説明

デバイスチップの製造方法

【課題】従来よりも効率よく接着フィルム層が形成されたデバイスチップを製造できるデバイスチップの製造方法を提供する。
【解決手段】分割予定ラインに沿ってウェーハを複数のデバイスチップCに分割し、粘着テープTを拡張してデバイスチップC間の間隔を広げ、環状フレームF内に支持された複数のデバイスチップCの裏面側に一括でスクリーン印刷によって液状の接着剤3を塗布して接着フィルムを被覆する。ウェーハをデバイスチップCに分割後、デバイスチップCの裏面側に一括でスクリーン印刷によって液状の接着剤3を塗布して接着フィルムを被覆するため、従来よりも効率よく接着フィルム層が形成されたデバイスチップCを製造することができる。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、裏面に接着フィルムが貼着されたデバイスチップの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
表面に格子状に配列されたストリートによって区画された領域に半導体素子が配設されているウェーハから、裏面にダイボンディング用の接着フィルムが貼着されたデバイスチップを製造する方法として、特許文献1に記載された方法が提案されている。特許文献1には、ウェーハの表面にストリートに沿って所定深さの溝を形成し、次いでウェーハの表面に保護テープを貼着し、しかる後にウェーハの裏面を研削して当該溝を裏面側から表出させてストリートを分断し、次いでウェーハの裏面全体に渡って接着テープを貼着し、分断されたストリートに沿って粘着テープを分断することが開示されている。粘着テープの分断は、分断されたストリートに沿って粘着テープにレーザ光線を照射することによって遂行することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開2002−118081号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかし、上記特許文献1に記載された方法では、接着フィルム層を切断するのに時間がかかり、作業効率が悪いという問題があった。
【0005】
本発明は、これらの事実に鑑みて成されたものであって、その主な技術的課題は、従来よりも効率よく接着フィルム層が形成されたデバイスチップを製造できるデバイスチップの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明は、表面側にデバイスが形成され裏面側に接着フィルム層が形成されたデバイスチップの製造方法に関するもので、環状フレームの開口部に支持された粘着テープに分割予定ラインが設定された表面側に複数のデバイスが形成されたウェーハの表面側を貼着することによって環状フレームの開口部に該ウェーハを支持する工程と、分割予定ラインに沿ってウェーハを複数のデバイスチップに分割する工程と、粘着テープを拡張してデバイスチップ間の間隔を広げる工程と、環状フレーム内に支持された複数のデバイスチップの裏面側に一括でスクリーン印刷によって液状の接着剤を塗布して接着フィルムを被覆する工程とを含む。
【発明の効果】
【0007】
本発明では、ウェーハをデバイスチップに分割後、デバイスチップの裏面側に一括でスクリーン印刷によって液状の接着剤を塗布して接着フィルムを被覆するため、従来よりも効率よく接着フィルム層が形成されたデバイスチップを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】ウェーハの一例を略示的に示す断面図である。
【図2】ウェーハの表面を粘着テープに貼着して環状フレームによって支持した状態を略示的に示す断面図である。
【図3】ウェーハの内部にレーザ光を集光して改質層を形成する状態を略示的に示す断面図である。
【図4】デバイスチップの間隔を広げる状態を略示的に示す断面図である。
【図5】裏面が研削されたデバイスチップを略示的に示す断面図である。
【図6】デバイスチップの裏面側にレジストを設置した状態を略示的に示す断面図である。
【図7】レジストの上に接着剤を滴下した状態を略示的に示す断面図である。
【図8】デバイスチップの裏面に接着剤を塗布する状態を略示的に示す断面図である。
【図9】接着剤に紫外線を照射して硬化させる状態を略示的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
図1に示すウェーハWは、表面W1側に分割予定ラインLが縦横に設定され、分割予定ラインLによって区画された領域に複数のデバイスDが形成されて構成されている。ウェーハWは特に限定はされないが、例えばシリコンウェーハ、ガリウム砒素、シリコンカーバイド等の半導体ウェーハや、サファイア(Al2O3)系の無機材料ウェーハ等が挙げられる。
【0010】
(1)ウェーハ支持工程
このように構成されるウェーハWの表面W1を、図2に示すように、粘着テープTに貼着する。粘着テープTは、環状フレームFの開口部F1を塞ぐように貼着されており、ウェーハWは、開口部F1に支持された粘着テープTに貼着されることにより、環状フレームFの開口部F1に支持される。
【0011】
(2)分割工程
次に、分割予定ラインLに沿ってウェーハWを分割する。例えば、図3に示すように、分割予定ラインLに沿ってウェーハWの内部にレーザ光1を集光することにより改質層2を形成する。そしてその後、改質層2に外力を加えることにより、改質層2を起点として分割予定ラインLを分断して個々のデバイスチップCに分割する。外力としては、粘着テープTを水平方向に伸張させることによりウェーハWをその面方向に引っぱる力、分割予定ラインLの両側を下方から支持した状態で分割予定ラインLに沿って上方から押圧する力などがある。なお、改質層とは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域であり、例えば、溶融処理領域、クラック領域や絶縁破壊領域、屈折率変化領域等があり、これらが混在した領域もある。
【0012】
分割工程では、分割予定ラインLに沿って切削ブレードを用いて切断する方法や、分割予定ラインLに沿って表面W1からデバイスチップの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成し、裏面W2を研削してその溝を裏面から表出させることによりデバイスチップに分割する方法などを採ることもできる。
【0013】
(3)間隔拡張工程
図4に示すように、粘着テープTを水平方向であるA方向(ウェーハWの面方向)に拡張させることにより、隣り合うデバイスチップCの間の間隔を広げる。
【0014】
(4)裏面研削工程
分割工程において、レーザ光を用いて改質層2を形成して改質層2を起点として分割を行った場合は、図5に示すように、2点鎖線で示す元の裏面位置から実線で示す面までデバイスチップCの裏面を研削することにより、改質層2を除去することが望ましい。かかる裏面研削工程を遂行することにより、個々のデバイスチップCの抗折強度を向上させることができる。デバイスチップCの裏面の研削は、図示していないが、例えば、回転する研削砥石をデバイスチップCの裏面に接触させることにより行う。
【0015】
(5)接着フィルム被覆工程
次に、図6に示すように、各デバイスチップC以外の部分がマスクされデバイスチップCの裏面のみが露出するようにレジストRを設置する。そして、図7に示すように、レジストRの端部に液状樹脂からなるダイボンディング用の接着剤3を滴下する。接着剤3の粘度は、例えば5000〜10000cpsとする。
【0016】
次いで、図8に示すように、スキージ4をレジストRに接触させながら矢印Bの方向に移動させることにより、液状の接着剤3をデバイスチップCの裏面に塗布する。また、必要に応じてスキージ4を複数回移動させることにより、デバイスチップCの裏面に確実かつ一様な厚さで接着剤3を塗布する。こうして、スクリーン印刷技術を利用することにより、各デバイスチップCに対して一括で接着剤3を塗布することができる。
【0017】
次に、図9に示すように、レジストRを除去してから、または除去する前に、接着剤3に紫外線を照射する。そうすると、接着剤3が硬化し、デバイスチップCの裏面の接着フィルム3’が被覆された状態となる。
【0018】
以上のように、ウェーハWを個々のデバイスチップCに分割した後に、スクリーン印刷によってその裏面に液状の接着剤を塗布し硬化させて接着フィルムを被覆することにより、従来よりも効率よく接着フィルム層が形成されたデバイスチップを製造することができる。また、デバイスチップに分割してから接着剤を塗布するため、ウェーハの状態でその裏面全体に液状の接着剤を塗布するよりも、各デバイスチップごとの接着剤の厚みバラツキを小さくすることができる。
【符号の説明】
【0019】
W:ウェーハ C:デバイスチップ
W1:表面 L:分割予定ライン D:デバイス
W2:裏面
T:テープ
F:フレーム F1:開口部
R:レジスト
1:レーザ光 2:改質層 3:接着剤 3’:接着フィルム 4:スキージ

【特許請求の範囲】
【請求項1】
表面側にデバイスが形成され裏面側に接着フィルム層が形成されたデバイスチップの製造方法であって、
環状フレームの開口部に支持された粘着テープに、分割予定ラインが設定された表面側に複数のデバイスが形成されたウェーハの該表面側を貼着することによって、該環状フレームの開口部に該ウェーハを支持する工程と、
該分割予定ラインに沿って該ウェーハを複数のデバイスチップに分割する工程と、
該粘着テープを拡張して該デバイスチップ間の間隔を広げる工程と、
該環状フレーム内に支持された複数のデバイスチップの裏面側に一括でスクリーン印刷によって液状の接着剤を塗布して接着フィルムを被覆する工程と、
を含むデバイスチップの製造方法。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【図9】
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【公開番号】特開2012−33842(P2012−33842A)
【公開日】平成24年2月16日(2012.2.16)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−174349(P2010−174349)
【出願日】平成22年8月3日(2010.8.3)
【出願人】(000134051)株式会社ディスコ (2,397)
【Fターム(参考)】