に帯電したドロップレットがノズル６２から引き出されてターゲットが生成されてもよい。
【００８８】
その後、例えば、帯電ターゲットが引出電極６６の貫通孔を通過した後に、パルス電圧生成器５５は、電圧信号Ｖ１を、再び、基準電位（０Ｖ）に対して電位Ｐ１に戻し、電圧（Ｐ１−０Ｖ）としてもよい。さらに、加速電極６９と基準電位との間に与える電圧信号を、チャンバ２の電位と同一の基準電位（０Ｖ）に維持してもよい。その結果、ターゲットが加速されてもよい。ここで、電位Ｐ１及びＰ２は、次の関係を満たすとよい。
０（チャンバの電位）＜Ｐ１＜Ｐ２
【００８９】
図１２Ｂは、遮蔽カバー８５の内側において、ノズル６２に固定された電気絶縁部材６５によって保持された引出電極６６、加速電極６９、及び、複数の偏向電極７０を示す。ここで、ノズル６２、引出電極６６、加速電極６９、及び、偏向電極７０の内の１つと他の１つとの間に絶縁破壊が発生しないようにするとよい。
【００９０】
そのためには、パッシェンの法則に従って、絶縁破壊が発生しない条件となるように、ガスの種類及び圧力、距離ｄ、及び、距離ｄ１〜ｄ４を設定してもよい。例えば、印加電圧が１０ｋＶであり、ガス圧が１０Ｐａである場合に、ターゲットの直径をＤｐとして、Ｄｐ＜ｄ＜２ｃｍ、及び、Ｄｐ＜ｄ１〜ｄ４＜２ｃｍの条件を満足するように、ノズル６２、引出電極６６、加速電極６９、及び、偏向電極７０を配置するようにしてもよい。なお、距離ｄ及び距離ｄ１〜ｄ４は、電界シミュレーション等により最も絶縁耐圧が低い部位間の距離としてもよい。
【００９１】
さらに、引出電極６６、加速電極６９、及び、偏向電極７０の内の少なくとも１つを、仕事関数が高い材料で作製してもよい。あるいは、引出電極６６、加速電極６９、及び、偏向電極７０の内の少なくとも１つの表面に、仕事関数が高い材料をコートしてもよい。例えば、引出電極６６の少なくとも加速電極６９に対向する面の一部、及び、加速電極６９の少なくとも引出電極６６に対向する面の一部に、仕事関数が高い材料をコートしてもよい。又は、複数の偏向電極７０の少なくとも互いに対向する面の一部に、仕事関数が高い材料をコートしてもよい。好ましくは、引出電極６６、加速電極６９、及び、偏向電極７０の内の少なくとも１つの電界集中部表面に、仕事関数が高い材料をコートしてもよい。電界集中部は、電界シミュレーション等により特定しておくとよい。
【００９２】
それに替えて、又は、それに加えて、図１２Ｂに示すように、引出電極６６、加速電極６９、及び、偏向電極７０の内の少なくとも１つの表面に、電気絶縁材料７１をコートしてもよい。例えば、引出電極６６の少なくとも加速電極６９に対向する面の一部、及び、加速電極６９の少なくとも引出電極６６に対向する面の一部に、電気絶縁材料７１をコートしてもよい。又は、複数の偏向電極７０の少なくとも互いに対向する面の一部に、電気絶縁材料７１をコートしてもよい。好ましくは、引出電極６６、加速電極６９、及び、偏向電極７０の内の少なくとも１つの電界集中部表面に、電気絶縁材料７１をコートしてもよい。あるいは、遮蔽カバー８５の内面に、電気絶縁材料７１をコートしてもよい。電気絶縁材料７１としては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（Ｓｉ２Ｎ３）等の電気絶縁性の高いセラミック材料又はガラスを用いてもよい。
【００９３】
再び図１２Ａを参照すると、リザーバ６１は、蓋８６を介して遮蔽カバー８５に取り付けられていてもよい。リザーバ６１は、モリブデン（Ｍｏ）等の金属材料を含む電気伝導体、シリコンカーバイト（ＳｉＣ）等の半導体、又は、合成石英やアルミナ等の電気絶縁体で構成されてもよい。ノズル６２も、同様に、モリブデン（Ｍｏ）等の金属材料を含む電気伝導体、シリコンカーバイト（ＳｉＣ）等の半導体、又は、合成石英やアルミナ等の電気絶縁体で構成されてもよい。
【００９４】
ヒータ６４は、リザーバ６１の周りに取り付けられて、スズが溶融状態を維持するようにリザーバ６１を加熱してもよい。このように、リザーバ６４に貯蔵されるターゲット物質は、溶融スズのような液体であってもよい。また、ヒータ６４は、リザーバ６１の温度を検出するための温度センサ７２、ヒータ６４に加熱用の電流を供給するヒータ電源５８、及び、温度センサ７２によって検出された温度に基づいてヒータ電源５８を制御する温度制御器５９と共に用いられてもよい。
【００９５】
引出電極６６の配線及び偏向電極７０の配線は、蓋８６に設けられた中継端子９０ａを介して、パルス電圧生成器５５及び偏向電極電圧生成器５７にそれぞれ接続されてもよい。加速電極６９の配線は、遮蔽カバー８５に電気的に接続されてもよいし、図示しない配線及び中継端子９０ａを介して、パルス電圧生成器５５に接続されてもよい。なお、偏向電極電圧生成器５７は、ターゲット生成器２６の構成要素としてもよいし、ＥＵＶ光生成装置の構成要素としてもよい。
【００９６】
また、ターゲット物質に電圧を印加するリザーバ内電極６３の配線は、蓋８６に設けられた中継端子９０ｂを介して、パルス電圧生成器５５に接続されてもよい。加熱用のヒータ６４の配線及び温度センサ７２の配線は、蓋８６に設けられた中継端子９０ｃを介して、ヒータ電源５８及び温度制御器５９にそれぞれ接続されてもよい。
【００９７】
１０．２ 動作
ヒータ電源５８がヒータ６４に電流を流すことによって、リザーバ６１が加熱されてもよい。温度制御器５９は、温度センサ７２から出力される検出信号を受信し、ヒータ電源５８がヒータ６４に流す電流値を制御してもよい。リザーバ６１の温度は、スズ（Ｓｎ）の融点（２３２℃）以上に制御されてもよい。
【００９８】
ターゲット制御装置５２は、パルス電圧生成器５５にターゲット生成信号を出力してもよく。これにより、ノズル６２からターゲット物質が引き出されて、ターゲットとして引出電極６６の貫通孔を通過してもよい。引出電極６６の貫通孔を通過したターゲットは、基準電位（０Ｖ）が印加された加速電極６９によってさらに加速され、加速電極６９の貫通孔を通過してもよい。
【００９９】
加速電極６９の下流側には、ターゲットの軌道を偏向するために、例えば、２対の偏向電極７０が配置されていてもよい。ターゲットを偏向することが必要な場合には、ターゲット制御装置５２が、各対の偏向電極７０の電位差を制御する制御信号を偏向電極電圧生成器５７に出力してもよい。偏向電極電圧生成器５７は、各対の偏向電極７０に偏向電極電圧を出力してもよい。ターゲットの偏向は、ＥＵＶ光生成制御装置５１からの制御信号に基づいて行われてもよい。なお、ＥＵＶ光生成制御装置５１とターゲット制御装置５２との間では、種々の信号を送受信してもよい。
【０１００】
２対の偏向電極７０の間を通過したターゲットは、遮蔽カバー８５の貫通孔を通過してもよい。ターゲットがプラズマ生成領域２５に到達すると、レーザ光がターゲットに照射され、ターゲットがプラズマ化して、ＥＵＶ光が放射されてもよい。
【０１０１】
遮蔽容器には、遮蔽カバー８５を冷却する熱媒体を循環させるための配管８７が設けられていてもよい。その場合には、配管８７が継ぎ手８８を介してチラー８９に接続されて、熱媒体が冷却されながら循環するようにしてもよい。プラズマからの輻射熱や、イオン及び電子等の荷電粒子に曝される遮蔽カバー８５は、過熱しないように、チラー８９によって冷却された熱媒体が配管８７を循環することによって冷却されてもよい。その他の点に関しては、他の実施形態と同様であってもよい。
【０１０２】
１０．３ 作用
本実施形態によれば、引出電極６６、加速電極６９、及び、偏向電極７０の内の少なくとも１つの絶縁耐圧を高くすることにより、引出電極６６、加速電極６９、及び、偏向電極７０の内の少なくとも１つからの電子の放出を抑制して、絶縁破壊を抑制することができてもよい。その結果、ターゲット生成器２６から安定してターゲットが出力されてもよい。
【０１０３】
また、ターゲット物質を貯蔵するリザーバ６１及びターゲット物質を出力するノズル６２の周囲における電気的な絶縁物が、遮蔽容器によってカバーされてもよい。従って、遮蔽容器によって、電気的な絶縁物がイオンや電子等の荷電粒子に曝されることを抑制できてもよい。また、遮蔽容器の遮蔽カバー８５は、基準電位に接続されているのでイオンや電子等の荷電粒子によって帯電することを抑制できてもよい。それにより、ターゲットの軌道上における電位分布（電場）の変化が抑制されてもよい。その結果、帯電ターゲットの位置安定性が改善されてもよい。
【０１０４】
１１．コンティニュアスジェット方式のターゲット生成器
１１．１ 構成
図１３は、第６の実施形態におけるターゲット生成器及びその周辺部を示す一部断面図である。コンティニュアスジェット方式のターゲット生成器２６ａは、以下の点において静電引出し型のターゲット生成器２６（図２等）と異なっていてもよい。
【０１０５】
図１３に示すように、ターゲット生成器２６ａのノズル６２の先端部の近傍に、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛：Pb(lead) zirconate titanate）等を含む圧電素子を用いた振動子７３が設置されていてもよい。振動子７３は、駆動信号に従って、所定周期の振動をノズル６２に加えてもよい。また、ノズル６２のターゲット進行方向下流側（図中下側）に、帯電電極７５が設置されていてもい。帯電電極７５は、ターゲット物質のジェットの先端部がターゲットに分離するときにターゲットを帯電させてもよい。
【０１０６】
ターゲット生成器２６ａは、リザーバ６１と、ノズル６２と、振動子７３と、電気絶縁部材７４と、帯電電極７５と、加速電極７６と、遮蔽板７７とを含んでもよい。ノズル６２に固定された電気絶縁部材７４は、帯電電極７５、加速電極７６、及び、遮蔽板７７を保持してもよい。電気絶縁部材７４〜遮蔽板７７の各々は、その一部にターゲット物質を通過させる貫通孔が形成されていてもよい。
【０１０７】
振動子駆動回路７８は、振動子７３に駆動信号を供給し、電極電源７９は、帯電電極７５及び加速電極７６に所定の電位を与えてもよい。なお、電極電源７９は、ターゲット生成器２６ａの構成要素としてもよいし、ＥＵＶ光生成装置の構成要素としてもよい。遮蔽板７７は、電気伝導性を有する材料を含み、導電性ワイヤ等の接続部材によって、チャンバ２の導電性構造部材（例えば、チャンバ２の外壁）に電気的に接続されてもよい。
【０１０８】
例えば、ターゲット物質（もしくはノズル６２）及び加速電極７６に基準電位（０Ｖ）を与え、帯電電極７５に正又は負の電位を与えてもよい。帯電電極７５に正の電位を与える場合には、ノズル６２及び加速電極７６が陰極となってよい。一方、帯電電極７５に負の電位を与える場合には、帯電電極７５が陰極となってよい。ここで、ノズル６２と帯電電極７５との間、及び、帯電電極７５と加速電極７６との間に絶縁破壊が発生しないようにするとよい。
【０１０９】
そのためには、パッシェンの法則に従って、絶縁破壊が発生しない条件となるように、ガスの種類及び圧力、ノズル６２と帯電電極７５と間の図示しない距離ｄ５、及び、帯電電極７５と加速電極７６と間の図示しない距離ｄ６を設定してもよい。例えば、印加電圧が１０ｋＶであり、ガス圧が１０Ｐａである場合に、ターゲットの直径をＤｐとして、Ｄｐ＜ｄ５＜２ｃｍ、及び、Ｄｐ＜ｄ６＜２ｃｍの条件を満足するように、ノズル６２、帯電電極７５、及び、加速電極７６を配置するようにしてもよい。なお、距離ｄ５及び距離ｄ６は、電界シミュレーション等により最も絶縁耐圧が低い部位間の距離としてもよい。
【０１１０】
さらに、電極そのものを、仕事関数が高い材料で作製してもよい。あるいは、電極の表面に、仕事関数が高い材料をコートしてもよい。例えば、帯電電極７５の少なくともノズル６２に対向する面の一部、又は、帯電電極７５の少なくとも加速電極７６に対向する面の一部に、仕事関数が高い材料をコートしてもよい。好ましくは、帯電電極７５及びノズル６２の電界集中部表面に、仕事関数が高い材料をコートしてもよい。
【０１１１】
それに替えて、又は、それに加えて、電極の表面に電気絶縁材料をコートしてもよい。例えば、帯電電極７５の少なくともノズル６２に対向する面の一部、又は、帯電電極７５の少なくとも加速電極７６に対向する面の一部に、電気絶縁材料をコートしてもよい。好ましくは、帯電電極７５及びノズル６２の電界集中部表面に、電気絶縁材料をコートしてもよい。電気絶縁材料としては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（Ｓｉ２Ｎ３）等の電気絶縁性の高いセラミック材料又はガラスを用いてもよい。
【０１１２】
１１．２ 動作
ターゲット制御装置５２が圧力調整器５３に加圧信号を出力すると、圧力調整器５３は不活性ガスボンベ５４から不活性ガスを所定圧でリザーバ６１内に供給してもよい。その結果、ノズル６２からターゲット物質のジェットが出力されてもよい。振動子７３がノズル６２を振動させると、ターゲット物質のジェットの先端部が周期的に分断されてドロップレットが生成されてもよい。帯電電極７５は、ターゲット物質のジェットがドロップレットに分断される位置に配置されていてもよい。帯電電極７５がドロップレットに電界を作用させることによって、ドロップレットが帯電してターゲットとなってもよい。
【０１１３】
ここで、帯電電極７５の電位をターゲット物質の電位よりも低い電位に維持する場合には、ターゲットが正に帯電してもよい。一方、帯電電極７５の電位をターゲット物質の電位よりも高い電位に維持する場合には、ターゲットが負に帯電してもよい。さらに、電極電源７９が、加速電極６９に所定の電位（例えば、基準電位（０Ｖ））を与えることによって、ターゲットを加速してもよい。ターゲットは、遮蔽板７７の貫通孔を通過して、プラズマ生成領域２５に到達してもよい。その他の点に関しては、他の実施形態と同様であってもよい。
【０１１４】
１１．３ 作用
本実施形態によれば、ノズル６２、帯電電極７５、又は、加速電極７６の材料を選定することにより、ノズル６２、帯電電極７５、又は、加速電極７６からの電子の放出を抑制して、絶縁破壊を抑制することができてもよい。その結果、ターゲット生成器２６ａから安定してターゲットが出力されてもよい。
【０１１５】
１２．偏向電極によるターゲットの方向制御
図１４は、偏向電極によるターゲットの方向制御を説明するための図である。ここでは、Ｚ軸方向に移動しているターゲットの移動方向を、偏向電極として一対の対向する平板電極を用いて、Ｘ軸方向の電界によって偏向させる場合について説明する。
【０１１６】
電荷Ｑを有するターゲットは、電界Ｅによって、次式で表されるクーロン力Ｆを電界方向に受ける。
Ｆ＝ＱＥ
ここで、電界Ｅは、平板電極７０ａに与えられる電位Ｐａと平板電極７０ｂに与えられる電位Ｐｂとの間の電位差（Ｐａ−Ｐｂ）と、それらの電極間のギャップ長Ｇとによって、次式で表される。
Ｅ＝（Ｐａ−Ｐｂ）／Ｇ
【０１１７】
ターゲットが初速度Ｖ０で電界中に入射すると、進行方向に直交する方向にクーロン力Ｆを受けることによって、ターゲットの進行方向が偏向する。ターゲットは、Ｚ軸方向速度成分Ｖｚ（Ｖｚ＝Ｖ０）でＺ軸方向に移動しながら、クーロン力ＦによってＸ軸方向に加速される。
Ｆ＝ｍａ （ｍ：ターゲットの質量、ａ：加速度）
このクーロン力は、電界中を移動している間中受け続ける。
【０１１８】
ターゲットが電界から脱出するときの速度Ｖは、Ｚ軸方向速度成分ＶｚとＸ軸方向速度成分Ｖｘとによって、次式で表される。
Ｖ＝（Ｖｚ２＋Ｖｘ２）１／２
このように、電位差（Ｐａ−Ｐｂ）を与えてターゲット軌道の一部に電界を作用させることによって、ターゲットの進行方向を偏向させることができる。また、電位差（Ｐａ−Ｐｂ）を調節することによって、偏向量を制御することが可能である。電界から脱出したターゲットは、速度Ｖで移動して、レーザ光が照射されるレーザ光軸上の位置に到達するように制御できる。同様に、Ｙ軸方向に関しても、Ｙ軸方向に一対の対向する平板電極を配置することによって、ターゲットの進行方向を制御することが可能である。
【０１１９】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【０１２０】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【０１２１】
１…ＥＵＶ光生成装置、１１…ＥＵＶ光生成システム、２…チャンバ、２１…ウインドウ、２２…レーザ光集光ミラー、２２１…軸外放物面ミラー、２２２…平面ミラー、２２ａ…レーザ光集光光学系、２３…ＥＵＶ集光ミラー、２４…貫通孔、２５…プラズマ生成領域、２５１、２５２…ＥＵＶ光、２６、２６ａ…ターゲット生成器、２７…ターゲット、２８…ターゲット回収器、２９…接続部、２９１…壁、２９２…中間集光点、３…レーザシステム、３１〜３３…レーザ光、３４…レーザ光進行方向制御装置、３４１、３４２…高反射ミラー、３４ａ…ビームデリバリーシステム、４…ターゲットセンサ、４１…ＥＵＶ集光ミラーホルダ、４２、４３…プレート、４４…レーザダンパ、４５…レーザダンパ支持部材、４６…ガス供給装置、４７…排気装置、４８…圧力センサ、５…ＥＵＶ光生成制御システム、５１…ＥＵＶ光生成制御装置、５２…ターゲット制御装置、５３…圧力調節器、５４…不活性ガスボンベ、５５…パルス電圧生成器、５６…チャンバ圧力制御部、５７…偏向電極電圧生成器、５８…ヒータ電源、５９…温度制御器、６…露光装置、６１…リザーバ、６２、６２ａ…ノズル、６３…リザーバ内電極、６４…ヒータ、６５、６５ａ、９８、９９…電気絶縁部材、６６、６７…引出電極、６６ａ、６７ａ…電気絶縁材料、６８…スペーサ、６９…加速電極、６９ａ…電極本体、６９ｂ…支柱、７０…偏向電極、７０ａ、７０ｂ…平板電極、７１…電気絶縁材料、７２…温度センサ、７３…振動子、７４…電気絶縁部材、７５…帯電電極、７６…加速電極、７７…遮蔽板、７８…振動子駆動回路、７９…電極電源、８５…遮蔽カバー、８６…蓋、８７…配管、８９…チラー、８８…継ぎ手、９０ａ、９０ｂ、９０ｃ…中継端子、９５…ＤＣ高圧電源、９６…パルス電圧生成器、９７…テフロン被覆線、
【技術分野】
【０００１】
本開示は、極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するために、レーザ光が照射されるターゲットを供給する装置に関する。さらに、本開示は、そのようなターゲット供給装置を用いてＥＵＶ光を生成するための装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を生成する極端紫外光生成装置と縮小投影反射光学系（reduced projection reflective optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
極端紫外光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ励起プラズマ）式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第７０６７８３２号明細書
【概要】
【０００５】
本開示の第１の観点に係るターゲット供給装置は、ターゲット物質を供給するターゲット供給装置であって、少なくともターゲット物質を内部に貯蔵するターゲット貯蔵部と、ターゲット貯蔵部に貯蔵されたターゲット物質を出力するための貫通孔が形成されたターゲット出力部と、ターゲット出力部に対向して配置され、ターゲット出力部から出力されるターゲット物質が通過する貫通孔が形成された電極であって、少なくともターゲット出力部に対向する面の一部に電気絶縁材料がコートされた電極と、少なくともターゲット物質と電極との間に電圧を印加する電圧生成器とを備えてもよい。
【０００６】
本開示の第２の観点に係るターゲット供給装置は、ターゲット物質を供給するターゲット供給装置であって、少なくともターゲット物質を内部に貯蔵するターゲット貯蔵部と、ターゲット貯蔵部に貯蔵されたターゲット物質を出力するための貫通孔が形成されたターゲット出力部と、ターゲット出力部に対向して配置され、ターゲット出力部から出力されるターゲット物質が通過する貫通孔が形成された電極であって、セレン（Ｓｅ）、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、炭素（Ｃ）、及び、コバルト（Ｃｏ）の内の少なくとも１つを含む電極と、少なくともターゲット物質と電極との間に電圧を印加する電圧生成器とを備えてもよい。
【０００７】
また、本開示の第１の観点に係る極端紫外光生成装置は、レーザ装置から出力されるレーザ光をターゲット物質に照射してターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置であって、少なくともターゲット物質を内部に貯蔵するターゲット貯蔵部と、ターゲット貯蔵部に貯蔵されたターゲット物質を出力するための貫通孔が形成されたターゲット出力部と、ターゲット出力部に対向して配置され、ターゲット出力部から出力されるターゲット物質が通過する貫通孔が形成された電極であって、少なくともターゲット出力部に対向する面の一部に電気絶縁材料がコートされた電極と、少なくともターゲット物質と電極との間に電圧を印加する電圧生成器と、電極の貫通孔を通過したターゲット物質に照射されるレーザ光を導入する貫通孔が形成されたチャンバとを備えてもよい。
【０００８】
本開示の第２の観点に係る極端紫外光生成装置は、レーザ装置から出力されるレーザ光をターゲット物質に照射してターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置であって、少なくともターゲット物質を内部に貯蔵するターゲット貯蔵部と、ターゲット貯蔵部に貯蔵されたターゲット物質を出力するための貫通孔が形成されたターゲット出力部と、ターゲット出力部に対向して配置され、ターゲット出力部から出力されるターゲット物質が通過する貫通孔が形成された電極であって、セレン（Ｓｅ）、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、炭素（Ｃ）、及び、コバルト（Ｃｏ）の内の少なくとも１つを含む電極と、少なくともターゲット物質と電極との間に電圧を印加する電圧生成器と、電極の貫通孔を通過したターゲット物質に照射されるレーザ光を導入する貫通孔が形成されたチャンバとを備えてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置の概略構成を示す図である。
【図２】図２は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を示す一部断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、図２に示すターゲット生成器及びその周辺部を示す一部断面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、図３Ａに示すターゲット生成器の一部を拡大して示す拡大断面図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、図３Ａに示すターゲット生成器の変形例の一部を拡大して示す拡大断面図である。
【図４】図４は、放電が起こる電圧に関するパッシェンの法則を説明するための図である。
【図５】図５は、各種の材料の仕事関数を示す図である。
【図６Ａ】図６Ａは、第２の実施形態におけるターゲット生成器の一部を拡大して示す拡大断面図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、第２の実施形態におけるターゲット生成器の変形例の一部を拡大して示す拡大断面図である。
【図７】図７は、第３の実施形態におけるターゲット生成器の一部を拡大して示す拡大断面図である。
【図８Ａ】図８Ａは、第４の実施形態におけるターゲット生成器及びその周辺部を示す一部断面図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、図８Ａに示すターゲット生成器の一部を拡大して示す拡大断面図である。
【図９】図９は、図８Ａに示すターゲット生成器の第１の動作例を説明するためのタイミングチャートである。
【図１０】図１０は、図８Ａに示すターゲット生成器の第２の動作例を説明するためのタイミングチャートである。
【図１１Ａ】図１１Ａは、碍子構造を有する電気絶縁部材を用いるターゲット生成器の一部を拡大して示す拡大断面図である。
【図１１Ｂ】図１１Ｂは、図１１Ａに示すターゲット生成器の一部の底面図である。
【図１１Ｃ】図１１Ｃは、図１１Ａに示す電気絶縁部材の碍子構造のバリエーションを示す断面図である。
【図１２Ａ】図１２Ａは、第５の実施形態におけるターゲット生成器及びその周辺部を示す一部断面図である。
【図１２Ｂ】図１２Ｂは、図１２Ａに示すターゲット生成器の一部を拡大して示す拡大断面図である。
【図１３】図１３は、第６の実施形態におけるターゲット生成器及びその周辺部を示す一部断面図である。
【図１４】図１４は、偏向電極によるターゲットの方向制御を説明するための図である。
【実施形態】
【００１０】
＜内容＞
１．概要
２．用語の説明
３．極端紫外光生成装置の全体説明
３．１ 構成
３．２ 動作
４．静電引出し型のターゲット生成器が搭載されたチャンバ
４．１ 構成
４．２ 動作
５．静電引出し型のターゲット生成器
５．１ 構成
５．２ 動作
５．３ 作用
６．ターゲット生成器の高耐圧化（ノズルが電気伝導性を有する場合）
７．ターゲット生成器の高耐圧化（ノズルが電気絶縁性を有する場合）
８．加速電極を有するターゲット生成器
８．１ 構成
８．２ 動作
９．電気絶縁部材の構造
１０．加速電極及び偏向電極を有するターゲット生成器
１０．１ 構成
１０．２ 動作
１０．３ 作用
１１．コンティニュアスジェット方式のターゲット生成器
１１．１ 構成
１１．２ 動作
１１．３ 作用
１２．偏向電極によるターゲットの方向制御
【００１１】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示の一例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【００１２】
１．概要
ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置においては、ターゲット供給装置が、ターゲットをチャンバ内のプラズマ生成領域に供給する。ターゲットがプラズマ生成領域に到達した時にレーザ光がターゲットに照射され、ターゲット物質がプラズマ化することによって、ＥＵＶ光が生成される。ターゲットをプラズマ生成領域に安定して供給するためには、ターゲット物質とターゲット供給装置に設けられた電極との間に高電圧を印加することにより帯電ターゲットを生成して、帯電ターゲットの軌道を制御する必要がある。
【００１３】
しかしながら、チャンバ内にガスが存在する場合に、ターゲット物質と電極との間に耐電圧を超える高い電圧が印加されると、絶縁破壊（火花放電）が発生する。絶縁破壊が発生すると、チャンバ内の絶縁が破壊されてリーク電流が流れるようになり、ターゲット物質と電極との間の電圧が安定しなくなる。その結果、ターゲットに与えられる電荷が変動して、帯電ターゲットをプラズマ生成領域に安定して供給できなくなる。
【００１４】
本開示の１つの観点によれば、ターゲットを供給するターゲット供給装置において、ガス圧とターゲット物質〜電極間距離との積が絶縁破壊電圧に及ぼす影響を考慮しながら、ターゲットを引き出すために必要な電位勾配を形成するように、例えば、ターゲット物質を出力するノズルと電極との間の距離等が所定の範囲に設定される。本開示の別の観点によれば、ターゲットの軌道の周囲に配置される電極の少なくとも表面の材料として、セレン（Ｓｅ）又は白金（Ｐｔ）等の貴金属が用いられる。本開示のさらに別の観点によれば、ターゲットの軌道の周囲に配置される電極の表面の少なくとも一部に電気絶縁材料がコートされる。これにより、電極からの電子の放出が抑制されるので、絶縁破壊電圧を高くすることができる。その結果、絶縁破壊を抑制することができる。
【００１５】
２．用語の説明
本願において使用される幾つかの用語を以下に説明する。「チャンバ」は、ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置において、プラズマの生成が行われる空間を外部から隔絶するための容器である。「ターゲット供給装置」は、ＥＵＶ光を生成するために用いられる溶融スズ等のターゲット物質をターゲットとしてチャンバ内に供給する装置である。ターゲットは、ドロップレットの形態であってもよい。「ＥＵＶ集光ミラー」は、プラズマから放射されるＥＵＶ光を反射してチャンバ外に出力するためのミラーである。「デブリ」は、チャンバ内に供給されたターゲット物質のうちプラズマ化されなかった中性粒子及びプラズマから放出される荷電粒子を含み、ＥＵＶ集光ミラー等の光学素子を汚染又は損傷する原因となる物質である。
【００１６】
３．極端紫外光生成装置の全体説明
３．１ 構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置（極端紫外光生成装置）１の概略構成を示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザシステム３と共に用いてもよい。以下においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザシステム３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム（極端紫外光生成システム）１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。また、ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲット供給装置（例えば、ターゲット生成器２６）をさらに含んでもよい。ターゲット供給装置は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられていてもよい。ターゲット供給装置から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
【００１７】
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられていてもよく、ウインドウ２１をレーザシステム３から出力され進行方向制御装置３４を経たレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１の焦点及び第２の焦点を有する。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点が、プラズマ発生位置又はその近傍（プラズマ生成領域２５）に位置し、その第２の焦点が、外部装置（例えば、露光装置６）の仕様によって規定される所定の集光位置（中間集光点（ＩＦ）２９２）に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には、レーザ光３３が通過することができる貫通孔２４が設けられていてもよい。
【００１８】
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御システム５を含んでもよい。また、ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲットセンサ４を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、ターゲットの存在、軌道、位置の内の少なくとも１つを検出してもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有していてもよい。
【００１９】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通する接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ（aperture）が形成された壁２９１を設けてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
【００２０】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御装置３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するターゲット回収器２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御装置３４は、レーザ光の進行方向を制御するために、レーザ光の進行方向を規定する光学素子と、この光学素子の位置又は姿勢を調整するための振動子とを備えてもよい。
【００２１】
３．２ 動作
図１を参照すると、レーザシステム３から出力されたレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御装置３４を経て、レーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。レーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、レーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。レーザ光集光ミラー２２は、レーザ光の集光位置を規定する光学素子と、この光学素子の位置または姿勢を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
【００２２】
ターゲット生成器２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力してもよい。ターゲット２７には、レーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。レーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１が放射されてもよい。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射され集光されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２を通って露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、レーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
【００２３】
ＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理してもよい。また、ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、ターゲット２７を出力するタイミングの制御及びターゲット２７の出力方向の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。さらに、ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、レーザシステム３によるレーザ発振タイミングの制御、進行方向制御装置３４によるレーザ光３２の進行方向の制御、及び、レーザ光集光ミラー２２によるレーザ光３３の集光位置の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御を追加することもできる。
【００２４】
４．静電引出し型のターゲット生成器が搭載されたチャンバ
４．１ 構成
図２は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を示す一部断面図である。図２に示すように、チャンバ２の内部には、レーザ光集光光学系２２ａと、ＥＵＶ集光ミラー２３と、ターゲット回収器２８と、ＥＵＶ集光ミラーホルダ４１と、プレート４２及び４３と、レーザダンパ４４と、レーザダンパ支持部材４５とが設けられてもよい。
【００２５】
チャンバ２は、電気伝導率が高い材料（例えば、金属材料）からなり電気伝導性を有する構造部材（導電性構造部材）を含んでいてもよい。さらに、チャンバ２は、電気絶縁性を有する構造部材を含んでもよい。その場合には、例えば、チャンバ２の外壁が導電性構造部材で構成され、外壁の内側に電気絶縁性を有する構造部材が配置されるようにしてもよい。チャンバ２には、プレート４２が固定され、プレート４２には、プレート４３が固定されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、ＥＵＶ集光ミラーホルダ４１を介してプレート４２に固定されてもよい。
【００２６】
レーザ光集光光学系２２ａは、軸外放物面ミラー２２１と、平面ミラー２２２と、それらのミラーのホルダとを含んでもよい。軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２は、レーザ光がプラズマ生成領域２５に集光するように、それぞれのホルダを介してプレート４３に固定されてもよい。軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２の設置位置及び角度は、レーザ光がプラズマ生成領域２５に集光するように調節されてもよい。レーザダンパ４４は、レーザダンパ支持部材４５を介してチャンバ２に固定され、レーザ光の光路上に設置されてもよい。ターゲット回収器２８は、プラズマ生成領域２５のターゲット進行方向下流側（図中下側）において、ターゲットの軌道上に設置されてもよい。
【００２７】
チャンバ２には、ウインドウ２１と、静電引出し型のターゲット生成器２６とが取り付けられてもよい。ターゲット生成器２６の詳細については後で説明する。ターゲット物質としては、導電性を有する液体金属等が用いられてもよいが、各実施形態においては、融点が２３２℃であるスズ（Ｓｎ）が用いられる場合を一例として説明する。また、チャンバ２には、ガス供給装置４６と、排気装置４７と、圧力センサ４８とが接続されてもよい。
【００２８】
チャンバ２の外部には、ビームデリバリーシステム３４ａと、ＥＵＶ光生成制御システム５とが設けられてもよい。ビームデリバリーシステム３４ａは、高反射ミラー３４１及び３４２と、それらのミラーのホルダ（図示せず）と、ホルダが配置される筐体（図示せず）とを含んでもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光生成制御装置５１と、ターゲット制御装置５２と、圧力調節器５３と、不活性ガスボンベ５４と、パルス電圧生成器５５と、チャンバ圧力制御部５６とを含んでもよい。なお、パルス電圧生成器５５は、ターゲット生成器２６の構成要素としてもよい。また、チャンバ圧力制御部５６は、ガス供給装置４６と、排気装置４７と、圧力センサ４８とに、信号ラインを介して接続されてもよい。
【００２９】
４．２ 動作
チャンバ２内には、ターゲット物質にレーザ光を照射した際に生成するデブリがＥＵＶ集光ミラー２３に付着する量を減らすためのバッファガスや、ＥＵＶ集光ミラー２３等に付着したデブリをエッチングするためのエッチングガスが導入されてもよい。バッファガスとしては、例えば、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、ヘリウム（Ｈｅ）等が用いられる。また、エッチングガスとしては、例えば、水素（Ｈ２）、臭化水素（ＨＢｒ）、塩化水素（ＨＣｌ）等が用いられる。なお、エッチングガスは、バッファガスとして機能する場合もある。
【００３０】
ガス供給装置４６は、例えば、水素ガスをＥＵＶ集光ミラー２３の反射面に沿って流してもよい。その場合には、次式の反応によって、ＥＵＶ集光ミラー２３の表面に付着したスズ（Ｓｎ）をエッチングすることができる。
Ｓｎ（固体）＋２Ｈ２（気体）→ＳｎＨ４（気体）
【００３１】
一方、排気装置４７は、水素（Ｈ２）及び水素化スズ（ＳｎＨ４）を排気してもよい。チャンバ圧力制御部５６は、圧力センサ４８から出力される検出信号に基づいてガス供給装置４６及び排気装置４７を制御することにより、バッファガス及び／又はエッチングガスのガス圧を所定の値に保つ。
【００３２】
ターゲット生成器２６は、ターゲット物質からなる帯電したドロップレットをターゲットとして生成し、生成されたターゲットをチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に供給してもよい。また、レーザシステム３から出力されるレーザ光は、ビームデリバリーシステム３４ａの高反射ミラー３４１及び３４２によって反射されて、ウインドウ２１を介してレーザ光集光光学系２２ａに入射してもよい。レーザ光集光光学系２２ａに入射したレーザ光は、軸外放物面ミラー２２１によって集光され、平面ミラー２２２によって集光ビームとして反射されてもよい。
【００３３】
ＥＵＶ光生成制御装置５１は、ターゲット制御装置５２にターゲット出力信号を出力し、レーザシステム３にレーザ光出力信号を出力してもよい。これにより、ターゲット生成器２６から出力されたターゲットがプラズマ生成領域２５に到達すると、レーザ光の集光ビームがターゲットに照射され、ターゲット物質がプラズマ化して、ＥＵＶ光が生成される。生成されたＥＵＶ光は、ＥＵＶ集光ミラー２３によってＩＦ（中間集光点）２９２に集光され、露光装置に入射されてもよい。
【００３４】
５．静電引出し型のターゲット生成器
５．１ 構成
図３Ａは、図２に示すターゲット生成器及びその周辺部を示す一部断面図である。図３Ｂは、図３Ａに示すターゲット生成器の一部を拡大して示す拡大断面図である。図３Ｃは、図３Ａに示すターゲット生成器の変形例の一部を拡大して示す拡大断面図である。
【００３５】
図３Ａに示すように、ターゲット生成器２６は、リザーバ（ターゲット貯蔵部）６１と、ノズル（ターゲット出力部）６２と、リザーバ内電極６３と、ヒータ６４と、電気絶縁部材６５と、引出電極６６とを含んでもよい。リザーバ６１及びノズル６２は、一体的に形成されてもよいし、別個に形成されてもよい。
【００３６】
リザーバ６１は、合成石英又はアルミナ等の電気絶縁体であってもよい。リザーバ６１は、ターゲット物質である溶融したスズを内部に貯蔵してノズル６２に供給してもよい。ヒータ６４は、リザーバ６１の周りに取り付けられて、スズが溶融状態を維持するようにリザーバ６１を加熱してもよい。このように、リザーバ６１に貯蔵されるターゲット物質は、液体であってもよい。また、ヒータ６４は、リザーバ６１の温度を検出するための図示しない温度センサ、ヒータ６４に加熱用の電流を供給するヒータ電源、及び、温度センサによって検出された温度に基づいてヒータ電源を制御する温度制御器と共に用いられてもよい。
【００３７】
ノズル６２は、チャンバ内のプラズマ生成領域に向けてターゲット物質をターゲットとして出力してもよい。図３Ｂに示すように、ノズル６２には、リザーバ６１に貯蔵されたターゲット物質を出力するための貫通孔（オリフィス）が形成されていてもよい。また、ノズル６２は、ターゲット物質に電界を集中させるために、出力側の面から突き出た先端部を有してもよい。
【００３８】
ノズル６２には、引出電極６６を保持する電気絶縁部材６５が固定されてもよい。電気絶縁部材６５は、ノズル６２と引出電極６６との間を電気的に絶縁してもよい。引出電極６６は、ノズル６２のオリフィスからターゲット物質を引き出すために、ノズル６２の出口側の面に対向して配置されてもよい。電気絶縁部材６５及び引出電極６６の各々には、ターゲット２７を通過させるために一部に貫通孔が形成されていてもよい。
【００３９】
再び図３Ａを参照すると、圧力調節器５３は、必要に応じて、不活性ガスボンベ５４から供給される不活性ガスの圧力を調整して、ターゲット物質を加圧してもよい。ターゲット制御装置５２は、ＥＵＶ光生成制御装置５１（図２）から与えられるタイミングでターゲット２７が生成されるように、圧力調節器５３及びパルス電圧生成器５５を制御してもよい。
【００４０】
パルス電圧生成器５５の一方の出力端子に接続された配線は、リザーバ６１に設けられた気密端子（フィードスルー）を介して、ターゲット物質に接触しているリザーバ内電極６３に接続されていてもよい。また、パルス電圧生成器５５の他方の出力端子に接続された配線は、例えば、チャンバ２に設けられたフィードスルーを介して、引出電極６６に接続されていてもよい。パルス電圧生成器５５は、ターゲット制御装置５２の制御の下で、ターゲット物質に静電気力を作用させるための電圧信号を生成してもよい。これにより、ターゲット物質と基準電位との間に与える電圧信号Ｖ１、及び／又は、引出電極６６と基準電位との間に与える電圧信号Ｖ２が生成されてもよい。
【００４１】
例えば、パルス電圧生成器５５は、基準電位（０Ｖ）よりも高い電位Ｐ１を生成し、基準電位と電位Ｐ１との間でパルス状に変化する電圧信号を生成してもよい。その場合には、生成された電圧信号がリザーバ内電極６３を介してターゲット物質と基準電位との間に印加されると共に、基準電位が引出電極６６に与えられてもよい。
【００４２】
あるいは、パルス電圧生成器５５は、基準電位（０Ｖ）よりも高い電位Ｐ１と、電位Ｐ１よりも高い電位Ｐ２とを生成し、電位Ｐ１と電位Ｐ２との間でパルス状に変化する電圧信号を生成してもよい。その場合には、生成された電圧信号がリザーバ内電極６３を介してターゲット物質と基準電位との間に印加されると共に、電位Ｐ１が引出電極６６に与えられてもよい。
【００４３】
これにより、ターゲット物質の電位が電圧信号Ｖ１に従って変化し、引出電極６６の電位が電圧信号Ｖ２に従って一定電位に維持されてもよい。このため、ターゲット物質と引出電極６６との間に、電圧（Ｖ２−Ｖ１）が印加されてもよい。あるいは、リザーバ６１又はノズル６２が電気伝導性を有する材料で形成されている場合には、パルス電圧生成器５５は、リザーバ６１又はノズル６２と引出電極６６と間に電圧（Ｖ２−Ｖ１）が印加されてもよい。
【００４４】
一般に、ターゲットの直径、出力タイミング、帯電量を安定させて生成するためには、電極間に印加される電圧が安定していることが好ましい。ところが、チャンバ内にバッファガスやエッチングガスが存在すると、電極間の耐電圧（絶縁耐圧）が低くなり、絶縁破壊が発生し易くなる場合がある。絶縁破壊が発生すると、電極間に印加される所定の電圧を維持し難くなる場合がある。その結果、ターゲットの直径、出力タイミング、帯電量の内の少なくとも１つのパラメータが不安定となることがある。あるいは、ターゲットそのものが出力されなくなることもある。
【００４５】
図４は、放電が起こる電圧に関するパッシェンの法則を説明するための図である。一例として、電圧が印加される電極間に水素ガスが存在する場合について説明する。図４において、横軸は、水素ガスの圧力ｐ（Ｔｏｒｒ）と電極間の距離ｄ（ｃｍ）との積ｐｄ（Ｔｏｒｒ・ｃｍ）を表しており、縦軸は、放電が起こる電圧（絶縁破壊電圧）Ｖｂ（Ｖ）を表している。積ｐｄと絶縁破壊電圧Ｖｂとの関係は、電極の形状、材料やガスの種類によって異なるが、積ｐｄが１００（Ｔｏｒｒ・ｃｍ）となる周辺において、絶縁破壊電圧Ｖｂが最低値Ｖｂｍｉｎをとる。
【００４６】
火花放電は、電界によって放出されて加速された電子が、気体分子と衝突して気体を電離させることによって起こる。従って、気体が少なくなると衝突が起こり難くなり、逆に、気体が多くなると電子が衝突するまでに充分加速され難くなるので、絶縁破壊電圧Ｖｂが最低値Ｖｂｍｉｎとなる積（ｐｄ）ｍｉｎが存在する。
【００４７】
図４に示すパッシェン曲線（実線）において、図３Ａに示すリザーバ内電極６３と引出電極６６との間に印加される電圧の最大値を１０ｋＶとすると、ｐｄ＜０.１５、又は、ｐｄ＞４００の条件を満足させることによって、絶縁破壊（火花放電）を抑制することができると考えられる。例えば、ガス圧ｐが０．０７５Ｔｏｒｒ（１０Ｐａ）の場合に、上記条件を満たす距離ｄの範囲は、ｄ＜２ｃｍ、又は、ｄ＞５３３３ｃｍとなる。ここで、ｄ＞５３３３ｃｍである場合には、電位勾配が小さくなるので、ターゲットを引き出すことが難しい。一方、ｄ＜２ｃｍである場合には、ターゲットを引き出すことが可能であり、絶縁破壊（火花放電）も発生し難いと考えられる。
【００４８】
そこで、絶縁破壊を抑制しながら、ターゲットを引き出すために必要な電位勾配を形成するように、図３Ｂに示すノズル６２と引出電極６６との間の距離ｄを小さく設定するとよい。加えて、距離ｄは、ターゲットの直径Ｄｐよりも大きい方が望ましい。なお、パッシェン曲線は、電極の条件（平板と平板、球と球、陰極の材料）及びガスの条件（種類等）によって異なるので、ターゲット生成器２６におけるノズル６２及び引出電極６６の形状及び材料と、ガスの種類及び圧力とに従って、計測により距離ｄを決定してもよい。
【００４９】
距離ｄは、必ずしも図示する部位の寸法でなくともよく、例えば、ノズル６２の先端外縁部と引出電極６６の貫通孔縁部との間の最短距離であってもよい。ノズル６２や引出電極６６の形状によって電界が集中する部位が存在する場合には、電界シミュレーション等により最も絶縁耐圧が低い部位についての距離を距離ｄとしてもよい。なお、ガスの種類としては、例えば、溶融スズをターゲット物質とする場合には、スズをエッチングする性質を有する水素ガス（Ｈ２）を用いてもよい。
【００５０】
一方、例えば、引出電極６６を陰極とする場合に、引出電極６６の少なくとも表面を、電子を放出し難い材料で作製してもよい。これにより、図４に示すパッシェン曲線を、実線の特性から破線の特性にすることが可能であってもよい。仕事関数が高い材料は、電子を放出し難い性質を有するので、引出電極６６の材料として好ましい。なお、仕事関数とは、物質の表面から１個の電子を無限遠まで取り出すのに必要な最小エネルギーのことである。
【００５１】
図５は、各種の材料の仕事関数を示す図である。図５において、仕事関数の単位はエレクトロンボルト（ｅＶ）である。図５に示すように、セレン（Ｓｅ）、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、炭素（Ｃ）、コバルト（Ｃｏ）等は、仕事関数が比較的高い材料であり、引出電極６６及び／又は引出電極６６表面の材料として好ましい。従って、引出電極６６そのものを、仕事関数が高い材料で作製してもよい。あるいは、引出電極６６の表面に、仕事関数が高い材料をコートしてもよい。例えば、少なくともノズル６２に対向する引出電極６６の面の一部に、仕事関数が高い材料をコートしてもよい。
【００５２】
それに替えて、又は、それに加えて、図３Ｃに示すように、引出電極６６の表面に電気絶縁材料６６ａをコートしてもよい。電気絶縁材料６６ａは、引出電極６６とノズル６２の先端との間で絶縁破壊（火花放電）が発生する可能性のある部分、例えば、引出電極６６の少なくともノズル６２に対向する面の一部にコートしてもよい。引出電極６６の表面に電気絶縁材料６６ａをコートすることによって、引出電極６６の表面から電子を出力し難くすることができてもよい。その結果、電気絶縁材料６６ａをコートしない場合と比較して、絶縁破壊電圧Ｖｂを高くし、絶縁破壊を抑制することができてもよい。電気絶縁材料６６ａとしては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（Ｓｉ２Ｎ３）等の電気絶縁性の高いセラミック材料又はガラスを用いてもよい。
【００５３】
５．２ 動作
ターゲット生成器２６は、オンデマンドでターゲットを生成する装置であってもよい。ヒータ６４によって、スズ（Ｓｎ）が溶融する温度２３２℃以上の温度にリザーバ６１が加熱されてもよい。これにより、リザーバ６１の中にターゲット物質として溶融スズが貯蔵されるようにしてもよい。
【００５４】
また、図２に示すターゲット制御装置５２が、パルス電圧生成器５５にターゲット生成信号を出力してもよい。パルス電圧生成器５５は、ターゲット生成信号に従って、パルス状の電圧をターゲット物質と引出電極６６との間に印加してもよい。これによって、ターゲット物質と引出電極６６との間に静電気力が発生してもよい。静電気力により、ターゲット物質がノズル６２の先端部から引き出されて分断され、ドロップレットが生成されてもよい。生成されたドロップレットは帯電していてもよく、これをターゲットとしてもよい。ターゲットは静電気力により、引出電極６６の貫通孔を通過してもよい。引出電極６６を通過したターゲットは、ターゲット生成器２６から出力されてもよい。引出電極６６の貫通孔を通過したターゲットがプラズマ生成領域２５に到達すると、レーザ光の集光ビームがターゲットに照射されてもよい。これにより、ターゲット物質がプラズマ化してＥＵＶ光が生成されてもよい。
【００５５】
５．３ 作用
本実施形態によれば、引出電極６６の絶縁耐圧を高くすることにより、引出電極６６からの電子の放出を抑制して、絶縁破壊を抑制することができてもよい。その結果、引出電極６６に印加される電圧が安定し、ターゲットを安定して供給することが可能となってもよい。また、図２に示すチャンバ圧力制御部５６が、圧力センサ４８の検出値に基づいて、チャンバ２内のガスの圧力が所定の値となるようにガス供給装置４６及び排気装置４７を制御してもよい。その結果、ガスの圧力変動による絶縁破壊が抑制されて、ターゲット生成器２６から安定してターゲットが出力されてもよい。
【００５６】
６．ターゲット生成器の高耐圧化（ノズルが電気伝導性を有する場合）
図６Ａは、第２の実施形態におけるターゲット生成器の一部を拡大して示す拡大断面図である。図６Ｂは、第２の実施形態におけるターゲット生成器の変形例の一部を拡大して示す拡大断面図である。第２の実施形態においては、ノズル６２が電気伝導性を有してもよく、引出電極６７の中央部を周辺部よりもノズル６２に近接させるようにしてもよい。
【００５７】
ノズル６２は、モリブデン（Ｍｏ）等の金属材料で作製されてもよい。また、引出電極６７は、貫通孔の周囲の部分が周辺部よりもターゲットの進行方向上流側（図中上側）に位置するように、凸状の形状を有していてもよい。ターゲット径をＤｐとして、例えば、ガス圧ｐを１０Ｐａとした場合に、引出電極６７とノズル６２の先端との間の最小距離ｄが、Ｄｐ＜ｄ＜２ｃｍを満たすようにしてもよい。これにより、図４に示すパッシェン曲線（実線）において、絶縁破壊電圧Ｖｂを１０ｋＶ以上にすることができてもよい。また、引出電極６７の中央部を周辺部よりもノズル６２に近接させているので、引出電極６７とノズル６２との間の電界強度を保ったまま、引出電極６７とノズル６２との間に印加する電圧を低くすることが可能となってもよい。
【００５８】
なお、引出電極６７の一部に電界が集中することを防ぐために、引出電極６７のノズル６２に対向する開口周辺部分は、曲面形状を有することが望ましい。また、電気絶縁部材６５ａにおいて、ノズル６２と引出電極６７との間の空間に面する領域に複数の溝が形成されていてもよい。これにより、ノズル６２と引出電極６７との間に高電圧が印加される際に、電気絶縁部材６５ａの表面に沿った放電経路の長さが増加するので、沿面放電を抑制することができてもよい。
【００５９】
さらに、引出電極６７そのものを仕事関数が高い材料で作製してもよく、引出電極６７の表面に仕事関数が高い材料をコートしてもよい。これにより、引出電極６７の絶縁耐圧を高くすることができる。
【００６０】
それに替えて、又は、それに加えて、図６Ｂに示すように、引出電極６７の表面に電気絶縁材料６７ａをコートしてもよい。引出電極６７の表面に電気絶縁材料６７ａをコートすることによって、引出電極６７の表面から電子を出力し難くすることができてもよい。その結果、電気絶縁材料６７ａをコートしない場合と比較して、引出電極６７の絶縁耐圧を高くすることができてもよい。なお、図６Ａと同様に、ノズル６２と引出電極６７との間の空間に面する領域に複数の溝が形成されていてもよい。
【００６１】
電気絶縁材料６７ａは、引出電極６７とノズル６２の先端との間で絶縁破壊が発生する可能性のある部分、例えば、少なくとも引出電極６７のノズル６２に対向する面の一部にコートしてもよい。電気絶縁材料６７ａとしては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（Ｓｉ２Ｎ３）等の電気絶縁性の高いセラミック材料又はガラスを用いてもよい。その他の点に関しては、第１の実施形態と同様であってもよい。
【００６２】
７．ターゲット生成器の高耐圧化（ノズルが電気絶縁性を有する場合）
図７は、第３の実施形態におけるターゲット生成器の一部を拡大して示す拡大断面図である。第３の実施形態においては、ノズル６２ａが電気絶縁性を有しており、引出電極６６が、スペーサ６８を介してノズル６２ａに取り付けられていてもよい。なお、後述する図８Ａ、図８Ｂ、図１２Ａ、図１２Ｂ、及び、図１３においても、ノズルを絶縁体としてもよい。
【００６３】
ノズル６２ａは、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）又は合成石英（ＳｉＯ２）等の電気絶縁材料で作製されてもよい。また、スペーサ６８は、電気絶縁材料で作製されてもよい。スペーサ６８は、所定の厚みを有し、引出電極６６とノズル６２ａの先端との間の距離ｄを所定の値に調節するために用いられてもよい。ターゲット径をＤｐとして、例えば、ガス圧ｐを１０Ｐａとした場合に、引出電極６６と、ノズル６２ａの先端部に導かれたターゲット物質の表面との間の距離ｄが、Ｄｐ＜ｄ＜２ｃｍを満たすようにしてもよい。これにより、図４に示すパッシェン曲線（実線）において、ターゲット物質の表面と引出電極６６との間の絶縁破壊電圧Ｖｂを１０ｋＶ以上にすることができてもよい。
【００６４】
さらに、引出電極６６そのものを仕事関数が高い材料で作製するか、引出電極６６の表面に仕事関数が高い材料をコートすることにより、絶縁耐圧を高くすることができてもよい。それに替えて、又は、それに加えて、引出電極６６の表面に電気絶縁材料をコートすることにより、絶縁耐圧を高くすることができてもよい。その結果、絶縁破壊を抑制することができてもよい。
【００６５】
ノズル６２ａが電気絶縁材料で作製されている場合には、ターゲット物質と引出電極６６との間の沿面距離にノズル６２ａの出力側の面の一部を含めることができてもよい。これにより、沿面放電を抑制することができる。その他の点に関しては、第１の実施形態と同様であってもよい。
【００６６】
８．加速電極を有するターゲット生成器
８．１ 構成
図８Ａは、第４の実施形態におけるターゲット生成器及びその周辺部を示す一部断面図である。図８Ｂは、図８Ａに示すターゲット生成器の一部を拡大して示す拡大断面図である。第４の実施形態においては、図３Ａ及び図３Ｂに示すターゲット生成器に対して、加速電極６９が追加されていてもよい。
【００６７】
また、ターゲット物質にＤＣ（直流）電圧が印加され、引出電極６６に電圧信号が印加されてもよい。そのために、ターゲット物質にＤＣ電圧を印加するＤＣ高圧電源９５と、引出電極６６に電圧信号を印加するパルス電圧生成器９６とが設けられてもよい。
【００６８】
加速電極６９は、引出電極６６のターゲット進行方向下流側（図中下側）に配置されていてもよい。加速電極６９には、ターゲットが通過する貫通孔が形成されていてもよい。加速電極６９は、ノズル６２から出力されて引出電極６６の貫通孔を通過したターゲット２７に電界を作用させて加速するための電極であってもよい。加速電極６９は、ワイヤ等の導電性接続部材によって、基準電位（０Ｖ）に接続されてもよい。
【００６９】
リザーバ６１は、導電性を有するモリブデン（Ｍｏ）等の金属材料で作製され、電気絶縁性を有するフランジ８４を介してチャンバ２に設置されてもよい。また、ＤＣ高圧電源９５は、リザーバ６１を介してターゲット物質にＤＣ電圧を印加してもよい。その他の点に関しては、第１〜第３の実施形態と同様であってもよい。
【００７０】
図８Ｂは、ノズル６２に固定された電気絶縁部材６５によって保持された引出電極６６及び加速電極６９を示す。ここで、ノズル６２、引出電極６６、及び、加速電極６９の内の１つと他の１つとの間に絶縁破壊が発生しないようにするとよい。
【００７１】
そのためには、パッシェンの法則に従って、絶縁破壊が発生しない条件となるように、ガスの種類及び圧力、距離ｄ及び距離ｄ１〜ｄ２を設定してもよい。例えば、印加電圧が１０ｋＶであり、ガス圧が１０Ｐａである場合に、ターゲットの直径をＤｐとして、Ｄｐ＜ｄ＜２ｃｍ、及び、Ｄｐ＜ｄ１〜ｄ２＜２ｃｍの条件を満足するように、ノズル６２、引出電極６６、及び、加速電極６９を配置するようにしてもよい。なお、距離ｄ及び距離ｄ１〜ｄ２は、電界シミュレーション等により最も絶縁耐圧が低い部位間の距離としてもよい。
【００７２】
さらに、引出電極６６及び／又は加速電極６９そのものを、仕事関数が高い材料で作製してもよい。あるいは、引出電極６６及び／又は加速電極６９の表面に、仕事関数が高い材料をコートしてもよい。例えば、引出電極６６の少なくとも加速電極６９に対向する面の一部、及び、加速電極６９の少なくとも引出電極６６に対向する面の一部に、仕事関数が高い材料をコートしてもよい。好ましくは、引出電極６６又は加速電極６９の電界集中部表面に、仕事関数が高い材料をコートしてもよい。電界集中部は、電界シミュレーション等により特定しておくとよい。
【００７３】
それに替えて、又は、それに加えて、図８Ｂに示すように、引出電極６６又は加速電極６９の表面に、電気絶縁材料７１をコートしてもよい。例えば、引出電極６６の少なくとも加速電極６９に対向する面の一部、及び、加速電極６９の少なくとも引出電極６６に対向する面の一部に、電気絶縁材料７１をコートしてもよい。好ましくは、引出電極６６又は加速電極６９の電界集中部表面に、電気絶縁材料７１をコートしてもよい。電気絶縁材料７１としては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（Ｓｉ２Ｎ３）等の電気絶縁性の高いセラミック材料又はガラスを用いてもよい。
【００７４】
８．２ 動作
図９は、図８Ａに示すターゲット生成器の第１の動作例を説明するためのタイミングチャートである。図８Ａに示すＤＣ高圧電源９５及びパルス電圧生成器９６は、ターゲット物質と基準電位との間に与える電圧信号Ｖ１、引出電極６６と基準電位との間に与える電圧信号Ｖ２、及び、加速電極６９と基準電位との間に与える電圧信号を、例えば、以下のように制御してもよい。
【００７５】
ＤＣ高圧電源９５は、電圧信号Ｖ１を、基準電位（０Ｖ）に対して、基準電位（０Ｖ）よりも高い電位Ｐ２（例えば、１０ｋＶ）に維持し、電圧（Ｐ２−０Ｖ）としてもよい。また、パルス電圧生成器９６は、初期状態において、電圧信号Ｖ２を、基準電位（０Ｖ）に対して、基準電位（０Ｖ）よりも高く電位Ｐ２以下である電位Ｐ１に保持して、電圧（Ｐ１−０Ｖ）としてもよい。ターゲット物質を引き出す際に、パルス電圧生成器９６は、電圧信号Ｖ２を、基準電位（０Ｖ）に低下させてもよい。このとき、電圧（Ｐ２−Ｐ１）は、ターゲット物質を引き出すための閾値電圧よりも小さく、電圧（Ｐ２−０Ｖ）は、ターゲット物質を引き出すための閾値電圧以上であるとよい。これによって、ターゲット物質と引出電極６６との間の電圧（Ｖ１−Ｖ２）が、電圧（Ｐ２−Ｐ１）から電圧（Ｐ２−０Ｖ）となり、正に帯電したドロップレットがノズル６２から引き出されてターゲットが生成されてもよい。
【００７６】
ターゲットが引出電極６６の貫通孔を通過した後は、パルス電圧生成器９６は、引出電極６６の電圧信号Ｖ２を、再び、基準電位（０Ｖ）に対して電位Ｐ１だけ高い電圧（Ｐ１−０Ｖ）に戻してもよい。さらに、加速電極６９と基準電位との間に与える電圧信号を、チャンバ２の電位と同一の基準電位（０Ｖ）に維持してもよい。その結果、ターゲットが加速されてもよい。
【００７７】
図１０は、図８Ａに示すターゲット生成器の第２の動作例を説明するためのタイミングチャートである。図８Ａに示すＤＣ高圧電源９５及びパルス電圧生成器９６は、ターゲット物質と基準電位との間に与える電圧信号Ｖ１、引出電極６６と基準電位との間に与える電圧信号Ｖ２、及び、加速電極６９と基準電位との間に与える電圧信号を、例えば、以下のように制御してもよい。
【００７８】
ＤＣ高圧電源９５は、電圧信号Ｖ１を、基準電位（０Ｖ）に対して、基準電位（０Ｖ）よりも高い電位Ｐ２（例えば、１０ｋＶ）に維持して、電圧（Ｐ２−０Ｖ）としてもよい。また、パルス電圧生成器９６は、初期状態において、電圧信号Ｖ２を、基準電位（０Ｖ）に対して電位Ｐ２に保持し、電圧（Ｐ２−０Ｖ）としてもよい。ターゲット物資を引き出す際に、パルス電圧生成器９６は、電圧信号Ｖ２を、基準電位（０Ｖ）に対して、基準電位（０Ｖ）以上で電位Ｐ２よりも低い電位Ｐ１に低下させ、電圧（Ｐ１−０Ｖ）としてもよい。ただし、電圧（Ｐ２−Ｐ１）は、ターゲット物質を引き出すための閾値以上であるものとしてもよい。これによって、ターゲット物質と引出電極６６との間の電圧（Ｖ１−Ｖ２）が電圧（Ｐ２−Ｐ２）から（Ｐ２−Ｐ１）となり、正に帯電したドロップレットがノズル６２から引き出されてターゲットが生成されてもよい。
【００７９】
ターゲットが引出電極６６の貫通孔を通過した後は、パルス電圧生成器９６は、電圧信号Ｖ２を、再び、電位Ｐ２に戻してもよい。さらに、加速電極６９と基準電位との間に与える電圧信号を、チャンバ２の電位と同一の基準電位（０Ｖ）に維持してもよい。その結果、ターゲットが加速されてもよい。
【００８０】
９．電気絶縁部材の構造
以上の実施形態及び他の実施形態において、電気絶縁部材の構造として碍子構造を採用してもよい。
図１１Ａは、碍子構造を有する電気絶縁部材を用いるターゲット生成器の一部を拡大して示す拡大断面図である。図１１Ｂは、図１１Ａに示すターゲット生成器の一部の底面図である。図１１Ａに示すように、ノズル６２には、電気絶縁部材９８を介して引出電極６６が取り付けられ、さらに、電気絶縁部材９９を介して加速電極６９が取り付けられてもよい。
【００８１】
電気絶縁部材９８及び９９は、アルミナセラミックス等の電気絶縁材料で作製され、側面に複数の襞が設けられた円筒形状を有してもよい。これにより、ノズル６２と引出電極６６との間の絶縁耐圧、及び、引出電極６６と加速電極６９との間の絶縁耐圧を高めることができてもよい。電気絶縁部材９８及び９９における襞の数は、図１１Ｃに示すように２つ又は３つでもよいし、それ以外でもよい。また、引出電極６６及び加速電極６９に接続される配線は、絶縁耐圧を高めるために、テフロン被覆線９７としてもよい（「テフロン」は登録商標）。
【００８２】
図１１Ｂに示すように、加速電極６９は、ターゲットが通過する貫通孔が形成された円盤状の電極本体６９ａと、電極本体６９ａを支持する複数の支柱（ポール）６９ｂとを含んでもよい。電極本体６９ａ及び支柱６９ｂは、モリブデン（Ｍｏ）等の金属材料で作製されてもよい。引出電極６６の構造は、加速電極６９の構造と同様でもよい。
【００８３】
１０．加速電極及び偏向電極を有するターゲット生成器
１０．１ 構成
図１２Ａは、第５の実施形態におけるターゲット生成器及びその周辺部を示す一部断面図である。図１２Ｂは、図１２Ａに示すターゲット生成器の一部を拡大して示す拡大断面図である。第５の実施形態においては、図３Ａ及び図３Ｂに示すターゲット生成器に対して、加速電極６９及び複数の偏向電極７０が追加されている。
【００８４】
図１２Ａに示すように、ターゲット生成器２６の主要な構成要素は、遮蔽カバー８５と、遮蔽カバー８５に取り付けられた蓋８６とによって構成される遮蔽容器に封入されてもよい。遮蔽カバー８５は、少なくとも電気絶縁部材６５とプラズマ生成領域２５との間に配置され、ターゲット２７が通過する貫通孔が形成された遮蔽部材であってもよい。遮蔽カバー８５は、プラズマ生成領域２５において生成されるプラズマから放出される荷電粒子から電気絶縁部材６５等の電気的な絶縁物を遮蔽してもよい。
【００８５】
遮蔽カバー８５は、電気伝導性を有する材料（例えば、金属材料）を含むことにより電気伝導性を有し、ワイヤ等の導電性接続部材によって、又は、直接的に、チャンバ２の導電性構造部材（例えば、外壁）に電気的に接続されていてもよい。チャンバ２の導電性構造部材は、パルス電圧生成器５５の基準電位（０Ｖ）に電気的に接続されており、さらに、接地されるようにしてもよい。また、蓋８６の材料としては、例えば、ムライト等の電気絶縁材料を用いることができる。
【００８６】
ターゲット生成器２６において、引出電極６６のターゲット進行方向下流側（図中下側）に、加速電極６９が配置されていてもよい。また、引出電極６６のターゲット進行方向下流側に、複数の偏向電極７０が配置されていてもよい。複数の偏向電極７０は、加速電極６９の貫通孔を通過したターゲット２７に電界を作用させてその移動方向を偏向させてもよい。
【００８７】
パルス電圧生成器５５は、引出電極６６と基準電位との間に与える電圧信号Ｖ２を、基準電位（０Ｖ）に対して所定の電位Ｐ１（例えば、１０ｋＶ）に維持し、電圧（Ｐ１−０Ｖ）としてもよい。また、パルス電圧生成器５５は、初期状態において、ターゲット物質と基準電位との間に与える電圧信号Ｖ１を、基準電位（０Ｖ）に対して電位Ｐ１に保持し、電圧（Ｐ１−０Ｖ）としてもよい。ターゲット物質を引き出す際に、パルス電圧生成器５５は、電圧信号Ｖ１を、電位Ｐ１よりも高い電位Ｐ２（例えば、２０ｋＶ）に上昇させて、電圧（Ｐ２−０Ｖ）としてもよい。このとき、電圧（Ｐ２−Ｐ１）は、帯電ターゲットを引き出すための閾値以上であるとよい。これによって、ターゲット物質と引出電極６６との間の電圧（Ｖ１−Ｖ２）が閾値以上の正の電圧（Ｐ２−Ｐ１）となり、正に帯電したドロップレットがノズル６２から引き出されてターゲットが生成されてもよい。
【００８８】
その後、例えば、帯電ターゲットが引出電極６６の貫通孔を通過した後に、パルス電圧生成器５５は、電圧信号Ｖ１を、再び、基準電位（０Ｖ）に対して電位Ｐ１に戻し、電圧（Ｐ１−０Ｖ）としてもよい。さらに、加速電極６９と基準電位との間に与える電圧信号を、チャンバ２の電位と同一の基準電位（０Ｖ）に維持してもよい。その結果、ターゲットが加速されてもよい。ここで、電位Ｐ１及びＰ２は、次の関係を満たすとよい。
０（チャンバの電位）＜Ｐ１＜Ｐ２
【００８９】
図１２Ｂは、遮蔽カバー８５の内側において、ノズル６２に固定された電気絶縁部材６５によって保持された引出電極６６、加速電極６９、及び、複数の偏向電極７０を示す。ここで、ノズル６２、引出電極６６、加速電極６９、及び、偏向電極７０の内の１つと他の１つとの間に絶縁破壊が発生しないようにするとよい。
【００９０】
そのためには、パッシェンの法則に従って、絶縁破壊が発生しない条件となるように、ガスの種類及び圧力、距離ｄ、及び、距離ｄ１〜ｄ４を設定してもよい。例えば、印加電圧が１０ｋＶであり、ガス圧が１０Ｐａである場合に、ターゲットの直径をＤｐとして、Ｄｐ＜ｄ＜２ｃｍ、及び、Ｄｐ＜ｄ１〜ｄ４＜２ｃｍの条件を満足するように、ノズル６２、引出電極６６、加速電極６９、及び、偏向電極７０を配置するようにしてもよい。なお、距離ｄ及び距離ｄ１〜ｄ４は、電界シミュレーション等により最も絶縁耐圧が低い部位間の距離としてもよい。
【００９１】
さらに、引出電極６６、加速電極６９、及び、偏向電極７０の内の少なくとも１つを、仕事関数が高い材料で作製してもよい。あるいは、引出電極６６、加速電極６９、及び、偏向電極７０の内の少なくとも１つの表面に、仕事関数が高い材料をコートしてもよい。例えば、引出電極６６の少なくとも加速電極６９に対向する面の一部、及び、加速電極６９の少なくとも引出電極６６に対向する面の一部に、仕事関数が高い材料をコートしてもよい。又は、複数の偏向電極７０の少なくとも互いに対向する面の一部に、仕事関数が高い材料をコートしてもよい。好ましくは、引出電極６６、加速電極６９、及び、偏向電極７０の内の少なくとも１つの電界集中部表面に、仕事関数が高い材料をコートしてもよい。電界集中部は、電界シミュレーション等により特定しておくとよい。
【００９２】
それに替えて、又は、それに加えて、図１２Ｂに示すように、引出電極６６、加速電極６９、及び、偏向電極７０の内の少なくとも１つの表面に、電気絶縁材料７１をコートしてもよい。例えば、引出電極６６の少なくとも加速電極６９に対向する面の一部、及び、加速電極６９の少なくとも引出電極６６に対向する面の一部に、電気絶縁材料７１をコートしてもよい。又は、複数の偏向電極７０の少なくとも互いに対向する面の一部に、電気絶縁材料７１をコートしてもよい。好ましくは、引出電極６６、加速電極６９、及び、偏向電極７０の内の少なくとも１つの電界集中部表面に、電気絶縁材料７１をコートしてもよい。あるいは、遮蔽カバー８５の内面に、電気絶縁材料７１をコートしてもよい。電気絶縁材料７１としては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（Ｓｉ２Ｎ３）等の電気絶縁性の高いセラミック材料又はガラスを用いてもよい。
【００９３】
再び図１２Ａを参照すると、リザーバ６１は、蓋８６を介して遮蔽カバー８５に取り付けられていてもよい。リザーバ６１は、モリブデン（Ｍｏ）等の金属材料を含む電気伝導体、シリコンカーバイト（ＳｉＣ）等の半導体、又は、合成石英やアルミナ等の電気絶縁体で構成されてもよい。ノズル６２も、同様に、モリブデン（Ｍｏ）等の金属材料を含む電気伝導体、シリコンカーバイト（ＳｉＣ）等の半導体、又は、合成石英やアルミナ等の電気絶縁体で構成されてもよい。
【００９４】
ヒータ６４は、リザーバ６１の周りに取り付けられて、スズが溶融状態を維持するようにリザーバ６１を加熱してもよい。このように、リザーバ６４に貯蔵されるターゲット物質は、溶融スズのような液体であってもよい。また、ヒータ６４は、リザーバ６１の温度を検出するための温度センサ７２、ヒータ６４に加熱用の電流を供給するヒータ電源５８、及び、温度センサ７２によって検出された温度に基づいてヒータ電源５８を制御する温度制御器５９と共に用いられてもよい。
【００９５】
引出電極６６の配線及び偏向電極７０の配線は、蓋８６に設けられた中継端子９０ａを介して、パルス電圧生成器５５及び偏向電極電圧生成器５７にそれぞれ接続されてもよい。加速電極６９の配線は、遮蔽カバー８５に電気的に接続されてもよいし、図示しない配線及び中継端子９０ａを介して、パルス電圧生成器５５に接続されてもよい。なお、偏向電極電圧生成器５７は、ターゲット生成器２６の構成要素としてもよいし、ＥＵＶ光生成装置の構成要素としてもよい。
【００９６】
また、ターゲット物質に電圧を印加するリザーバ内電極６３の配線は、蓋８６に設けられた中継端子９０ｂを介して、パルス電圧生成器５５に接続されてもよい。加熱用のヒータ６４の配線及び温度センサ７２の配線は、蓋８６に設けられた中継端子９０ｃを介して、ヒータ電源５８及び温度制御器５９にそれぞれ接続されてもよい。
【００９７】
１０．２ 動作
ヒータ電源５８がヒータ６４に電流を流すことによって、リザーバ６１が加熱されてもよい。温度制御器５９は、温度センサ７２から出力される検出信号を受信し、ヒータ電源５８がヒータ６４に流す電流値を制御してもよい。リザーバ６１の温度は、スズ（Ｓｎ）の融点（２３２℃）以上に制御されてもよい。
【００９８】
ターゲット制御装置５２は、パルス電圧生成器５５にターゲット生成信号を出力してもよく。これにより、ノズル６２からターゲット物質が引き出されて、ターゲットとして引出電極６６の貫通孔を通過してもよい。引出電極６６の貫通孔を通過したターゲットは、基準電位（０Ｖ）が印加された加速電極６９によってさらに加速され、加速電極６９の貫通孔を通過してもよい。
【００９９】
加速電極６９の下流側には、ターゲットの軌道を偏向するために、例えば、２対の偏向電極７０が配置されていてもよい。ターゲットを偏向することが必要な場合には、ターゲット制御装置５２が、各対の偏向電極７０の電位差を制御する制御信号を偏向電極電圧生成器５７に出力してもよい。偏向電極電圧生成器５７は、各対の偏向電極７０に偏向電極電圧を出力してもよい。ターゲットの偏向は、ＥＵＶ光生成制御装置５１からの制御信号に基づいて行われてもよい。なお、ＥＵＶ光生成制御装置５１とターゲット制御装置５２との間では、種々の信号を送受信してもよい。
【０１００】
２対の偏向電極７０の間を通過したターゲットは、遮蔽カバー８５の貫通孔を通過してもよい。ターゲットがプラズマ生成領域２５に到達すると、レーザ光がターゲットに照射され、ターゲットがプラズマ化して、ＥＵＶ光が放射されてもよい。
【０１０１】
遮蔽容器には、遮蔽カバー８５を冷却する熱媒体を循環させるための配管８７が設けられていてもよい。その場合には、配管８７が継ぎ手８８を介してチラー８９に接続されて、熱媒体が冷却されながら循環するようにしてもよい。プラズマからの輻射熱や、イオン及び電子等の荷電粒子に曝される遮蔽カバー８５は、過熱しないように、チラー８９によって冷却された熱媒体が配管８７を循環することによって冷却されてもよい。その他の点に関しては、他の実施形態と同様であってもよい。
【０１０２】
１０．３ 作用
本実施形態によれば、引出電極６６、加速電極６９、及び、偏向電極７０の内の少なくとも１つの絶縁耐圧を高くすることにより、引出電極６６、加速電極６９、及び、偏向電極７０の内の少なくとも１つからの電子の放出を抑制して、絶縁破壊を抑制することができてもよい。その結果、ターゲット生成器２６から安定してターゲットが出力されてもよい。
【０１０３】
また、ターゲット物質を貯蔵するリザーバ６１及びターゲット物質を出力するノズル６２の周囲における電気的な絶縁物が、遮蔽容器によってカバーされてもよい。従って、遮蔽容器によって、電気的な絶縁物がイオンや電子等の荷電粒子に曝されることを抑制できてもよい。また、遮蔽容器の遮蔽カバー８５は、基準電位に接続されているのでイオンや電子等の荷電粒子によって帯電することを抑制できてもよい。それにより、ターゲットの軌道上における電位分布（電場）の変化が抑制されてもよい。その結果、帯電ターゲットの位置安定性が改善されてもよい。
【０１０４】
１１．コンティニュアスジェット方式のターゲット生成器
１１．１ 構成
図１３は、第６の実施形態におけるターゲット生成器及びその周辺部を示す一部断面図である。コンティニュアスジェット方式のターゲット生成器２６ａは、以下の点において静電引出し型のターゲット生成器２６（図２等）と異なっていてもよい。
【０１０５】
図１３に示すように、ターゲット生成器２６ａのノズル６２の先端部の近傍に、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛：Pb(lead) zirconate titanate）等を含む圧電素子を用いた振動子７３が設置されていてもよい。振動子７３は、駆動信号に従って、所定周期の振動をノズル６２に加えてもよい。また、ノズル６２のターゲット進行方向下流側（図中下側）に、帯電電極７５が設置されていてもい。帯電電極７５は、ターゲット物質のジェットの先端部がターゲットに分離するときにターゲットを帯電させてもよい。
【０１０６】
ターゲット生成器２６ａは、リザーバ６１と、ノズル６２と、振動子７３と、電気絶縁部材７４と、帯電電極７５と、加速電極７６と、遮蔽板７７とを含んでもよい。ノズル６２に固定された電気絶縁部材７４は、帯電電極７５、加速電極７６、及び、遮蔽板７７を保持してもよい。電気絶縁部材７４〜遮蔽板７７の各々は、その一部にターゲット物質を通過させる貫通孔が形成されていてもよい。
【０１０７】
振動子駆動回路７８は、振動子７３に駆動信号を供給し、電極電源７９は、帯電電極７５及び加速電極７６に所定の電位を与えてもよい。なお、電極電源７９は、ターゲット生成器２６ａの構成要素としてもよいし、ＥＵＶ光生成装置の構成要素としてもよい。遮蔽板７７は、電気伝導性を有する材料を含み、導電性ワイヤ等の接続部材によって、チャンバ２の導電性構造部材（例えば、チャンバ２の外壁）に電気的に接続されてもよい。
【０１０８】
例えば、ターゲット物質（もしくはノズル６２）及び加速電極７６に基準電位（０Ｖ）を与え、帯電電極７５に正又は負の電位を与えてもよい。帯電電極７５に正の電位を与える場合には、ノズル６２及び加速電極７６が陰極となってよい。一方、帯電電極７５に負の電位を与える場合には、帯電電極７５が陰極となってよい。ここで、ノズル６２と帯電電極７５との間、及び、帯電電極７５と加速電極７６との間に絶縁破壊が発生しないようにするとよい。
【０１０９】
そのためには、パッシェンの法則に従って、絶縁破壊が発生しない条件となるように、ガスの種類及び圧力、ノズル６２と帯電電極７５と間の図示しない距離ｄ５、及び、帯電電極７５と加速電極７６と間の図示しない距離ｄ６を設定してもよい。例えば、印加電圧が１０ｋＶであり、ガス圧が１０Ｐａである場合に、ターゲットの直径をＤｐとして、Ｄｐ＜ｄ５＜２ｃｍ、及び、Ｄｐ＜ｄ６＜２ｃｍの条件を満足するように、ノズル６２、帯電電極７５、及び、加速電極７６を配置するようにしてもよい。なお、距離ｄ５及び距離ｄ６は、電界シミュレーション等により最も絶縁耐圧が低い部位間の距離としてもよい。
【０１１０】
さらに、電極そのものを、仕事関数が高い材料で作製してもよい。あるいは、電極の表面に、仕事関数が高い材料をコートしてもよい。例えば、帯電電極７５の少なくともノズル６２に対向する面の一部、又は、帯電電極７５の少なくとも加速電極７６に対向する面の一部に、仕事関数が高い材料をコートしてもよい。好ましくは、帯電電極７５及びノズル６２の電界集中部表面に、仕事関数が高い材料をコートしてもよい。
【０１１１】
それに替えて、又は、それに加えて、電極の表面に電気絶縁材料をコートしてもよい。例えば、帯電電極７５の少なくともノズル６２に対向する面の一部、又は、帯電電極７５の少なくとも加速電極７６に対向する面の一部に、電気絶縁材料をコートしてもよい。好ましくは、帯電電極７５及びノズル６２の電界集中部表面に、電気絶縁材料をコートしてもよい。電気絶縁材料としては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（Ｓｉ２Ｎ３）等の電気絶縁性の高いセラミック材料又はガラスを用いてもよい。
【０１１２】
１１．２ 動作
ターゲット制御装置５２が圧力調整器５３に加圧信号を出力すると、圧力調整器５３は不活性ガスボンベ５４から不活性ガスを所定圧でリザーバ６１内に供給してもよい。その結果、ノズル６２からターゲット物質のジェットが出力されてもよい。振動子７３がノズル６２を振動させると、ターゲット物質のジェットの先端部が周期的に分断されてドロップレットが生成されてもよい。帯電電極７５は、ターゲット物質のジェットがドロップレットに分断される位置に配置されていてもよい。帯電電極７５がドロップレットに電界を作用させることによって、ドロップレットが帯電してターゲットとなってもよい。
【０１１３】
ここで、帯電電極７５の電位をターゲット物質の電位よりも低い電位に維持する場合には、ターゲットが正に帯電してもよい。一方、帯電電極７５の電位をターゲット物質の電位よりも高い電位に維持する場合には、ターゲットが負に帯電してもよい。さらに、電極電源７９が、加速電極６９に所定の電位（例えば、基準電位（０Ｖ））を与えることによって、ターゲットを加速してもよい。ターゲットは、遮蔽板７７の貫通孔を通過して、プラズマ生成領域２５に到達してもよい。その他の点に関しては、他の実施形態と同様であってもよい。
【０１１４】
１１．３ 作用
本実施形態によれば、ノズル６２、帯電電極７５、又は、加速電極７６の材料を選定することにより、ノズル６２、帯電電極７５、又は、加速電極７６からの電子の放出を抑制して、絶縁破壊を抑制することができてもよい。その結果、ターゲット生成器２６ａから安定してターゲットが出力されてもよい。
【０１１５】
１２．偏向電極によるターゲットの方向制御
図１４は、偏向電極によるターゲットの方向制御を説明するための図である。ここでは、Ｚ軸方向に移動しているターゲットの移動方向を、偏向電極として一対の対向する平板電極を用いて、Ｘ軸方向の電界によって偏向させる場合について説明する。
【０１１６】
電荷Ｑを有するターゲットは、電界Ｅによって、次式で表されるクーロン力Ｆを電界方向に受ける。
Ｆ＝ＱＥ
ここで、電界Ｅは、平板電極７０ａに与えられる電位Ｐａと平板電極７０ｂに与えられる電位Ｐｂとの間の電位差（Ｐａ−Ｐｂ）と、それらの電極間のギャップ長Ｇとによって、次式で表される。
Ｅ＝（Ｐａ−Ｐｂ）／Ｇ
【０１１７】
ターゲットが初速度Ｖ０で電界中に入射すると、進行方向に直交する方向にクーロン力Ｆを受けることによって、ターゲットの進行方向が偏向する。ターゲットは、Ｚ軸方向速度成分Ｖｚ（Ｖｚ＝Ｖ０）でＺ軸方向に移動しながら、クーロン力ＦによってＸ軸方向に加速される。
Ｆ＝ｍａ （ｍ：ターゲットの質量、ａ：加速度）
このクーロン力は、電界中を移動している間中受け続ける。
【０１１８】
ターゲットが電界から脱出するときの速度Ｖは、Ｚ軸方向速度成分ＶｚとＸ軸方向速度成分Ｖｘとによって、次式で表される。
Ｖ＝（Ｖｚ２＋Ｖｘ２）１／２
このように、電位差（Ｐａ−Ｐｂ）を与えてターゲット軌道の一部に電界を作用させることによって、ターゲットの進行方向を偏向させることができる。また、電位差（Ｐａ−Ｐｂ）を調節することによって、偏向量を制御することが可能である。電界から脱出したターゲットは、速度Ｖで移動して、レーザ光が照射されるレーザ光軸上の位置に到達するように制御できる。同様に、Ｙ軸方向に関しても、Ｙ軸方向に一対の対向する平板電極を配置することによって、ターゲットの進行方向を制御することが可能である。
【０１１９】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【０１２０】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【０１２１】
１…ＥＵＶ光生成装置、１１…ＥＵＶ光生成システム、２…チャンバ、２１…ウインドウ、２２…レーザ光集光ミラー、２２１…軸外放物面ミラー、２２２…平面ミラー、２２ａ…レーザ光集光光学系、２３…ＥＵＶ集光ミラー、２４…貫通孔、２５…プラズマ生成領域、２５１、２５２…ＥＵＶ光、２６、２６ａ…ターゲット生成器、２７…ターゲット、２８…ターゲット回収器、２９…接続部、２９１…壁、２９２…中間集光点、３…レーザシステム、３１〜３３…レーザ光、３４…レーザ光進行方向制御装置、３４１、３４２…高反射ミラー、３４ａ…ビームデリバリーシステム、４…ターゲットセンサ、４１…ＥＵＶ集光ミラーホルダ、４２、４３…プレート、４４…レーザダンパ、４５…レーザダンパ支持部材、４６…ガス供給装置、４７…排気装置、４８…圧力センサ、５…ＥＵＶ光生成制御システム、５１…ＥＵＶ光生成制御装置、５２…ターゲット制御装置、５３…圧力調節器、５４…不活性ガスボンベ、５５…パルス電圧生成器、５６…チャンバ圧力制御部、５７…偏向電極電圧生成器、５８…ヒータ電源、５９…温度制御器、６…露光装置、６１…リザーバ、６２、６２ａ…ノズル、６３…リザーバ内電極、６４…ヒータ、６５、６５ａ、９８、９９…電気絶縁部材、６６、６７…引出電極、６６ａ、６７ａ…電気絶縁材料、６８…スペーサ、６９…加速電極、６９ａ…電極本体、６９ｂ…支柱、７０…偏向電極、７０ａ、７０ｂ…平板電極、７１…電気絶縁材料、７２…温度センサ、７３…振動子、７４…電気絶縁部材、７５…帯電電極、７６…加速電極、７７…遮蔽板、７８…振動子駆動回路、７９…電極電源、８５…遮蔽カバー、８６…蓋、８７…配管、８９…チラー、８８…継ぎ手、９０ａ、９０ｂ、９０ｃ…中継端子、９５…ＤＣ高圧電源、９６…パルス電圧生成器、９７…テフロン被覆線、
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲット物質を供給するターゲット供給装置であって、
少なくともターゲット物質を内部に貯蔵するターゲット貯蔵部と、
前記ターゲット貯蔵部に貯蔵されたターゲット物質を出力するための貫通孔が形成されたターゲット出力部と、
前記ターゲット出力部に対向して配置され、前記ターゲット出力部から出力されるターゲット物質が通過する貫通孔が形成された電極であって、少なくとも前記ターゲット出力部に対向する面の一部に電気絶縁材料がコートされた前記電極と、
少なくとも前記ターゲット物質と前記電極との間に電圧を印加する電圧生成器と、
を備えるターゲット供給装置。
【請求項２】
ターゲット物質を供給するターゲット供給装置であって、
少なくともターゲット物質を内部に貯蔵するターゲット貯蔵部と、
前記ターゲット貯蔵部に貯蔵されたターゲット物質を出力するための貫通孔が形成されたターゲット出力部と、
前記ターゲット出力部に対向して配置され、前記ターゲット出力部から出力されるターゲット物質が通過する貫通孔が形成された電極であって、セレン（Ｓｅ）、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、炭素（Ｃ）、及び、コバルト（Ｃｏ）の内の少なくとも１つを含む前記電極と、
少なくとも前記ターゲット物質と前記電極との間に電圧を印加する電圧生成器と、
を備えるターゲット供給装置。
【請求項３】
前記ターゲット出力部が電気伝導性を有し、
前記電極が、前記貫通孔の周囲の部分が周辺部よりもターゲット物質の進行方向上流側に位置するように凸状の形状を有する、請求項１記載のターゲット供給装置。
【請求項４】
前記ターゲット出力部が電気伝導性を有し、
前記電極が、前記貫通孔の周囲の部分が周辺部よりもターゲット物質の進行方向上流側に位置するように凸状の形状を有する、請求項２記載のターゲット供給装置。
【請求項５】
前記ターゲット出力部に固定されて前記電極を保持する電気絶縁部材であって、前記ターゲット出力部と前記電極との間の空間に面する領域に複数の溝が形成されている前記電気絶縁部材をさらに備える、請求項１記載のターゲット供給装置。
【請求項６】
前記ターゲット出力部に固定されて前記電極を保持する電気絶縁部材であって、前記ターゲット出力部と前記電極との間の空間に面する領域に複数の溝が形成されている前記電気絶縁部材をさらに備える、請求項２記載のターゲット供給装置。
【請求項７】
ターゲット物質が通過する貫通孔が形成され、電気的に接地され、前記ターゲット出力部から出力されて前記電極の貫通孔を通過したターゲット物質を加速するための加速電極をさらに備え、
前記電極の少なくとも前記加速電極に対向する面の一部、及び、前記加速電極の少なくとも前記電極に対向する面の一部に、電気絶縁材料がコートされている、請求項１記載のターゲット供給装置。
【請求項８】
ターゲット物質が通過する貫通孔が形成され、電気的に接地され、前記ターゲット出力部から出力されて前記電極の貫通孔を通過したターゲット物質を加速するための加速電極をさらに備え、
前記加速電極が、セレン（Ｓｅ）、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、炭素（Ｃ）、及び、コバルト（Ｃｏ）の内の少なくとも１つを含む、請求項２記載のターゲット供給装置。
【請求項９】
前記ターゲット出力部から出力されて前記電極の貫通孔を通過したターゲット物質を偏向するための少なくとも１対の偏向電極と、
前記少なくとも少なくとも１対の偏向電極間に電圧を印加する偏向電圧生成器と、
をさらに備え、前記少なくとも１対の偏向電極の少なくとも互いに対向する面の一部に、電気絶縁材料がコートされている、請求項１記載のターゲット供給装置。
【請求項１０】
前記ターゲット出力部から出力されて前記電極の貫通孔を通過したターゲット物質を偏向するための少なくとも１対の偏向電極と、
前記少なくとも少なくとも１対の偏向電極間に電圧を印加する偏向電圧生成器と、
をさらに備え、前記少なくとも１対の偏向電極の各々が、セレン（Ｓｅ）、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、炭素（Ｃ）、及び、コバルト（Ｃｏ）の内の少なくとも１つを含む、請求項２記載のターゲット供給装置。
【請求項１１】
レーザ装置から出力されるレーザ光をターゲット物質に照射してターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置であって、
少なくともターゲット物質を内部に貯蔵するターゲット貯蔵部と、
前記ターゲット貯蔵部に貯蔵されたターゲット物質を出力するための貫通孔が形成されたターゲット出力部と、
前記ターゲット出力部に対向して配置され、前記ターゲット出力部から出力されるターゲット物質が通過する貫通孔が形成された電極であって、少なくとも前記ターゲット出力部に対向する面の一部に電気絶縁材料がコートされた前記電極と、
少なくとも前記ターゲット物質と前記電極との間に電圧を印加する電圧生成器と、
前記電極の貫通孔を通過したターゲット物質に照射されるレーザ光を導入する貫通孔が形成されたチャンバと、
を備える極端紫外光生成装置。
【請求項１２】
レーザ装置から出力されるレーザ光をターゲット物質に照射してターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置であって、
少なくともターゲット物質を内部に貯蔵するターゲット貯蔵部と、
前記ターゲット貯蔵部に貯蔵されたターゲット物質を出力するための貫通孔が形成されたターゲット出力部と、
前記ターゲット出力部に対向して配置され、前記ターゲット出力部から出力されるターゲット物質が通過する貫通孔が形成された電極であって、セレン（Ｓｅ）、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、炭素（Ｃ）、及び、コバルト（Ｃｏ）の内の少なくとも１つを含む前記電極と、
少なくとも前記ターゲット物質と前記電極との間に電圧を印加する電圧生成器と、
前記電極の貫通孔を通過したターゲット物質に照射されるレーザ光を導入する貫通孔が形成されたチャンバと、
を備える極端紫外光生成装置。
【請求項１３】
前記電圧生成器が、第１の電位と該第１の電位よりも高い第２の電位との間で変化する電圧信号を生成して、前記電極に該第１の電位を与え、前記ターゲット物質に該電圧信号を印加する、請求項１１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１４】
前記電圧生成器が、第１の電位と該第１の電位よりも高い第２の電位との間で変化する電圧信号を生成し、前記電極に該第１の電位を与え、前記ターゲット物質に該電圧信号を印加する、請求項１２記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１５】
前記電圧生成器が、第１の電位と該第１の電位よりも高い第２の電位との間で変化する電圧信号を生成して、前記電極に電圧信号を印加し、前記ターゲット物質に第２の電位以上の電位を与える、請求項１１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１６】
前記電圧生成器が、第１の電位と該第１の電位よりも高い第２の電位との間で変化する電圧信号を生成して、前記電極に電圧信号を印加し、前記ターゲット物質に第２の電位以上の電位を与える、請求項１２記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１７】
前記電圧生成器が、前記ターゲット物質に基準電位を与え、前記電極に負の電位を与える、請求項１１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１８】
前記電圧生成器が、前記ターゲット物質に基準電位を与え、前記電極に負の電位を与える、請求項１２記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１】
ターゲット物質を供給するターゲット供給装置であって、
少なくともターゲット物質を内部に貯蔵するターゲット貯蔵部と、
前記ターゲット貯蔵部に貯蔵されたターゲット物質を出力するための貫通孔が形成されたターゲット出力部と、
前記ターゲット出力部に対向して配置され、前記ターゲット出力部から出力されるターゲット物質が通過する貫通孔が形成された電極であって、少なくとも前記ターゲット出力部に対向する面の一部に電気絶縁材料がコートされた前記電極と、
少なくとも前記ターゲット物質と前記電極との間に電圧を印加する電圧生成器と、
を備えるターゲット供給装置。
【請求項２】
ターゲット物質を供給するターゲット供給装置であって、
少なくともターゲット物質を内部に貯蔵するターゲット貯蔵部と、
前記ターゲット貯蔵部に貯蔵されたターゲット物質を出力するための貫通孔が形成されたターゲット出力部と、
前記ターゲット出力部に対向して配置され、前記ターゲット出力部から出力されるターゲット物質が通過する貫通孔が形成された電極であって、セレン（Ｓｅ）、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、炭素（Ｃ）、及び、コバルト（Ｃｏ）の内の少なくとも１つを含む前記電極と、
少なくとも前記ターゲット物質と前記電極との間に電圧を印加する電圧生成器と、
を備えるターゲット供給装置。
【請求項３】
前記ターゲット出力部が電気伝導性を有し、
前記電極が、前記貫通孔の周囲の部分が周辺部よりもターゲット物質の進行方向上流側に位置するように凸状の形状を有する、請求項１記載のターゲット供給装置。
【請求項４】
前記ターゲット出力部が電気伝導性を有し、
前記電極が、前記貫通孔の周囲の部分が周辺部よりもターゲット物質の進行方向上流側に位置するように凸状の形状を有する、請求項２記載のターゲット供給装置。
【請求項５】
前記ターゲット出力部に固定されて前記電極を保持する電気絶縁部材であって、前記ターゲット出力部と前記電極との間の空間に面する領域に複数の溝が形成されている前記電気絶縁部材をさらに備える、請求項１記載のターゲット供給装置。
【請求項６】
前記ターゲット出力部に固定されて前記電極を保持する電気絶縁部材であって、前記ターゲット出力部と前記電極との間の空間に面する領域に複数の溝が形成されている前記電気絶縁部材をさらに備える、請求項２記載のターゲット供給装置。
【請求項７】
ターゲット物質が通過する貫通孔が形成され、電気的に接地され、前記ターゲット出力部から出力されて前記電極の貫通孔を通過したターゲット物質を加速するための加速電極をさらに備え、
前記電極の少なくとも前記加速電極に対向する面の一部、及び、前記加速電極の少なくとも前記電極に対向する面の一部に、電気絶縁材料がコートされている、請求項１記載のターゲット供給装置。
【請求項８】
ターゲット物質が通過する貫通孔が形成され、電気的に接地され、前記ターゲット出力部から出力されて前記電極の貫通孔を通過したターゲット物質を加速するための加速電極をさらに備え、
前記加速電極が、セレン（Ｓｅ）、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、炭素（Ｃ）、及び、コバルト（Ｃｏ）の内の少なくとも１つを含む、請求項２記載のターゲット供給装置。
【請求項９】
前記ターゲット出力部から出力されて前記電極の貫通孔を通過したターゲット物質を偏向するための少なくとも１対の偏向電極と、
前記少なくとも少なくとも１対の偏向電極間に電圧を印加する偏向電圧生成器と、
をさらに備え、前記少なくとも１対の偏向電極の少なくとも互いに対向する面の一部に、電気絶縁材料がコートされている、請求項１記載のターゲット供給装置。
【請求項１０】
前記ターゲット出力部から出力されて前記電極の貫通孔を通過したターゲット物質を偏向するための少なくとも１対の偏向電極と、
前記少なくとも少なくとも１対の偏向電極間に電圧を印加する偏向電圧生成器と、
をさらに備え、前記少なくとも１対の偏向電極の各々が、セレン（Ｓｅ）、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、炭素（Ｃ）、及び、コバルト（Ｃｏ）の内の少なくとも１つを含む、請求項２記載のターゲット供給装置。
【請求項１１】
レーザ装置から出力されるレーザ光をターゲット物質に照射してターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置であって、
少なくともターゲット物質を内部に貯蔵するターゲット貯蔵部と、
前記ターゲット貯蔵部に貯蔵されたターゲット物質を出力するための貫通孔が形成されたターゲット出力部と、
前記ターゲット出力部に対向して配置され、前記ターゲット出力部から出力されるターゲット物質が通過する貫通孔が形成された電極であって、少なくとも前記ターゲット出力部に対向する面の一部に電気絶縁材料がコートされた前記電極と、
少なくとも前記ターゲット物質と前記電極との間に電圧を印加する電圧生成器と、
前記電極の貫通孔を通過したターゲット物質に照射されるレーザ光を導入する貫通孔が形成されたチャンバと、
を備える極端紫外光生成装置。
【請求項１２】
レーザ装置から出力されるレーザ光をターゲット物質に照射してターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置であって、
少なくともターゲット物質を内部に貯蔵するターゲット貯蔵部と、
前記ターゲット貯蔵部に貯蔵されたターゲット物質を出力するための貫通孔が形成されたターゲット出力部と、
前記ターゲット出力部に対向して配置され、前記ターゲット出力部から出力されるターゲット物質が通過する貫通孔が形成された電極であって、セレン（Ｓｅ）、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、炭素（Ｃ）、及び、コバルト（Ｃｏ）の内の少なくとも１つを含む前記電極と、
少なくとも前記ターゲット物質と前記電極との間に電圧を印加する電圧生成器と、
前記電極の貫通孔を通過したターゲット物質に照射されるレーザ光を導入する貫通孔が形成されたチャンバと、
を備える極端紫外光生成装置。
【請求項１３】
前記電圧生成器が、第１の電位と該第１の電位よりも高い第２の電位との間で変化する電圧信号を生成して、前記電極に該第１の電位を与え、前記ターゲット物質に該電圧信号を印加する、請求項１１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１４】
前記電圧生成器が、第１の電位と該第１の電位よりも高い第２の電位との間で変化する電圧信号を生成し、前記電極に該第１の電位を与え、前記ターゲット物質に該電圧信号を印加する、請求項１２記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１５】
前記電圧生成器が、第１の電位と該第１の電位よりも高い第２の電位との間で変化する電圧信号を生成して、前記電極に電圧信号を印加し、前記ターゲット物質に第２の電位以上の電位を与える、請求項１１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１６】
前記電圧生成器が、第１の電位と該第１の電位よりも高い第２の電位との間で変化する電圧信号を生成して、前記電極に電圧信号を印加し、前記ターゲット物質に第２の電位以上の電位を与える、請求項１２記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１７】
前記電圧生成器が、前記ターゲット物質に基準電位を与え、前記電極に負の電位を与える、請求項１１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１８】
前記電圧生成器が、前記ターゲット物質に基準電位を与え、前記電極に負の電位を与える、請求項１２記載の極端紫外光生成装置。
【図１】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図４】
【図５】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図７】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図９】
【図１０】
【図１１Ａ】
【図１１Ｂ】
【図１１Ｃ】
【図１２Ａ】
【図１２Ｂ】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図４】
【図５】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図７】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図９】
【図１０】
【図１１Ａ】
【図１１Ｂ】
【図１１Ｃ】
【図１２Ａ】
【図１２Ｂ】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１２−２１２６５５（Ｐ２０１２−２１２６５５Ａ）
【公開日】平成２４年１１月１日（２０１２．１１．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２８８０３９（Ｐ２０１１−２８８０３９）
【出願日】平成２３年１２月２８日（２０１１．１２．２８）
【出願人】（３０００７３９１９）ギガフォトン株式会社 (227)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月１日（２０１２．１１．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１２月２８日（２０１１．１２．２８）
【出願人】（３０００７３９１９）ギガフォトン株式会社 (227)
【Ｆターム（参考）】
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